JPH0479272A - 陽極接合装置 - Google Patents
陽極接合装置Info
- Publication number
- JPH0479272A JPH0479272A JP19329690A JP19329690A JPH0479272A JP H0479272 A JPH0479272 A JP H0479272A JP 19329690 A JP19329690 A JP 19329690A JP 19329690 A JP19329690 A JP 19329690A JP H0479272 A JPH0479272 A JP H0479272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- electrode
- junction
- silicon
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体圧力センサーなどの製造に使
用するシリコンとガラスを接合する装置に関するもので
ある。
用するシリコンとガラスを接合する装置に関するもので
ある。
第2図、第3図は例えば特開昭62−72178号公報
に示された従来のシリコンとガラスの陽極接合方法を説
明する図であり、図において、1はシリコン、2は被接
合ガラス、3はガラス2の接合面の反対側の面に設けら
れたメタライズ層、4.5は電極、6は電源である。
に示された従来のシリコンとガラスの陽極接合方法を説
明する図であり、図において、1はシリコン、2は被接
合ガラス、3はガラス2の接合面の反対側の面に設けら
れたメタライズ層、4.5は電極、6は電源である。
次に上記構成における陽極接合方法について説明する。
シリコン1と被接合ガラス2を重ねた状態で、その両面
にそれぞれ電極4および5を設置し、被接合ガラス2の
メタライズ13自体を接合用電極として、この電極間に
電源6よりシリコン1側を陽極、被接合ガラス2側を陰
極として、電源6より電圧を印加する。そして、シリコ
ン1と被接合ガラス2とを陽極接合する。
にそれぞれ電極4および5を設置し、被接合ガラス2の
メタライズ13自体を接合用電極として、この電極間に
電源6よりシリコン1側を陽極、被接合ガラス2側を陰
極として、電源6より電圧を印加する。そして、シリコ
ン1と被接合ガラス2とを陽極接合する。
従来の陽極接合装置は以上のように構成されているので
、被接合ガラスにメタライズ層を形成する必要があり、
接合品のコストが高くなるという問題点があった。また
、これを解決する手段として、接合するガラスに導体を
陰極として直接、接触させるという方法も考えられるが
、導体と被接合ガラスの間の局所的な電界集中やナトリ
ウムの析出によりガラス表面にダメージを与えたり、あ
るいは導体の電極と被接合ガラスとの間の接触抵抗によ
り接合電流が十分に流れず接合速度が遅くなるという問
題点がある。
、被接合ガラスにメタライズ層を形成する必要があり、
接合品のコストが高くなるという問題点があった。また
、これを解決する手段として、接合するガラスに導体を
陰極として直接、接触させるという方法も考えられるが
、導体と被接合ガラスの間の局所的な電界集中やナトリ
ウムの析出によりガラス表面にダメージを与えたり、あ
るいは導体の電極と被接合ガラスとの間の接触抵抗によ
り接合電流が十分に流れず接合速度が遅くなるという問
題点がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、被接合ガラスにメタライズ層を形成すること
を必要とせず、しかも電界集中あるいはナトリウム析出
による被接合ガラスへのダメージがない陽極接合装置を
得ることを目的とする。
たもので、被接合ガラスにメタライズ層を形成すること
を必要とせず、しかも電界集中あるいはナトリウム析出
による被接合ガラスへのダメージがない陽極接合装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る陽極接合装置は、−面に導電性膜を形成
したガラスを極を陰極の電極とし、導電性膜を形成した
面の反対側の面を被接合ガラスに接触させて電圧を印加
するようにしたものである。
したガラスを極を陰極の電極とし、導電性膜を形成した
面の反対側の面を被接合ガラスに接触させて電圧を印加
するようにしたものである。
この発明におけるガラス電極は、電極の導体部とガラス
の部分の密着性が良好で、電気抵抗が小さく接合電流を
多く流せ、短時間で接合する事が可能で、しかも複数回
の使用ができる。
の部分の密着性が良好で、電気抵抗が小さく接合電流を
多く流せ、短時間で接合する事が可能で、しかも複数回
の使用ができる。
以下、この発明の一実施例を区について説明する。第1
図において、1はシリコン、2はシリコン1と接合され
る被接合ガラス、7はこの被接合ガラス2の反対側に設
置されたガラス電極、8はこのガラス電極上に形成され
た導電性膜、9はガラス内のイオンがマイグレーション
する温度にシリコン1、被接合ガラス2、ガラス電極7
を加熱するヒータであり、4は陽極、6はこの陽極4と
ガラス電極7の間に電圧を印加するための電源である。
図において、1はシリコン、2はシリコン1と接合され
る被接合ガラス、7はこの被接合ガラス2の反対側に設
置されたガラス電極、8はこのガラス電極上に形成され
た導電性膜、9はガラス内のイオンがマイグレーション
する温度にシリコン1、被接合ガラス2、ガラス電極7
を加熱するヒータであり、4は陽極、6はこの陽極4と
ガラス電極7の間に電圧を印加するための電源である。
次に上記構成における陽極接合方法について説明する。
シリコン1と被接合ガラス2とガラス電極7とを重ねた
状態で、ヒータ9でガラス内のイオンがマイグレーショ
ンする温度に加熱する。この状態でガラス電極7と陽極
4間に電源6により電圧を印加すると、ガラス中のアル
カリイオンが陰極側に移動し、酸素イオンが陽極側に移
動する。
状態で、ヒータ9でガラス内のイオンがマイグレーショ
ンする温度に加熱する。この状態でガラス電極7と陽極
4間に電源6により電圧を印加すると、ガラス中のアル
カリイオンが陰極側に移動し、酸素イオンが陽極側に移
動する。
このとき、シリコンとガラスの界面に5in2の層が形
成され、シリコンとガラスが接合される。一方、陰極側
に移動するアルカリイオンは被接合ガラス2、ガラス電
極7内のガラスを移動し、ガラス電極7の導電性膜8の
近傍に徐々に偏析するので、導体の電極を被接合ガラス
2に直接、接触させる場合よりも被接合ガラス2表面へ
のアルカリ金属析出を抑えることができる。
成され、シリコンとガラスが接合される。一方、陰極側
に移動するアルカリイオンは被接合ガラス2、ガラス電
極7内のガラスを移動し、ガラス電極7の導電性膜8の
近傍に徐々に偏析するので、導体の電極を被接合ガラス
2に直接、接触させる場合よりも被接合ガラス2表面へ
のアルカリ金属析出を抑えることができる。
また、上記実施例の導電性膜8を透明導電性膜(例えば
InO□)とすることで、シリコンとガラスの密着状況
を観察することが可能であり、TVカメラなどで接合面
をモニターし、密着状況より接合完了の判定あるいは接
合面の異物の数を検出でき、接合プロセスの管理も可能
となる。
InO□)とすることで、シリコンとガラスの密着状況
を観察することが可能であり、TVカメラなどで接合面
をモニターし、密着状況より接合完了の判定あるいは接
合面の異物の数を検出でき、接合プロセスの管理も可能
となる。
以上のように、この発明によれば、陰極を導電性膜を形
成したガラス電極としたので、被接合ガラスに電極用の
メタライズ層を設ける必要がなく、製品コストを安価に
でき、また、被接合ガラスにダメージを与えず、しかも
接合速度が速いという効果がある。
成したガラス電極としたので、被接合ガラスに電極用の
メタライズ層を設ける必要がなく、製品コストを安価に
でき、また、被接合ガラスにダメージを与えず、しかも
接合速度が速いという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による陽極接合装置を示す
断面図、第2図は従来の陽極接合方法を説明する図、第
3図は第2図の一部を拡大して示す図である。 図中、1はシリコン、2は被接合ガラス、4は陽極、6
は電線、7はガラス電極、8は導電性膜である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面図、第2図は従来の陽極接合方法を説明する図、第
3図は第2図の一部を拡大して示す図である。 図中、1はシリコン、2は被接合ガラス、4は陽極、6
は電線、7はガラス電極、8は導電性膜である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- シリコンと被接合ガラスを重ね合わせた状態で、陽極
側をシリコン、陰極側を被接合ガラスとし、直流電圧を
印加して上記シリコンと被接合ガラスを接合する陽極接
合装置において、陰極側電極をガラスの片面に導電性膜
を形成したガラス電極とし、上記導電性膜形成面の反対
側の面を被接合ガラスに重ねて直流電圧を印加すること
を特徴とする陽極接合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19329690A JPH0479272A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 陽極接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19329690A JPH0479272A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 陽極接合装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0479272A true JPH0479272A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16305558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19329690A Pending JPH0479272A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 陽極接合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0479272A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008170266A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Hioki Ee Corp | リレー検査装置および基板検査装置 |
JP2010540405A (ja) * | 2007-10-11 | 2010-12-24 | ユニベルシテ ピエール エ マリー キュリー(パリ シズエム) | 好適な基材上のラメラ物質の薄板の固定する方法 |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19329690A patent/JPH0479272A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008170266A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Hioki Ee Corp | リレー検査装置および基板検査装置 |
JP2010540405A (ja) * | 2007-10-11 | 2010-12-24 | ユニベルシテ ピエール エ マリー キュリー(パリ シズエム) | 好適な基材上のラメラ物質の薄板の固定する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0254532A (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JPH0270388A (ja) | 溶接前の試験方法 | |
US4452624A (en) | Method for bonding insulator to insulator | |
US10145745B2 (en) | Bonding method for three-layer substrate | |
JPH0479272A (ja) | 陽極接合装置 | |
JPH02163938A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2870822B2 (ja) | シリコンとガラスとの接合方法 | |
JPS6173386A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
JPH08279444A (ja) | 微小構造体およびその製造方法 | |
JP2624832B2 (ja) | 陽極接合装置 | |
JPH04370622A (ja) | 静電リレー | |
CN1307683C (zh) | 一种传感器小间隙非粘连静电封接方法 | |
JPS58190043A (ja) | 多層配線法 | |
JPS608829A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
JPS63229865A (ja) | 陽極接合方法 | |
JPH0547306A (ja) | 表示パネル | |
JPH0577305B2 (ja) | ||
JPH04367246A (ja) | 静電吸着装置 | |
JPH02164003A (ja) | ガラス封入形サーミスタの製造方法 | |
JP2003168755A (ja) | 半導体素子のパッケージング方法 | |
JPS6199339A (ja) | 陽極酸化膜の形成方法 | |
JPS63237483A (ja) | 光発電素子の製造方法 | |
JPS6331390Y2 (ja) | ||
JPS5941872A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
KR20010035880A (ko) | 소자의 접합 방법 |