JPH0489616A - 磁気ディスク装置及び磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスク装置及びそれらに用いられる磁
気ディスクに関する。

〔従来の技術〕

近年の情報量の増大に伴い、コンピュータシステムの外
部記憶装置としての磁気ディスク装置の重要度は益々高
まり、その記録容量に対しては常に高密度化が求められ
ている。

磁気ディスク装置は、磁気ディスクと磁気ヘッド（以下
、ヘッドと称する）を主構成要素とし、磁気ディスクの
回転制御機構、ヘッドの位置決め機構及び記録再生信号
の処理回路等から構成されている。一般に磁気ディスク
装置は、磁気ディスクに同心円状又はらせん状に多数設
けられたトラックに情報を記録する。ここで記録密度を
向上させるため、トラック内の円周方向の情報密度（線
記録密度）を大きくし、トラックのピッチを小さくして
トラック密度を大きくすることが必要である。

線記録密度は、磁気ディスクの磁性膜の特性（保磁力、
膜厚等）、ヘッドの特性（周波数特性、ギャップ長等）
及び磁気ディスクとヘラ１くとの間＝３ のスペーシング等に依存し、年々著しい向上がなされて
きた。これに対してトラック密度は、現在最高のもので
も１０００〜１４００ＴＰＩ　（１〜ラツク・パー・イ
ンチ）程度であり、飛躍的な向上は困難と考えられてい
る。それは以下に示す理由による。

一般的な磁気ディスクは、塗布型ディスク及び薄膜ディ
スクのいずれも、磁性膜が面内に一様に形成されており
、この磁性膜に同心円状に情報を記録する。この磁気デ
ィスクではトラック間にも磁性膜が存在するため、トラ
ックの間隔を小さくすると、隣接するトラック間の磁性
膜を介した磁気的な相互作用により記録信号の減磁が起
こり、再生出力及びＳＮ比が低下するという問題点があ
る。このことが従来の磁気ディスク装置でトラック密度
を向上させえなかった最も大きな原因である。

この問題点を解決して、トラック密度の向上による記録
密度向上の手段として、磁気ディスクの磁性膜をトラッ
クごとに分離するトラック分離型磁気ディスクが提案さ
れている。例えば特開昭５１１０４８０５号公報（公知
例１）には、平坦に形成した磁性膜の一部を非磁性化し
てトラックを分離した磁気ディスクが開示されている。

また、特開昭６２−２５６２２５号公報（公知例２）や
特開平１−２３４．１８号公報（公知例３）には、磁性
膜の一部を除去して溝を形成し、その溝でトラックを分
離した磁気ディスクが開示されている。又、特開平１−
２７９４２１号公報（公知例４）には、磁性膜の一部を
除去して溝を形成し、溝内に非磁性物質を配した磁気デ
ィスクが開示されている。

これらの公知例によればトラック密度を向上させること
により記録密度の向上が図九るとされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の磁気ディスク装置及び磁気ディスクにあっては、
磁気ディスクの摺動信頼性や高記録密度化のために必要
なヘッドの低浮上量化に対して十分な配慮がなされてい
ない。

一般の磁気ディスク装置の記録再生方法は、操作開始前
にはヘッドと磁気ディスクとが接触状態であるが、磁気
ディスクを回転させることによりヘッドと磁気ディスク
との間に空間を作り、この状態で記録再生を行なう。操
作終了時には磁気ディスクの回転が止まり、ヘッドと磁
気ディスクとは再び接触状態となる（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式であって以下、Ｃ８Ｓ方式と称する
）。

ところで、公知例１のように表面が平坦な磁気ディスク
では、装置が停止している状態で磁気デ゛イスクとヘッ
ドとの間に水分等が介在すると両者が強固に吸着し、こ
の状態で起動すると磁気ディスクとヘッドとの間に大き
な力が生じ、磁気ディスクとヘッドの損傷を招きやすい
という問題点がある。また、公知例１のように表面が平
坦な磁気ディスク及び公知例２，３のようにトラック間
に溝を形成した磁気ディスクでは、装置の起動時及び停
止時に、磁気ディスクのトラック部分が直接ヘッドと摺
動するため、摩擦時に生ずる熱による減磁や摩耗による
記録信号の劣化が起こりやすいという問題点がある。

一方、磁気ディスク装置の記録密度を向上させるために
は、記録再生時のヘッドの浮上量は小さいほど良く、そ
の際のヘッドの浮上安定性を確保するため、磁気ディス
ク表面の凹凸はできるだけ小さいことが要求される。と
ころが、公知例２゜３のように磁性層を分離した磁気デ
ィスクでは、その構成上磁性膜の膜厚相当の凹凸が生じ
ることが避けられない。現在の、磁性薄膜を用いる薄膜
磁気ディスクの場合でも、磁性膜の膜厚は０．０５〜０
．１μｍ程度であり、このような大きさの凹凸が磁気デ
ィスク表面にあると、例えばヘットの浮上量を０．１２
μｍ以下に小さくすることは困難であり、記録密度向−
ヒのためのヘッドの低浮上量化に対応できないという問
題点がある。また公知例４は、トラック間に設ける非磁
性物質の突出高さが規定されておらず、記録密度向上の
ためのヘッドの低浮上量化に対して構成が不十分である
。

さらに、公知例２，３及び４のように、均一に形成した
磁性膜を部分的に除去する方法では、そ＝７− の除去のプロセス（エツチング）によって残存すべき磁
性膜の一部が変質することが避けられず、磁性膜の特性
が劣化しやすいという問題点もある。

本発明の目的は、トラック密度が高く、Ｃ８Ｓ方式にお
ける耐久性に優れ、さらにヘッドの低浮上量化を達成で
きる磁気ディスク装置及び磁気ディスクを提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的を達成するため、本発明に係る磁気ディスク装
置は、基板上に同心円状又はらせん状の複数のトラック
を磁性膜で形成しそれぞれのトラックの間に非磁性膜の
非トラックが形成された磁気ディスクと、それぞれのト
ラックに記録された情報を再生する磁気ヘッドとを備え
た磁気ディスク装置において、磁性膜はそれぞれのトラ
ックごとに分離され、磁性膜のトラックの表面よりも非
トラックの表面の方が突出しており、その突出高さが０
．００５μｍ−０，０４μｍである磁気ディスクを備え
た構成とする。

そしてそれぞれのトラックは、基板に設けた溝の内部に
磁性膜が形成されてなり、それぞれのトラック間に非ト
ラックを形成する基板の表面の少なくとも一部が磁性膜
より突出され、その突出高さが０．００５＋ｎｍ−０，
０４μｍである磁気ディスクを備えた構成でもよい。

またそれぞれのトラック内の磁性膜と、それぞれのトラ
ック間の基板の表面とを覆って保護膜が形成された磁気
ディスクを備えた構成でもよい。

さらに磁気ヘッドは、磁気ディスクのそれぞれのトラッ
クに形成された磁性膜の表面と０．０２μｍ−０，１２
ｍの間隔を保って記録再生を行なう構成でもよい。

そして磁気ディスクにおいては、基板上に同心円状又は
らせん状の複数のトラックを磁性膜で形成しそれぞれの
トラックの間に非磁性膜の非トラックが形成された磁気
ディスクにおいて、磁性膜はそれぞれのトラックごとに
分離され、それぞれのトラックの表面より非トラックの
表面が突出されてその突出高さが０．００５μｍ〜０．
０４μｍである構成とする。

そしてそれぞれのトラックは、基板に設けた溝の内部に
磁性膜が形成されてなり、それぞれのトラック間に非ト
ラックを形成する基板の表面の少なくとも一部が磁性膜
の表面より突出され、その突出高さが０．００５ｍｍ〜
０．０４μｍである構成でも良い。

またそれぞれのトラック内の磁性膜と、それぞれのトラ
ック間の基板の表面とを覆って保護膜が形成されている
構成でもよい。

さらに磁気ディスクの製造方法においては、磁気ディス
クの基板の表面に同心円状又はらせん状のマスクパター
ンを設け、マスクパターンに従って基板の表面をエツチ
ングして少なくとも一つの溝を形成し、それぞれの溝の
内部に磁性膜をそれぞれの溝間の基板の表面より低く形
成し、マスクパターンを除去した後、基板の表面及び磁
性膜を覆って保護膜を形成する構成とする。

〔作用〕

本発明の磁気ディスク装置によれば、磁気ディスクの磁
性膜をトラック毎に分離することにより、磁性層が均一
に形成されている場合に比べて隣接するトラック間の磁
気的な相互作用が小さくなるため、１〜ラツクの間隔を
小さくしても記録信号の減磁が起こりにくくなる。さら
に隣接するトラックの影響によるヘッド読み込みノイズ
が小さくなるため、磁性層が均一に形成されている場合
に比べてトラックの幅を小さくして信号出力が小さくな
ってもＳＮ比の低下が少ない。

また、トラック間の非トラックを形成する磁気ディスク
表面の少なくとも一部を、トラック部分の磁気ディスク
表面より突出するようにすることにより、磁気ディスク
装置が停止している場合でも、突出したトラック間の部
分のみで磁気ディスクとヘッドとが接しているため両者
の吸着現象が起こりにくい。また、Ｃ８Ｓ方式による起
動、停止時の磁気ディスクとヘッドとの直接の摺動が、
記録信号のないトラック間の部分のみで起こるため、摩
擦時に生ずる熱による記録信号の減磁や摩耗による記録
信号の劣化が起こりにくい。

このような構成の磁気ディスクの製造方法としては、前
記した公知例のような基板表面に磁性膜を均一に形成し
た後、磁性膜の一部をエツチングして除く方法は、エツ
チングプロセスによって残存すべきトラック部分の磁性
膜の変質が起こる恐れがあるため、磁気ディスクの基板
に、トラック位置に対応した溝を形成し、溝の内部に磁
性膜を形成する。

本発明が記録密度の向上を一つの目的としているため、
用いる磁気ディスクとしては高記録密度化に対応しうる
、スパッタ法やめっき法による磁性薄膜を用いた薄膜磁
気ディスクが望ましいため、その場合には磁性膜及びそ
のトラック間の基板表面全体を被覆するように保護膜を
、さらに必要に応じてはその上に潤滑膜を形成する。

また、トラック間の磁気ディスク表面の、トラック部分
の磁気ディスク表面からの最大突出高さを０．００５μ
ｍ以上０．０４μｍ以下とすることにより、磁気ディス
クの表面凹凸を小さくできるため、磁気ディスク装置に
おける磁性膜表面とヘッドのスペーシングが例えば０．
０２μｍ以上０．１２μｍ以下まで小さくなる。なお、
磁気ディスクの磁性膜及びそのトラック間の基板表面全
体を被覆するように保護膜や潤滑膜を形成する場合でも
、両者の膜厚を合計で０．０５μｍ以下程度に薄くする
ことにより、トラック間に基板表面が突出した形状はほ
ぼ磁気ディスクの表面まで維持されるため実質的に悪影
響はない。なお、トラック間の基板表面の磁性膜表面か
らの突出高さが０．００５μｍ以下では、磁気ディスク
及びヘッドスライダ−表面のうねりや微小凹凸によって
、部分的にトラック部分とヘッドとが接触し、トラック
間を突出させた効果が小さくなるため望ましくない。又
、トラック間の突出高さが０．０４μｍ以上では、ヘッ
ドの低浮上量化が図れないため望ましくない。

なお、ここで用いられる基板材料としては、ＮｉＰ膜で
被覆したＡ１合金釘板やガラス円板、セラミック円板等
が好適である。また基板材料としては、前記材料の表面
に、磁性膜の磁気特性向上を目的とした中間膜を形成し
たものも含まれる。

中間膜を設ける場合には、ＮｉＰ膜で被覆したＡ１合金
円板やガラス円板、セラミック円板等の基板表面のトラ
ック部分に溝を形成した後、溝内に磁性膜を形成するに
先だって中間膜を形成しても良い。

〔実施例〕

本発明のそれぞれの実施例を図面を参照しながら説明す
る。

〈実施例１〉 第１図及び第２図に示されるように、外径５．２５イン
チのアルミニウム合金基板１の表面に、無電解めっき法
によりＮ１−Ｐ下地膜２を１５μｍ形成し、Ｎ１−Ｐ下
地膜２を１０μｍまで研磨して、触鉗式表面粗さ計で測
定した平均粗さ（Ｒａ）０．００３　μｍ以下、最大粗
さ（Ｒｍａｘ）０．００８μｍ以下になるように鏡面加
工した。

こうして得られた基板表面に、スパッタ法によりＣｒ中
間膜３を０．１５μｍ形成した後、ポジ型のレジスト９
（東京応化、０ＦＰＲ８００）を約０．５μｍ塗布し、
幅４μｍピッチ５μｍの同心円状に光透過部を形成した
フォトマスク」Ｏを密着させて紫外線露光した後、現像
して光透過部のレジストのみを除去し、基板の表面に幅
１μｍピッチ５μｍの同心円状のマスクパターンを形成
した。

この円板に、イオンミリング装置を用いてアルゴンイオ
ンビームを全面に照射して、マスクパターンを形成して
いない部分の基板表面をエツチングして溝を形成した。

照射時間を変化させて、溝深さを０．０５μｍ、０．０
５５μｍ、０．０６μｍ、０．０７μｍ、０．０９μｍ
、０．１μｍの６種類の溝付き基板を形成した。これら
の溝付き基板上に、Ｃｏ−Ｎｉ磁性膜（磁性膜）４を０
．０５μｍ形成した後、溝付き基板上のマスクパターン
及びマスクパターン上の磁性膜４をレジスト除去液によ
り除去した。これにより、基板上に幅４μｍピッチ５μ
ｍの同心円状に形成された溝の内部に磁性膜４を形成し
た。

この円板状にスパッタ法によりＣ保護膜（保護膜）５を
０．０２μｍ形成した後、潤滑膜６としてパーフルオロ
ポリエーテル系の潤滑剤を約０．００５μｍ塗布して磁
気ディスクを作製した。

〈実施例２〉 第３図に示されるように、実施例１と同様のＮ１−Ｐ下
地膜２付きのアルミニウム合金基板ＩＦに、ポジ型のレ
ジスト（東京応化、０ＦＰＲ８００）を約０．５μｍ塗
布し、幅４μｍピッチ５μｍの同心円状に光透過部を形
成したフォトマスクを密着させて紫外線露光した後、現
像して光透過部のレジストのみを除去し、基板の表面に
幅１μｍピッチ５μｍの同心円状のマスクツ（ターンを
形成した。

この円板に、イオンミリング装置を用いてアルゴンイオ
ンビームを全面に照射して、マスクパターンを形成して
いない部分の基板表面をエツチングして０．１１μｍの
溝を形成した。この基板上に、Ｃｒ中間膜３を０．０５
μｍ、Ｃｏ−Ｎｉ磁性膜４を０．０５μｍ形成した後、
基板上のマスクパターン及びマスクパターン上のＣｒ中
間膜３及び磁性膜４をレジスト除去により除去した。こ
れにより、基板上に幅４μｍピッチ５μｍの同心円状に
形成された溝の内部にＣｒ中間膜３及び磁性膜４を形成
した。

この円板上にスパッタ法によりＣ保護膜５を０．０２μ
ｍ形成した後、潤滑膜６としてパーフルオロポリエーテ
ル系の潤滑剤を約０．００５μｍ塗布磁気ディスクを作
製した。

〈実施例３〉 フォトマスクとして幅４μｍピッチ７μｍの同心円状に
光透過部を形成したものを用いたほかは実施例２と同様
な方法で磁気ディスクを作製した。

本実施例の磁気ディスクは、基板上に形成した輻＠４μ
ｍピッチ７μｍ深さ０．１１μｍの同心円状の溝内に、
０．０５μｍのＣｒ中間膜及び０．０５μｍ人のＣｏ−
Ｎｉ磁性膜を有し、その全面を被覆する膜厚０．０２μ
ｍのＣ保護膜と膜厚０．００５μｍのパーフルオロポリ
エーテル系の潤滑膜より構成される。

〈比較例１〉 第４図に示されるように、実施例１と同様のＮｉ−Ｐ下
地膜２付きのアルミニウム合金基板１上にスパッタ法に
よりＣｒ中間膜３を０．１μｍ、Ｃｏ−Ｎｉ磁性膜４を
０．０５μｍ形成した。磁性膜４の表面にポジ型のレジ
スト（東京応化、０ＦＰＲ８００）を約０．５　μｍ塗
布し、幅１μｍピッチ５μｍの同心円状に光透過部を形
成したフォトマスクを密着させて紫外線露光した後、現
像して光透過部のレジストのみを除去し、磁性膜４の表
面に＠４μｍ４μｍピッチ５同心円状のマスクパターン
を形成した。

この円板を、イオンミリング装置を用いてアルゴンイオ
ンビームを４０秒全面に照射して、マスクパターンを形
成していない部分の磁性膜４をエツチング除去した。レ
ジスト除去液によりマスクパターンを除去して、幅４μ
ｍピッチ５μｍ膜厚０．０５μｍの同心円状に形成され
た磁性膜４を形成した。

こうして得られた円板の表面に、保護膜としてスパッタ
法によりＣ保護膜５を０．０２μｍ形成後、潤滑膜６と
してパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を約０．００
５μｍ塗布して磁気ディスクを作製した。

〈比較例２〉 第５図に示されるように、実施例１と同様のＮ１−Ｐ下
地膜２付きのアルミニウム合金基板１−ヒにスパッタ法
によりＣｒ中間膜３を０．１μｍ。

Ｇｏ−Ｎｉ磁性膜４を０．０５μｍ形成した。磁性膜４
の表面にポジ型のレジス）〜（東京応化、０ＦＰＲ８０
０）を約Ｑ、５　μｍ塗布し、ＩＮ　１μｍピッチ５μ
ｍの同心円状に光透過部を形成したフォトマスクを密着
させて紫外線露光した後現像して光透過部のレジスタの
みを除去し、磁性膜４の表面にＩＷ４μｍピッチ５μｍ
の同心円状のマスクパターンを形成した。

この円板、イオンミリング装置を用いてアルゴンイオン
ビームを４０秒間全面に照射して、マスクパターンを形
成していない部分の磁性膜４をエツチング除去した。こ
の円板上にスパッタ法によりＳｉＣ膜を０．０５μｍ形
成した後、レジスト除去液によりマスクパターン及びマ
スクパターン上に形成されたＳｉＣ膜を除去して、幅４
μｍピッチ５μｍ膜厚０．０５μｍの同心円状に形成さ
れた磁性膜４とその間に幅１μｍピッチ５μｍ膜厚０．
０５μｍの同心円状に形成されたＳｉＣ膜（非磁性膜）
７を形成した。こうして得られた円板の表面はほぼ平坦
であった。

こうして得られた円板の表面に、保護膜としてスパッタ
法によりＣ保護膜５を０．０３μｍ形成後、研磨砥粒を
用いてＣ保護膜５表面を０．０１μｍ研磨し、触鉗式表
面粗さ計で測定した平均粗さ（Ｒａ　）　Ｏ、ＯＯ７μ
ｍ　＋最大粗さ（Ｒｍａｘ）０．０１２μｍになるよう
に粗面化加工した。得られた円板の表面に、潤滑膜６と
してパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を約０．００
５μｍ塗布して磁気ディスクを作製した。

〈比較例３〉 第６図に示されるように、実施例１と同様のＮ１−Ｐ下
地膜２付きのアルミニウム合金基板１上にスパッタ法に
よりＣｒ中間膜３を０．１μｍ。

Ｃｏ　−Ｎ　ｉ磁性膜４を０．０５　μｍ形成した。

こうして得られた円板の表面に、保護膜としてスパッタ
法によりＣ保護膜を０．０２μｍ形成後、潤滑膜６とし
てパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を約０．００５
μｍ塗布して磁気ディスクを作製した。本比較例では、
磁気ディスク表面はほぼ平坦であり、磁性層は分離しな
かった。

以上で得られた磁気ディスクのうち実施例１の６種の磁
気ディスクと薄膜磁気ヘッドとを組合わせて磁気ディス
ク装置を構成し、Ｃ８５Ｓｋ回前後で再生出力の低下率
及び最低浮上スペーシング（最低浮上量）を測定した結
果を第７図に示す。

トラック間の非トラックの突出高さが０．００５μｍ以
下では出力低下が著しい。これは、突出高さが小さい場
合はトラック部分もヘッドとの摺動を受けるため、ヘッ
ドとの摩擦によって発生する熱によって減磁や摩耗によ
る記録信号の劣化が起こったためである。一方、突出高
さが大きくなるほど最低浮上スペーシングは増加する。

その増加の程度は突出高さの増加よりも大きく、突出高
さが大きくなるほどヘッドの浮上安定性が損なわれるこ
とを示す。浮上スペーシングを例えば０．１２μｍ以下
にするには、突出高さは０．０４μｍ以下である必要が
ある。以上のように本発明の磁気ディスク装置では、磁
気ディスクのトラック間の突出高さが極めて重要であり
、その範囲０．００５μｍ以上０．０４μｍ以下が好適
であり、より望ましくは０．０１μｍ以上０．０３μｍ
以下が好ましい。

次のトラック間の非トラックの突出高さを０．０１μｍ
とした実施例］の磁気ディスクと他の実施例及び比較例
の磁気ディスクを用い、薄膜磁気ヘッドと組合わせ磁気
ディスク装置を構成し、Ｃ８Ｓ試験、記録再生試験を行
なった結果を第１表に示す。

磁気ディスクの表面が平坦な比較例２及び比較例３では
、Ｃ３Ｓ１０にパスで傷が発生した。これは表面が平坦
なためヘッドとの吸着現象が生じて、磁気ディスクとヘ
ッドが損傷を受けたためである。これに対し表面に凹凸
のある他の例ではいずれもＣ３Ｓ３０にパス後も傷は発
生しなかった。

記録再生試験で、初期の値を見ると、磁性膜が均一に形
成されている比較例３の場合は、出力及びＳＮ比ともト
ラックを分離した他の例に比べて低く、さらにトラック
のピッチを７μｍから５μｍに減少させたときの出力及
びＳＮ比の低下が大きい。これは隣接トラックとの磁気
的な相互作用が強く、記録信号の減磁が起こっているた
めである。これに対し、トラック間で磁性膜を分離した
実施例２と実施例３とを比べると、トラックのピッチを
７μｍから５μｍに減少させたときの出力及びＳＮ比の
変化は見られない。これはトラック間で磁性膜を分離し
たため、隣接するトラックとの磁気的な相互作用が弱く
なって、隣接トラックとの間の間隔が減少しても影響が
ほとんどないことを示す。このことはトラック間で非ト
ラックを介して磁性膜を分離することによりトラック密
度を向上できることを示す。

また、磁性膜を均一に形成した後、その一部をエツチン
グして除いてトラックを分離した比較例１及び比較例２
の場合、出力及びＳＮ比ともそれぞれの実施例に比べて
低くなっている。これは磁性膜のエツチングの際に、残
存すべきトラック部分の磁性膜の特性が劣化しているた
めである。これに対して、成膜時にトラックを分離した
実施例の場合はエツチングによる特性劣化を生じない。

一方、Ｃ８５Ｓｋ回後の変化を見ると、記録トラックの
部分がヘッドにより直接摺動される比較例１．比較例２
及び比較例３では、出力及びＳＮ比の低下が見られる。

これはヘッドとの摩擦によって発生する熱によって減磁
や摩耗による記録信号の劣化が起こったためである。こ
れに対し、記録トラックの部分がヘッドにより直接摺動
されない実施例１．実施例２及び実施例３では、出力及
びＳＮ比の低下が見られない。これは、ヘッドの摺動を
トラック間の非磁性物質の突出のみで受けるため、前記
のような記録信号の劣化が生じないためである。

第８図に、本発明の磁気ディスクを適用した磁気ディス
ク装置の構成を示す。磁気ディスク８は、スピンドルモ
ータ１２のスピンドルに嵌入されて回転し、磁気へラド
１１を低浮上させて記録の再生を行なわせる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、トラックの密度が高く、Ｃ８Ｓ方式に
おける耐久性に優れ、さらにヘッドの低浮上量化を達成
できる磁気ディスク装置及び磁気ディスクを得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の実施例１を示す構成図、
第３図は本発明の実施例２を示す構成図、第４図、第５
図及び第６図は比較例の構造を示す図、第７図は本発明
の実施例による磁気ディスク装置で最低浮上スペーシン
グ及びＣ８Ｓ前後の出力の低下率を測定した結果を示す
グラフ、第８図は本発明の磁気ディスク装置の構成図で
ある。 １・・・アルミニウム合金基板、 ２・・・Ｎ１−Ｐ下地膜、３・・Ｃｒ中間膜、４・・・
磁性膜、５・・・保護膜、６・・・潤滑膜、７・・非磁
性膜、８・・・磁気ディスク、９・・・レジスト、１０
・・・フォトマスク、１１・・磁気ヘッド。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に同心円状又はらせん状の複数のトラックを
   磁性膜で形成しそれぞれのトラックの間に非磁性膜の非
   トラックが形成された磁気ディスクと、それぞれのトラ
   ックに記録された情報を再生する磁気ヘッドとを備えた
   磁気ディスク装置において、前記磁性膜はそれぞれのト
   ラックごとに分離され、該磁性膜のトラックの表面より
   も非トラックの表面の方が突出しており、その突出高さ
   が０．００５μｍ〜０．０４μｍであることを特徴とす
   る磁気ディスク装置。 ２、それぞれのトラックは、基板に設けた溝の内部に磁
   性膜が形成されてなり、それぞれのトラック間に非トラ
   ックを形成する前記基板の表面の少なくとも一部が前記
   磁性膜より突出され、その突出高さが０．００５ｍｍ〜
   ０．０４μｍである磁気ディスクを備えたことを特徴と
   する請求項１記載の磁気ディスク装置。 ３、それぞれのトラック内の磁性膜と、それぞれのトラ
   ック間の基板の表面とを覆って保護膜が形成された磁気
   ディスクを備えたことを特徴とする請求項１又は２記載
   の磁気ディスク装置。 ４、磁気ヘッドは、磁気ディスクのそれぞれのトラック
   に形成された磁性膜の表面と０．０２μｍ〜０．１２ｍ
   の間隔を保って記録再生を行なうことを特徴とする請求
   項１、２又は３のいずれか１項記載の磁気ディスク装置
   。 ５、基板上に同心円状又はらせん状の複数のトラックを
   磁性膜で形成しそれぞれのトラックの間に非磁性膜の非
   トラックが形成された磁気ディスクにおいて、前記磁性
   膜はそれぞれのトラックごとに分離され、それぞれのト
   ラックの表面より非トラックの表面が突出されてその突
   出高さが０．００５μｍ〜０．０４μｍであることを特
   徴とする磁気ディスク。 ６、それぞれのトラックは、基板に設けた溝の内部に磁
   性膜が形成されてなり、それぞれのトラック間に非トラ
   ックを形成する前記基板の表面の少なくとも一部が前記
   磁性膜の表面より突出され、その突出高さが０．００５
   ｍｍ〜０．０４μｍであることを特徴とする請求項５記
   載の磁気ディスク。 ７、それぞれのトラック内の磁性膜と、それぞれのトラ
   ック間の基板の表面とを覆って保護膜が形成されている
   ことを特徴とする請求項５又は６記載の磁気ディスク。 ８、磁気ディスクの基板の表面に同心円状又はらせん状
   のマスクパターンを設け、該マスクパターンに従って前
   記基板の表面をエッチングして少なくとも一つの溝を形
   成し、それぞれの溝の内部に磁性膜をそれぞれの溝間の
   基板の表面より低く形成し、前記マスクパターンを除去
   した後、前記基板の表面及び前記磁性膜を覆って保護膜
   を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。