JPH0479025A - Manufacture of thin metallic film type magnetic recording disk - Google Patents
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス基板を使用した金属薄膜型面内記録用
磁気ディスクの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a metal thin film type magnetic disk for longitudinal recording using a glass substrate.
金属薄膜型面内記録用磁気ディスクは、非磁性基板に、
スパッタ蒸着等の成膜法により、記録層である強磁性金
属（Ｃｏ Ｃｒ系、ＣｏＣｒＮｉ系、ＣｏＣｒＮｉＴａ
系等）の薄膜（磁性膜）を、その磁性膜に面内異方性を
付与するための下地膜（ＣｒもしくはＣｒ合金の薄膜）
を介して成膜した層構造をする。その磁性膜の表面には
、記録再生用磁気ヘッドの接触を滑らかにし、磁性膜お
よび磁気ヘッドを摩耗損傷から保護するために炭素質膜
（ダイヤモンド・ライク・カーボン、アモルファス・カ
ーボン等）に代表される固体保護膜を積層成膜するのが
一般であり、更にその固体保護膜面に液体潤滑剤を塗布
することも多い。A metal thin film type magnetic disk for longitudinal recording has a non-magnetic substrate,
A ferromagnetic metal (CoCr-based, CoCrNi-based, CoCrNiTa-based,
A base film (a thin film of Cr or Cr alloy) for imparting in-plane anisotropy to a thin film (magnetic film) of a magnetic film, etc.
The layered structure is formed through the process. The surface of the magnetic film is coated with a carbonaceous film (diamond-like carbon, amorphous carbon, etc.) to smooth the contact of the recording/reproducing magnetic head and protect the magnetic film and magnetic head from wear and tear. Generally, a solid protective film is formed in layers, and a liquid lubricant is often applied to the surface of the solid protective film.
磁気記録ディスクの磁性膜は高い保磁力（Ｈｃ）を必要
とすることは言うまでもなく、また分解能の向上・再生
出力の安定化等の点から膜厚が薄く、均質性を有するこ
とが要求される。更にディスク表面に対する磁気ヘッド
のフローティングを安定にし、低フライングハイドを可
能とするためにディスク表面はうねりが少なく平面性・
平行性にすぐれたものであることが望まれる。均質で膜
厚の薄い磁性膜の形成を可能とし、かつディスク表面に
良好な平面性・平行性をもたせるには、使用される非磁
性基板が、硬質で、かつ十分な平面性・平行性を有する
ものでなければならない。Needless to say, the magnetic film of a magnetic recording disk requires a high coercive force (Hc), and it is also required to be thin and homogeneous in order to improve resolution and stabilize playback output. . Furthermore, in order to stabilize the floating of the magnetic head on the disk surface and enable low flying hide, the disk surface is flat with little waviness.
It is desired that the parallelism be excellent. In order to make it possible to form a homogeneous and thin magnetic film and to have good flatness and parallelism on the disk surface, the non-magnetic substrate used must be hard and have sufficient flatness and parallelism. Must have.
その非磁性基板として従来より、アルミニウム合金板の
表面に硬質のＮ１−Ｐ合金膜を形成し、ポリッシュ（精
密研摩）加工を施したものが専ら使用されている。その
Ｎ１−Ｐ合金膜面に、スパッタ成膜を行うに先立って、
テキスチャ加工（ケミカルテキスチャ、プラズマテキス
チャ、メカニカルテキスチャ等）が施されることも多い
。テキスチャ加工によりＮ１−Ｐ合金膜面に一定の凹凸
を付けておき、その凹凸の転写効果としてディスク表面
に適度の凹凸を生じさせると、ディスク表面に対する磁
気ヘッドの吸着現象（表面粗さの極めて小さいディスク
表面に、液体潤滑剤、空気中の水分の付着等に由来する
液体が存在すると、そのディスク表面に磁気ヘッドが吸
着し易く、安定なディスクドライブが妨げられる）を防
止する効果が得られる。Conventionally, the nonmagnetic substrate used has been an aluminum alloy plate with a hard N1-P alloy film formed on the surface and polished (precision polishing). Prior to sputtering film formation on the N1-P alloy film surface,
Texture processing (chemical texture, plasma texture, mechanical texture, etc.) is often applied. If a certain level of unevenness is created on the surface of the N1-P alloy film through texturing, and a moderate level of unevenness is created on the disk surface as a transfer effect of the unevenness, the adsorption phenomenon of the magnetic head to the disk surface (extremely small surface roughness) If a liquid derived from a liquid lubricant or moisture in the air is present on the disk surface, the magnetic head tends to stick to the disk surface, thereby preventing a stable disk drive.
また、メカニカルテキスチャ加工により、基板表面に円
周方向の条痕を付与しておくと、磁性膜乙こ周方向の磁
気異方性が誘起されることにより保磁力（Ｈｃ）が高め
られることも知られている。Additionally, if circumferential striations are applied to the substrate surface through mechanical texturing, magnetic anisotropy in the circumferential direction of the magnetic film is induced, thereby increasing the coercive force (Hc). Are known.
近時、非磁性基板として、ガラス板を使用する試みがな
されている。これはガラス板が極めて高い硬度を有し、
かつ板面の平行性・平面性にすぐれている点に着目した
ものである。Recently, attempts have been made to use glass plates as nonmagnetic substrates. This is because the glass plate has extremely high hardness.
We focused on the fact that the plate surface has excellent parallelism and flatness.
ガラスを基板とすることにより、ディスク表面に改良さ
れた平面性・平行性をもたせることができ、また膜厚が
薄く均質性に冨む磁性膜の形成も容易となる等の効果が
得られる。しかし、その磁気ディスクの磁化特性を、ア
ルミニウム合金基板を使用したものと比較すると保磁力
（Ｈｃ）の改善効果は十分でなく、またガラス基板に円
周方向のメカニカルテキスチャを施しても、アルミニウ
ム合金基板の場合と異なって、磁性膜に周方向の磁気異
方性を誘起させることができないという欠点がある。By using glass as a substrate, the disk surface can have improved flatness and parallelism, and it is also possible to easily form a thin and highly homogeneous magnetic film. However, when comparing the magnetization characteristics of the magnetic disk with those using an aluminum alloy substrate, the effect of improving the coercive force (Hc) is not sufficient, and even if a circumferential mechanical texture is applied to the glass substrate, aluminum alloy Unlike the case of a substrate, there is a drawback that magnetic anisotropy in the circumferential direction cannot be induced in the magnetic film.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、ガラス基
板を使用して改良された磁化特性を有する金属薄膜形面
内記録用磁気ディスクの製造方法を提供”する。The present invention has been made in view of the above, and provides a method for manufacturing a metal thin film magnetic disk for longitudinal recording using a glass substrate and having improved magnetization characteristics.
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明は、ガ
ラス板を基板とし、スパッタ蒸着法により、金属系磁性
膜が、該磁性膜に面内異方性を付与するためのＣｒ等か
らなる下地膜の上に積層された金属薄膜型磁気記録ディ
スクを製造する方法において、
ガラス基板に、第１層として金属膜を形成したのち、該
基板に負電位のバイアスを印加して下地膜および磁性膜
を積層成膜することを特徴としている。[Means and effects for solving the problem] The present invention uses a glass plate as a substrate, and uses a sputter deposition method to form a metal-based magnetic film made of Cr or the like for imparting in-plane anisotropy to the magnetic film. In a method for manufacturing a metal thin film type magnetic recording disk laminated on a base film, a metal film is formed as a first layer on a glass substrate, and then a negative potential bias is applied to the base film and magnetic It is characterized by forming films in layers.
以下、本発明について詳しく説明する。The present invention will be explained in detail below.
本発明においては、ガラス基板にスパッタ蒸着による下
地膜（クロムまたはクロム合金）および磁性膜等の積層
成膜を行うに先立って、その板面に第１層として金属膜
が形成される。基板表面に第１層として金属膜を形成す
るのは、下地膜・磁性膜等のスパッタ成膜を、基板にバ
イアス電圧が印加された状態で行うためである。ガラス
基板は絶縁体であるので、その表面に金属膜を形成し導
電性をもたせてバイアス電圧を印加するのである。In the present invention, a metal film is formed as a first layer on a glass substrate before a base film (chromium or chromium alloy), a magnetic film, etc. are laminated by sputter deposition on the glass substrate. The reason why the metal film is formed as the first layer on the substrate surface is that the sputtering film formation of the base film, magnetic film, etc. is performed while a bias voltage is applied to the substrate. Since the glass substrate is an insulator, a metal film is formed on its surface to make it conductive and a bias voltage is applied to it.
第１層金属膜を形成したガラス基板をスパック成膜チャ
ンバ内の基板ホルダ（陽極）に乗せ、陰極のターゲット
（負の高電圧印加）の表面に、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス（スパッタガス）のイオンを衝突させて生じるスパッ
タ蒸発粒子を基板表面に沈積させるスパッタ成膜操作に
おいて、基板に負電位のバイアスを印加すると、基板の
膜面上に不活性ガスイオンの衝突によるスパッタ（逆ス
パツタ）が生じ、またターゲットから基板に向かって飛
翔するスパッタ蒸発粒子の一部（陽イオン）は加速化さ
れて基板表面に衝突沈積する。The glass substrate on which the first layer metal film has been formed is placed on a substrate holder (anode) in a spuck deposition chamber, and an inert gas such as Ar or He (sputter gas ) When applying a negative potential bias to the substrate, sputtering (reverse sputtering) due to the collision of inert gas ions occurs on the film surface of the substrate. ) is generated, and some of the sputter evaporation particles (cations) flying from the target toward the substrate are accelerated and deposited by collision on the substrate surface.
基板の膜面に生じる前記逆スパツタ現象は、その膜面に
吸着しているスパッタガスを除去するクリーニング効果
により、蒸着膜内へのガスの混入・汚染を防止する。そ
の膜質の向上により磁性膜の保磁力が高められる。また
、スパッタ蒸発粒子が加速化され運動エネルギを増大し
た状態で基板に衝突することにより蒸着膜の密着性が向
上する。The reverse spatter phenomenon that occurs on the film surface of the substrate has a cleaning effect that removes the sputtering gas adsorbed on the film surface, thereby preventing gas from entering the deposited film and contaminating it. The coercive force of the magnetic film is increased by improving the film quality. Further, the sputtered evaporated particles are accelerated and collide with the substrate with increased kinetic energy, thereby improving the adhesion of the deposited film.
また、上記の基板膜面に生じる逆スパツタや、基板表面
に対する加速化されたスパッタ蒸発粒子の衝突等によっ
て基板の湯境が上昇する。その基板の昇温に伴って蒸着
膜の再結晶粗大化、合金元素の固溶析出、結晶配向性の
向上等を生し、これらの効果として磁性膜の保磁力が高
められる。Further, the temperature of the substrate rises due to the above-mentioned reverse spatter occurring on the substrate film surface, collision of accelerated sputtered evaporation particles with the substrate surface, and the like. As the temperature of the substrate increases, recrystallization of the deposited film becomes coarser, alloying elements are precipitated in solid solution, crystal orientation is improved, etc., and as a result of these effects, the coercive force of the magnetic film is increased.
更に、基板の昇温効果として、磁性膜に円周方向の磁気
異方性を誘起することが可能となる。すなわち、ガラス
基板にバイアス電圧を印加しないでスパッタ成膜を行う
場合、前記のようにその基板表面に周方向のメカニカル
テキスチャ加工を施しておいても、磁性膜に周方向の磁
気異方性を誘起させることができないが、バイアス電圧
を印加してスパッタ成膜を行う本発明においては、基板
の昇温効果により周方向の異方性が誘起される。Furthermore, as an effect of increasing the temperature of the substrate, it becomes possible to induce magnetic anisotropy in the circumferential direction in the magnetic film. In other words, when sputtering film formation without applying a bias voltage to a glass substrate, even if the surface of the substrate is mechanically textured in the circumferential direction as described above, the magnetic film will not have magnetic anisotropy in the circumferential direction. Although it cannot be induced, in the present invention in which sputtering film formation is performed by applying a bias voltage, anisotropy in the circumferential direction is induced due to the effect of increasing the temperature of the substrate.
この異方性の発現により磁性膜の保磁力は更に向上する
。This development of anisotropy further improves the coercive force of the magnetic film.
本発明においてガラス基板に第１層として金属膜を形成
するのは前記のように基板のバイアス印加を可能とする
導電性をもたせるためであり、その金属膜の材質の選択
は任意であるが、その例として、Ｎ１−Ｐ（Ｐ含有量約
７〜１３％）、Ｃｒ （もしくはＣｒ合金）あるいはＷ
等が挙げられる。Ｎｊ−Ｐ合金は、アモルファスであり
結晶粒界を有しないので、ガラス基板にテキスチャ加工
を施した場合のテキスチャ模様の転写性が高（、またＣ
ｒ（合金）やＷ等は、結晶質の膜であるので、テキスチ
ャ模様を転写しつつ表面粗さを若干粗くしたい場合に有
効である。In the present invention, the reason why a metal film is formed as a first layer on a glass substrate is to provide conductivity that enables bias application to the substrate as described above, and the material of the metal film can be selected arbitrarily. Examples include N1-P (P content approximately 7-13%), Cr (or Cr alloy), or W
etc. Nj-P alloy is amorphous and does not have grain boundaries, so it has high transferability of texture patterns when textured on glass substrates (and also
Since R (alloy), W, etc. are crystalline films, they are effective when it is desired to slightly roughen the surface while transferring a texture pattern.
第１層金属膜の成膜は例えばスパッタ蒸着等により行う
ことができる。なお、第１層の金属膜は、磁性膜の下地
層となるＣｒ（合金）と同一組成のものであってもよく
、その場合はスパッタ蒸着による第１層としてのＣｒ（
合金）膜を形成したのち、バイアス電圧を印加し、同じ
ターゲットのスパツタリングを続行して下地膜としての
Ｃｒ（合金）膜を形成することができる。The first layer metal film can be formed by, for example, sputter deposition. Note that the first layer metal film may have the same composition as the Cr (alloy) that serves as the underlying layer of the magnetic film, in which case the first layer of Cr (alloy) may be
After forming the Cr (alloy) film, a bias voltage is applied and sputtering of the same target is continued to form a Cr (alloy) film as a base film.
第１層金属膜の膜厚は特に限定されないが、安定なバイ
アス印加効果を確保するために約５００Å以上の膜厚で
あるのが好ましい。しかし、その膜厚を余り厚くすると
、基板のガラス表面の転写性が低下し、それに伴いディ
スク表面の平面性・平行性が低下するので、約３０００
人を上限とするのが適当である。The thickness of the first layer metal film is not particularly limited, but is preferably about 500 Å or more in order to ensure a stable bias application effect. However, if the film thickness is too thick, the transferability of the glass surface of the substrate will decrease, and the flatness and parallelism of the disk surface will decrease accordingly.
It is appropriate to set the upper limit to people.
ガラス基板に第１層金属膜を形成した後、その膜面上に
、磁性層を面内異方性とするための下地膜、およびＣｏ
系合金磁性膜等のスパッタ成膜を、その基板に負電位の
バイアスが印加された状態で行う。第１図は、そのスパ
ッタ成膜を、直流マグネトロンスパッタ装置において行
う例を示している。 （１）（１）はターゲットであり
、各ターゲット（１）（１）はバッキングプレー） （
２）（２）に取付けられて向い合っている。（３）（３
）は円環形状を有する陽極あり、陽極（３）とハソキン
グプレート（２）上のターゲット（１）との間に接続さ
れたスパッタ放電用電源（４）によりターゲット（１）
に負の高電圧が印加される。（５）は基板であり、左右
のターゲット（１）と（１）との中間に位置して、陽極
を兼ねる基板ホルダ（６）に取付けられている。（７）
はバイアス電源であり、バイアス電源（７）は、基板ホ
ルダ（６）に接続され基板（５）に負電位のバイアスを
印加する。バイアス電源（７）の正電位側は接地されて
いる。After forming the first layer metal film on the glass substrate, a base film for making the magnetic layer in-plane anisotropy and a Co
Sputtering of a magnetic alloy film or the like is performed with a negative potential bias applied to the substrate. FIG. 1 shows an example in which the sputtering film formation is performed in a DC magnetron sputtering apparatus. (1) (1) is a target, and each target (1) (1) is a backing play) (
2) Attached to (2) and facing each other. (3) (3
) has an anode having an annular shape, and the target (1) is connected by a sputter discharge power supply (4) connected between the anode (3) and the target (1) on the sawing plate (2).
A high negative voltage is applied to. (5) is a substrate, which is located between the left and right targets (1) and (1), and is attached to a substrate holder (6) which also serves as an anode. (7)
is a bias power supply, and the bias power supply (7) is connected to the substrate holder (6) and applies a negative potential bias to the substrate (5). The positive potential side of the bias power supply (7) is grounded.
ガラス基板（５）に負のバイアス電圧を印加して、基板
表面にスパッタ蒸着を行わせる成膜過程においては、ガ
ラス基板を単に接地してスパッタ蒸着を行わせる場合と
異なり、前記のように基板（５）の膜面上の逆スパツタ
や、基板に向かうスパッタ蒸発粒子の加速化等の現象を
伴って基板表面における成膜が進行する。In the film formation process in which a negative bias voltage is applied to the glass substrate (5) to perform sputter deposition on the substrate surface, unlike the case where the glass substrate is simply grounded and sputter deposition is performed, the substrate is Film formation on the substrate surface progresses with phenomena such as reverse spatter on the film surface and acceleration of sputtered evaporated particles toward the substrate (5).
図はマグネトロンスパッタによる成膜の例を示している
が、スパッタガスはこれに限定されず、２極（３極）直
流スパッタ、高周波スパッタ等を用いてもよい。Although the figure shows an example of film formation by magnetron sputtering, the sputtering gas is not limited to this, and bipolar (tripolar) direct current sputtering, high frequency sputtering, etc. may also be used.
基板に印加されるバイアスの適当な電位は、成膜条件（
スパッタ放電印加電圧、スパッタガス等）により異なる
が、通常の成膜条件では、約１００〜−４００Ｖ程度と
してよい。The appropriate potential of the bias applied to the substrate depends on the film forming conditions (
The voltage may vary depending on sputter discharge applied voltage, sputter gas, etc., but under normal film forming conditions, it may be about 100 to -400 V.
また、バイアス電圧を印加して行われるスパッタ成膜過
程における基板の好ましい温度は、厳密には、必要とす
る電磁特性や成膜条件等によりことなるが、通常の成膜
条件では、約１５０〜２８０°Ｃであってよい。Strictly speaking, the preferred temperature of the substrate during the sputtering film formation process performed by applying a bias voltage varies depending on the required electromagnetic properties and film forming conditions, but under normal film forming conditions, it is approximately 150 - It may be 280°C.
本発明による基板表面のスパッタ蒸着成膜は、上記のよ
うに基板を導電性にするための金属膜が第１層として形
成されること、およびその基板表面に対するスパッタ蒸
着成膜が負電位のバイアス印加のもとに行われることを
除けば、特別の制限や条件の付加を必要とせず、通常の
条件に従って行えばよい。第１層金属膜の上に積層され
る膜材質や膜厚等についても通常のそれと異なるもので
ある必要はむろんなく、下地膜は、Ｃｒ、またはＣｒ合
金（例えばＣｒ−３ｉ 、 Ｃｒ−Ｎ、 Ｃｒ−Ａ ｇ
）からなる膜厚的５００〜３０００人程度の膜であっ
てよく、磁性膜はＣｏ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉＣｒＣｏＮ
ｉＣｒＴａ等の強磁性金属からなる膜厚約５００〜２０
００人程度の膜としてよい。磁性膜の表面には、所望に
より炭素質膜等の固体保護膜が適宜膜厚（約１５０〜６
００人）をなして積層形成される。In the sputter deposition film formation on the substrate surface according to the present invention, as described above, a metal film for making the substrate conductive is formed as the first layer, and the sputter deposition film formation on the substrate surface is biased at a negative potential. Except for the fact that it is carried out under an applied voltage, there is no need to add any special restrictions or conditions, and it may be carried out according to normal conditions. It goes without saying that the material and thickness of the film laminated on the first layer metal film do not need to be different from normal ones, and the base film may be made of Cr or Cr alloy (e.g. Cr-3i, Cr-N, etc.). Cr-Ag
), and the magnetic film may be made of Co, CoCr, CoNiCrCoN.
Film thickness of approximately 500 to 20 mm made of ferromagnetic metal such as iCrTa
It is good to have a membrane of about 00 people. On the surface of the magnetic film, if desired, a solid protective film such as a carbonaceous film is applied to an appropriate film thickness (approximately 150 to 6
00 people).
なお、使用されるガラス基板は、所望により第１層金属
膜の成膜に先立って、テキスチャ加工が施され、テキス
チャ加工によりディスク表面に対する磁気ヘッドの吸着
防止効果が得られることは従来のアルミ合金基板を使用
する場合と同様であり、またメカニカルテキスチャ加工
により周方向の磁気異方性を誘起することが可能である
こと等は前記したとおりである。Note that the glass substrate used is textured if desired prior to the formation of the first layer metal film, and the texture processing prevents the magnetic head from adhering to the disk surface compared to conventional aluminum alloys. This is the same as when using a substrate, and as described above, magnetic anisotropy in the circumferential direction can be induced by mechanical texturing.
ガラス基板の表面に周方向のメカニカルテキスチャ加工
を施したものと、テキスチャ加工を省略したものとを用
意し、その表面に第１層としてＮ１−Ｐ合金膜、または
Ｃｒ膜を形成し、第１図に示す直流マグネトロンスパッ
タにより、下地膜としてＣｒ膜（膜厚： １ｓｏｏ人）
、磁性膜としてＣｏＣｒＴａ合金膜（膜厚ニア００人）
、および固体保護膜としてダイヤモンド・ライク・カー
ボン膜（膜厚：２００人）を積層形成して供試ディスク
（３，５″型）を得た。A glass substrate whose surface is mechanically textured in the circumferential direction and a glass substrate whose surface is not textured are prepared, and an N1-P alloy film or a Cr film is formed as a first layer on the surface of the glass substrate. A Cr film (thickness: 1mm) was formed as a base film by DC magnetron sputtering as shown in the figure.
, CoCrTa alloy film (film thickness near 00) as magnetic film
, and a diamond-like carbon film (film thickness: 200 layers) as a solid protective film were laminated to obtain a test disk (3.5'' type).
（ｉ）ガラス基板
珪酸ガラス板、平面度：５μｍ２表面あらさＲａ：８人
。(i) Glass substrate silicate glass plate, flatness: 5 μm2 Surface roughness Ra: 8 people.
（ｉｉ）テキスチャ加エ
ランディングゾーンのみに実施。テキスチャ領域の表面
あらさ： Ｒａ １９人、 Ｒｍａｘ ９００人、
Ｒｐ３００人。(ii) Texturing is applied only to the erranding zone. Surface roughness of texture area: Ra 19 people, Rmax 900 people,
Rp300 people.
（ｉｊ）第１Ｎ金属膜 Ｎ１−Ｐ膜：無電解めっき。膜厚１０００人。(ij) First N metal film N1-P film: electroless plating. Film thickness: 1000 people.
Ｃｒ 膜：下地膜（Ｃｒ膜）と同じターゲットを使用
し、スパッタ蒸着により成膜。膜
厚１０００人。Cr film: Formed by sputter deposition using the same target as the base film (Cr film). Film thickness: 1000 people.
（ｉｖ ）下地膜、磁性膜および固体保護膜のスパッタ
成膜
・スパッタ雰囲気：０．７ Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ、 Ａ
ｒ・スパッタ投入型カニＩＫｗ、電圧：３００Ｖ・バ
イアス電圧ニー２５０Ｖ。(iv) Sputtering film formation/sputtering atmosphere for base film, magnetic film, and solid protective film: 0.7 Xl0-”Torr, A
r/sputter injection type crab IKw, voltage: 300V, bias voltage knee 250V.
比較例として、第１層金属膜を省略しスパッタ成膜をバ
イアス無印加で行った点を除き、上記と同じ条件で供試
ディスクを得た。As a comparative example, a test disk was obtained under the same conditions as above, except that the first layer metal film was omitted and the sputtering film was formed without applying any bias.
各供試ディスクの保磁力測定結果を第１表に示す。なお
、各供試ディスクの残留磁束密度（ＢＴ）と膜厚（δ）
の積（Ｂｒ・δ）は、いずれも４００Ｇμである。Table 1 shows the coercive force measurement results for each sample disk. In addition, the residual magnetic flux density (BT) and film thickness (δ) of each test disk
The product (Br·δ) is 400 Gμ in both cases.
発明例の磁気ディスクＮｏ、 １〜４は、比較例Ｎα５
およびＮｏ、６（スパッタ成膜時のバイアス印加なし）
に比べて、著しく高い保磁力を有している。Invention example magnetic disk Nos. 1 to 4 are comparative example Nα5
and No. 6 (no bias applied during sputtering film formation)
It has a significantly higher coercive force than that of
また、発明例において、基板にテキスチャ加工を方缶し
たちの（Ｎα２．Ｎｏ、４）と、テキスチャ加工を省略
したもの（Ｎｏ、 １ 、 Ｎｏ、 ３ ）を比較する
と、前者の保磁力が明らかに高い。これはテキスチャ加
工による周方向の磁気異方性が誘起されたことによる効
果を示している。In addition, in the invention example, when comparing the substrate with texture processing (Nα2.No. 4) and the one without texture processing (No. 1, No. 3), it is clear that the coercive force of the former is expensive. This shows the effect of the circumferential magnetic anisotropy induced by the texturing.
本発明方法によれば、ガラスを基板として、改良された
保磁力を有する磁気記録ディスクを製造することができ
る。その基板にメカニカルテキスチャ加工を施すことに
より周方向の磁気異方性を誘起させ更に高い保磁力を得
ることもできる。この保磁力の改善により、記録密度の
向上、ディスクの小型化・高品質化が可能である。According to the method of the present invention, a magnetic recording disk having improved coercive force can be manufactured using glass as a substrate. By mechanically texturing the substrate, magnetic anisotropy in the circumferential direction can be induced and even higher coercive force can be obtained. By improving the coercive force, it is possible to improve the recording density and make the disk smaller and of higher quality.
第１図は本発明方法におけるスパッタ蒸着成膜法の例を
模式的に示す図である。
１：ターゲット、４ニスバッタ放電々源、５：基板、６
：基板ホルダ、７：バイアス電源。FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a sputter deposition film forming method in the method of the present invention. 1: Target, 4 Varnish grasshopper discharge source, 5: Substrate, 6
: Substrate holder, 7: Bias power supply.
Claims (1)
膜に面内異方性を付与するためのＣｒ等からなる下地膜
の上に金属系磁性膜が積層された金属薄膜型磁気記録デ
ィスクを製造する方法において、 ガラス基板に、第１層として金属膜を形成したのち、該
基板に負電位のバイアスを印加して下地膜および磁性膜
を積層成膜することを特徴とする金属薄膜型磁気記録デ
ィスクの製造方法。 ２、板面にメカニカルテキスチャ加工により円周方向の
条痕を付したガラス基板を使用することを特徴とする請
求項１に記載の金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法
。 ３、ガラス基板の表面のメカニカルテキスチャ加工が、
ランデイングゾーンにのみ施されていることを特徴とす
る請求項２に記載の金属薄膜型磁気記録ディスクの製造
方法。 ４、第１層の金属膜の膜厚が５００〜３０００Åである
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の
金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法。[Claims] 1. A metal material in which a metal-based magnetic film is laminated on a base film made of Cr or the like for imparting in-plane anisotropy to a magnetic film using a glass plate as a substrate by sputter deposition. A method for manufacturing a thin-film magnetic recording disk, characterized in that a metal film is formed as a first layer on a glass substrate, and then a base film and a magnetic film are laminated by applying a negative potential bias to the substrate. A method for manufacturing a metal thin film magnetic recording disk. 2. The method of manufacturing a metal thin film magnetic recording disk according to claim 1, wherein a glass substrate is used which has circumferential grooves formed on its surface by mechanical texturing. 3. Mechanical texture processing on the surface of the glass substrate
3. The method of manufacturing a metal thin film magnetic recording disk according to claim 2, wherein the metal thin film magnetic recording disk is coated only on the landing zone. 4. The method of manufacturing a metal thin film magnetic recording disk according to any one of claims 1 to 3, wherein the first layer metal film has a thickness of 500 to 3000 Å.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260790A JPH0479025A (en) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | Manufacture of thin metallic film type magnetic recording disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260790A JPH0479025A (en) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | Manufacture of thin metallic film type magnetic recording disk |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479025A true JPH0479025A (en) | 1992-03-12 |
Family
ID=16294077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19260790A Pending JPH0479025A (en) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | Manufacture of thin metallic film type magnetic recording disk |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479025A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074250A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering apparatus and method of producing magnetic storage medium |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP19260790A patent/JPH0479025A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074250A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering apparatus and method of producing magnetic storage medium |
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