JPH01248616A - Surface defect inspecting device - Google Patents
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- JPH01248616A JPH01248616A JP63076947A JP7694788A JPH01248616A JP H01248616 A JPH01248616 A JP H01248616A JP 63076947 A JP63076947 A JP 63076947A JP 7694788 A JP7694788 A JP 7694788A JP H01248616 A JPH01248616 A JP H01248616A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は例えば半導体ウェハ（以下、単にウェハと略称
する）表面に形成されるレジストの欠陥検査に最適な表
面欠陥検査装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention provides a surface defect inspection device that is ideal for inspecting defects in resist formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer), for example. Regarding.
（従来の技術）
集積回路を製造する工程において、ファトエッチング工
程（ＰＥＰ工程）があるが、この工程においては特にウ
ェハ表面に形成されるレジストの状態、例えばレジスト
の膜厚等を検査することが重要である。第７図は、かか
る検査の方法を示す図である。すなわち第７図において
、作業員Ａはバキュームピンセット１を使用してウェハ
２を吸着し、この状態でウェハ２をタングステンランプ
３のスポット光が照射される位置に搬送する。(Prior Art) In the process of manufacturing integrated circuits, there is a fat etching process (PEP process), and in this process, it is especially necessary to inspect the condition of the resist formed on the wafer surface, such as the thickness of the resist film. is important. FIG. 7 is a diagram showing a method of such an inspection. That is, in FIG. 7, worker A uses vacuum tweezers 1 to pick up wafer 2, and in this state transports wafer 2 to a position where it is irradiated with the spotlight of tungsten lamp 3.
そして、作業員Ａはスポット光の照射されたウェハ２か
らの反射散乱光の強度を目視により確認することによっ
て、レジストに欠陥があるか否かを検査する。Then, the worker A visually checks the intensity of the reflected and scattered light from the wafer 2 irradiated with the spot light, thereby inspecting whether or not there is a defect in the resist.
ところが、このような検査方法では、ウェハ２の表面ウ
ェハにおける露光のフォーカスずれや溶液の残りの付着
等の欠陥を検出することが難しく、これを見逃すことが
多い。また、各作業員によって検査精度にバラツキを生
じる問題がある。さらに、検査は一枚の得に対してＰＥ
Ｐ工程中に通常１０〜１５回程度行なう必要があり、検
査の際に作業員によるゴミが発生するという問題がある
。However, with such an inspection method, it is difficult to detect defects such as out-of-focus exposure on the front wafer of the wafer 2 or adhesion of residual solution, and these defects are often overlooked. Additionally, there is a problem in that the inspection accuracy varies depending on the worker. Furthermore, the inspection is PE for each piece of profit.
It is usually necessary to carry out the inspection about 10 to 15 times during the P process, and there is a problem in that dust is generated by the workers during the inspection.
さらにまた、ウェハに対して均一に照明すること、すな
わち照明ムラを無くすることが困難であり、そのために
特別な照明装置を用いなければならない。Furthermore, it is difficult to uniformly illuminate the wafer, that is, to eliminate uneven illumination, and a special illumination device must be used for this purpose.
（発明が解決しようとする課題）
以上のように、従来では欠陥を見落としたり、検査精度
にバラツキが生じるばかりでなく、ゴミが発生したり、
照明ムラが発生するという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional method, not only defects are overlooked and inspection accuracy varies, but also dust is generated.
There was a problem that uneven lighting occurred.
本発明の目的は、被検査体の欠陥を精度よくかつ検査精
度にバラツキを生じることなくしかもゴミあるいは照明
ムラを発生することなく検査することが可能な表面欠陥
検査装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface defect inspection apparatus capable of inspecting defects on an object to be inspected with high accuracy and without causing variations in inspection accuracy and without generating dust or uneven illumination.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために本発明では、パターンが形
成された被検査体に対して光源から所定角度で光を照射
し、この時の被検査体からの反射散乱光を受けて・被検
査体の表面欠陥検査を行なう表面欠陥検査装置において
、
被検査体をＸＹ移動テーブル上に載置して、ステッパ露
光でのワンショットの周期パターンに同期するように被
検査体を移動させ、被検査体からの反射散乱光を撮像す
る撮像装置と、撮＠ｌ装置からの画像信号を受けてステ
ッパ露光のワンショットで露光される一領域での画像デ
ータと他領域での画像データとを比較し、この両画像デ
ータの差から被検査体の欠陥を検査する検査手段とを備
えて構成している。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, the present invention irradiates a patterned object with light from a light source at a predetermined angle. In a surface defect inspection device that inspects the surface of an object to be inspected by receiving reflected and scattered light from the object, the object to be inspected is placed on an XY moving table and a one-shot periodic pattern is detected using stepper exposure. An imaging device that moves the object to be inspected in synchronization with the object and captures the reflected and scattered light from the object, and an area that is exposed in one shot of stepper exposure in response to an image signal from the imaging device. and an inspection means for comparing the image data of 1 and the image data of another area, and inspecting the object to be inspected for defects based on the difference between the two image data.
（作用）
従って、本発明では以上のような手段を備えたことによ
り、被検査体からの反射散乱光を撮像装置によりｍ像し
、この銀像装置からの画像信号を受けて検査手段は、ス
テッパ露光のワンショットで露光される一領域での画像
データと他領域での画像データとを比較し、この両画像
データの差から被検査体の欠陥検査が行なわれる。そし
て、この画像データを取込む際には、ステッパ露光での
ワンショットの周期パターンに同期するように被検査体
を移動させることにより、各画像の被検査体上のパター
ンはワンショットに同期した相対位置にあり、ステッパ
露光露光でのワンショットのパターンに含まれる周期的
な位置合わせパターン、および照明のムラを取除くこと
が可能となる。(Function) Therefore, in the present invention, by providing the above-mentioned means, the reflected and scattered light from the object to be inspected is imaged by the image pickup device, and upon receiving the image signal from this silver image device, the inspection device performs the following steps. The image data of one area exposed in one shot of stepper exposure is compared with the image data of another area, and the object to be inspected is inspected for defects based on the difference between the two image data. When capturing this image data, the pattern on the object in each image is synchronized with the one shot by moving the object to be inspected in synchronization with the one-shot periodic pattern in stepper exposure. It is possible to remove periodic alignment patterns that are located in relative positions and included in one-shot patterns in stepper exposure, and uneven illumination.
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明による表面欠陥検査装置の構成図であ
る。第１図において、−様なパターンが形成された被検
査体であるウェハ２は、移動機構を構成するＸＹ移動テ
ーブル１０上に載置されている。このＸＹ移動テーブル
１０は、Ｘ軸テーブル１１およびＹ軸テーブル１２を有
し、それぞれＸ軸モータ１３．Ｙ軸モータ１４によって
、ステッパ露光でのワンショットの周期パターンに同期
して移動するようになっている。FIG. 1 is a block diagram of a surface defect inspection apparatus according to the present invention. In FIG. 1, a wafer 2, which is an object to be inspected and has a --shaped pattern formed thereon, is placed on an XY moving table 10 that constitutes a moving mechanism. This XY moving table 10 has an X-axis table 11 and a Y-axis table 12, each having an X-axis motor 13. The Y-axis motor 14 causes movement in synchronization with a one-shot periodic pattern in stepper exposure.
一方、ウェハ２の上方には光源としてのタングステンラ
ンプ１５が配置され、このタングステンランプ１５から
光がウェハ２の面に対して所定角度で照射されるように
なっている。また、ウェハ２の上方には、ステッパ露光
でのワンショットで露光される領域相当の大きさの＠像
領域を持った撮像装置１６が配置され、この撮像装置１
６によってウェハ２の所定領域を搬像するようになって
いる。そして、このＶａ懺装置１６から出力される画像
信号は、検査手段としての画像処理装置１７に与えられ
るようになっている。On the other hand, a tungsten lamp 15 as a light source is arranged above the wafer 2, and light is irradiated from the tungsten lamp 15 onto the surface of the wafer 2 at a predetermined angle. Further, above the wafer 2, an imaging device 16 is arranged which has an image area corresponding to the area exposed in one shot in stepper exposure.
6, a predetermined area of the wafer 2 is imaged. The image signal outputted from this Va-printing device 16 is given to an image processing device 17 as an inspection means.
この画像処理装置１７は、ステッパ露光でのワンショッ
トで露光される一領域での画像データと他領域での画像
データとを比較し、この両画像データの差からウェハ２
のレジストにおける欠陥の有無を判断する機能を有する
ものである。具体的には、撮像装＠１６からの画像信号
をデジタル化するＡ／Ｄ （アナログ７／デジタル）変
換器１８が備えられ、このＡ／Ｄ （アナログ／デジタ
ル）変換器１８でデジタル化された後に、画像データと
して画像メモリ１９に記憶されるようになっている。ま
た、比較部２０は、画像メモリ１９に記憶されている各
領域での画像データを比較して両画像データの差をとり
、−画像部分を除去して残った画像部分から欠陥を判断
する機能を有するものである。さらに、画像処理制御部
２１は、画像メモリ１９および比較部２０間における画
像データの受渡しを行なって画像処理を制御する機能を
有し、かつｌ１０（インプット／アウトプット）ボート
２２を通して取込まれるホストコンピュータ２３からの
指令を受けて画像処理を実行させる機能を有するもので
ある。さらに、ホストコンピュータ２３は、画像処理装
置１７に画像処理指令を発すると共に、テーブル制御部
２４に移動指令を発してウェハ２の撮像領域を変更させ
る機能を有するものである。This image processing device 17 compares the image data of one area exposed in one shot in stepper exposure with the image data of another area, and based on the difference between the two image data, the wafer 2
It has the function of determining the presence or absence of defects in the resist. Specifically, an A/D (analog 7/digital) converter 18 is provided that digitizes the image signal from the imaging device @16, and the image signal is digitized by the A/D (analog/digital) converter 18. Later, it is stored in the image memory 19 as image data. The comparing unit 20 also has a function of comparing the image data in each area stored in the image memory 19, taking the difference between the two image data, and - removing the image part and determining defects from the remaining image part. It has the following. Furthermore, the image processing control section 21 has a function of controlling image processing by transferring image data between the image memory 19 and the comparison section 20, and also has a function of controlling image processing by transferring image data between the image memory 19 and the comparison section 20, and the It has a function of receiving instructions from the computer 23 and executing image processing. Furthermore, the host computer 23 has a function of issuing an image processing command to the image processing device 17 and also issuing a movement command to the table control unit 24 to change the imaging area of the wafer 2.
次に、以上の如く構成された表面欠陥検査装置の作用に
ついて説明する。Next, the operation of the surface defect inspection apparatus configured as above will be explained.
ウェハ２がＸＹ移動テーブル１０上に載置され 。The wafer 2 is placed on the XY moving table 10.
ると、ホストコンピュータ２３から移動指令がテーブル
制御部２４に発せられる。この移動指令は、Ｉｆｉ像装
置１６のＩｆｉ像領１ｉｉＱがウェハ２の一部にセット
する内容となっている。テーブル制御部２４は、移動指
令の内容に応じてＸ軸モータ１３．Ｙ軸モータ１４を駆
動させ、これによりＶａ＠Ｈａ１６の撮像領域Ｑが第２
図に示すようにウェハ２の該当部にセットされる。この
時、タングステンランプ１５は点灯して、光をウェハ２
の面に対して所定角度で照射している。これにより、ウ
ェハ２から反射散乱光が生じる。この状態で、ｍｅ装＠
１６はウェハ２からの反！）ｌ散乱光をｍｔｉしてその
画像信号を出力する。この画像信号は、画像処理装置１
７のＡ／Ｄ変換器１８によりデジタル化されて、第３図
に示すような画像データとして画像メモリ１９に記憶さ
れる。このように画像データが記憶されると、画像処理
制御部２１はこの旨をＩ１０ポート２２を通してホスト
コンピュータ２３に与える。Then, a movement command is issued from the host computer 23 to the table control section 24. This movement command is such that the Ifi image area 1iiQ of the Ifi image device 16 is set on a part of the wafer 2. The table control unit 24 controls the X-axis motor 13 . The Y-axis motor 14 is driven, so that the imaging area Q of Va@Ha 16 becomes the second
As shown in the figure, it is set on the corresponding part of the wafer 2. At this time, the tungsten lamp 15 is turned on and transmits light to the wafer 2.
The beam is irradiated at a predetermined angle to the surface. As a result, reflected and scattered light is generated from the wafer 2. In this state, me
16 is the reverse from wafer 2! ) mti the scattered light and output the image signal. This image signal is transmitted to the image processing device 1
7 is digitized by the A/D converter 18 and stored in the image memory 19 as image data as shown in FIG. When the image data is stored in this manner, the image processing control section 21 notifies the host computer 23 of this fact through the I10 port 22.
この画像処理制御部２１からの画像データ記憶の旨を受
けると、ホストコンピュータ２３はテーブル制御部２４
に対して、ステッパ露光でのワンショットの周期パター
ンに同期して移動指令を発する。この移動指令は、搬像
装置１６のｍｌＩ領域が第２図に示すように搬像領域Ｒ
１となる内容となっている。この移動指令によってウェ
ハ２は移動され、しかしてｌｆｉ像装置１６はｍ像領域
Ｒ１を撮像してその画像信号を出力する。そうして、こ
の１Ｉｉｌ＆領域Ｒ１の第４図に示すような画像データ
が画像メモリ１９に記憶される。Upon receiving the image data storage instruction from the image processing control section 21, the host computer 23 causes the table control section 24 to store the image data.
A movement command is issued in synchronization with the one-shot periodic pattern in stepper exposure. This movement command causes the mlI area of the image carrying device 16 to move to the image carrying area R as shown in FIG.
The content is 1. The wafer 2 is moved by this movement command, and the lfi imager 16 images the m image area R1 and outputs the image signal. Then, the image data of this 1Iil&area R1 as shown in FIG. 4 is stored in the image memory 19.
さて、このとき画像処理制御部２１は、画像メモリ１９
に記憶された第３図および第４図に示す各画像データを
読み出して比較部２０へ渡す。この比較部２０は、これ
らの画像データを受けて両者の差をとり、各画像データ
から同一パターン部分の画像部分を相殺する（各画像デ
ータのウェハ２上のパターンは、ステッパ露光でのワン
ショットに同期した相対位置にある）。すなわち、同一
濃淡レベルとなっている部分、っまりウェハ２の同一パ
ターン部分やダンシングラインｄが相殺される。この結
果、第５図に示すような画像データが得られる。ここで
、もし撮像領域Ｒ１においてウェハ２に欠陥を示す部分
Ｇが存在すれば、この部分Ｇのみが除去されずに残る。Now, at this time, the image processing control section 21 controls the image memory 19.
Each image data shown in FIG. 3 and FIG. The comparison unit 20 receives these image data, calculates the difference between the two, and cancels out the image portion of the same pattern from each image data (the pattern on the wafer 2 of each image data is one-shot by stepper exposure). ). That is, the portions having the same density level, such as the same pattern portion of the wafer 2 and the dancing line d, are canceled out. As a result, image data as shown in FIG. 5 is obtained. Here, if a defective portion G exists on the wafer 2 in the imaging region R1, only this portion G remains without being removed.
しかして、比較部２０はこの部分Ｇを欠陥として明瞭に
判断し、その旨Ｅを外部の報知手段へ送出する。Therefore, the comparator 20 clearly determines this portion G as a defect and sends a message E to that effect to an external notification means.
次に、ホストコンピュータ２３は再びテーブル制御部２
４に対して、ステッパ露光でのワンショットの周期パタ
ーンに同期して移動指令を発する。Next, the host computer 23 returns to the table control unit 2.
4, a movement command is issued in synchronization with the one-shot periodic pattern in stepper exposure.
この移動指令は、ｌ１ｉｌ像装＠１６のｍ像領域が第２
図に示すように撮像領域Ｒ２となる内容となっている。This movement command indicates that the m image area of l1il imaging device @16 is the second
As shown in the figure, the content is the imaging area R2.
この移動指令によってウェハ２は移動され、しかして撮
像装置１６は撮像領１１Ｒ２をｍ像してその画像信号を
出力する。そうして、このｍ像領域Ｒ２の画像データが
画像メモリ１９に記憶される。そして、画像処理制御部
２１は、画像メモリ１つに記憶された各画像データ、こ
こではウェハ２の撮像領域Ｑの画像データと撮像領域Ｒ
２の画像データとを読み出して比較部２０へ渡す。この
比較部２０は、これらの画像データを受けて両者の差を
とり、各画像データから同一パターン部分の画像部分を
相殺する。そうして、もし搬凶領域Ｒ２においてウェハ
２に欠陥を示す部分が存在すれば、この部分のみが除去
されずに残り、しかして比較部２０はこの部分を欠陥と
して明瞭に判断し、その旨Ｅを外部の報知手段へ送出す
る。The wafer 2 is moved by this movement command, and the imaging device 16 takes m images of the imaging area 11R2 and outputs the image signal. The image data of this m image area R2 is then stored in the image memory 19. The image processing control unit 21 then processes each image data stored in one image memory, here, the image data of the imaging area Q of the wafer 2 and the image data of the imaging area R.
2 and the image data are read out and passed to the comparison section 20. The comparison unit 20 receives these image data, calculates the difference between the two, and cancels out the image portions of the same pattern from each image data. Then, if there is a part of the wafer 2 that shows a defect in the carry-on region R2, only this part remains without being removed, and the comparison unit 20 clearly determines this part as a defect and indicates the fact. E is sent to an external notification means.
なお、第６図はステッパ露光の一例を示すもので、同図
（ａ）の斜線部分がステッパ露光のワンショットで露光
される部分であり、同図（ｂ）で示すように複数個のチ
ップが含まれている。Note that FIG. 6 shows an example of stepper exposure, and the shaded area in FIG. 6(a) is the area exposed in one shot of stepper exposure, and as shown in FIG. It is included.
このように、ウェハ２の一部分における画像データとウ
ェハ２の他の部分における画像データとを比較して両者
の差をとることにより、その残った画像データ部分から
欠陥が判断される。またこの場合、ステッパ露光でのワ
ンショットの周期で両画像データの差を求めることによ
り、ステッパ露光でのワンショットのパターンに含まれ
る周期的な位置合わせパターン、および照明のムラを取
除くことができる。ワンショット内にある周期的パター
ンは、ウェハ２のチップの周期パターンとは一致しない
。これは、照明ムラはタングステンランプ１５とウェハ
２および搬像装置１６の相対位置が一致する場合は、常
に同じとなることがその理由である。すなわち、両画像
データの差を求めるときに、それぞれの画像データに含
まれるワンショットの周期パターンおよび照明ムラは、
ウェハ２上のパターンと同様に相殺される。In this way, by comparing the image data of one part of the wafer 2 with the image data of another part of the wafer 2 and taking the difference between the two, a defect can be determined from the remaining image data part. In addition, in this case, by finding the difference between both image data at the one-shot period in stepper exposure, it is possible to remove the periodic alignment pattern included in the one-shot pattern in stepper exposure and the uneven illumination. can. The periodic pattern within one shot does not match the periodic pattern of the chips on wafer 2. The reason for this is that the illumination unevenness is always the same when the relative positions of the tungsten lamp 15, the wafer 2, and the image carrier 16 match. In other words, when calculating the difference between both image data, the one-shot periodic pattern and illumination unevenness included in each image data are
They are canceled out in the same way as the pattern on wafer 2.
上述したように、本実施例の表面欠陥検査装置において
は、ステッパ露光でのワンショットで露光される領域相
当の撮像領域を持つ搬像装置１６により、ウェハ２から
の反射散乱光を撮像し、このときＸＹ移動テーブル１０
によってウェハ２を、ステッパ露光でのワンショット周
期パターンに同期して移動させて撮像領域を変更し、こ
のときの各領域での画像データを比較してその両者の差
をとり、この差の画像データからウェハ２の欠陥を検査
す−るようにしたので、欠陥を示す部分のみが残って容
易にかつ明瞭に欠陥を判断することができ、これにより
目視では検査できなかった露光のフォーカスずれや液体
の残り等を、検査精度にバラツキを生じることなく確実
に検出することが可能となる。また、タングステンラン
プ１５のウェハ２面への光の照射にムラがあっても、ス
テッパ露光でのワンショット周期パターンに同期するよ
うにウェハ２を移動させているため、撮像するときの各
撮像領域Ｑ、Ｒ１，Ｒ２，・・・・・・における照射ム
ラが無くなり、従ってタングステンランプ１５の照射に
ムラがかなりあっても、その影響を受けずに正確に欠陥
のみを検出することが可能となる。ざらに、検査は従来
のような作業員による目視観察でないため、検査の際に
ゴミが発生するというようなことが無くなる。As described above, in the surface defect inspection apparatus of this embodiment, the reflected and scattered light from the wafer 2 is imaged by the image carrier 16, which has an imaging area equivalent to the area exposed in one shot in stepper exposure. At this time, the XY moving table 10
The imaging area is changed by moving the wafer 2 in synchronization with the one-shot periodic pattern of stepper exposure, comparing the image data in each area at this time, taking the difference between the two, and creating an image of this difference. Since defects on wafer 2 are inspected based on the data, only the parts showing the defects remain, making it easy and clear to judge the defects. It becomes possible to reliably detect residual liquid and the like without causing variations in inspection accuracy. In addition, even if there is unevenness in the irradiation of light from the tungsten lamp 15 onto the two surfaces of the wafer, the wafer 2 is moved in synchronization with the one-shot periodic pattern in stepper exposure, so each imaging area is Irradiation unevenness in Q, R1, R2, . . Generally speaking, since the inspection is not a visual observation by a worker as in the past, there is no possibility of dust being generated during the inspection.
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施すること
ができるものである。It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be implemented with various modifications without departing from the gist thereof.
例えば、比較部２０で比較する各画像データの一方をウ
ェハ２の撮像領域Ｑの画像データと限定せずに、他の領
域の画像データを用いたり、あるいはその都度前回記憶
した画像データを読み出して比較するようにしてもよい
。For example, instead of limiting one of the image data to be compared in the comparison unit 20 to the image data of the imaging area Q of the wafer 2, image data of another area may be used, or the previously stored image data may be read each time. You may also make a comparison.
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、被検査体の欠陥を
精度よくかつ検査精度にバラツキを生じることなくしか
もゴミあるいは照明ムラを発生することなく検査するこ
とが可能な表面欠陥検査装置が提供できる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to inspect a surface of an object to be inspected for defects with high accuracy and without variation in inspection accuracy, and without generating dust or uneven illumination. Defect inspection equipment can be provided.
第１図は本発明による表面欠陥検査装置の一実施例を示
す構成図、第２図乃至第６図は同実施例における作用を
説明するための図、第７図は従来技術を説明するための
図である。
２・・・ウェハ、１０・・・ＸＹ移動テーブル、１１・
・・Ｘ軸テーブル、１２・・・Ｙ軸テーブル、１３・・
・Ｘ軸モータ、１４・・・Ｙ軸モータ、１５・・・タン
グステンランプ、１６・・・愁像装置、５１７・・・画
像処理装置。
１９・・・画像メモリ、２０・・・比較部、２１・・・
画像処理制御部、２３・・・ホストコンピュータ、２４
・・・テーブル制御部。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図
第３図 第。図
第５図
（ａ） （ｂ）第６図FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the surface defect inspection device according to the present invention, FIGS. 2 to 6 are diagrams for explaining the operation of the same embodiment, and FIG. 7 is for explaining the prior art. This is a diagram. 2... Wafer, 10... XY moving table, 11.
...X-axis table, 12...Y-axis table, 13...
- X-axis motor, 14... Y-axis motor, 15... tungsten lamp, 16... imaging device, 517... image processing device. 19... Image memory, 20... Comparison section, 21...
Image processing control unit, 23... host computer, 24
...Table control section. Applicant's Representative Patent Attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2 Figure 3. Figure 5 (a) (b) Figure 6
Claims (1)
角度で光を照射し、この時の前記被検査体からの反射散
乱光を受けて当該被検査体の表面欠陥検査を行なう表面
欠陥検査装置において、前記被検査体をＸＹ移動テーブ
ル上に載置して、ステッパ露光でのワンショットの周期
パターンに同期するように被検査体を移動させ、 前記被検査体からの反射散乱光を撮像する撮像装置と、 前記撮像装置からの画像信号を受けてステツパ露光のワ
ンショットで露光される一領域での画像データと他領域
での画像データとを比較し、この両画像データの差から
前記被検査体の欠陥を検査する検査手段と、 を備えて成ることを特徴とする表面欠陥検査装置。[Scope of Claims] Surface defect inspection of the inspected object is performed by irradiating light from a light source at a predetermined angle onto an inspected object on which a pattern is formed, and receiving reflected and scattered light from the inspected object at this time. In a surface defect inspection apparatus that performs this, the object to be inspected is placed on an XY moving table, and the object to be inspected is moved in synchronization with a one-shot periodic pattern in stepper exposure, and the object to be inspected is removed from the object to be inspected. An imaging device that captures an image of reflected and scattered light receives an image signal from the imaging device, compares image data in one region exposed in one shot of stepper exposure with image data in another region, and compares both images. A surface defect inspection apparatus comprising: inspection means for inspecting the object to be inspected for defects based on data differences.
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735217B2 (en) | 1998-04-02 |
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