JPH0493033A - Transistor for power use - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電力用トランジスタに関し、特に電流検出用電
極を有する電力用トランジスタに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a power transistor, and more particularly to a power transistor having a current detection electrode.
第２図の断面図を用いて、従来の電流検出用電極を有す
る電力用バイポーラトランジスタの構造を説明する。The structure of a conventional power bipolar transistor having a current detection electrode will be explained using the cross-sectional view of FIG.
半導体基板をコレクタ領域１１とし、コレクタ領域１１
内にベース領域１２が設けられ、ベース領域１２内にエ
ミッタ領域１Ｂ、１．：３ａが設けられる。半導体基板
表面にはシリコン酸化Ｍ１４が形成され、ベース領域コ
２．エミッタ領域］３およびエミッタ領域１３ａ」二の
シリコン酸化膜１４に設けられた開口部を介して、ベー
ス電極１８、エミッタ電極１７．電流検出用エミッタ電
極１５が設けられている。The semiconductor substrate is used as a collector region 11, and the collector region 11
A base region 12 is provided within the base region 12, and emitter regions 1B, 1. :3a is provided. Silicon oxide M14 is formed on the surface of the semiconductor substrate, and the base region C2. The base electrode 18, the emitter electrode 17. An emitter electrode 15 for current detection is provided.
電力用バイポーラトランジスタでは、エミッタ領域の周
囲長を長くすることによる電流および熱分布のバランス
を保つため、エミッタ領域の構造はマルチエミッタ構造
となっている。このため、エミッタ領域１３ａの面積は
エミッタ領域１３の面積より小さく設定され、電流検出
用エミッタ電極１５に流れる電流とエミッタ電極１７流
れるエミッタ電流とがエミッタ領域１３ａとエミッタ領
域１３との面積に比例することを利用して、エミッタ電
流の値を推定している。In power bipolar transistors, the structure of the emitter region is a multi-emitter structure in order to maintain a balance in current and heat distribution by increasing the circumference of the emitter region. Therefore, the area of the emitter region 13a is set smaller than the area of the emitter region 13, and the current flowing through the current detection emitter electrode 15 and the emitter current flowing through the emitter electrode 17 are proportional to the area of the emitter region 13a and the emitter region 13. This fact is used to estimate the value of the emitter current.
従来の電流検出用電極を有する電力用電界効果トランジ
スタの構造も同じ技術思想のもとに構成されている。つ
まり、同一半導体基板内に小面積のソース領域を設け、
この上に電流検出用ソース電極を設け、電流検出用ソー
ス電極に流れる電流により、ソース電流の値を推定して
いる。The structure of a conventional power field effect transistor having a current detection electrode is also constructed based on the same technical idea. In other words, by providing a small-area source region within the same semiconductor substrate,
A current detection source electrode is provided on this, and the value of the source current is estimated based on the current flowing through the current detection source electrode.
上述した従来の電流検出用電極を有する電力用バイポー
ラトランジスタ（または、従来の電流検出用電極を有す
る電力用電界効果トランジスタ）は、専用に設けられた
小面積のエミッタ領域（または、ソース領域）上に電流
検出用電極を設け、そこに流れる電流により全エミッタ
電流（または、全ソース電流）を推定しているため、ト
ランジスタ内部の電流経路およびエミッタ領域（または
、ソース領域）の形状に依存するエミッション効果が一
様でないため、正確な検出がなされないという欠点があ
る。The above-mentioned power bipolar transistor having a conventional current detection electrode (or a power field effect transistor having a conventional current detection electrode) has a small area emitter region (or source region) provided exclusively for the power bipolar transistor. Since a current detection electrode is provided in the transistor and the total emitter current (or total source current) is estimated from the current flowing there, emissions depend on the current path inside the transistor and the shape of the emitter region (or source region). The drawback is that accurate detection is not possible because the effects are not uniform.
本発明の電力用トランジスタは、エミッタ領域上に設け
られたエミッタ開口部に（または、ソース領域上に設け
られたソース開口部に）、電流検出用エミッタ電極、抵
抗体膜、およびエミッタ電極（または、電流検出用ソー
ス電極、抵抗体膜およびソース電極）が順次積層されて
形成される構造を有している。The power transistor of the present invention includes an emitter electrode for current detection, a resistor film, and an emitter electrode (or , a current detection source electrode, a resistor film, and a source electrode) are sequentially stacked.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例の電力用バイポーラトランジ
スタを説明するための断面図である。FIG. 1 is a sectional view for explaining a power bipolar transistor according to an embodiment of the present invention.
半導体基板をコレクタ領域１とし、コレクタ領域１内に
ベース領域２が設けられ、ベース領域２内にエミッタ領
域３が設けられる。半導体基板表面にはシリコン酸化膜
４が形成され、ベース領域２上のシリコン酸化膜４に設
けらるな開口部を介して、ベース電極８が設けられてい
る。更に、エミッタ領域３上のシリコン酸化膜４に設け
られた開口部を介して、電流検出用エミッタ電極５．抵
抗体膜６．およびエミッタ電極７が順次積層されて形成
されている。電流検出用エミッタ電極５は露出部を有し
ている。A semiconductor substrate is used as a collector region 1, a base region 2 is provided within the collector region 1, and an emitter region 3 is provided within the base region 2. A silicon oxide film 4 is formed on the surface of the semiconductor substrate, and a base electrode 8 is provided through an opening that is not provided in the silicon oxide film 4 on the base region 2 . Furthermore, the current detection emitter electrode 5. Resistor film 6. and emitter electrode 7 are sequentially laminated. The current detection emitter electrode 5 has an exposed portion.
一ヒ述の電力用バイポーラトランジスタをパッケージに
搭載し、電流検出用エミッタ電極５．およびエミッタ電
極７はパッケージの別々のリード端子に接続され、この
端子間の電圧降下により全エミッタ電流を検出する。The above-described power bipolar transistor is mounted on the package, and the emitter electrode for current detection is 5. and emitter electrode 7 are connected to separate lead terminals of the package, and the total emitter current is detected by the voltage drop across these terminals.
電力用電界効果トランジスタの場合も同様に、ソース領
域上に電流検出用ソース電極、抵抗体膜、およびソース
電極を順次積層して形成し、この電力用電界効果トラン
ジスタをパッケージに搭載し、電流検出用ソース電極、
およびソース電極をパッケージの別々のリード端子に接
続し、この端子間の電圧降下により全ソース電流を検出
している。Similarly, in the case of a power field effect transistor, a source electrode for current detection, a resistor film, and a source electrode are sequentially stacked on the source region, and this power field effect transistor is mounted on a package to detect current. source electrode for
The and source electrodes are connected to separate lead terminals of the package, and the total source current is sensed by the voltage drop across these terminals.
以上説明したように本発明の電力用バイポーラトランジ
スタ（まなは、電力用電界効果トランジスタ）は、エミ
ッタ領域とエミッタ電極との間に電流検出用エミッタ電
極および抵抗体膜（または、ソース領域とソース電極と
の間に電流検出用ソース電極および抵抗体膜）を設けて
いる。As explained above, the power bipolar transistor (mana, power field effect transistor) of the present invention has an emitter electrode for current detection and a resistor film (or a source region and a source electrode) between the emitter region and the emitter electrode. A source electrode for current detection and a resistor film) are provided between the current detection source electrode and the resistor film.
全エミッタ電流（または、全ソース電流）は、エミッタ
電極と電流検出用エミッタ電極との間（または、ソース
電極と電流検出用ソース電極との間）の電圧降下により
検出される。このため、トランジスタ内部の電流経路お
よびエミッタ領域（または、ソース領域）の形状に依存
するエミッション効果に関係するこのなく、全エミッタ
電流（または、全ソース電流）を正確に検出することが
可能となる。The total emitter current (or total source current) is detected by the voltage drop between the emitter electrode and the current detection emitter electrode (or between the source electrode and the current detection source electrode). Therefore, it is possible to accurately detect the total emitter current (or total source current) without being related to emission effects that depend on the current path inside the transistor and the shape of the emitter region (or source region). .
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来の
電力用バイポーラトランジスタの縦断面図である。
１．１１・・・コレクタ領域、２，１２・・・ベース領
域、３，１３．１３ａ・・・エミッタ領域、４．１４・
・・シリコン酸化膜、５，１５・・・電流検出用エミッ
タ電極、６・・・抵抗体膜、７，１７・・・エミッタ電
極、８，１８ベース電極。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a conventional power bipolar transistor. 1.11...Collector region, 2,12...Base region, 3,13.13a...Emitter region, 4.14.
...Silicon oxide film, 5, 15... Emitter electrode for current detection, 6... Resistor film, 7, 17... Emitter electrode, 8, 18 Base electrode.
Claims (1)
領域上に設けられたエミッタ開口部に、電流検出用エミ
ッタ電極、抵抗体膜、およびエミッタ電極が順次積層さ
れて形成されることを特徴とする電力用トランジスタ。 ２、電力用電界効果トランジスタにおいて、ソース領域
上に設けられたソース開口部に、電流検出用ソース電極
、抵抗体膜、およびソース電極が順次積層されて形成さ
れることを特徴とする電力用トランジスタ。[Claims] 1. A bipolar transistor for power use, characterized in that an emitter electrode for current detection, a resistor film, and an emitter electrode are sequentially laminated in an emitter opening provided on an emitter region. power transistor. 2. A power field effect transistor, characterized in that a current detection source electrode, a resistor film, and a source electrode are sequentially stacked in a source opening provided on a source region. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20989090A JPH0493033A (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Transistor for power use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20989090A JPH0493033A (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Transistor for power use |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493033A true JPH0493033A (en) | 1992-03-25 |
Family
ID=16580345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20989090A Pending JPH0493033A (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Transistor for power use |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493033A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560773B2 (en) | 2005-10-14 | 2009-07-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP20989090A patent/JPH0493033A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560773B2 (en) | 2005-10-14 | 2009-07-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| DE102006044808B4 (en) * | 2005-10-14 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp. | Semiconductor device |
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