JPH0479272A - 陽極接合装置 - Google Patents
陽極接合装置Info
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- JPH0479272A JPH0479272A JP19329690A JP19329690A JPH0479272A JP H0479272 A JPH0479272 A JP H0479272A JP 19329690 A JP19329690 A JP 19329690A JP 19329690 A JP19329690 A JP 19329690A JP H0479272 A JPH0479272 A JP H0479272A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体圧力センサーなどの製造に使
用するシリコンとガラスを接合する装置に関するもので
ある。
用するシリコンとガラスを接合する装置に関するもので
ある。
第２図、第３図は例えば特開昭６２−７２１７８号公報
に示された従来のシリコンとガラスの陽極接合方法を説
明する図であり、図において、１はシリコン、２は被接
合ガラス、３はガラス２の接合面の反対側の面に設けら
れたメタライズ層、４．５は電極、６は電源である。
に示された従来のシリコンとガラスの陽極接合方法を説
明する図であり、図において、１はシリコン、２は被接
合ガラス、３はガラス２の接合面の反対側の面に設けら
れたメタライズ層、４．５は電極、６は電源である。
次に上記構成における陽極接合方法について説明する。
シリコン１と被接合ガラス２を重ねた状態で、その両面
にそれぞれ電極４および５を設置し、被接合ガラス２の
メタライズ１３自体を接合用電極として、この電極間に
電源６よりシリコン１側を陽極、被接合ガラス２側を陰
極として、電源６より電圧を印加する。そして、シリコ
ン１と被接合ガラス２とを陽極接合する。
にそれぞれ電極４および５を設置し、被接合ガラス２の
メタライズ１３自体を接合用電極として、この電極間に
電源６よりシリコン１側を陽極、被接合ガラス２側を陰
極として、電源６より電圧を印加する。そして、シリコ
ン１と被接合ガラス２とを陽極接合する。
従来の陽極接合装置は以上のように構成されているので
、被接合ガラスにメタライズ層を形成する必要があり、
接合品のコストが高くなるという問題点があった。また
、これを解決する手段として、接合するガラスに導体を
陰極として直接、接触させるという方法も考えられるが
、導体と被接合ガラスの間の局所的な電界集中やナトリ
ウムの析出によりガラス表面にダメージを与えたり、あ
るいは導体の電極と被接合ガラスとの間の接触抵抗によ
り接合電流が十分に流れず接合速度が遅くなるという問
題点がある。
、被接合ガラスにメタライズ層を形成する必要があり、
接合品のコストが高くなるという問題点があった。また
、これを解決する手段として、接合するガラスに導体を
陰極として直接、接触させるという方法も考えられるが
、導体と被接合ガラスの間の局所的な電界集中やナトリ
ウムの析出によりガラス表面にダメージを与えたり、あ
るいは導体の電極と被接合ガラスとの間の接触抵抗によ
り接合電流が十分に流れず接合速度が遅くなるという問
題点がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、被接合ガラスにメタライズ層を形成すること
を必要とせず、しかも電界集中あるいはナトリウム析出
による被接合ガラスへのダメージがない陽極接合装置を
得ることを目的とする。
たもので、被接合ガラスにメタライズ層を形成すること
を必要とせず、しかも電界集中あるいはナトリウム析出
による被接合ガラスへのダメージがない陽極接合装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る陽極接合装置は、−面に導電性膜を形成
したガラスを極を陰極の電極とし、導電性膜を形成した
面の反対側の面を被接合ガラスに接触させて電圧を印加
するようにしたものである。
したガラスを極を陰極の電極とし、導電性膜を形成した
面の反対側の面を被接合ガラスに接触させて電圧を印加
するようにしたものである。
この発明におけるガラス電極は、電極の導体部とガラス
の部分の密着性が良好で、電気抵抗が小さく接合電流を
多く流せ、短時間で接合する事が可能で、しかも複数回
の使用ができる。
の部分の密着性が良好で、電気抵抗が小さく接合電流を
多く流せ、短時間で接合する事が可能で、しかも複数回
の使用ができる。
以下、この発明の一実施例を区について説明する。第１
図において、１はシリコン、２はシリコン１と接合され
る被接合ガラス、７はこの被接合ガラス２の反対側に設
置されたガラス電極、８はこのガラス電極上に形成され
た導電性膜、９はガラス内のイオンがマイグレーション
する温度にシリコン１、被接合ガラス２、ガラス電極７
を加熱するヒータであり、４は陽極、６はこの陽極４と
ガラス電極７の間に電圧を印加するための電源である。
図において、１はシリコン、２はシリコン１と接合され
る被接合ガラス、７はこの被接合ガラス２の反対側に設
置されたガラス電極、８はこのガラス電極上に形成され
た導電性膜、９はガラス内のイオンがマイグレーション
する温度にシリコン１、被接合ガラス２、ガラス電極７
を加熱するヒータであり、４は陽極、６はこの陽極４と
ガラス電極７の間に電圧を印加するための電源である。
次に上記構成における陽極接合方法について説明する。
シリコン１と被接合ガラス２とガラス電極７とを重ねた
状態で、ヒータ９でガラス内のイオンがマイグレーショ
ンする温度に加熱する。この状態でガラス電極７と陽極
４間に電源６により電圧を印加すると、ガラス中のアル
カリイオンが陰極側に移動し、酸素イオンが陽極側に移
動する。
状態で、ヒータ９でガラス内のイオンがマイグレーショ
ンする温度に加熱する。この状態でガラス電極７と陽極
４間に電源６により電圧を印加すると、ガラス中のアル
カリイオンが陰極側に移動し、酸素イオンが陽極側に移
動する。
このとき、シリコンとガラスの界面に５ｉｎ２の層が形
成され、シリコンとガラスが接合される。一方、陰極側
に移動するアルカリイオンは被接合ガラス２、ガラス電
極７内のガラスを移動し、ガラス電極７の導電性膜８の
近傍に徐々に偏析するので、導体の電極を被接合ガラス
２に直接、接触させる場合よりも被接合ガラス２表面へ
のアルカリ金属析出を抑えることができる。
成され、シリコンとガラスが接合される。一方、陰極側
に移動するアルカリイオンは被接合ガラス２、ガラス電
極７内のガラスを移動し、ガラス電極７の導電性膜８の
近傍に徐々に偏析するので、導体の電極を被接合ガラス
２に直接、接触させる場合よりも被接合ガラス２表面へ
のアルカリ金属析出を抑えることができる。
また、上記実施例の導電性膜８を透明導電性膜（例えば
ＩｎＯ□）とすることで、シリコンとガラスの密着状況
を観察することが可能であり、ＴＶカメラなどで接合面
をモニターし、密着状況より接合完了の判定あるいは接
合面の異物の数を検出でき、接合プロセスの管理も可能
となる。
ＩｎＯ□）とすることで、シリコンとガラスの密着状況
を観察することが可能であり、ＴＶカメラなどで接合面
をモニターし、密着状況より接合完了の判定あるいは接
合面の異物の数を検出でき、接合プロセスの管理も可能
となる。
以上のように、この発明によれば、陰極を導電性膜を形
成したガラス電極としたので、被接合ガラスに電極用の
メタライズ層を設ける必要がなく、製品コストを安価に
でき、また、被接合ガラスにダメージを与えず、しかも
接合速度が速いという効果がある。
成したガラス電極としたので、被接合ガラスに電極用の
メタライズ層を設ける必要がなく、製品コストを安価に
でき、また、被接合ガラスにダメージを与えず、しかも
接合速度が速いという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による陽極接合装置を示す
断面図、第２図は従来の陽極接合方法を説明する図、第
３図は第２図の一部を拡大して示す図である。 図中、１はシリコン、２は被接合ガラス、４は陽極、６
は電線、７はガラス電極、８は導電性膜である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面図、第２図は従来の陽極接合方法を説明する図、第
３図は第２図の一部を拡大して示す図である。 図中、１はシリコン、２は被接合ガラス、４は陽極、６
は電線、７はガラス電極、８は導電性膜である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- シリコンと被接合ガラスを重ね合わせた状態で、陽極
側をシリコン、陰極側を被接合ガラスとし、直流電圧を
印加して上記シリコンと被接合ガラスを接合する陽極接
合装置において、陰極側電極をガラスの片面に導電性膜
を形成したガラス電極とし、上記導電性膜形成面の反対
側の面を被接合ガラスに重ねて直流電圧を印加すること
を特徴とする陽極接合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19329690A JPH0479272A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 陽極接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19329690A JPH0479272A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 陽極接合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479272A true JPH0479272A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16305558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19329690A Pending JPH0479272A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 陽極接合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008170266A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Hioki Ee Corp | リレー検査装置および基板検査装置 |
| JP2010540405A (ja) * | 2007-10-11 | 2010-12-24 | ユニベルシテ ピエール エ マリー キュリー（パリ シズエム） | 好適な基材上のラメラ物質の薄板の固定する方法 |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19329690A patent/JPH0479272A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008170266A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Hioki Ee Corp | リレー検査装置および基板検査装置 |
| JP2010540405A (ja) * | 2007-10-11 | 2010-12-24 | ユニベルシテ ピエール エ マリー キュリー（パリ シズエム） | 好適な基材上のラメラ物質の薄板の固定する方法 |
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