JPH047815A - 縦型ステッパ - Google Patents
縦型ステッパInfo
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- JPH047815A JPH047815A JP2107648A JP10764890A JPH047815A JP H047815 A JPH047815 A JP H047815A JP 2107648 A JP2107648 A JP 2107648A JP 10764890 A JP10764890 A JP 10764890A JP H047815 A JPH047815 A JP H047815A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
シンクロトロン放射光を光源として、マスク上に描かれ
たＬＳＩパターンをウェハ上に露光、転写するための縦
型ステッパに関し、 レーザ干渉式位置測定器により常に正確なステージ位置
を計測できるようにすることを目的とし、マスク上に描
かれた回路パターンをウェハ上に露光、転写する際に用
いられ、露光用光源にシンクロトロン放射光を使用する
とともに、前記マスクと前記ウェハを取り囲む雰囲気中
に特定の気体を充満させる機構と、前記マスクあるいは
前記ウェハの位置を検出するレーザ干渉式位置測定器と
を備えた縦型ステッパにおいて、前記位置測定器のレー
ザ光が通過する経路中に前記特定の気体が漏れないよう
にするための気体漏れ遮断手段を設けた構成とする。
たＬＳＩパターンをウェハ上に露光、転写するための縦
型ステッパに関し、 レーザ干渉式位置測定器により常に正確なステージ位置
を計測できるようにすることを目的とし、マスク上に描
かれた回路パターンをウェハ上に露光、転写する際に用
いられ、露光用光源にシンクロトロン放射光を使用する
とともに、前記マスクと前記ウェハを取り囲む雰囲気中
に特定の気体を充満させる機構と、前記マスクあるいは
前記ウェハの位置を検出するレーザ干渉式位置測定器と
を備えた縦型ステッパにおいて、前記位置測定器のレー
ザ光が通過する経路中に前記特定の気体が漏れないよう
にするための気体漏れ遮断手段を設けた構成とする。
〔産業上の利用分野］
本発明は、シンクロトロン放射光（以下ＳＯＲと略称）
と光源として、マスク上に描かれたＬＳＩパターンをウ
ェハ上に露光、転写するための縦型ステッパに関するも
のである。
と光源として、マスク上に描かれたＬＳＩパターンをウ
ェハ上に露光、転写するための縦型ステッパに関するも
のである。
近年、６４Ｍビット以上のＤ ＲＡ Ｍ （Ｄｙｎａｍ
ｉｃＲａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に代
表される高集積度ＬＳＩを置屋する手段として、ＳＯＲ
による露光転写方式が注目されている。この露光方式は
、従来の紫夕１線Ｃｇ線５１線）を使用してパターンの
転写を行う方式と比較し２て１．■光源の強度が大きい
ため、スルー・プツトが大きい、■光源に波長の短いＸ
ｉを用い２・ため１．サブミクロンの幅を持つパターン
の転写が可能である、■光源の平行性が良いため、マフ
、・り、！ウェハの間隔を合わせることが比較的各町び
する１、等の特徴を持っている。
ｉｃＲａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に代
表される高集積度ＬＳＩを置屋する手段として、ＳＯＲ
による露光転写方式が注目されている。この露光方式は
、従来の紫夕１線Ｃｇ線５１線）を使用してパターンの
転写を行う方式と比較し２て１．■光源の強度が大きい
ため、スルー・プツトが大きい、■光源に波長の短いＸ
ｉを用い２・ため１．サブミクロンの幅を持つパターン
の転写が可能である、■光源の平行性が良いため、マフ
、・り、！ウェハの間隔を合わせることが比較的各町び
する１、等の特徴を持っている。
このＳ ＯＲＪ、；Ｔよる露光は通常大気中で行われる
が、ＳＯＲによりマスクあるいばウェハが大気中の酩累
と反応４起こしてマスク白濁等の不都合を生ずるため１
、マスクとウェハを取り囲む露光雰囲気をト１．４や）
１６等の不活性ガスで充満する手段が必要である。
が、ＳＯＲによりマスクあるいばウェハが大気中の酩累
と反応４起こしてマスク白濁等の不都合を生ずるため１
、マスクとウェハを取り囲む露光雰囲気をト１．４や）
１６等の不活性ガスで充満する手段が必要である。
〔従来の技術〕
従来のＳＯＲ使用縦型ステッパにおいては、クオータミ
ラし１ンのパターン幅を持つパターンの露光転写を目標
にしているため、マスクとウェハの面内相対位置を１０
万分の１ｎｕａの暗度で合わせなければならない。この
ため、ステー・ジの位置を検出する手段とし゛し、第６
図に示すように、微動ＸＹ軸ステージにおいて、ウェハ
１０１を保持するウェハチャックを含むステージ可動部
】と連動する平面ミラー２にレーザ干渉式位置測定器１
０４からの１ノーザビーム１０２を照射し、その反射光
の干渉を利用してステージの位置を検出する高精度位置
検出方式が用いられている。
ラし１ンのパターン幅を持つパターンの露光転写を目標
にしているため、マスクとウェハの面内相対位置を１０
万分の１ｎｕａの暗度で合わせなければならない。この
ため、ステー・ジの位置を検出する手段とし゛し、第６
図に示すように、微動ＸＹ軸ステージにおいて、ウェハ
１０１を保持するウェハチャックを含むステージ可動部
】と連動する平面ミラー２にレーザ干渉式位置測定器１
０４からの１ノーザビーム１０２を照射し、その反射光
の干渉を利用してステージの位置を検出する高精度位置
検出方式が用いられている。
第６図におい”こ、１０３はマスク、３はマスク１０３
を保持するマスクチャック（図示セず）固定用の固定台
である。
を保持するマスクチャック（図示セず）固定用の固定台
である。
〔発明が解決シフ、よ・うとする課題′ｊところが、こ
の干渉を利用した位置測定器はレーザバス側、が通過す
る経路（以下、レーザバスと略記）の気体の挑らぎや屈
折率の変化、気圧、温度、湿度等の影響を受けて測月値
が微妙に変化し、測長値Ｇご誤差を住ｊ゛７るという欠
点がある。一方、特にＳＯＲを光源とする露光方式では
、マスクやウェハが大気中の酸素と反応してマスク白濁
を生ずる不都合を防ぐために、第６図に矢印線で示すよ
うに、ＨｅやＮ２等の不活性ガスによってマスク。
の干渉を利用した位置測定器はレーザバス側、が通過す
る経路（以下、レーザバスと略記）の気体の挑らぎや屈
折率の変化、気圧、温度、湿度等の影響を受けて測月値
が微妙に変化し、測長値Ｇご誤差を住ｊ゛７るという欠
点がある。一方、特にＳＯＲを光源とする露光方式では
、マスクやウェハが大気中の酸素と反応してマスク白濁
を生ずる不都合を防ぐために、第６図に矢印線で示すよ
うに、ＨｅやＮ２等の不活性ガスによってマスク。
ウェハを取り囲む露光雰囲気を満たす必要がある。
４はｌｉｅ等の不活性ガスの吹き出し口である。
しかし１、この不活性ガスがレーザバス側に漏れると、
レーザの屈折率が変化し、測長誤差が飛躍的に大きくな
るという欠点を生じていた。
レーザの屈折率が変化し、測長誤差が飛躍的に大きくな
るという欠点を生じていた。
本発明は、レーザ干渉式位置測定器により常に正確なス
テージ位置を計測することのできる縦型ステッパを提供
することを目的としている。
テージ位置を計測することのできる縦型ステッパを提供
することを目的としている。
第１図を本発明の原理説明図で、図中、１１は気体漏れ
遮断手段である。なお、従来と同様の構成部材には同符
号を用いている。
遮断手段である。なお、従来と同様の構成部材には同符
号を用いている。
気体漏れ遮断手段１１は、本図では、断面り形の円筒状
シール材で構成された例を示しており、該シール材は、
ウェハチャックを含むステージ可動部１と固定台３の間
を塞いでいる。
シール材で構成された例を示しており、該シール材は、
ウェハチャックを含むステージ可動部１と固定台３の間
を塞いでいる。
露光に際しては、ウェハチャック１を位置決めして、８
亥つエハチャソクエ上のウェハ１０１をマスク１０３に
対向させ、第１図の右方からＳＯＲを照射してウェハ１
０１上へのマスクパターンの露光を行う。
亥つエハチャソクエ上のウェハ１０１をマスク１０３に
対向させ、第１図の右方からＳＯＲを照射してウェハ１
０１上へのマスクパターンの露光を行う。
この作業時におけるウェハ１０１ （またはマスク１０
３）の位置は、レーザ干渉式位置測定器からのレーザビ
ーム１０２により従来と同様に行われる。この場合、マ
スク１０３とウェハ１０１を取り囲む雰囲気中に充満す
る気体（不活性ガス）は気体漏れ遮断手段１１により遮
断されてレーザバス側に漏れ出さない。従って、レーザ
バスが不活性ガスにより乱されることはなく、常に正確
なステージ位置計測を行うことが可能になる。
３）の位置は、レーザ干渉式位置測定器からのレーザビ
ーム１０２により従来と同様に行われる。この場合、マ
スク１０３とウェハ１０１を取り囲む雰囲気中に充満す
る気体（不活性ガス）は気体漏れ遮断手段１１により遮
断されてレーザバス側に漏れ出さない。従って、レーザ
バスが不活性ガスにより乱されることはなく、常に正確
なステージ位置計測を行うことが可能になる。
以下、第２図及至第５図に関連して本発明の詳細な説明
する。なお、従来と同様の部材には同符号を用いている
。
する。なお、従来と同様の部材には同符号を用いている
。
第２図は以下に述べる各実施例に共通の縦型ステッパの
ステージ構成の概要を示すもので、ステージは、ウェハ
１０１をその面内方向に微動させる微動ＸＹ軸ステージ
１２と、マスク１０３をその面外方向（ギャップ１３σ
）方向）に微動させる微動ギャップ合わせ軸ステージ１
４とに大別される。微動ＸＹ軸ステージの可動部である
ウェハチャッークを含むステージ可動部１は１．微動ｘ
Ｙ軸ステージの固定部１５に平行ばね１６を介し支持さ
れ、直動のアクチュエータ（図示せず）により面内で変
位する構造となっている。ステージの位置は、ウェハチ
ャックを含むステージ可動部１に取り付けられたミラー
２にレーザ干渉式位置測定器からのレーザビームｌ［ｊ
２を照射することにより、高精度で測定される。また、
微動ＸＹ軸ステージの固定部１５は、真空吸着により、
微動ギヤツブ合わせ軸ステージ１４の固定台、ｉ １．
’二吸着固定されている。“７スク１０３は、固定１’
９３にグイ°アフラムばね１８を介し７支持される７ブ
戸、り千ヤック１７（微動ギャップ合わせ軸ヌテ・〜ジ
１．４の可動部に相当）Ｖこ真空吸着され、マス、’！
、ｌ（’＋３．ウェハ１０１間のギャップ量及び（櫓Ｍ
＋：５“ｊ：、ｑ、、（’ （（Ｐきを合わせる方向
に駆！Ｊされる。不活性ガフでちるＨｅは、下方の吹き
出し７０４から一定流量で吹き出され、平行ばね１６や
ダイアフうムばね１Ｂの隙間を通って矢印線で示すよう
に流１れる。気体漏れ遮断手段のない第２図の状態では
、平行ばね１６の隙間から漏れたＨｅは１ノ−ザビーム
１０２のビームパスに進入してレーザビーム１０２を乱
し、その測長精度が低下する。
ステージ構成の概要を示すもので、ステージは、ウェハ
１０１をその面内方向に微動させる微動ＸＹ軸ステージ
１２と、マスク１０３をその面外方向（ギャップ１３σ
）方向）に微動させる微動ギャップ合わせ軸ステージ１
４とに大別される。微動ＸＹ軸ステージの可動部である
ウェハチャッークを含むステージ可動部１は１．微動ｘ
Ｙ軸ステージの固定部１５に平行ばね１６を介し支持さ
れ、直動のアクチュエータ（図示せず）により面内で変
位する構造となっている。ステージの位置は、ウェハチ
ャックを含むステージ可動部１に取り付けられたミラー
２にレーザ干渉式位置測定器からのレーザビームｌ［ｊ
２を照射することにより、高精度で測定される。また、
微動ＸＹ軸ステージの固定部１５は、真空吸着により、
微動ギヤツブ合わせ軸ステージ１４の固定台、ｉ １．
’二吸着固定されている。“７スク１０３は、固定１’
９３にグイ°アフラムばね１８を介し７支持される７ブ
戸、り千ヤック１７（微動ギャップ合わせ軸ヌテ・〜ジ
１．４の可動部に相当）Ｖこ真空吸着され、マス、’！
、ｌ（’＋３．ウェハ１０１間のギャップ量及び（櫓Ｍ
＋：５“ｊ：、ｑ、、（’ （（Ｐきを合わせる方向
に駆！Ｊされる。不活性ガフでちるＨｅは、下方の吹き
出し７０４から一定流量で吹き出され、平行ばね１６や
ダイアフうムばね１Ｂの隙間を通って矢印線で示すよう
に流１れる。気体漏れ遮断手段のない第２図の状態では
、平行ばね１６の隙間から漏れたＨｅは１ノ−ザビーム
１０２のビームパスに進入してレーザビーム１０２を乱
し、その測長精度が低下する。
次にこの問題を解決する気体漏れ遮断手段を備えた各種
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第３図に第１の実施例を示す。
第３図は本例の縦型ステッパの要部構造説明図で、２１
はＯリング（気体漏れ遮断手段）である。
はＯリング（気体漏れ遮断手段）である。
Ｏリング２Ｊは、固定部１５とウェハチャック】の間に
挿入され、これにより、少なくともレーザビーム側にば
Ｈｅが漏れない構造となっている。
挿入され、これにより、少なくともレーザビーム側にば
Ｈｅが漏れない構造となっている。
すなわち、本例によれば、１ノ・−ザバスが不活性ガス
により乱されろことはなく、常に正確なステージ位置計
測を行うことが可能になる。
により乱されろことはなく、常に正確なステージ位置計
測を行うことが可能になる。
第４図に第２・７．）実施例を示す６
第４図は本例の縦型ステッ・マの要部措ｉ；５説明図で
、３１はラビリンスシール（気体漏れ遮断手段）である
。ラビリンスシール３１は、周知の構造のもので、固定
部Ｊ５とウェハチャックを含むステージ可動部１にそれ
ぞれ設けられて微小間隙を介し噛み合う複数の突起３２
．３３により構成される。
、３１はラビリンスシール（気体漏れ遮断手段）である
。ラビリンスシール３１は、周知の構造のもので、固定
部Ｊ５とウェハチャックを含むステージ可動部１にそれ
ぞれ設けられて微小間隙を介し噛み合う複数の突起３２
．３３により構成される。
本例の場合は、前例の構造が接触式であり用途によって
は使用できない問題を解決することができ、レーザビー
・ム側に漏れるＨｓの量を最小限に抑えることが可能で
ある。但し、ラビリンスシールは非接式のシールである
ため、若干Ｈｅがレーザビーム側に漏れる懸念がある６ 第５図に第３の実施例を示す。
は使用できない問題を解決することができ、レーザビー
・ム側に漏れるＨｓの量を最小限に抑えることが可能で
ある。但し、ラビリンスシールは非接式のシールである
ため、若干Ｈｅがレーザビーム側に漏れる懸念がある６ 第５図に第３の実施例を示す。
第５図は本例の縦型ステッパの要部構造説明図で、・１
１は気体漏れ遮断手段で上、る。気体漏れ遮断手段４１
は、ウェハチャ・ツクを含むステージ可動部】に設けら
れたＨｅ吸い込み口４２と２該吸い込み口４２と孔４；
３を介し連続する吸い込みバイブ４４と、該吸い込みバ
イブ４４と接続する図示しないブロア等の吸気源と７措
成される、レーザビーム側に漏れるＨｅはこの気体漏れ
遮断手段４】により全て吸い込まれ、レーザビーム側へ
のＨｅの漏れはなくなる。
１は気体漏れ遮断手段で上、る。気体漏れ遮断手段４１
は、ウェハチャ・ツクを含むステージ可動部】に設けら
れたＨｅ吸い込み口４２と２該吸い込み口４２と孔４；
３を介し連続する吸い込みバイブ４４と、該吸い込みバ
イブ４４と接続する図示しないブロア等の吸気源と７措
成される、レーザビーム側に漏れるＨｅはこの気体漏れ
遮断手段４】により全て吸い込まれ、レーザビーム側へ
のＨｅの漏れはなくなる。
本例の場合は、非接触式でありながら、Ｈｅの上方への
漏れをなくして第１の実施例と同様の効果を得ることが
できる。
漏れをなくして第１の実施例と同様の効果を得ることが
できる。
以上述べたように、本発明によれば、マスク。
ウェハを取り囲む雰囲気に満たされたＨｅ等の不活性ガ
スが、ステージの位置を計測しでいるレーザ干渉式位置
測定器のレーザビームバスに漏れるのを最小限に抑える
ことができるため、常に正確にステージ４；ｉ置を計測
する。二とが可北’ｒ’ニーなる。
スが、ステージの位置を計測しでいるレーザ干渉式位置
測定器のレーザビームバスに漏れるのを最小限に抑える
ことができるため、常に正確にステージ４；ｉ置を計測
する。二とが可北’ｒ’ニーなる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の実施例の縦型ステッパのステージ構成
概要図、 第３図は本発明の第１の実施例の酪型ステッパの要部構
造説明図、 第４図は本発明の第２の実施例の定型ステッパの要部構
造説明図、 第５図は本発明の第３の実施例の縦型ステ、７パの要部
構造説明図、 第６図は従来の縦型ステッパの要部構造説明図で、 図中、 １１は気体漏れ遮断手段、 １０１はウェハ、 １０３はマスクである。
概要図、 第３図は本発明の第１の実施例の酪型ステッパの要部構
造説明図、 第４図は本発明の第２の実施例の定型ステッパの要部構
造説明図、 第５図は本発明の第３の実施例の縦型ステ、７パの要部
構造説明図、 第６図は従来の縦型ステッパの要部構造説明図で、 図中、 １１は気体漏れ遮断手段、 １０１はウェハ、 １０３はマスクである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスク（１０３）上に描かれた回路パターンをウェハ
（１０１）上に露光、転写する際に用いられ、露光用光
源にシンクロトロン放射光を使用するとともに、前記マ
スク（１０３）と前記ウェハ（１０１）を取り囲む雰囲
気中に特定の気体を充満させる機構と、前記マスク（１
０３）あるいは前記ウェハ（１０１）のいずれかの位置
を検出するレーザ干渉式位置測定器（１０４）とを備え
た縦型ステッパにおいて、 前記位置測定器（１０４）のレーザ光が通過する経路中
に前記特定の気体が漏れないようにするための気体漏れ
遮断手段（１１）を設けたことを特徴とする縦型ステッ
パ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2107648A JPH047815A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 縦型ステッパ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2107648A JPH047815A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 縦型ステッパ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047815A true JPH047815A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14464517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2107648A Pending JPH047815A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 縦型ステッパ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003030229A1 (ja) * | 2001-09-27 | 2005-01-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2007189073A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Nsk Ltd | 露光装置 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2107648A patent/JPH047815A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003030229A1 (ja) * | 2001-09-27 | 2005-01-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2007189073A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Nsk Ltd | 露光装置 |
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