JP2000057569A - Production of magnetic recording medium and magnetic recording medium - Google Patents
Production of magnetic recording medium and magnetic recording mediumInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関し、特に高保磁力の磁性層を有する磁気記録
媒体の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium, and more particularly to a method for manufacturing a magnetic recording medium having a magnetic layer with a high coercive force.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の
磁気ディスクには、ますます高記録密度化が要求されて
いる。磁気ディスクの記録密度を高めるためには、磁気
記録媒体の低ノイズ化を共に高保磁力化が必要である。
磁気記録媒体の高保磁力化には、磁性層内部の磁性体結
晶粒間の磁気的相互作用を低減し、各磁性体結晶粒を磁
気的に孤立化させることが有効である。2. Description of the Related Art A magnetic disk such as a hard disk drive (HDD) is required to have a higher recording density. In order to increase the recording density of the magnetic disk, it is necessary to increase the coercive force as well as the noise of the magnetic recording medium.
In order to increase the coercive force of the magnetic recording medium, it is effective to reduce the magnetic interaction between the magnetic crystal grains inside the magnetic layer and magnetically isolate each magnetic crystal grain.
【０００３】磁性体結晶粒を磁気的に孤立させる方法の
１つとして、磁性体結晶粒間または結晶粒界に非磁性体
を偏析させる方法が知られている。As one of the methods for magnetically isolating magnetic crystal grains, a method of segregating a non-magnetic substance between magnetic crystal grains or at crystal grain boundaries is known.
【０００４】例えば、磁性層にＣｏＣｒ系合金を用い、
Ｃｒを結晶粒間に偏析させる。Ｃｒは反強磁性でり、巨
視的には非磁性材料と同様にふるまう。また、磁性層成
膜時に、ＳｉＯ2 を同時堆積し、ＳｉＯ2 を結晶粒界に
偏析させる方法が知られている。これらの非磁性体を結
晶粒間または結晶粒界に偏析させる方法は、現在の磁気
記録媒体に広く用いられている。For example, using a CoCr alloy for the magnetic layer,
Cr is segregated between crystal grains. Cr is antiferromagnetic and macroscopically behaves like a non-magnetic material. Further, when the magnetic layer deposition, SiO 2 is co-deposited, a method to segregate the SiO 2 in the crystal grain boundary is known. The method of segregating these non-magnetic materials between crystal grains or at crystal grain boundaries is widely used in current magnetic recording media.
【０００５】磁性体結晶粒を磁気的に孤立化させる他の
方法として、磁性体結晶粒自身を空間的に分離して作成
する方法が知られている。例えば、表面荒さの比較的大
きな下地層を形成し、この上に磁性層を堆積し、下地層
の凹凸を利用してその上に形成される磁性体結晶粒を空
間的に分離する方法が知られている。比較的大きな凹凸
を有する表面を形成するための材料として、ＮｉＰ合金
が知られている。As another method of magnetically isolating magnetic crystal grains, a method of forming magnetic crystal grains by spatially separating the magnetic crystal grains themselves is known. For example, a method is known in which a base layer having a relatively large surface roughness is formed, a magnetic layer is deposited thereon, and magnetic crystal grains formed thereon are spatially separated by using the unevenness of the base layer. Have been. A NiP alloy is known as a material for forming a surface having relatively large irregularities.
【０００６】また、ＮｉＰ合金を磁性層の下地に用いる
と、磁性層の面内方向に高い結晶磁気異方性が誘起され
る。磁性体結晶粒の空間的分離と高い磁気異方性が、高
い保磁力を実現するのに有効に働く。[0006] When a NiP alloy is used as a base of a magnetic layer, high crystal magnetic anisotropy is induced in the in-plane direction of the magnetic layer. The spatial separation of the magnetic crystal grains and the high magnetic anisotropy effectively work to realize a high coercive force.
【０００７】例えば、Ａｌ基板の上にＮｉＰ下地層を厚
さ約１０μｍ程度メッキにより形成し、研磨を行なうこ
とによりテキスチャーを作成する。このテキスチャーを
有する下地表面上にＳｉＯ2 を含むＣｏＣｒ系合金をス
パッタリングなどにより堆積する。For example, a NiP underlayer is formed on an Al substrate by plating with a thickness of about 10 μm, and a texture is formed by polishing. A CoCr-based alloy containing SiO 2 is deposited on the textured base surface by sputtering or the like.
【０００８】ハードディスクドライブには、低電力化や
製造コスト低減化の要求も強い。これらの目的を達成す
るためには、軽量かつ安価な材料を使用することが望ま
れる。基板材料としては、Ａｌの代わりにガラスが用い
られつつある。ガラス基板を用いた場合、その上に直接
ＮｉＰ合金層を形成すると、ＮｉＰ合金層の付着力が弱
い。付着力を増強するために、ガラス基板上には、先ず
Ｃｒ層を形成し、その上にＮｉＰ合金層を形成すること
が行なわれている。There is a strong demand for hard disk drives to reduce power consumption and manufacturing costs. In order to achieve these objects, it is desirable to use a lightweight and inexpensive material. As a substrate material, glass is being used instead of Al. When a glass substrate is used, if the NiP alloy layer is formed directly on the glass substrate, the adhesion of the NiP alloy layer is weak. In order to enhance the adhesive force, a Cr layer is first formed on a glass substrate, and a NiP alloy layer is formed thereon.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】磁性体結晶粒が完全に
磁気的に孤立化した場合、最大保磁力は理論的には磁性
体結晶粒の異方性磁界Ｈｋの１／２の値になることが知
られている。例えば、磁性層材料にＣｏ88Ｐｔ 12 合金
を用いた場合、その異方性磁界Ｈｋは約６０００Ｏｅで
ある。従って、保磁力は最大約３０００Ｏｅとなるはず
である。When the magnetic crystal grains are completely magnetically isolated, the maximum coercive force is theoretically 値 of the anisotropic magnetic field Hk of the magnetic crystal grains. It is known. For example, when a Co 88 Pt 12 alloy is used for the magnetic layer material, the anisotropic magnetic field Hk is about 6000 Oe. Therefore, the coercive force should be up to about 3000 Oe.
【００１０】現在、実現されたＣｏ88Ｐｔ 12 合金を用
いた磁性層の最高保磁力は、２０００Ｏｅ程度である。
従って、磁性体結晶粒の高保磁力化は未だ改良の余地が
あることになる。At present, the maximum coercive force of a magnetic layer using a Co 88 Pt 12 alloy realized is about 2000 Oe.
Therefore, there is still room for improvement in increasing the coercive force of the magnetic crystal grains.
【００１１】ハードディスクドライブの低電力化と製造
コスト低減化を進めるためには、ガラス基板よりもさら
に軽く、安価な材料を用いることが望まれる。このよう
な条件を満たす材料として有機物材料がある。例えば、
ポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンを基板
材料として用いることができれば、ハードディスクドラ
イブの磁気記録媒体をさらに軽量化し、製造原価を低減
化することができる。In order to reduce the power consumption and manufacturing cost of a hard disk drive, it is desirable to use a material that is lighter and cheaper than a glass substrate. There is an organic material as a material satisfying such conditions. For example,
If polycarbonate or amorphous polyolefin can be used as the substrate material, the magnetic recording medium of the hard disk drive can be further reduced in weight and the manufacturing cost can be reduced.
【００１２】本発明の目的は、保磁力をさらに高めた磁
性層を有する磁気記録媒体の製造方法を提供することで
ある。An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a magnetic recording medium having a magnetic layer with a further increased coercive force.
【００１３】本発明の他の目的は、ガラス基板を用いた
場合よりも軽量、かつ安価な磁気記録媒体の製造方法を
提供することである。It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium which is lighter and cheaper than the case where a glass substrate is used.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、（ａ）非磁性の有機基板上に、非磁性の酸化物層を
スパッタリングで堆積する工程と、（ｂ）前記酸化物層
の上に、非磁性の密着層をスパッタリングで堆積する工
程と、（ｃ）前記密着層の上に、ニッケル・燐合金層を
スパッタリングで堆積する工程と、（ｄ）前記ニッケル
・燐合金層の上に、磁性層をガス圧１０ｍＴｏｒｒ−５
０ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気を用い、０．０５ｎｍ／ｓｅ
ｃ−１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度でスパッタリングで
堆積する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法が提供さ
れる。According to one aspect of the present invention, there is provided (a) a step of depositing a nonmagnetic oxide layer on a nonmagnetic organic substrate by sputtering, and (b) the step of depositing the oxide layer. (C) depositing a nickel-phosphorus alloy layer on the adhesion layer by sputtering, and (d) depositing a nickel-phosphorus alloy layer on the adhesion layer. On top, the magnetic layer was set to a gas pressure of 10 mTorr-5.
0.05 nm / sec using an Ar atmosphere of 0 mTorr
c) depositing by sputtering at a deposition rate of 1.5 nm / sec.
【００１５】磁性層を、従来のガス圧よりも大幅に高い
１０ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒのガス圧を有するアル
ゴン雰囲気で、従来の堆積速度よりも遅い０．０５ｎｍ
／ｓｅｃ〜１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度でスパッタリ
ングにより堆積することにより、磁性層の保磁力を高め
ることができる。The magnetic layer is formed in an argon atmosphere having a gas pressure of 10 mTorr to 50 mTorr, which is significantly higher than the conventional gas pressure, at a thickness of 0.05 nm, which is lower than the conventional deposition rate.
By depositing at a deposition rate of / sec to 1.5 nm / sec by sputtering, the coercive force of the magnetic layer can be increased.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。なお、特定の構成および材料を用いた
場合について実施例を説明するが、これらは本発明を制
限するものではない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, although an Example is described about the case where a specific structure and material are used, these do not limit this invention.
【００１７】図１は、本発明の実施例により製造される
磁気記録媒体の構造を示す断面図および磁気記録媒体の
使用状態を概略的に示す斜視図である。FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a magnetic recording medium manufactured according to an embodiment of the present invention and a perspective view schematically showing a state of use of the magnetic recording medium.
【００１８】図１（Ａ）において、有機物基板１は、例
えばポリカーボネートで形成される。ホリカーボネート
の代わり、アモルファスポレオレフィン等の他の有機材
料を用いることも可能である。有機物基板１の表面上
に、酸化物層２が形成されている。酸化物層２は、例え
ばＳｉＯ2 で形成される。ＳｉＯ2 に代え、Ａｌ
2 Ｏ3、ＴｉＯ2 、ＴａＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＷＯ2 等の
他の酸化物を用いることも可能である。In FIG. 1A, an organic substrate 1 is formed of, for example, polycarbonate. Instead of polycarbonate, it is also possible to use other organic materials such as amorphous polyolefin. An oxide layer 2 is formed on a surface of an organic substrate 1. The oxide layer 2 is formed of, for example, SiO 2 . Al instead of SiO 2
It is also possible to use other oxides such as 2 O 3 , TiO 2 , TaO 2 , Ta 2 O 5 and WO 2 .
【００１９】酸化物層２は、有機物基板１の全表面を連
続的に覆い、その後の膜堆積時の有機物基板１からのア
ウトガスを防止する機能を果たす。酸化物層２を備えた
有機物基板１は、ガラス基板と同様に考えることができ
るであろう。The oxide layer 2 continuously covers the entire surface of the organic substrate 1 and functions to prevent outgassing from the organic substrate 1 during subsequent film deposition. The organic substrate 1 provided with the oxide layer 2 can be considered in the same manner as a glass substrate.
【００２０】酸化物層２の表面上には、Ｃｒで形成され
た密着層３が形成されている。密着層３の上に、ＮｉＰ
合金下地層４が形成されている。密着層３は、酸化物層
２と合金下地層４との密着を増強する役割を果たす。An adhesion layer 3 made of Cr is formed on the surface of the oxide layer 2. NiP on the adhesion layer 3
An alloy base layer 4 is formed. The adhesion layer 3 plays a role in enhancing the adhesion between the oxide layer 2 and the alloy base layer 4.
【００２１】ＮｉＰ合金下地層４は、例えばＮｉ3 Ｐ、
Ｎｉ2 Ｐ等の ＮｉＰ合金で形成される。ＮｉＰ合金下
地層４は、表面粗さの比較的大きい下地表面を形成す
る。この下地表面上に、磁性層５が形成される。磁性層
５は、例えばＳｉＯ2 を添加したＣｏＰｔ系合金であ
る。磁性層５の表面上には、必要に応じて保護層６を設
ける。このような構成により、磁気ディスク７が形成さ
れる。The NiP alloy underlayer 4 is made of, for example, Ni 3 P,
It is formed of a NiP alloy such as Ni 2 P. The NiP alloy base layer 4 forms a base surface having a relatively large surface roughness. The magnetic layer 5 is formed on the underlayer surface. The magnetic layer 5 is, for example, a CoPt-based alloy to which SiO 2 is added. On the surface of the magnetic layer 5, a protective layer 6 is provided as necessary. With such a configuration, the magnetic disk 7 is formed.
【００２２】図１（Ｂ）は、磁気ディスク７の使用状態
を示す。磁気ディスク７は回転され、その上部に磁気ヘ
ッド８を浮上させる。磁気ヘッド８は、磁束を発生して
磁気ディスク７に書き込みを行なったり、磁気ディスク
７の発生する磁束を検出して書き込み情報の読み出しを
行なう。なお、誘導型磁気ヘッドを例示しているが、書
き込みは誘導型磁気ヘッドで行い、読み出しは磁気抵抗
素子により行なう複合型磁気ヘッドを用いることもでき
る。磁気ヘッドの種類は限定されない。FIG. 1B shows the state of use of the magnetic disk 7. The magnetic disk 7 is rotated, and the magnetic head 8 flies above the magnetic disk 7. The magnetic head 8 generates a magnetic flux to perform writing on the magnetic disk 7, and detects magnetic flux generated by the magnetic disk 7 to read out write information. Although an inductive magnetic head is illustrated, a composite magnetic head in which writing is performed by an inductive magnetic head and reading is performed by a magnetoresistive element can be used. The type of the magnetic head is not limited.
【００２３】図１（Ｂ）に示すような使用を行なうため
には、磁気ディスク７が磁気ヘッド８を安定に浮上させ
ることも要求される。In order to perform the use as shown in FIG. 1B, it is required that the magnetic disk 7 flies the magnetic head 8 stably.
【００２４】図２は、図１（Ａ）に示すような有機物基
板１上に積層構造を作成するために用いることのできる
ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置の構成を示す断面
図である。チャンバー１１は、ステンレス、アルミニウ
ム等の金属で形成され、内部を真空に排気することがで
きる。FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of a DC / RF magnetron sputtering apparatus that can be used to form a laminated structure on the organic substrate 1 as shown in FIG. The chamber 11 is formed of a metal such as stainless steel or aluminum, and the inside can be evacuated to a vacuum.
【００２５】チャンバー１１には、Ａｒガス導入口１
２、および排気口１３が設けられている。チャンバー１
１の上側部分には、基板ホルダー１４が接続されてい
る。基板ホルダー１４も金属で形成され、チャンバ１１
と電気的、機械的に接続されている。チャンバー１１は
接地される。The chamber 11 has an Ar gas inlet 1
2 and an exhaust port 13 are provided. Chamber 1
The substrate holder 14 is connected to the upper part of the first. The substrate holder 14 is also formed of metal,
And electrical and mechanical connection. The chamber 11 is grounded.
【００２６】チャンバ１１の下側部分には、その一部に
開口が設けられ、絶縁体１５を介して陰極体１６が気密
に結合されている。陰極体１６は、内部に空洞を有し、
空洞内にマグネッット２１が配置されている。また、陰
極体１６内部には流路が設けられ、冷却水等の冷媒を通
過させることができる。An opening is provided in a lower part of the chamber 11, and a cathode body 16 is hermetically connected via an insulator 15. Cathode body 16 has a cavity inside,
A magnet 21 is arranged in the cavity. In addition, a flow path is provided inside the cathode body 16 so that a coolant such as cooling water can pass therethrough.
【００２７】陰極体１６は、電源１８に接続されてい
る。電源１８は、ＲＦ電源とＤＣ電源を切り換えること
ができる構成である。なお、ＲＦ電源はマッチングボッ
クスを含む。さらに、陰極体１６を取り囲むように、絶
縁体２３で支持されたシールド２４が配置されている。The cathode body 16 is connected to a power supply 18. The power supply 18 has a configuration capable of switching between an RF power supply and a DC power supply. Note that the RF power supply includes a matching box. Further, a shield 24 supported by an insulator 23 is arranged so as to surround the cathode body 16.
【００２８】陰極体１６上にターゲットを設置し、基板
ホルダー１４上に基板を保持してスパッタリングを行な
うことができる。スパッタリングは、ＡｒガスをＡｒガ
ス導入口１２から導入し、排気口１３から所定量のＡｒ
ガスを排気することにより、チャンバ１１内を所定圧力
のＡｒ雰囲気に保って行なう。陰極体１６にＤＣまたは
ＲＦの電力を供給すると、基板ホルダー１４、陰極体１
６間にプラズマが発生する。このプラズマは、マグネッ
ト２１の発する磁束の作用を受け、ターゲットをマグネ
トロンスパッタリングする。ターゲットから飛び出した
粒子は、上方に向かい、基板上に堆積する。A target can be placed on the cathode body 16 and the substrate can be held on the substrate holder 14 to perform sputtering. In the sputtering, an Ar gas is introduced from an Ar gas inlet 12 and a predetermined amount of Ar gas is
By exhausting the gas, the inside of the chamber 11 is maintained in an Ar atmosphere at a predetermined pressure. When DC or RF power is supplied to the cathode body 16, the substrate holder 14, the cathode body 1
Plasma is generated between 6. This plasma is subjected to the action of the magnetic flux generated by the magnet 21 and magnetron sputtering the target. Particles jumping out of the target face upward and accumulate on the substrate.
【００２９】基板として、Ａｌやガラスを用いた場合
は、基板を３００°Ｃ程度に加熱してスパッタリングを
行なっている。基板として有機物を用いる場合、このよ
うな加熱を行なうことはできない。例えば、ポリカーボ
ネートは１３０°Ｃ程度の加熱により容易に変形、溶融
してしまう。When Al or glass is used as the substrate, the substrate is heated to about 300 ° C. to perform sputtering. When an organic material is used as the substrate, such heating cannot be performed. For example, polycarbonate is easily deformed and melted by heating at about 130 ° C.
【００３０】有機物基板を用いた場合には、基板を加熱
せずにスパッタリングを行なうことが要求される。例え
ば、非磁性体金属やＳｉＯ2 を含む磁性層を堆積する場
合、基板温度が低いと、堆積した磁性層内で原子、分子
のマイグレーションが低下することが予想される。本発
明者らは、磁性層のスパッタリング条件を変えることに
より、堆積した磁性層の特性がどのように変化するかを
調べた。When an organic substrate is used, it is required to perform sputtering without heating the substrate. For example, when depositing a magnetic layer containing a non-magnetic metal or SiO 2 , if the substrate temperature is low, migration of atoms and molecules in the deposited magnetic layer is expected to decrease. The present inventors examined how the characteristics of the deposited magnetic layer change by changing the sputtering conditions of the magnetic layer.
【００３１】図３は、スパッタリング時のＡｒガス圧を
変化させた時の、磁性層の保磁力の変化を示すグラフで
ある。作成した磁気記録媒体は、図１（Ａ）に示す構成
において、ポリカーボネート基板１の表面上にＳｉＯ2
層２を３００ｎｍ堆積し、その上にＣｒ密着層を２０ｎ
ｍ堆積し、その上にＮｉ3 Ｐ層４を厚さ３０ｎｍ堆積
し、その上にＣｏ88Ｐｔ12−ＳｉＯ2 （５ａｔ％）層５
を２０ｎｍ形成した構造である。この磁性層５形成時の
Ａｒガス圧を変化させた。FIG. 3 is a graph showing the change in coercive force of the magnetic layer when the Ar gas pressure during sputtering is changed. In the configuration shown in FIG. 1A, the magnetic recording medium thus produced has SiO 2 on the surface of the polycarbonate substrate 1.
Layer 2 was deposited to a thickness of 300 nm, and a Cr adhesion layer was
a Ni 3 P layer 4 is deposited thereon to a thickness of 30 nm, and a Co 88 Pt 12 —SiO 2 (5 at%) layer 5 is further deposited thereon.
Is formed to have a thickness of 20 nm. The Ar gas pressure during the formation of the magnetic layer 5 was changed.
【００３２】図から明らかなように、Ａｒガス圧を通常
用いられる数ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒに上昇させ
ると、保磁力Ｈｃは大幅に向上した。Ａｒガス圧をさら
に２０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒと上昇させると、保
磁力の増加傾向は著しく緩やかになるが、保磁力の増加
は続いた。Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒ
の領域においては、ほぼ一定の保磁力Ｈｃが示されてい
る。なお、使用したスパッタリング装置においては、５
０ｍＴｏｒｒを越えたガス圧を安定に用いることは困難
であった。As is apparent from the figure, when the Ar gas pressure was increased from a normally used several mTorr to 10 mTorr, the coercive force Hc was greatly improved. When the Ar gas pressure was further increased to 20 mTorr and 30 mTorr, the increasing tendency of the coercive force became remarkably gentle, but the increase of the coercive force continued. Ar gas pressure 30mTorr-50mTorr
In the region, a substantially constant coercive force Hc is shown. In the used sputtering apparatus, 5
It has been difficult to stably use a gas pressure exceeding 0 mTorr.
【００３３】図３の結果から、スパッタリング時の雰囲
気圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒとすることが
高保磁力実現のために望ましいことが推定される。From the results shown in FIG. 3, it is presumed that it is desirable to set the atmospheric pressure at the time of sputtering to 10 mTorr to 50 mTorr in order to realize a high coercive force.
【００３４】一般に、スパッタリング時の雰囲気圧力を
高めると、堆積速度は低下する傾向にある。そこで、堆
積速度を意図的に低下させると磁性特性にどのような変
化が現れるかを調べた。作成したサンプルは、基本的に
図１（Ａ）に示す積層構造の磁気記録媒体であるが、各
層の厚さはＳｉＯ2 層３０ｎｍ、Ｃｒ層１５ｎｍ、Ｎｉ
3 Ｐ層２６ｎｍ、磁性層２４ｎｍとした。磁性層は、図
３の実験に用いたものと同様、Ｃｏ88Ｐｔ12：ＳｉＯ2
（５ａｔ％）である。Generally, when the atmospheric pressure during sputtering is increased, the deposition rate tends to decrease. Then, what kind of change appears in the magnetic characteristics when the deposition rate was intentionally reduced was examined. The prepared sample is basically a magnetic recording medium having a laminated structure shown in FIG. 1A, and the thickness of each layer is 30 nm for an SiO 2 layer, 15 nm for a Cr layer,
The 3P layer was 26 nm, and the magnetic layer was 24 nm. The magnetic layer was made of Co 88 Pt 12 : SiO 2 similarly to the one used in the experiment of FIG.
(5 at%).
【００３５】Ｎｉ3 Ｐ層４と磁性層５の堆積速度を、以
下の表１に示すように種々の値に変化させた。The deposition rates of the Ni 3 P layer 4 and the magnetic layer 5 were changed to various values as shown in Table 1 below.
【００３６】[0036]
【表１】 [Table 1]
【００３７】ＳｉＯ2 層２はＲＦスパッタリングで堆積
し、Ｃｒ層３とＮｉ3 Ｐ層４はＤＣスパッタリングで堆
積し、磁性層５はＲＦスパッタリングで堆積した。な
お、スパッタリング時のＡｒ圧力は３０ｍＴｏｒｒに一
定に保った。Ｎｉ3 Ｐ層４の堆積速度は、０．０６ｎｍ
／ｓｅｃから２．４ｎｍ／ｓｅｃに変化させた。また、
磁性層５の堆積速度は０．０７ｎｍ／ｓｅｃから２．２
ｎｍ／ｓｅｃまで変化させた。The SiO 2 layer 2 was deposited by RF sputtering, the Cr layer 3 and the Ni 3 P layer 4 were deposited by DC sputtering, and the magnetic layer 5 was deposited by RF sputtering. The Ar pressure during sputtering was kept constant at 30 mTorr. The deposition rate of the Ni 3 P layer 4 is 0.06 nm
/ Sec to 2.4 nm / sec. Also,
The deposition rate of the magnetic layer 5 ranges from 0.07 nm / sec to 2.2.
nm / sec.
【００３８】図４は、得られた磁性層の静磁気特性を、
磁性層堆積速度の関数として示すグラフである。FIG. 4 shows the magnetostatic characteristics of the obtained magnetic layer.
4 is a graph showing as a function of magnetic layer deposition rate.
【００３９】図４（Ａ）は、保磁力の磁性層堆積速度依
存性を示す。横軸は磁性層堆積速度を単位ｎｍ／ｓｅｃ
で示し、縦軸は保磁力Ｈｃを単位Ｏｅで示す。図から明
らかなように、堆積速度が遅くなる程保磁力は高くなっ
ている。FIG. 4A shows the dependence of the coercive force on the deposition rate of the magnetic layer. The horizontal axis represents the magnetic layer deposition rate in nm / sec.
The vertical axis indicates the coercive force Hc in units of Oe. As is clear from the figure, the coercive force increases as the deposition rate decreases.
【００４０】特に、堆積速度を２．２ｎｍ／ｓｅｃから
１．５ｎｍ／ｓｅｃに変化させた時、保磁力Ｈｃは、従
来の最高保磁力２０００Ｏｅを越えて改善されている。
また、堆積速度が０．６ｎｍ／ｓｅｃよりも小さくなる
と、保磁力の増加は著しく向上している。堆積速度を遅
くする程保磁力が向上していることが明らかである。In particular, when the deposition rate was changed from 2.2 nm / sec to 1.5 nm / sec, the coercive force Hc was improved beyond the conventional maximum coercive force of 2000 Oe.
When the deposition rate is lower than 0.6 nm / sec, the increase in coercive force is significantly improved. It is apparent that the coercive force is improved as the deposition rate is reduced.
【００４１】しかしながら、堆積速度を低減すると、一
定厚の磁性層を堆積するのに必要な時間が長くなる。量
産性を考慮すると、堆積速度を０に近い値とすることは
実用的でない。However, when the deposition rate is reduced, the time required for depositing a magnetic layer having a constant thickness becomes longer. Considering mass productivity, it is not practical to set the deposition rate to a value close to zero.
【００４２】また、堆積速度を低下させるには、スパッ
タリング時の電力を低くするか、ターゲットと基板との
間の距離を増加させることになる。ターゲットと基板と
の間の距離は、チャンバーの大きさに関連し、大きくす
ることに制限がある。残る可能性はスパッタリング時の
電力を低減する方法である。In order to reduce the deposition rate, the power during sputtering is reduced or the distance between the target and the substrate is increased. The distance between the target and the substrate is related to the size of the chamber and is limited in size. The remaining possibility is a method of reducing the power during sputtering.
【００４３】堆積速度を低くするためには電力を低減す
ることになるが、あまりに微弱な電力でスパッタリング
を行なおうとすると、プラズマが不安定になりやすい。
これらの要素の結果、堆積速度は約０．０５ｎｍ／ｓｅ
ｃ以上とすることが望まれる。従って、磁性層のスパッ
タリング時の堆積速度を、０．０５ｎｍ／ｓｅｃ〜１．
５ｎｍ／ｓｅｃの範囲に選択することが望ましい。To reduce the deposition rate, the power must be reduced. However, if the sputtering is performed with an extremely weak power, the plasma tends to be unstable.
As a result of these factors, the deposition rate is about 0.05 nm / sec.
It is desired to be not less than c. Therefore, the deposition rate at the time of sputtering the magnetic layer is 0.05 nm / sec to 1.
It is desirable to select within the range of 5 nm / sec.
【００４４】図４（Ｂ）は、磁性層厚ｔと残留磁束密度
Ｂｒとの積であるｔ・Ｂｒの堆積速度依存性を示すグラ
フである。横軸は磁性層の堆積速度をｎｍ／ｓｅｃの単
位で示し、縦軸はｔ・ＢｒをＧμｍの単位で示す。磁性
層厚・残留磁束密度積ｔ・Ｂｒは、保磁力と逆の関係を
示しているが、堆積速度を０．０５ｎｍ／ｓｅｃとした
時も、１００Ｇμｍ以上の値を保っている。FIG. 4B is a graph showing the deposition rate dependence of t · Br which is the product of the magnetic layer thickness t and the residual magnetic flux density Br. The horizontal axis shows the deposition rate of the magnetic layer in the unit of nm / sec, and the vertical axis shows t · Br in the unit of G μm. The magnetic layer thickness / residual magnetic flux density product t · Br shows an inverse relationship to the coercive force, but keeps a value of 100 Gμm or more even when the deposition rate is 0.05 nm / sec.
【００４５】図５は、得られた磁性層の磁気ヒステリシ
ス特性の角型比Ｓおよび保磁力の角型比Ｓ* の堆積速度
依存性を示す。図５（Ａ）が角型比Ｓを示し、図５
（Ｂ）が保磁力角型比Ｓ* を示す。両図の特性共、堆積
速度によらず角形比はほぼ０．９程度以上の良好な値を
実現していることが判る。FIG. 5 shows the deposition rate dependence of the squareness ratio S of the magnetic hysteresis characteristic and the squareness ratio S * of the coercive force of the obtained magnetic layer. FIG. 5A shows the squareness ratio S, and FIG.
(B) shows the coercive force squareness ratio S * . It can be seen from both of the characteristics that the squareness ratio achieves a good value of about 0.9 or more regardless of the deposition rate.
【００４６】図８は、磁性層５内の磁性結晶粒の平均直
径を磁性層堆積速度の関数として示すグラフである。堆
積速度を１．５ｎｍ／ｓｅｃ以下とした時、粒径１１ｎ
ｍ以下が得られていることが判る。保磁力Ｈｃの測定結
果と併せて考察すると、磁性層内の磁性結晶粒の平均粒
径を１１ｎｍ以下とする時、２０００Ｏｅを越える保磁
力が得られるものと考えられる。FIG. 8 is a graph showing the average diameter of the magnetic crystal grains in the magnetic layer 5 as a function of the magnetic layer deposition rate. When the deposition rate is 1.5 nm / sec or less, the particle size is 11n.
m or less is obtained. Considering the measurement results of the coercive force Hc, it is considered that a coercive force exceeding 2000 Oe can be obtained when the average grain size of the magnetic crystal grains in the magnetic layer is set to 11 nm or less.
【００４７】なお、上述の実験においては、Ｎｉ3 Ｐ層
４の堆積においてもＡｒガス圧を高くし、堆積速度を低
減して行なったが、Ｎｉ3 Ｐ層４は従来と同様の条件で
成膜し、磁性層５のみのスパッタリングをＡｒ圧力１０
ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒ、堆積速度を０．０５ｎｍ
／ｓｅｃ〜１．５ｎｍ／ｓｅｃで行なうことにより、高
保磁力が実現されることがさらに確認された。もちろ
ん、合金下地層４も同様の条件でスパッタリングするこ
とができる。In the above experiment, the deposition of the Ni 3 P layer 4 was also carried out with the Ar gas pressure increased and the deposition rate reduced, but the Ni 3 P layer 4 was formed under the same conditions as in the prior art. And sputtering of only the magnetic layer 5 is performed at an Ar pressure of 10
mTorr to 50 mTorr, deposition rate 0.05 nm
It has further been confirmed that a high coercive force can be realized by performing the process at / sec to 1.5 nm / sec. Of course, the alloy underlayer 4 can also be sputtered under the same conditions.
【００４８】上述の実験に用いたサンプルは、図１
（Ａ）に示すような構成を有する有機物基板を用いたも
のであるが、他の基板を用いてもＮｉ3 Ｐ層４および磁
性層５のスパッタリング条件を上述の条件とすることに
より同様の効果が得られることが期待される。例えば、
Ａｌ基板を用い、その上にＮｉ3 Ｐ層４および磁性層５
を上述の実験と同様の条件で行なうことができるであろ
う。また、ガラス基板を用い、その上にＣｒ密着層３、
Ｎｉ3 Ｐ層４、磁性層５を上述の実験と同様な条件で行
なうことにより同様の効果が得られるであろう。The sample used in the above experiment is shown in FIG.
Although an organic substrate having a configuration as shown in FIG. 1A is used, the same effect can be obtained by using the above conditions for the sputtering of the Ni 3 P layer 4 and the magnetic layer 5 even when another substrate is used. Is expected to be obtained. For example,
Using an Al substrate, a Ni 3 P layer 4 and a magnetic layer 5
Can be performed under the same conditions as in the experiment described above. Further, a glass substrate is used, and a Cr adhesion layer 3 is formed thereon.
The same effect will be obtained by performing the Ni 3 P layer 4 and the magnetic layer 5 under the same conditions as in the above experiment.
【００４９】本発明者らは、さらに他の条件についても
検討した。図６は、ＳｉＯ2 層２の厚さに対するＨｃの
変化を調べた結果を示す。ＳｉＯ2 層２の厚さは、０ｎ
ｍ（ＳｉＯ2 無し）、５ｎｍ、１０ｎｍ、３０ｎｍ、５
０ｎｍに変化させた。他の層の厚さとしては、Ｃｒ密着
層２０ｎｍ、Ｎｉ3 Ｐ層３０ｎｍ、磁性層２０ｎｍとし
た。ＳｉＯ2 層２が存在しない場合や、１０ｎｍ以下の
場合には、保磁力Ｈｃが著しく低いことが判る。従っ
て、ＳｉＯ2 層２の厚さは１０ｎｍ以上とすることが望
ましい。The present inventors have also studied other conditions. FIG. 6 shows the result of examining the change in Hc with respect to the thickness of the SiO 2 layer 2. The thickness of the SiO 2 layer 2 is 0n
m (without SiO 2 ), 5 nm, 10 nm, 30 nm, 5
It was changed to 0 nm. The thicknesses of the other layers were 20 nm for the Cr adhesion layer, 30 nm for the Ni 3 P layer, and 20 nm for the magnetic layer. It can be seen that the coercive force Hc is extremely low when the SiO 2 layer 2 does not exist or when the thickness is 10 nm or less. Therefore, it is desirable that the thickness of the SiO 2 layer 2 be 10 nm or more.
【００５０】磁気ディスク２は、磁気ヘッドを浮上させ
る性能も要求される。そこで、ＳｉＯ2 層２の厚さを１
０ｎｍ、５０ｎｍ、９０ｎｍと変化させ、ディスク上の
半径位置を２０ｍｍ、２２ｍｍ、２４ｍｍ、２６ｍｍ、
２８ｍｍ、３０ｍｍに変化させて磁気ヘッドの浮上試験
を行なった。その結果を表２に示す。[0050] The magnetic disk 2 is also required to have the capability of flying the magnetic head. Therefore, the thickness of the SiO 2 layer 2 is set to 1
0 nm, 50 nm, and 90 nm, and the radial position on the disc was changed to 20 mm, 22 mm, 24 mm, 26 mm,
The flying test of the magnetic head was performed while changing the distance to 28 mm and 30 mm. Table 2 shows the results.
【００５１】[0051]
【表２】 [Table 2]
【００５２】表２に示す磁気ヘッド浮上試験の結果か
ら、ＳｉＯ2 層の厚さが９０ｎｍと厚い場合には、磁気
ヘッドがクラッシュを起こし、安定な浮上が困難なこと
が判る。従って、ＳｉＯ2 層の厚さは、１０ｎｍ〜５０
ｎｍの範囲で選ぶことが望ましい。From the results of the magnetic head flying test shown in Table 2, it can be seen that when the thickness of the SiO 2 layer is as thick as 90 nm, the magnetic head crashes and stable flying is difficult. Therefore, the thickness of the SiO 2 layer is 10 nm to 50 nm.
It is desirable to select in the range of nm.
【００５３】Ｃｒ層３は、ＳｉＯ2 層２とＮｉ3 Ｐ層４
との密着性を促進する役割を持つ。そこで、Ｃｒ層の厚
さについても検討を行った。Ｃｒ層３の厚さを０ｎｍ
（Ｃｒ層無し）、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍに変化さ
せ、その上にＮｉ3 Ｐ層４を堆積し、その状態でスコッ
チテープを貼って剥がすテストを行った。なお、ＳｉＯ
2 層２の厚さは３０ｎｍとし、Ｎｉ3 Ｐ層４の厚さは３
０ｎｍとした。The Cr layer 3 is made of SiOTwoLayer 2 and NiThreeP layer 4
Has the role of promoting adhesion to Therefore, the thickness of the Cr layer
We also examined the effect. The thickness of the Cr layer 3 is 0 nm
(No Cr layer) Changed to 5nm, 10nm, 50nm
And then NiThreeP layer 4 is deposited, and
A test was conducted in which the tape was attached and peeled off. Note that SiO
TwoThe thickness of the layer 2 is 30 nm,ThreeThe thickness of the P layer 4 is 3
It was set to 0 nm.
【００５４】剥離試験は、５ｍｍ×５ｍｍのスコッチテ
ープを貼って剥がすテストを１サンプルに付き２０個所
行い、剥離が起こった回数をパーセンテージで表した。
剥離試験の結果を表３に示す。In the peeling test, a test of sticking and peeling a scotch tape of 5 mm × 5 mm was performed on 20 samples per sample, and the number of times peeling occurred was expressed as a percentage.
Table 3 shows the results of the peel test.
【００５５】[0055]
【表３】 [Table 3]
【００５６】表３の結果から明らかなように、Ｃｒ層３
が無い場合や１０ｎｍ未満の場合には膜が剥離する可能
性が高いが、Ｃｒ層３の厚さが１０ｎｍ以上の場合には
剥離が生じていない。従って、Ｃｒ層３の厚さは１０ｎ
ｍ以上あることが望ましい。As is clear from the results in Table 3, the Cr layer 3
When the thickness is less than 10 nm, there is a high possibility that the film is peeled off, but when the thickness of the Cr layer 3 is 10 nm or more, no peeling occurs. Therefore, the thickness of the Cr layer 3 is 10 n
m or more.
【００５７】Ｃｒ層３の厚さを０ｎｍ、５０ｎｍ、９０
ｎｍに変化させ、磁気ヘッドの浮上試験を行った。な
お、他の層の厚さは、ＳｉＯ2 層１０ｎｍ、Ｎｉ3 Ｐ層
１０ｎｍ、磁性層２０ｎｍとした。磁気ヘッド浮上試験
の結果を表４に示す。The thickness of the Cr layer 3 is set to 0 nm, 50 nm, 90
nm, and a flying test of the magnetic head was performed. The thickness of the other layers was 10 nm for the SiO 2 layer, 10 nm for the Ni 3 P layer, and 20 nm for the magnetic layer. Table 4 shows the results of the magnetic head flying test.
【００５８】[0058]
【表４】 [Table 4]
【００５９】表４の結果から明らかなように、Ｃｒ層の
厚さを９０ｎｍとした場合、半径位置が中心に近い位置
では磁気ヘッドのクラッシュが発生している。Ｃｒ層の
厚さを５０ｎｍとした場合には、磁気ヘッドの安定な浮
上が得られる。従って、Ｃｒ層３の厚さは１０ｎｍ〜５
０ｎｍの範囲に選択することが望ましい。As is clear from the results shown in Table 4, when the thickness of the Cr layer is 90 nm, a crash of the magnetic head occurs at a position where the radial position is near the center. When the thickness of the Cr layer is set to 50 nm, stable floating of the magnetic head can be obtained. Therefore, the thickness of the Cr layer 3 is 10 nm to 5 nm.
It is desirable to select in the range of 0 nm.
【００６０】図７は、Ｎｉ3 Ｐ層４の厚さを変化させた
時の、磁性層の保磁力Ｈｃの変化を示すグラフである。
ＳｉＯ2 層２の厚さは３０ｎｍ、Ｃｒ層３の厚さ２０ｎ
ｍ、磁性層５の厚さは２０ｎｍとし、Ｎｉ3 Ｐ層４の厚
さを５ｎｍ、１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍに変化させ
た。Ｎｉ3 Ｐ層４の厚さの変化に対し、磁性層５の保磁
力Ｈｃは、図７に示すように変化した。なお、図中横軸
はＮｉ3 Ｐ層の厚さをｎｍで示し、縦軸は保磁力Ｈｃを
単位Ｏｅで示す。FIG. 7 is a graph showing a change in the coercive force Hc of the magnetic layer when the thickness of the Ni 3 P layer 4 is changed.
The thickness of the SiO 2 layer 2 is 30 nm, and the thickness of the Cr layer 3 is 20 n.
m, the thickness of the magnetic layer 5 was 20 nm, and the thickness of the Ni 3 P layer 4 was changed to 5 nm, 10 nm, 30 nm, and 50 nm. With respect to the change in the thickness of the Ni 3 P layer 4, the coercive force Hc of the magnetic layer 5 changed as shown in FIG. In the drawing, the horizontal axis indicates the thickness of the Ni 3 P layer in nm, and the vertical axis indicates the coercive force Hc in Oe.
【００６１】図から明らかなように、Ｎｉ3 Ｐ層４が５
ｎｍの場合保磁力は著しく低く、１０ｎｍ〜５０ｎｍと
することにより、安定に高い保磁力が得られている。従
って、Ｎｉ3 Ｐ層４の厚さは、１０ｎｍ以上とすること
が望ましい。As is apparent from the figure, the Ni 3 P layer 4 has 5
In the case of nm, the coercive force is extremely low, and by setting it to 10 nm to 50 nm, a stable high coercive force is obtained. Therefore, the thickness of the Ni 3 P layer 4 is desirably 10 nm or more.
【００６２】さらに、Ｎｉ3 Ｐ層４の厚さを変化させ、
磁気ヘッドの浮上試験を行った。Ｎｉ3 Ｐ層の厚さは、
１０ｎｍ、５０ｎｍ、９０ｎｍと変化させた。他の層の
厚さは、ＳｉＯ2 層１０ｎｍ、Ｃｒ層１０ｎｍ、磁性層
２０ｎｍとした。表５に試験の結果を示す。Further, by changing the thickness of the Ni 3 P layer 4,
A flying test of the magnetic head was performed. The thickness of the Ni 3 P layer is
The values were changed to 10 nm, 50 nm, and 90 nm. The thicknesses of the other layers were 10 nm for the SiO 2 layer, 10 nm for the Cr layer, and 20 nm for the magnetic layer. Table 5 shows the results of the test.
【００６３】[0063]
【表５】 [Table 5]
【００６４】表５の結果から明らかなように、Ｎｉ3 Ｐ
層４の厚さを５０ｎｍ以下とした場合には安定な浮上結
果が得られているが、Ｎｉ3 Ｐ層を９０ｎｍとした場合
には磁気ヘッドが磁気ディスクにクラッシュしている。
従って、Ｎｉ3 Ｐ層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが
望ましい。As is clear from the results in Table 5, Ni 3 P
When the thickness of the layer 4 is set to 50 nm or less, a stable flying result is obtained. However, when the thickness of the Ni 3 P layer is set to 90 nm, the magnetic head crashes on the magnetic disk.
Therefore, the thickness of the Ni 3 P layer is desirably 50 nm or less.
【００６５】保磁力および磁気ヘッド浮上の性能を合わ
せると、Ｎｉ3 Ｐ層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲
から選択することが望ましい。In consideration of the coercive force and the flying performance of the magnetic head, it is desirable to select the thickness of the Ni 3 P layer from the range of 10 nm to 50 nm.
【００６６】以上の結果に基づく、図１（Ａ）に示す磁
気記録媒体の製造方法を以下に説明する。A method for manufacturing the magnetic recording medium shown in FIG. 1A based on the above results will be described below.
【００６７】ポリカーボネート等の有機物基板１の表面
上にＳｉＯ2 層２を厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍスパッタリ
ングで堆積する。ＳｉＯ2 層２の上にＣｒ層３を厚さ１
０ｎｍ〜５０ｎｍスパッタリングで堆積する。Ｃｒ層３
の上に、Ｎｉ3 Ｐ層４を厚さ１０〜５０ｎｍスパッタリ
ングで堆積する。Ｎｉ3 Ｐ層４の上に、磁性層５をＡｒ
ガス圧１０ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒの雰囲気中、
０．０５ｎｍ／ｓｅｃ〜１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度
で、スパッタリングにより堆積する。磁性層５は、たと
えば５ａｔ％のＳｉＯ2 を添加したＣｏＰｔ合金であ
る。An SiO 2 layer 2 is deposited on the surface of an organic substrate 1 such as polycarbonate by sputtering to a thickness of 10 nm to 50 nm. Cr layer 3 having a thickness of 1 on SiO 2 layer 2
Deposit by 0 to 50 nm sputtering. Cr layer 3
A Ni 3 P layer 4 is deposited by sputtering to a thickness of 10 to 50 nm. On the Ni 3 P layer 4, the magnetic layer 5 is Ar
In an atmosphere with a gas pressure of 10 mTorr to 50 mTorr,
Deposition is performed by sputtering at a deposition rate of 0.05 nm / sec to 1.5 nm / sec. The magnetic layer 5 is, for example, a CoPt alloy to which 5 at% of SiO 2 is added.
【００６８】なお、磁性層５中のＳｉＯ2 とＰｔは磁性
体としての機能は有さないため、その含有量を増大させ
ると、磁性膜５の磁気的特性は低下してしまう。従っ
て、Ｐｔの含有量は４０ａｔ％以下、ＳｉＯ2 の含有量
は２０ａｔ％以下とすることが望ましい。なお、Ｐｔの
他に、他の材料を添加することも制限されない。例え
ば、非磁性金属としてＣｒ等を添加してもよい。また、
磁性金属としてＮｉ等を添加してもよい。Since SiO 2 and Pt in the magnetic layer 5 do not have a function as a magnetic material, when the content thereof is increased, the magnetic characteristics of the magnetic film 5 are reduced. Therefore, it is desirable that the content of Pt be 40 at% or less and the content of SiO 2 be 20 at% or less. Note that addition of other materials besides Pt is not limited. For example, Cr or the like may be added as a nonmagnetic metal. Also,
Ni or the like may be added as a magnetic metal.
【００６９】以上、実施例に従って本発明を説明した
が、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば
種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者に
自明であろう。Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
【００７０】[0070]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高保磁力の磁性層を有する磁気記録媒体が製造される。As described above, according to the present invention,
A magnetic recording medium having a magnetic layer with a high coercive force is manufactured.
【図１】本発明の実施例により製造される磁気記録媒体
の構成を示す断面図および使用状態を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a magnetic recording medium manufactured according to an embodiment of the present invention and a perspective view illustrating a use state.
【図２】本発明の実施例に用いられるスパッタリング装
置の構成を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a sputtering apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図３】Ａｒガス圧を変化させた実験の結果を示すグラ
フである。FIG. 3 is a graph showing the results of an experiment in which the Ar gas pressure was changed.
【図４】堆積速度を変化させた実験の結果を示すグラフ
である。FIG. 4 is a graph showing the results of an experiment in which the deposition rate was changed.
【図５】堆積速度を変化させた実験の結果を示すグラフ
である。FIG. 5 is a graph showing the results of an experiment in which the deposition rate was changed.
【図６】ＳｉＯ2 層の厚さを変化させた実験の結果を示
すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the results of an experiment in which the thickness of the SiO 2 layer was changed.
【図７】Ｎｉ3 Ｐ層の厚さを変化させた実験の結果を示
すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the results of an experiment in which the thickness of the Ni 3 P layer was changed.
【図８】磁性膜堆積速度に対する磁性膜中の平均粒径の
関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing a relationship between a deposition rate of the magnetic film and an average particle diameter in the magnetic film.
１ 有機物基板 ２ 酸化物層 ３ Ｃｒ密着層 ４ ＮｉＰ合金下地層 ５ 磁性層 ６ 保護層 ７ 磁気ディスク ８ 磁気ヘッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic substrate 2 Oxide layer 3 Cr adhesion layer 4 NiP alloy underlayer 5 Magnetic layer 6 Protective layer 7 Magnetic disk 8 Magnetic head
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下田 一正 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 CA01 CA05 CA06 CB01 DA03 EA03 FA09 5D112 AA02 AA03 AA05 AA11 AA24 BA01 BD02 BD04 BD06 FA04 FB19 5E049 AA04 AA09 BA06 GC04 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kazumasa Shimoda 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term in Fujitsu Limited (Reference) 5D006 BB01 BB07 CA01 CA05 CA06 CB01 DA03 EA03 FA09 5D112 AA02 AA03 AA05 AA11 AA24 BA01 BD02 BD04 BD06 FA04 FB19 5E049 AA04 AA09 BA06 GC04
Claims (10)
酸化物層をスパッタリングで堆積する工程と、 （ｂ）前記酸化物層の上に、非磁性の密着層をスパッタ
リングで堆積する工程と、 （ｃ）前記密着層の上に、ニッケル・燐合金層をスパッ
タリングで堆積する工程と、 （ｄ）前記ニッケル・燐合金層の上に、磁性層をガス圧
１０ｍＴｏｒｒ−５０ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気を用い、
０．０５ｎｍ／ｓｅｃ−１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度
でスパッタリングで堆積する工程とを含む磁気記録媒体
の製造方法。1. A step of (a) depositing a nonmagnetic oxide layer on a nonmagnetic organic substrate by sputtering; and (b) depositing a nonmagnetic adhesion layer on the oxide layer by sputtering. (C) depositing a nickel-phosphorous alloy layer on the adhesion layer by sputtering; and (d) depositing a magnetic layer on the nickel-phosphorous alloy layer at a gas pressure of 10 mTorr-50 mTorr of Ar. Using the atmosphere,
Depositing by sputtering at a deposition rate of 0.05 nm / sec-1.5 nm / sec.
スパッタリングである請求項１記載の磁気記録媒体の製
造方法。2. The method according to claim 1, wherein the step (d) is performed by using an RF magnetron.
2. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the method is sputtering.
ＣｏＰｔ合金をスパッタリングする請求項１または２記
載の磁気記録媒体の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein in the step (d), a CoPt alloy to which SiO 2 is added is sputtered.
２０ａｔ％以下のＳｉＯ2 と４０ａｔ％以下のＰｔを含
む請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。4. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 3, wherein the CoPt alloy to which SiO 2 is added contains SiO 2 of 20 at% or less and Pt of 40 at% or less.
ｒ−５０ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気を用い、０．０５ｎｍ
／ｓｅｃ−１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度で行なわれる
請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方
法。5. The method according to claim 1, wherein the step (c) is performed at a gas pressure of 10 mTorr.
Using an Ar atmosphere of r-50 mTorr, 0.05 nm
5. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the method is performed at a deposition rate of /sec-1.5 nm / sec.
ｍの切れ目のない連続的なＳｉＯ2 層である請求項１〜
５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。6. The oxide layer has a thickness of 10 nm to 50 n.
m is a continuous SiO 2 layer without a break.
5. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of items 5.
の切れ目のない連続的なＣｒ層である請求項１〜６のい
ずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。7. The method according to claim 1, wherein the adhesion layer has a thickness of 10 nm to 50 nm.
The method for producing a magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 6, wherein the magnetic recording medium is a continuous Cr layer having no discontinuity.
〜５０ｎｍを有する請求項１〜７のいずれかに記載の磁
気記録媒体の製造方法。8. The nickel-phosphorus alloy layer has a thickness of 10 nm.
The method for producing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic recording medium has a thickness of 50 to 50 nm.
タリングで堆積する工程と、 前記ニッケル・燐合金層の上に、磁性層をガス圧１０ｍ
Ｔｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気を用い、０．０
５％ｎｍ／ｓｅｃ−１．５ｎｍ／ｓｅｃの堆積速度でス
パッタリングで堆積する工程とを含む磁気記録媒体の製
造方法。9. A step of depositing a nickel-phosphorus alloy layer on a substrate by sputtering, and forming a magnetic layer on the nickel-phosphorus alloy layer at a gas pressure of 10 m.
Using an Ar atmosphere of Torr to 50 mTorr, 0.0
Depositing by sputtering at a deposition rate of 5% nm / sec-1.5 nm / sec.
平均粒径を有する磁性層とを有する磁気記録媒体。10. A non-magnetic organic substrate; a non-magnetic oxide layer formed on the organic substrate; a non-magnetic adhesion layer formed on the oxide layer; And a magnetic layer formed on the nickel-phosphorus alloy layer and having a mean grain size of 11 nm or less.
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|---|---|
| JP (1) | JP2000057569A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7160571B2 (en) | 2001-12-25 | 2007-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a magnetic recording medium |
| JP2008108415A (en) * | 2006-09-27 | 2008-05-08 | Hoya Corp | Method for manufacturing magnetic recording medium |
-
1998
- 1998-08-04 JP JP10220842A patent/JP2000057569A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7160571B2 (en) | 2001-12-25 | 2007-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a magnetic recording medium |
| JP2008108415A (en) * | 2006-09-27 | 2008-05-08 | Hoya Corp | Method for manufacturing magnetic recording medium |
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