JPH0475327A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0475327A JPH0475327A JP19163990A JP19163990A JPH0475327A JP H0475327 A JPH0475327 A JP H0475327A JP 19163990 A JP19163990 A JP 19163990A JP 19163990 A JP19163990 A JP 19163990A JP H0475327 A JPH0475327 A JP H0475327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- substrate
- growth
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に%す、いわゆるSO工
槽構造形成手法についての改良に関するものである。
槽構造形成手法についての改良に関するものである。
従来、半導体層を形成するには液相成長法及び気相成長
法が広く使われている。液相成長法は溶かして液体にし
た金属の溶媒中に、半導体層の原料を高い温度で飽和状
0−1で溶解させたのち、温度を下げて溶液を所定の過
飽和状態にさせる。次にこの過飽和溶液を半導体基板の
上に移動させ、溶液を冷却させる。このことによって基
板の表面に、半導体を析出させ冷却を続けると基板の上
に半導体層が形成するっその後、所定の温度で溶液を基
板から切抄離すと、成長は終了する。
法が広く使われている。液相成長法は溶かして液体にし
た金属の溶媒中に、半導体層の原料を高い温度で飽和状
0−1で溶解させたのち、温度を下げて溶液を所定の過
飽和状態にさせる。次にこの過飽和溶液を半導体基板の
上に移動させ、溶液を冷却させる。このことによって基
板の表面に、半導体を析出させ冷却を続けると基板の上
に半導体層が形成するっその後、所定の温度で溶液を基
板から切抄離すと、成長は終了する。
この液相成長法は表面モホロジーが良好であるので、絶
縁膜上に薄く広がる半導体層が出来る。
縁膜上に薄く広がる半導体層が出来る。
一方、前記のように液相成長法の温度、液の組成は成長
中常に変化しているので、成長層の深さ方向での組成の
制御性が悪い。又半導体成長層の中に溶媒金属を%オー
ダで含有し、成長層の表面の平坦性も悪いなどの短所が
ある。
中常に変化しているので、成長層の深さ方向での組成の
制御性が悪い。又半導体成長層の中に溶媒金属を%オー
ダで含有し、成長層の表面の平坦性も悪いなどの短所が
ある。
つぎに気相成長法はキャリアがスに稀釈された半導体の
原料がスを連続的に高温の反応管内に導き、そこで化学
反応を起し半導体層が基板の上に成長する。なお反応生
成物及び未反応原料がスは排気させる。このように、反
応管内の温度、圧力がス組成など諸反応条件を一定にす
ることは可能である。したがって、成長層の深さ方向の
性質も一定になる。又成長条件を変化させることによっ
て、成長層深さ方向の性質も成長条件に応じて変化する
。このことにより気相成長法は制御性がよいという利点
を持つ。ところで、気相成長法では絶縁膜の上に広い半
導体層を形成することは困難である。
原料がスを連続的に高温の反応管内に導き、そこで化学
反応を起し半導体層が基板の上に成長する。なお反応生
成物及び未反応原料がスは排気させる。このように、反
応管内の温度、圧力がス組成など諸反応条件を一定にす
ることは可能である。したがって、成長層の深さ方向の
性質も一定になる。又成長条件を変化させることによっ
て、成長層深さ方向の性質も成長条件に応じて変化する
。このことにより気相成長法は制御性がよいという利点
を持つ。ところで、気相成長法では絶縁膜の上に広い半
導体層を形成することは困難である。
上記のように液相成長法の広がり性は良いが出来た半導
体層の品質が悪く、又気相成長法の半導体層の品質は良
いが、広がり性は良くないという問題点があった。
体層の品質が悪く、又気相成長法の半導体層の品質は良
いが、広がり性は良くないという問題点があった。
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので、
簡単な手法により、品質のよい面積の広い半導体層を絶
縁層の上に形成できる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
簡単な手法により、品質のよい面積の広い半導体層を絶
縁層の上に形成できる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明に係る
半導体装置の製造方法は窓を形成するSO工槽構造よっ
て液相成長法で横方向に広く、またその後気相成長法に
よって成長深さを制御性良く成長させるようにしたもの
である。
半導体装置の製造方法は窓を形成するSO工槽構造よっ
て液相成長法で横方向に広く、またその後気相成長法に
よって成長深さを制御性良く成長させるようにしたもの
である。
以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明する、
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例である半導体
装置の製造工程を示す断面図である。
装置の製造工程を示す断面図である。
まず、半導体Si基板10の表面を酸化する又はCVD
などの成膜技術でもって、Si 02層を基板(10)
に堆積させることによって絶縁性の5i02層(11)
を形成する(第1図(8)参照)。
などの成膜技術でもって、Si 02層を基板(10)
に堆積させることによって絶縁性の5i02層(11)
を形成する(第1図(8)参照)。
次いで、写真製版工程で8i 02絶縁膜(11)をエ
ツチングして、所定か所(12)での81基板(10)
を露出させる。露出か所(いわゆる窓) (12)を液
相成長の種結晶とする(第1図(b)参照)。
ツチングして、所定か所(12)での81基板(10)
を露出させる。露出か所(いわゆる窓) (12)を液
相成長の種結晶とする(第1図(b)参照)。
この後、基板の上にSnを溶媒として液相成長法で、S
i単結晶層(13)を成長させる(第1図(c)参照)
。
i単結晶層(13)を成長させる(第1図(c)参照)
。
Si単結晶成長層(13)は基板上絶縁膜の有無、又は
液相成長層特有な波模様があるので、半導体成長層(1
3)の表面に平坦性の良い物例えば写真製版用レジスト
を1!1す、レジス)、Si単結晶の選択比ののない条
件でエツチングすることKより平坦化する(第1図(d
)参照)。この後、第1図fe)に示すように、平坦化
した液相の上に気相成長法でSi単結晶層(14)を形
成する。
液相成長層特有な波模様があるので、半導体成長層(1
3)の表面に平坦性の良い物例えば写真製版用レジスト
を1!1す、レジス)、Si単結晶の選択比ののない条
件でエツチングすることKより平坦化する(第1図(d
)参照)。この後、第1図fe)に示すように、平坦化
した液相の上に気相成長法でSi単結晶層(14)を形
成する。
以上のように本発明によれば、SO工槽構造形成してお
いて、液相成長法の横方向に広く成長することと気相成
長法のよい性質半導体層が形成出来ることを併用するこ
とによって、良質なSOIが形成出来るという効果があ
る。
いて、液相成長法の横方向に広く成長することと気相成
長法のよい性質半導体層が形成出来ることを併用するこ
とによって、良質なSOIが形成出来るという効果があ
る。
第1図(a)ないしくe)は本発明の一実施例である半
導体装置の製造工程を示す断面図である。 図において、(10)・・・半導体基板、11・・・絶
縁層、12・・・窓、13・・・液相成長層、14・・
−気相成長層。
導体装置の製造工程を示す断面図である。 図において、(10)・・・半導体基板、11・・・絶
縁層、12・・・窓、13・・・液相成長層、14・・
−気相成長層。
Claims (1)
- (1)半導体基板の一面側に絶縁層を形成し、前記絶縁
層を選択的にエッチングして、半導体基板を露出させ、
前記露出部の窓を種結晶として、液相成長法で横方向に
前記絶縁層の上に薄く広い半導体層を形成し、次に気相
成長法で前記の半導体層の上にさらに半導体層を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19163990A JPH0475327A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19163990A JPH0475327A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0475327A true JPH0475327A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16278004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19163990A Pending JPH0475327A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0475327A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100741856B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 소이 기판의 형성 방법 및 이에 의해 형성된 소이 기판 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP19163990A patent/JPH0475327A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100741856B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 소이 기판의 형성 방법 및 이에 의해 형성된 소이 기판 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01241823A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0555479B2 (ja) | ||
US3661636A (en) | Process for forming uniform and smooth surfaces | |
JPH05251339A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
JPH0475327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5840820A (ja) | シリコン単結晶膜形成法 | |
JPS59225516A (ja) | 半導体装置の製法 | |
JPS63502472A (ja) | 三次元半導体構造を生成するための液相エピタキシャル法 | |
JP2527016B2 (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
JPS5910573B2 (ja) | 自己整合型結晶の製造方法 | |
JPH08186080A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
JPS636834A (ja) | 選択エピタキシヤル成長方法 | |
JP2819556B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JPH02228025A (ja) | 熱分解法による選択成長方法 | |
JPH04309241A (ja) | Ii−vi族化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JPS61220321A (ja) | 選択気相成長方法 | |
SU451147A1 (ru) | Способ получени автоэпитаксиального сло кремни | |
JPS6020509A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
JPS61284913A (ja) | GaAsの選択エピタキシヤル成長方法 | |
JPS63306620A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2527015B2 (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
JPH04309240A (ja) | Ii−vi族化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JPS584810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03183695A (ja) | 気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法 | |
JPS59123221A (ja) | 半導体結晶成長方法 |