JPH0473932A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0473932A JPH0473932A JP2188835A JP18883590A JPH0473932A JP H0473932 A JPH0473932 A JP H0473932A JP 2188835 A JP2188835 A JP 2188835A JP 18883590 A JP18883590 A JP 18883590A JP H0473932 A JPH0473932 A JP H0473932A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置の構造に関する。
近年、半導体装置の製造には、各種の高度な半導体製造
設備が使用されている。
設備が使用されている。
半導体装置は年々、高集積化、微細化されており、それ
に伴い各種の製造設備には、半導体装置の製造工程中に
起因する種々の汚染や発塵の防止が要求されている。
に伴い各種の製造設備には、半導体装置の製造工程中に
起因する種々の汚染や発塵の防止が要求されている。
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
本発明は、半導体装置を製造する半導体製造装置の構造
に関し。
に関し。
被処理物である半導体基板等の汚染防止の方法を提供す
ることを目的とし。
ることを目的とし。
エネルギビームを利用して、被処理物を処理する半導体
製造装置において、該エネルギビームが〔従来の技術〕 第３図は従来例の説明図である。
製造装置において、該エネルギビームが〔従来の技術〕 第３図は従来例の説明図である。
図において、 １０はイオン源、１１はアナライザ。
１２は加速器、１３は走査電源、１４はイオンビーム。
１５は半導体基板、１６はディスク、１７はビームキャ
ッチャ、１８はディスクホルダである。
ッチャ、１８はディスクホルダである。
従来の半導体製造設備の殆どには、半導体基板等の処理
室内に、アルミニウム（Ａ１）やス１テンレス（ＳＵＳ
）等の金属類が用いられている。
室内に、アルミニウム（Ａ１）やス１テンレス（ＳＵＳ
）等の金属類が用いられている。
また、電子ビームやイオンビームの連続的な照射個所に
はグラファイト（カーボン）が使用されてきた。
はグラファイト（カーボン）が使用されてきた。
ところが、半導体装置の微細化が進む中で、スパッタさ
れたチャンバの一部が１例えば、 Ａｆｆｉ。
れたチャンバの一部が１例えば、 Ａｆｆｉ。
カーボン（Ｃ）、 クローム（Ｃｒ） 、ニッケル（
Ｎｉ）等がスパッタ処理と同時に被処理物である半導体
基板等に直接注入されることが大きな問題となってきた
。
Ｎｉ）等がスパッタ処理と同時に被処理物である半導体
基板等に直接注入されることが大きな問題となってきた
。
例えば、第３図（ａ）に示すようなイオン注入装置では
、第３図（ｂ）に拡大図で示すように。
、第３図（ｂ）に拡大図で示すように。
装置内のディスク１６がＡｌ材で構成されており。
また、ビームキャッチャ１７はＡｌ、 ＾ｉ＋グラファ
イトＳＵＳ等の材質であり、イオンビーム１４が走査（
スキャンニング）されて、上記のディスク１６、或いは
ビームキャッチャ１７にも照射されて。
イトＳＵＳ等の材質であり、イオンビーム１４が走査（
スキャンニング）されて、上記のディスク１６、或いは
ビームキャッチャ１７にも照射されて。
へ！或いは重金属等が飛散して、半導体基板１５等の表
面にも付着することによる重金属等の汚染が問題となる
。
面にも付着することによる重金属等の汚染が問題となる
。
〔課題を解決するための手段〕
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、ｌは被処理物、２は被処理物取付板、３は
チャンバ、４はエネルギビームである。
チャンバ、４はエネルギビームである。
本発明では、上記の問題点を解決するために。
原子２分子、エネルギビーム、マイクロ波等を利用して
、半導体基板等の被処理物に対して、物質を注入、堆積
、付着或いは、被処理物をエツチングする半導体製造装
置において、半導体製造装置を構成する機構部、チャン
バ、被処理物装着部等の内、原子やイオン、エネルギビ
ームに直接曝され、或いは照射される部分に、被処理物
と同−材質の材料を使用する。
、半導体基板等の被処理物に対して、物質を注入、堆積
、付着或いは、被処理物をエツチングする半導体製造装
置において、半導体製造装置を構成する機構部、チャン
バ、被処理物装着部等の内、原子やイオン、エネルギビ
ームに直接曝され、或いは照射される部分に、被処理物
と同−材質の材料を使用する。
即ち２本発明の目的は、エネルギビームを利用して、被
処理物を処理する半導体製造装置において、該エネルギ
ビームが直接照射される部位が被処理物と同一の物質で
構成されていることにより達成される。
処理物を処理する半導体製造装置において、該エネルギ
ビームが直接照射される部位が被処理物と同一の物質で
構成されていることにより達成される。
本発明では、上記のように、原子、イオン、エネルギビ
ームの直接当たる個所に、被処理物と同一材料の機構部
品や治具を使用するため２例え。
ームの直接当たる個所に、被処理物と同一材料の機構部
品や治具を使用するため２例え。
これらの材料が飛散しても、汚染の原因とはならない。
第２図は本発明の一実施例のイオン注入装置の半導体基
板取付部の説明図である。
板取付部の説明図である。
図において、５は半導体基板、６はディスク。
７はビームキャッチャ、８はディスクホルダ、９はイオ
ンビームである。
ンビームである。
第２図に示すように、イオン注入装置の機構部の内、電
子ビームに直接に曝される半導体基板５としてのシリコ
ン（Ｓｉ）ウェハ取付部のビームキャッチャ７を高純度
の多結晶シリコン（ポリＳｔ）により作成する。
子ビームに直接に曝される半導体基板５としてのシリコ
ン（Ｓｉ）ウェハ取付部のビームキャッチャ７を高純度
の多結晶シリコン（ポリＳｔ）により作成する。
その他の実施例としては、エネルギビーム、マイクロ波
を使用する下記の各種装置のエネルギビームやマイクロ
波の直接当たる個所の材質に、Ｓｉ基板の場合には高純
度ポリＳｔを使用する。
を使用する下記の各種装置のエネルギビームやマイクロ
波の直接当たる個所の材質に、Ｓｉ基板の場合には高純
度ポリＳｔを使用する。
例えば、イオン注入装置では、ビームゲートビームキャ
ッチャ−、ドライエツチング装置では。
ッチャ−、ドライエツチング装置では。
ウェハー押さえ治具、チャンバ、電極付近の治具に、ス
パッタ装置では、防着板、チャンバ、バイアス付近の治
具に、ＣＶＤ装置では、バイアス付近の治具、チャンバ
等に高純度ポリＳｉを材料として使用する。
パッタ装置では、防着板、チャンバ、バイアス付近の治
具に、ＣＶＤ装置では、バイアス付近の治具、チャンバ
等に高純度ポリＳｉを材料として使用する。
以上説明したように９本発明によれば、原子。
イオン等エネルギビームの直接当たる個所に、被処理物
である半導体基板と同一物質の装置部品や治具を使用す
るため２重金属等の汚染が発生せず。
である半導体基板と同一物質の装置部品や治具を使用す
るため２重金属等の汚染が発生せず。
半導体装置の歩留り、信鯨性の向上に寄与するところが
大きい。
大きい。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の一実施例のイ
半導体基板取付部の説明図。
第３図は従来例の説明図
である。
図において。
■は被処理物。
３はチャンバ。
５は半導体基板
７はビームキャッチャ。
８はディスクホルダ、９はイ第
２は被処理物取付板。
４はエネルギビーム。
６はディスク。
オン注入装置の
ンビーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エネルギビームを利用して、被処理物を処理する半導
体製造装置において、 該エネルギビームが直接照射される部位が被処理物と同
一の物質で構成されていることを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188835A JPH0473932A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188835A JPH0473932A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473932A true JPH0473932A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16230676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188835A Pending JPH0473932A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0473932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0722181A1 (en) * | 1993-08-20 | 1996-07-17 | OHMI, Tadahiro | Ionen implantierungsgerät |
| US6040544A (en) * | 1997-05-09 | 2000-03-21 | Wacker-Chemie Gmbh | Optoelectronic separation apparatus |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP2188835A patent/JPH0473932A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0722181A1 (en) * | 1993-08-20 | 1996-07-17 | OHMI, Tadahiro | Ionen implantierungsgerät |
| EP0722181A4 (en) * | 1993-08-20 | 1997-01-08 | Tadahiro Ohmi | ION IMPLANTER |
| US6040544A (en) * | 1997-05-09 | 2000-03-21 | Wacker-Chemie Gmbh | Optoelectronic separation apparatus |
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