JPH0479358A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH0479358A JPH0479358A JP19453490A JP19453490A JPH0479358A JP H0479358 A JPH0479358 A JP H0479358A JP 19453490 A JP19453490 A JP 19453490A JP 19453490 A JP19453490 A JP 19453490A JP H0479358 A JPH0479358 A JP H0479358A
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- JP
- Japan
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- cutting
- lead frame
- bar
- tie bar
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 9
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特にリー
ドピッチが０．５−鳳以下となる様な小形成いは多ビン
の樹脂封止型半導体集積回路装置用リードフレームに関
する。
ドピッチが０．５−鳳以下となる様な小形成いは多ビン
の樹脂封止型半導体集積回路装置用リードフレームに関
する。
従来、第４図に示す様に、この種の樹脂封止型半導体装
置用リードフレーム２０本体は、低圧トランスファ法に
より半導体素子が封止樹脂ＩＣで封止された後、タイバ
ー７０がグイとポンチとで構成されるタイバー切断金型
によりメカニカルに切断され、しかる後リード９ｃが曲
げられ、最終的な半導体装置の形状となる。
置用リードフレーム２０本体は、低圧トランスファ法に
より半導体素子が封止樹脂ＩＣで封止された後、タイバ
ー７０がグイとポンチとで構成されるタイバー切断金型
によりメカニカルに切断され、しかる後リード９ｃが曲
げられ、最終的な半導体装置の形状となる。
尚、リードフレーム本体２ｃは、タイバー切断金型に設
けられた図示しないパイロットピンの挿入により、メカ
ニカルな位置決めを行う為のリードフレーム位置出し孔
１１，１２．１３を有している。搬送孔８Ｃも有してい
る。
けられた図示しないパイロットピンの挿入により、メカ
ニカルな位置決めを行う為のリードフレーム位置出し孔
１１，１２．１３を有している。搬送孔８Ｃも有してい
る。
前述した従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
本体２Ｃは、タイバー７Ｃの切断時にリードフレーム位
置出し孔１１．１２．１３へ、タイバー切断金型のパイ
ロットピンを挿入することで、タイバー切断金型に対し
て位置決めされ、しかる後、タイバー７０がグイとポン
チとによりメカニカルに切断される。
本体２Ｃは、タイバー７Ｃの切断時にリードフレーム位
置出し孔１１．１２．１３へ、タイバー切断金型のパイ
ロットピンを挿入することで、タイバー切断金型に対し
て位置決めされ、しかる後、タイバー７０がグイとポン
チとによりメカニカルに切断される。
ここで、リードフレーム位置呂し孔１１．１２１３のタ
イバー９Ｃの相互位置関係は、樹脂封止後の樹脂の収縮
から、リードフレーム本体２Ｃのたわみ、うねり、及び
リードピッチＰの収縮が発生し、個々のフレーム内でそ
れぞれ変化する為、小型化及び多ビン化した半導体装置
でファイン・リードピッチ（０，５ｇ＋ｍ以下）設計さ
れたリードフレームにおいては、第５図に示す様に、タ
イバー７０の切断位置１０ｃがタイバーセンタ１４から
外れて凹凸ができてしまい、次工程のリード成形工程に
おいてリード曲りや７（Ｆ、れ等の発生を招き、リード
成形形状の規格外不良が多発して、品質が不安定になる
という欠点がある。
イバー９Ｃの相互位置関係は、樹脂封止後の樹脂の収縮
から、リードフレーム本体２Ｃのたわみ、うねり、及び
リードピッチＰの収縮が発生し、個々のフレーム内でそ
れぞれ変化する為、小型化及び多ビン化した半導体装置
でファイン・リードピッチ（０，５ｇ＋ｍ以下）設計さ
れたリードフレームにおいては、第５図に示す様に、タ
イバー７０の切断位置１０ｃがタイバーセンタ１４から
外れて凹凸ができてしまい、次工程のリード成形工程に
おいてリード曲りや７（Ｆ、れ等の発生を招き、リード
成形形状の規格外不良が多発して、品質が不安定になる
という欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、タイバーの切断位
置がずれないようにした半導体装置用リードフレームを
提供することにある。
置がずれないようにした半導体装置用リードフレームを
提供することにある。
本発明の構成は、半導体素子を載置する部分と、この部
分の周囲の多数のリードと、前記リード同士を連絡する
ダイバーとを備えた半導体装置用リードフレームにおい
て、前記ダイバーの近傍に、位置決めマークが設けられ
ていることを特徴とする。
分の周囲の多数のリードと、前記リード同士を連絡する
ダイバーとを備えた半導体装置用リードフレームにおい
て、前記ダイバーの近傍に、位置決めマークが設けられ
ていることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置
用リードフレームの平面図、第２図は第１図のリードフ
レームのタイバー切断された後の状態を拡大して示す平
面図である。
用リードフレームの平面図、第２図は第１図のリードフ
レームのタイバー切断された後の状態を拡大して示す平
面図である。
第１図、第２図において、本第１の実施例のリードフレ
ームは、半導体素子の封止樹脂１ａの周囲のリードフレ
ーム本体２ａに１画像認諾用マーク３ａ、４ａが、封止
樹脂１ａに対して対角線上で、タイバー７ａの近傍に設
けられている。
ームは、半導体素子の封止樹脂１ａの周囲のリードフレ
ーム本体２ａに１画像認諾用マーク３ａ、４ａが、封止
樹脂１ａに対して対角線上で、タイバー７ａの近傍に設
けられている。
ここで、画像認識用マーク３ａ、４ａは、リードフレー
ム本体２ａを貫通した孔、或いはリードフレーム本体２
ａにハーフエツチング等を施した凹凸形状でも良い。ま
た、その形状も○形だけでなく十字型その他の形状を設
けて、認識用マーク３ａ、４ａとすることも、勿論可能
で有る。
ム本体２ａを貫通した孔、或いはリードフレーム本体２
ａにハーフエツチング等を施した凹凸形状でも良い。ま
た、その形状も○形だけでなく十字型その他の形状を設
けて、認識用マーク３ａ、４ａとすることも、勿論可能
で有る。
タイバー７ａの切断は、ファインリードピッチ（０，５
＋ｎ以下）化されたリードフレーム本体２ａにおいては
、グイとポンチによる切断金型ではポンチの刃厚が薄く
なり、刃の強度が低下し、刃の寿命が大幅に短かくなる
為、レーザ切断に頼らざるを得ない。
＋ｎ以下）化されたリードフレーム本体２ａにおいては
、グイとポンチによる切断金型ではポンチの刃厚が薄く
なり、刃の強度が低下し、刃の寿命が大幅に短かくなる
為、レーザ切断に頼らざるを得ない。
タイバー７ａの好ましい切断方法について説明すると、
先ず、樹脂封止されたリードフレーム本体２ａが、タイ
バー７ａを切断するステージに搬送孔８ａを使用して搬
送され、粗位置決めされる０次に、粗位置決めされたリ
ードフレーム本体２ａ上の画像認識用マーク３ａ、４ａ
を画像認識装置により位置検出し、あらかじめプログラ
ムされたレーザ照射位置からのズレ量を計算し、レーザ
照射位置を割り出してからレーザ照射を行って、全タイ
バーを切断する。
先ず、樹脂封止されたリードフレーム本体２ａが、タイ
バー７ａを切断するステージに搬送孔８ａを使用して搬
送され、粗位置決めされる０次に、粗位置決めされたリ
ードフレーム本体２ａ上の画像認識用マーク３ａ、４ａ
を画像認識装置により位置検出し、あらかじめプログラ
ムされたレーザ照射位置からのズレ量を計算し、レーザ
照射位置を割り出してからレーザ照射を行って、全タイ
バーを切断する。
タイバー７ａは、切断位ｉｔ １０ ａで正確に切断さ
れる。すなわち、リード９ａの中間位置で切断され、か
たよりはない。
れる。すなわち、リード９ａの中間位置で切断され、か
たよりはない。
この様にして、第２図に示す様に、リード９ａピツチが
０．５ｕ以下というファインリードピッチの半導体装置
に対しても、切断ズレの少ない安定した切断加工を行な
うことが可能である。
０．５ｕ以下というファインリードピッチの半導体装置
に対しても、切断ズレの少ない安定した切断加工を行な
うことが可能である。
第３図は本発明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装置
用リードフレームの平面図である。第３図において、本
実施例では、リードフレーム本体２ｂに画像認識用マー
ク３ｂ、４ｂ、５．６があり、これらが封止樹脂に対し
て、クロスする２本の対角線上にあり、しかもタイバー
７ｂの近傍に合計４側設けらてれいる。
用リードフレームの平面図である。第３図において、本
実施例では、リードフレーム本体２ｂに画像認識用マー
ク３ｂ、４ｂ、５．６があり、これらが封止樹脂に対し
て、クロスする２本の対角線上にあり、しかもタイバー
７ｂの近傍に合計４側設けらてれいる。
本実施例では、封止樹脂１ｂの周囲４辺に並ぶリード９
ｂの両側に画像認識用マーク３ｂ。
ｂの両側に画像認識用マーク３ｂ。
４ｂ、５．６が設けられでいる為、あらかじめプログラ
ムされたレーザ照射位置に対し、リードビ・ソチの収縮
の為にパッケージ外周各辺で発生するズレ量についても
計算し、レーザ照射位置をより正確に割り出すことがで
きる。
ムされたレーザ照射位置に対し、リードビ・ソチの収縮
の為にパッケージ外周各辺で発生するズレ量についても
計算し、レーザ照射位置をより正確に割り出すことがで
きる。
以上説明したように、本発明は、リードフレームのタイ
バーの近傍にタイバー位置を検出する為のマークを設け
、レーザ照射位置を正確に割り出し、レーザ照射を行う
ことにより、特にリードピッチが０．５ｍｍ以下のファ
インピッチの半導体装置に対しても一括して切断ズレの
少ない安定した切断加工を行なうことが可能であり、今
後の半導体装置の小型化、多ビン化に対しても十分対応
できると共に品質も安定化するという効果がある。
バーの近傍にタイバー位置を検出する為のマークを設け
、レーザ照射位置を正確に割り出し、レーザ照射を行う
ことにより、特にリードピッチが０．５ｍｍ以下のファ
インピッチの半導体装置に対しても一括して切断ズレの
少ない安定した切断加工を行なうことが可能であり、今
後の半導体装置の小型化、多ビン化に対しても十分対応
できると共に品質も安定化するという効果がある。
４ｂ、５．６−・・画像認識用マーク、７ａ、７ｂ。
７ ｃ−−−タイバー、８ａ、８ｂ、８ｃｍ搬送孔、９
ａ、９ｂ、９ｃｍ−−リード、１０ａ、１０ｃｍ タ
イバーの切断位置、１１．１２．１３・・・位置出し孔
、１４・・・タイバーセンタ、Ｐ・・・リードピッチ。
ａ、９ｂ、９ｃｍ−−リード、１０ａ、１０ｃｍ タ
イバーの切断位置、１１．１２．１３・・・位置出し孔
、１４・・・タイバーセンタ、Ｐ・・・リードピッチ。
Claims (1)
- 半導体素子を載置する部分と、この部分の周囲の多数
のリードと、前記リード同士を連絡するダイバーとを備
えた半導体装置用リードフレームにおいて、前記ダイバ
ーの近傍に、位置決めマークが設けられていることを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19453490A JPH0479358A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19453490A JPH0479358A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479358A true JPH0479358A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16326137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19453490A Pending JPH0479358A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04326561A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
| JP2009283972A (ja) * | 2009-07-30 | 2009-12-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19453490A patent/JPH0479358A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04326561A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
| JP2009283972A (ja) * | 2009-07-30 | 2009-12-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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