JPH048002A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置に利用する。特に、内部
にアナログ回路を有する半導体集積回路装置に関する。

〔概要〕

本発明は、人力したアナログ信号を伝達するために内部
基準レベルを必要とする半導体集積回路装置において、 容量性インピーダンスを介して共通電位に接続された基
準電圧出力端子を経由して内部基準レベルを内部に供給
することにより、 アナログブロック間のクロストークを抑止することがで
きるようにしたものである。

〔従来の技術〕

従来アナログ回路を有し単一電源で動作をする半導体集
積回路装置では、人力アナログ信号をこの半導体集積回
路装置内部で伝達するための内部基準電圧が必要であり
、そのために基準電圧発生器を有する。第３図は半導体
集積回路装置内に基準電圧発生器を有する従来例を示す
。基準電圧発生器１は基準電圧源１１とインピーダンス
変換用のバッファ増幅器１２とで構成され、その出力は
アナログブロックに内部基準電圧を与えると共に他の内
°部アナログ回路に内部基準電圧を与えている。

このアナログブロックは正転の増幅回路で構成され、演
算増幅器２の正の入力端子はこの集積回路装置のアナロ
グ信号入力端子３に接続され、出力は他の内部回路に接
続される。また、負の入力端子は抵抗Ｒ＋　、Ｒ２の共
通接続点に接続され、抵抗Ｒ１の他端は出力Ｖ。に、ま
た、抵抗Ｒ２の他端は基準電圧発生器１からの出力に接
続される。

入力アナログ信号をＶｉＮとし、内部基準電圧をＶｃｏ
Ｋとすると、演算増幅器２の出力Ｖ。は になる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、このような従来例では、インピーダンス変換用
のバッファ増幅器１２の特性を直流ゲイン８０ｄＢ、帯
域ＩＭ）ｌｚ、オープンループでの出力インピーダンス
を数十にΩとすると、このバッファ増幅器の出力インピ
ーダンスは入力周波数Ｉ　ＫＨｚのときに数十Ωになり
、周波数の増加に伴い出力インピーダンスも増加し、Ｉ
　ＭＨｚのときには数十にΩになる。したがって、この
バッファ増幅器がインピーダンス変換器として使用可能
な周波数は数ＫＨｚ程度であり、この集積回路装置への
アナログ入力信号として扱える周波数は数ＫＨｚ程度に
なり、これ以上の周波数で使用するためには著しく高帯
域なバッファ増幅器を必要とする欠点がある。また、ス
イッチと容量および演算増幅器で構成されるサンプリン
グ系に使用する場合でも、バッファ増幅器の出力インピ
ーダンスが高いためにサンプリング系のクロックノイズ
（数百ＫＨｚ〜数ＭＨ２）の抑圧能力がなく、この基準
電圧発生器を介して他のアナログブロックにこれらノイ
ズが回り込む欠点がある。

本発明はこのような欠点を除去するもので、アナログブ
ロック間のクロストークの発生を防止することができる
半導体集積回路装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、内部基準レベルを発生する基準電圧発生器を
内蔵する半導体集積回路装置において、容量性インピー
ダンスを介して共通電位に接続された基準電圧出力端子
を備え、上記基準電圧発生器の出力する内部基準レベル
はこの基準電圧出力端子を経由することを特徴とする。

ここで、上記基準電圧発生器に含まれるバッファ増幅器
の負帰還回路が上記基準電圧出力端子を経由しても良い
。

〔作用〕

基準電圧発生器の出力を容量性インピーダンスを介して
共通電位に接続された基準電圧出力端子をを経由して内
部に供給する。これにより、サンプリングクロックの回
り込み等のアナログブロック間のクロストークを防ぐこ
とができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図は本発明の第一実施例であり、第３図に示す従来
例と異なる点は基準電圧発生器１の出力が基準電圧出力
端子４に接続され、集積回路装置の外部で容量Ｃを介し
て接地され、この基準電圧出力端子４より内部のアナロ
グブロックおよび他のアナログブロックに内部基準電圧
が供給されていることにある。

すなわち、第一実施例は、第１図に示すように、内部基
準レベルを発生する基準電圧発生器１を内蔵し、容量性
インピーダンスを介して共通電位に接続された基準電圧
出力端子４を備え、基準電圧発生器１の出力する内部基
準レベルはこの基準電圧出力端子４を経由する。

次に、第一実施例の動作を説明する。

容量Ｃのインピーダンスは、Ｃ＝１μＦ、ｆ＝１０ＫＨ
ｚとすると、１６Ωとなる。したがって、直流から低周
波域（数ＫＨｚ）では、バッファ増幅器１２の出力イン
ピーダンスで決まり、それ以上の周波数では容量により
決まるので、直流から高周波域まで低インピーダンスを
達成することが可能になる。

第２図は本発明の第二実施例であり、バッファ増幅器１
２の負の入力端子および出力端子が基準電正出力端子４
に接続される。これは基準電圧出力端子４で正規の電圧
を発生するための配線である。

すなわち、第二実施例は、第２図に示すように、第一実
施例の構成で、さらに、基準電圧発生器１に含まれるバ
ッファ増幅器１２の負帰還回路が基準電圧出力端子４を
経由する。この構成でも第一実施例と同様の効果が得ら
れる。

〔発明の効果〕

本発明は、以上説明したように、基準電圧発生器の出力
を基準電圧出力端子を介して半導体集積回路装置の外部
に出力し、この端子を容量を介して接地すると共にこの
端子から内部に内部基準電圧を供給するので、この内部
基準電圧を高周波域まで低インピーダンスにする効果が
ある。また、サンプリングクロックの回り込み等のアナ
ログブロック間のクロストークを防ぐ効果がある。

第２図は、本発明第二実施例の構成を示す接続図。

第３図は、従来例の構成を示す接続図。

１・・・基準電圧発生器、２・・・演算増幅器、３・・
・アナログ信号入力端子、４・・・基準電圧出力端子、
１１−・・基準電圧源、１２・・・バッファ増幅器。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、内部基準レベルを発生する基準電圧発生器を内蔵す
   る半導体集積回路装置において、容量性インピーダンス
   を介して共通電位に接続された基準電圧出力端子を備え
   、上記基準電圧発生器の出力する内部基準レベルはこの
   基準電圧出力端子を経由することを特徴とする半導体集
   積回路装置。 ２、上記基準電圧発生器に含まれるバッファ増幅器の負
   帰還回路が上記基準電圧出力端子を経由する請求項１記
   載の半導体集積回路装置。