JPH0475327A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0475327A JPH0475327A JP19163990A JP19163990A JPH0475327A JP H0475327 A JPH0475327 A JP H0475327A JP 19163990 A JP19163990 A JP 19163990A JP 19163990 A JP19163990 A JP 19163990A JP H0475327 A JPH0475327 A JP H0475327A
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Landscapes
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に％す、いわゆるＳＯ工
槽構造形成手法についての改良に関するものである。
槽構造形成手法についての改良に関するものである。
従来、半導体層を形成するには液相成長法及び気相成長
法が広く使われている。液相成長法は溶かして液体にし
た金属の溶媒中に、半導体層の原料を高い温度で飽和状
０−１で溶解させたのち、温度を下げて溶液を所定の過
飽和状態にさせる。次にこの過飽和溶液を半導体基板の
上に移動させ、溶液を冷却させる。このことによって基
板の表面に、半導体を析出させ冷却を続けると基板の上
に半導体層が形成するっその後、所定の温度で溶液を基
板から切抄離すと、成長は終了する。
法が広く使われている。液相成長法は溶かして液体にし
た金属の溶媒中に、半導体層の原料を高い温度で飽和状
０−１で溶解させたのち、温度を下げて溶液を所定の過
飽和状態にさせる。次にこの過飽和溶液を半導体基板の
上に移動させ、溶液を冷却させる。このことによって基
板の表面に、半導体を析出させ冷却を続けると基板の上
に半導体層が形成するっその後、所定の温度で溶液を基
板から切抄離すと、成長は終了する。
この液相成長法は表面モホロジーが良好であるので、絶
縁膜上に薄く広がる半導体層が出来る。
縁膜上に薄く広がる半導体層が出来る。
一方、前記のように液相成長法の温度、液の組成は成長
中常に変化しているので、成長層の深さ方向での組成の
制御性が悪い。又半導体成長層の中に溶媒金属を％オー
ダで含有し、成長層の表面の平坦性も悪いなどの短所が
ある。
中常に変化しているので、成長層の深さ方向での組成の
制御性が悪い。又半導体成長層の中に溶媒金属を％オー
ダで含有し、成長層の表面の平坦性も悪いなどの短所が
ある。
つぎに気相成長法はキャリアがスに稀釈された半導体の
原料がスを連続的に高温の反応管内に導き、そこで化学
反応を起し半導体層が基板の上に成長する。なお反応生
成物及び未反応原料がスは排気させる。このように、反
応管内の温度、圧力がス組成など諸反応条件を一定にす
ることは可能である。したがって、成長層の深さ方向の
性質も一定になる。又成長条件を変化させることによっ
て、成長層深さ方向の性質も成長条件に応じて変化する
。このことにより気相成長法は制御性がよいという利点
を持つ。ところで、気相成長法では絶縁膜の上に広い半
導体層を形成することは困難である。
原料がスを連続的に高温の反応管内に導き、そこで化学
反応を起し半導体層が基板の上に成長する。なお反応生
成物及び未反応原料がスは排気させる。このように、反
応管内の温度、圧力がス組成など諸反応条件を一定にす
ることは可能である。したがって、成長層の深さ方向の
性質も一定になる。又成長条件を変化させることによっ
て、成長層深さ方向の性質も成長条件に応じて変化する
。このことにより気相成長法は制御性がよいという利点
を持つ。ところで、気相成長法では絶縁膜の上に広い半
導体層を形成することは困難である。
上記のように液相成長法の広がり性は良いが出来た半導
体層の品質が悪く、又気相成長法の半導体層の品質は良
いが、広がり性は良くないという問題点があった。
体層の品質が悪く、又気相成長法の半導体層の品質は良
いが、広がり性は良くないという問題点があった。
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので、
簡単な手法により、品質のよい面積の広い半導体層を絶
縁層の上に形成できる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
簡単な手法により、品質のよい面積の広い半導体層を絶
縁層の上に形成できる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明に係る
半導体装置の製造方法は窓を形成するＳＯ工槽構造よっ
て液相成長法で横方向に広く、またその後気相成長法に
よって成長深さを制御性良く成長させるようにしたもの
である。
半導体装置の製造方法は窓を形成するＳＯ工槽構造よっ
て液相成長法で横方向に広く、またその後気相成長法に
よって成長深さを制御性良く成長させるようにしたもの
である。
以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明する、
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例である半導体
装置の製造工程を示す断面図である。
装置の製造工程を示す断面図である。
まず、半導体Ｓｉ基板１０の表面を酸化する又はＣＶＤ
などの成膜技術でもって、Ｓｉ ０２層を基板（１０）
に堆積させることによって絶縁性の５ｉ０２層（１１）
を形成する（第１図（８）参照）。
などの成膜技術でもって、Ｓｉ ０２層を基板（１０）
に堆積させることによって絶縁性の５ｉ０２層（１１）
を形成する（第１図（８）参照）。
次いで、写真製版工程で８ｉ ０２絶縁膜（１１）をエ
ツチングして、所定か所（１２）での８１基板（１０）
を露出させる。露出か所（いわゆる窓） （１２）を液
相成長の種結晶とする（第１図（ｂ）参照）。
ツチングして、所定か所（１２）での８１基板（１０）
を露出させる。露出か所（いわゆる窓） （１２）を液
相成長の種結晶とする（第１図（ｂ）参照）。
この後、基板の上にＳｎを溶媒として液相成長法で、Ｓ
ｉ単結晶層（１３）を成長させる（第１図（ｃ）参照）
。
ｉ単結晶層（１３）を成長させる（第１図（ｃ）参照）
。
Ｓｉ単結晶成長層（１３）は基板上絶縁膜の有無、又は
液相成長層特有な波模様があるので、半導体成長層（１
３）の表面に平坦性の良い物例えば写真製版用レジスト
を１！１す、レジス）、Ｓｉ単結晶の選択比ののない条
件でエツチングすることＫより平坦化する（第１図（ｄ
）参照）。この後、第１図ｆｅ）に示すように、平坦化
した液相の上に気相成長法でＳｉ単結晶層（１４）を形
成する。
液相成長層特有な波模様があるので、半導体成長層（１
３）の表面に平坦性の良い物例えば写真製版用レジスト
を１！１す、レジス）、Ｓｉ単結晶の選択比ののない条
件でエツチングすることＫより平坦化する（第１図（ｄ
）参照）。この後、第１図ｆｅ）に示すように、平坦化
した液相の上に気相成長法でＳｉ単結晶層（１４）を形
成する。
以上のように本発明によれば、ＳＯ工槽構造形成してお
いて、液相成長法の横方向に広く成長することと気相成
長法のよい性質半導体層が形成出来ることを併用するこ
とによって、良質なＳＯＩが形成出来るという効果があ
る。
いて、液相成長法の横方向に広く成長することと気相成
長法のよい性質半導体層が形成出来ることを併用するこ
とによって、良質なＳＯＩが形成出来るという効果があ
る。
第１図（ａ）ないしくｅ）は本発明の一実施例である半
導体装置の製造工程を示す断面図である。 図において、（１０）・・・半導体基板、１１・・・絶
縁層、１２・・・窓、１３・・・液相成長層、１４・・
−気相成長層。
導体装置の製造工程を示す断面図である。 図において、（１０）・・・半導体基板、１１・・・絶
縁層、１２・・・窓、１３・・・液相成長層、１４・・
−気相成長層。
Claims (1)
- （１）半導体基板の一面側に絶縁層を形成し、前記絶縁
層を選択的にエッチングして、半導体基板を露出させ、
前記露出部の窓を種結晶として、液相成長法で横方向に
前記絶縁層の上に薄く広い半導体層を形成し、次に気相
成長法で前記の半導体層の上にさらに半導体層を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19163990A JPH0475327A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19163990A JPH0475327A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475327A true JPH0475327A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16278004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19163990A Pending JPH0475327A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741856B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 소이 기판의 형성 방법 및 이에 의해 형성된 소이 기판 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP19163990A patent/JPH0475327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741856B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 소이 기판의 형성 방법 및 이에 의해 형성된 소이 기판 |
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