JPH0473885A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH0473885A JPH0473885A JP2248389A JP24838990A JPH0473885A JP H0473885 A JPH0473885 A JP H0473885A JP 2248389 A JP2248389 A JP 2248389A JP 24838990 A JP24838990 A JP 24838990A JP H0473885 A JPH0473885 A JP H0473885A
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子レンジなどのマグネトロンに電力を供給
する装置に関する。
する装置に関する。
[従来の技術]
電子レンジなどのマグネトロンにインバータを使用して
電力を供給する装置としては、例えば、特開昭62−1
52374号公報などに開示された装置がある。
電力を供給する装置としては、例えば、特開昭62−1
52374号公報などに開示された装置がある。
第6図はこの従来装置の回路図である。図において、(
1)は交流電源、(2)は全波整流回路、(3)はイン
ダクタ、(4)はコンデンサ、(5)は出カドランス、
(6)はコンデンサ、(7)は回生ダイオード、(8)
はスイッチングデバイスであり、ここではトランジスタ
で構成されている。
1)は交流電源、(2)は全波整流回路、(3)はイン
ダクタ、(4)はコンデンサ、(5)は出カドランス、
(6)はコンデンサ、(7)は回生ダイオード、(8)
はスイッチングデバイスであり、ここではトランジスタ
で構成されている。
(9)はマグネトロン、(10)はダイオード、(11
)はコンデンサ、(12)は制御回路、(13)は駆動
回路である。
)はコンデンサ、(12)は制御回路、(13)は駆動
回路である。
第7図はこの従来の装置の動作時の各波形を示す波形図
であり、(ア)はトランジスタ(8)のコレクターエミ
ッタ間電圧Vceの包路線、(イ)は制御回路(12)
の出力信号波形、(つ)はトランジスタ(8)のコレク
ターエミッタ間電圧Vceの拡大波形、(1)は同じく
、トランジスタ(8)のコレクタ電流波形をそれぞれ示
す。第7図(1)の斜線は、実際は回生ダイオード(7
)を流れる電流である。
であり、(ア)はトランジスタ(8)のコレクターエミ
ッタ間電圧Vceの包路線、(イ)は制御回路(12)
の出力信号波形、(つ)はトランジスタ(8)のコレク
ターエミッタ間電圧Vceの拡大波形、(1)は同じく
、トランジスタ(8)のコレクタ電流波形をそれぞれ示
す。第7図(1)の斜線は、実際は回生ダイオード(7
)を流れる電流である。
以上のように構成された装置においては、交流電源(1
)が投入されトランジスタ(8)が制御回路(12)の
出力信号により高周波でオン/オフし、出カドランス(
5)にマグネトロン(9)への印加電圧を発生する。こ
こで、全波整流回路(2)の出力電圧は平滑されておら
ず、リップルの大きい脈流電圧であるが、このうち瞬時
値の高い期間に対応してトランジスタ(8)のコレクタ
ーエミッタ間の耐電圧を高くしなければならない。
)が投入されトランジスタ(8)が制御回路(12)の
出力信号により高周波でオン/オフし、出カドランス(
5)にマグネトロン(9)への印加電圧を発生する。こ
こで、全波整流回路(2)の出力電圧は平滑されておら
ず、リップルの大きい脈流電圧であるが、このうち瞬時
値の高い期間に対応してトランジスタ(8)のコレクタ
ーエミッタ間の耐電圧を高くしなければならない。
このためトランジスタ(8)のオン期間を、全波整流回
路(2)の出力電圧瞬時値の低い期間(第7図(ア)の
A部)では長くし、逆に全波整流回路(2)の出力電圧
瞬時値の高い期間では短くする。これによりトランジス
タ(8)のコレクターエミッタ間電圧を全波整流回路(
2)の出力電圧瞬時値の高い期間においても、できるだ
け低く抑制できる。またマグネトロン(9)の出力を定
格(全出力)から低下させるように制御する場合にも、
このように、トランジスタのオン/オフ期間比率を変化
させて行っていた。しかし、このようにトランジスタの
オン/オフ期間比率を変化させても、A部はインバータ
(2)への入力直流電圧が低いことから、トランジスタ
(8)の電圧は低く、出カドランス(5)の発生電圧も
低くなってしまう。そのため、マグネトロン(9)の出
力を少なくしようとしてトランジスタのオン期間を全体
に短くすると出カドランスに設けたマグネトロンのフィ
ラメント加熱巻線(5F)の出力も同時に低下してしま
うので、マグネトロンのフィラメント温度が低下してマ
グネトロン動作に支障をきたす恐れがあった。
路(2)の出力電圧瞬時値の低い期間(第7図(ア)の
A部)では長くし、逆に全波整流回路(2)の出力電圧
瞬時値の高い期間では短くする。これによりトランジス
タ(8)のコレクターエミッタ間電圧を全波整流回路(
2)の出力電圧瞬時値の高い期間においても、できるだ
け低く抑制できる。またマグネトロン(9)の出力を定
格(全出力)から低下させるように制御する場合にも、
このように、トランジスタのオン/オフ期間比率を変化
させて行っていた。しかし、このようにトランジスタの
オン/オフ期間比率を変化させても、A部はインバータ
(2)への入力直流電圧が低いことから、トランジスタ
(8)の電圧は低く、出カドランス(5)の発生電圧も
低くなってしまう。そのため、マグネトロン(9)の出
力を少なくしようとしてトランジスタのオン期間を全体
に短くすると出カドランスに設けたマグネトロンのフィ
ラメント加熱巻線(5F)の出力も同時に低下してしま
うので、マグネトロンのフィラメント温度が低下してマ
グネトロン動作に支障をきたす恐れがあった。
[発明が解決しようとする課題]
従来の装置では、マグネトロンの出力を少なくしようと
すると、同時にマグネトロンのフィラメント加熱巻線(
5F)の出力も同時に低下すてしまい、マグネトロン動
作に支障をきたす恐れかあった。
すると、同時にマグネトロンのフィラメント加熱巻線(
5F)の出力も同時に低下すてしまい、マグネトロン動
作に支障をきたす恐れかあった。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたも
のであり、マグネトロンの出力を少なくしながら、マグ
ネトロンのフィラメント加熱の低下を抑制できる装置を
得ることを目的とする。
のであり、マグネトロンの出力を少なくしながら、マグ
ネトロンのフィラメント加熱の低下を抑制できる装置を
得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
このため、本発明に係わる高周波加熱装置は、制御手段
の信号によりオン、オフ駆動されるスイッチングデバイ
スの動作により、出カドランスに高周波電力を発生させ
るインバータと、このインバータへの入力源として、交
流電源を全波整流した直流電源とこの直流電源のピーク
値よりも低いピーク値を有する低圧直流電源とを備え、
上記出力トラシスにはマグネトロンのフィラメント加熱
用の出力巻線とを備えたものである。
の信号によりオン、オフ駆動されるスイッチングデバイ
スの動作により、出カドランスに高周波電力を発生させ
るインバータと、このインバータへの入力源として、交
流電源を全波整流した直流電源とこの直流電源のピーク
値よりも低いピーク値を有する低圧直流電源とを備え、
上記出力トラシスにはマグネトロンのフィラメント加熱
用の出力巻線とを備えたものである。
[作用]
本発明に係わる高周波加熱装置は、マグネト0ンの出力
を定格(全出力)から低下させるように制御する場合に
は、制御手段によりスイッチングデバイスのオン期間比
率を変化させて行い、かつ、交流電源を全波整流した直
流電源の瞬時値が低い期間では、低圧直流電源からイン
バータに電力を供給するようにすることにより、マグネ
トロンのフィラメントの加熱を確保する。
を定格(全出力)から低下させるように制御する場合に
は、制御手段によりスイッチングデバイスのオン期間比
率を変化させて行い、かつ、交流電源を全波整流した直
流電源の瞬時値が低い期間では、低圧直流電源からイン
バータに電力を供給するようにすることにより、マグネ
トロンのフィラメントの加熱を確保する。
[実施例]
以下、本発明を実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例による回路図を示し、第6図
に示す従来例と同一(相当)構成要素は同一符号を付し
た。
に示す従来例と同一(相当)構成要素は同一符号を付し
た。
図において、(1)は交流電源、(2)は全波整流回路
、(3)はインダクタ、(4)はコンデンサ、(5)は
比較的大きなリーケージインダクタンスを有する出カド
ランス、(5F)はフィラメント加熱巻線、(5S)は
二次巻線であり、(6)はコンデンサ、(7)は回生ダ
イオード、(8)はスイッチングデバイスで、ここでは
トランジスタで構成されており、出カドランス(5)、
コンデンサ(6)、回生ダイオード(7)、トランジス
タ(8)によりインバータが構成されている。(9)は
マグネトロン、(1o)はダイオード、(11)はコン
デンサ、(12)は制御回路、(14)は低圧直流電源
、(14a)は逆阻止及び電荷の放電用のダイオード、
(14b)は電源である。
、(3)はインダクタ、(4)はコンデンサ、(5)は
比較的大きなリーケージインダクタンスを有する出カド
ランス、(5F)はフィラメント加熱巻線、(5S)は
二次巻線であり、(6)はコンデンサ、(7)は回生ダ
イオード、(8)はスイッチングデバイスで、ここでは
トランジスタで構成されており、出カドランス(5)、
コンデンサ(6)、回生ダイオード(7)、トランジス
タ(8)によりインバータが構成されている。(9)は
マグネトロン、(1o)はダイオード、(11)はコン
デンサ、(12)は制御回路、(14)は低圧直流電源
、(14a)は逆阻止及び電荷の放電用のダイオード、
(14b)は電源である。
第2図は動作の説明のための波形図であり、第2図(力
)はインバータの入力直流電圧波形であり、B部は低圧
直流電源(14)の電圧を示し、破線は交流電源(1)
を全波整流した場合の電圧を示す。第2図(キ)はマグ
ネトロン(9)の出力が大きい時のマグネトロン電流の
包絡線、第2図(り)はこのときの出力トランス二次巻
線(5S)の電圧、第2図(ケ)はマグネトロン(9)
の出力が少ない時のマグネトロン電流の包絡線、第2図
(コ)はこのときの出力トランス二次巻線の電圧をそれ
ぞれ示す。
)はインバータの入力直流電圧波形であり、B部は低圧
直流電源(14)の電圧を示し、破線は交流電源(1)
を全波整流した場合の電圧を示す。第2図(キ)はマグ
ネトロン(9)の出力が大きい時のマグネトロン電流の
包絡線、第2図(り)はこのときの出力トランス二次巻
線(5S)の電圧、第2図(ケ)はマグネトロン(9)
の出力が少ない時のマグネトロン電流の包絡線、第2図
(コ)はこのときの出力トランス二次巻線の電圧をそれ
ぞれ示す。
以上のように構成された装置において、制御回路(12
)がオン/オフの信号を発生すると、第6図の装置と同
様にして、トランジスタ(8)の電圧及び電流は第7図
(つ)の如くなり、出カドランス(5)に高周波電圧を
発生する。また、マグネトロン(9)は電流が流れてい
る時、すなわち、発振して(マイクロ波を発生して)い
る時は、マグネトロン端子電圧がほぼ一定(通常的4K
V)になるという特性がある。出カドランス(5)はリ
ーケージインダクタンスが大きいので、マグネトロン(
9)に電流が流れる時、すなわち、発振している期間で
は、二次巻線電圧がほぼ一定になる。さらに、この出カ
ドランス(5)に設けたフィラメント加熱巻線(5F)
の電圧は、二次巻線電圧とほぼ相似になる。従って、ト
ランジスタ(8)のオン期間比率の大きな時は、第2(
キ)のようにマグネトロンの出力が大きい。ここで、前
述のようにフィラメント加熱巻線(5F)の電圧は、は
ぼ第2図(り)と対応し、これと相似である。次に、ト
ランジスタのオン期間比率の小さい時は、二次巻線電圧
が第2図(コ)のようになる。このときも、マグネトロ
ン(9)に電流が流れていない期間にもマグネトロン(
9)が発振しない範囲で、フィラメント加熱巻線(5F
)の電圧を高くするようにトランジスタのオン期間比率
を適切に設定すれば、フィラメント加熱巻線の電圧の低
下を抑制できる。これは、出力の大小によらず第2図(
力)に示すB部では、マグネトロン(9)を殆ど発振さ
せずに、この期間ではフィラメント加熱電力を得るよう
にしているためである。
)がオン/オフの信号を発生すると、第6図の装置と同
様にして、トランジスタ(8)の電圧及び電流は第7図
(つ)の如くなり、出カドランス(5)に高周波電圧を
発生する。また、マグネトロン(9)は電流が流れてい
る時、すなわち、発振して(マイクロ波を発生して)い
る時は、マグネトロン端子電圧がほぼ一定(通常的4K
V)になるという特性がある。出カドランス(5)はリ
ーケージインダクタンスが大きいので、マグネトロン(
9)に電流が流れる時、すなわち、発振している期間で
は、二次巻線電圧がほぼ一定になる。さらに、この出カ
ドランス(5)に設けたフィラメント加熱巻線(5F)
の電圧は、二次巻線電圧とほぼ相似になる。従って、ト
ランジスタ(8)のオン期間比率の大きな時は、第2(
キ)のようにマグネトロンの出力が大きい。ここで、前
述のようにフィラメント加熱巻線(5F)の電圧は、は
ぼ第2図(り)と対応し、これと相似である。次に、ト
ランジスタのオン期間比率の小さい時は、二次巻線電圧
が第2図(コ)のようになる。このときも、マグネトロ
ン(9)に電流が流れていない期間にもマグネトロン(
9)が発振しない範囲で、フィラメント加熱巻線(5F
)の電圧を高くするようにトランジスタのオン期間比率
を適切に設定すれば、フィラメント加熱巻線の電圧の低
下を抑制できる。これは、出力の大小によらず第2図(
力)に示すB部では、マグネトロン(9)を殆ど発振さ
せずに、この期間ではフィラメント加熱電力を得るよう
にしているためである。
従来の装置では、この期間(第7図(ア)A部相当)は
インバータへの入力直流電圧自体が低いので、この期間
でのフィラメント加熱電力が全体のフィラメント加熱電
力に寄与する割合は小さく、マグネトロン(9)の動作
に支障をきたす。
インバータへの入力直流電圧自体が低いので、この期間
でのフィラメント加熱電力が全体のフィラメント加熱電
力に寄与する割合は小さく、マグネトロン(9)の動作
に支障をきたす。
第3図は制御回路(12)の−例を示す回路図であり、
インバータの入力直流電圧に対応して反転した反転回路
(12b)の信号と、のこぎり波発生回路(127)の
信号電圧とを比較回路(128)により比較した出力信
号から、トランジスタ(8)を駆動する信号を駆動回路
(129)により形成する。可変抵抗(122)はマグ
ネトロン(9)の出力の大小を設定できる。この出力設
定方法は可変抵抗(122)以外にも、抵抗(125)
の可変あるいはその他の手段を用いてもよい。
インバータの入力直流電圧に対応して反転した反転回路
(12b)の信号と、のこぎり波発生回路(127)の
信号電圧とを比較回路(128)により比較した出力信
号から、トランジスタ(8)を駆動する信号を駆動回路
(129)により形成する。可変抵抗(122)はマグ
ネトロン(9)の出力の大小を設定できる。この出力設
定方法は可変抵抗(122)以外にも、抵抗(125)
の可変あるいはその他の手段を用いてもよい。
なお、低圧直流電源(14)からはほとんどマグネトロ
ン(9)の発振点力は供給しないので、この低圧直流電
源(14)の容量は少なくて済む。
ン(9)の発振点力は供給しないので、この低圧直流電
源(14)の容量は少なくて済む。
第4図は本発明の他の実施例を示し、図において、低圧
直流電源(14)はダイオード(14)、(142)、
(143)とコンデンサ(144)、(145’)によ
り構成され、交流電源(2)を全波整流した電圧の約1
/2の電圧がコンデンサ(144)、(145)に充電
され、これが第2図(力)のB部の期間の電圧に相当す
る。この装置においてもインバータの動作は第1図のも
のと同様であるが、ダイオード(7)を渡れる回生電流
(第7図(1)の斜線を参照)のループとして必要であ
ったコンデンサ(4)の役割をこの低圧直流電源(14
)が負担できるので、このコンデンサの容量を減少させ
たり、あるいは除去するなどの効果がある。
直流電源(14)はダイオード(14)、(142)、
(143)とコンデンサ(144)、(145’)によ
り構成され、交流電源(2)を全波整流した電圧の約1
/2の電圧がコンデンサ(144)、(145)に充電
され、これが第2図(力)のB部の期間の電圧に相当す
る。この装置においてもインバータの動作は第1図のも
のと同様であるが、ダイオード(7)を渡れる回生電流
(第7図(1)の斜線を参照)のループとして必要であ
ったコンデンサ(4)の役割をこの低圧直流電源(14
)が負担できるので、このコンデンサの容量を減少させ
たり、あるいは除去するなどの効果がある。
逆にコンデンサ(4)が十分に大きな容量であれば、第
5図に示す様に回生電流がコンデンサ(144)、(1
45)に多く流れることを防止するためのインピーダン
ス(146)を直列に挿入してもよい。このインピーダ
ンス(146)は例えばインダクタや抵抗などで構成さ
れ、この挿入により、コンデンサ(144)、(145
)に流れようとする回生電流が減少し、コンデンサ(1
44)、(145)は許容リップル電流の小さなものを
使用できる。
5図に示す様に回生電流がコンデンサ(144)、(1
45)に多く流れることを防止するためのインピーダン
ス(146)を直列に挿入してもよい。このインピーダ
ンス(146)は例えばインダクタや抵抗などで構成さ
れ、この挿入により、コンデンサ(144)、(145
)に流れようとする回生電流が減少し、コンデンサ(1
44)、(145)は許容リップル電流の小さなものを
使用できる。
また、インダクタ(3)は上記の回生電流が交流電源(
1)側に流れることを阻止するが、この低圧直流電源(
14)の構成ではコンデンサ(144)、(145)に
電解コンデンサを使用したときなどでも、この低圧直流
電源(14)の挿入による交流電源側から見た力率の低
下を少なくする効果がある。
1)側に流れることを阻止するが、この低圧直流電源(
14)の構成ではコンデンサ(144)、(145)に
電解コンデンサを使用したときなどでも、この低圧直流
電源(14)の挿入による交流電源側から見た力率の低
下を少なくする効果がある。
また、交流電源側にラインフィルタ等が備えられている
場合は、このインダクタ(3)を前記インピーダンス(
146)の箇所に接続することも可能である。さらに、
インダクタ(3)に別の巻線を設けたり、あるいは中間
タップを設けて第2のイ、ンダクタを形成し、これをイ
ンピーダンス(146)相当の動作をさせる様に接続し
てもよい。
場合は、このインダクタ(3)を前記インピーダンス(
146)の箇所に接続することも可能である。さらに、
インダクタ(3)に別の巻線を設けたり、あるいは中間
タップを設けて第2のイ、ンダクタを形成し、これをイ
ンピーダンス(146)相当の動作をさせる様に接続し
てもよい。
逆に、この低圧直流電源(14)をインダクタ(3)と
全波整流回路(2)の間に接続すれば、インダクタ(3
)の存在により、低圧直流電源(14)のコンデンサ(
144)、(145)に流れる回生電流を減少させるこ
ともでき、このとき、コンデンサ(144)、(145
)の許容電流が小さいものを使用することが可能にする
効果がある。
全波整流回路(2)の間に接続すれば、インダクタ(3
)の存在により、低圧直流電源(14)のコンデンサ(
144)、(145)に流れる回生電流を減少させるこ
ともでき、このとき、コンデンサ(144)、(145
)の許容電流が小さいものを使用することが可能にする
効果がある。
低圧直流電源は第4図のように3個のダイオードと2個
のコンデンサを使用したちの以外に、3個のコンデンサ
を使用して1/3の電圧で充電するなどでも良い。
のコンデンサを使用したちの以外に、3個のコンデンサ
を使用して1/3の電圧で充電するなどでも良い。
また、このようにコンデンサによって、分圧することに
より、低圧直流電源を構成しなくても、交流電源電圧の
ピーク値よりも適宜低い値を有する直流電源であれば使
用できる。
より、低圧直流電源を構成しなくても、交流電源電圧の
ピーク値よりも適宜低い値を有する直流電源であれば使
用できる。
インバータの構成は上記実施例に限定されず、共振用コ
ンデンサ(6)がトランジスタ(8)と直列接続でも、
並列接続でもよい。スイッチングデバイスとしてバイポ
ーラトランジスタ以外の素子の使用は可能であり、例え
ば、パワーMO3FETの場合では、回生ダイオード(
7)は素子に寄生して等価的に備えられているので、必
ずしも必要でない。要するに、スイッチングデバイスの
制御により、出カドランス(5)の出力電圧を制御しマ
グネトロン(9)の出力の大小を制御できるものであれ
ばよい。
ンデンサ(6)がトランジスタ(8)と直列接続でも、
並列接続でもよい。スイッチングデバイスとしてバイポ
ーラトランジスタ以外の素子の使用は可能であり、例え
ば、パワーMO3FETの場合では、回生ダイオード(
7)は素子に寄生して等価的に備えられているので、必
ずしも必要でない。要するに、スイッチングデバイスの
制御により、出カドランス(5)の出力電圧を制御しマ
グネトロン(9)の出力の大小を制御できるものであれ
ばよい。
さらに、出カドランス(5)のり−ケージインダクタン
スは、マグネトロン(9)の発振中はその二次巻線電圧
が略一定にできる程度であればよく、必要に応じて二次
巻線に直列にインピーダンスを挿入してもよい。出カド
ランス(5)の二次側のマグネトロン負荷回路の構成は
上記実施例に限定されるものではなく、適宜変形しても
よい。
スは、マグネトロン(9)の発振中はその二次巻線電圧
が略一定にできる程度であればよく、必要に応じて二次
巻線に直列にインピーダンスを挿入してもよい。出カド
ランス(5)の二次側のマグネトロン負荷回路の構成は
上記実施例に限定されるものではなく、適宜変形しても
よい。
[発明の効果]
以上のように本発明の装置では、マグネトロンの出力を
少くしても、マグネトロンのフィラメント加熱の低下を
抑制できるので、マグネトロンの出力制御ができる範囲
を広げる記事ができる。
少くしても、マグネトロンのフィラメント加熱の低下を
抑制できるので、マグネトロンの出力制御ができる範囲
を広げる記事ができる。
第1図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の回路
図、第2図はこの装置の動作を説明するための波形図、
第3図は第1図の装置の制御回路の−例を示す回路図、
第4図、第5図は本発明の他の実施例を示す回路図、第
6図は従来装置の回路図、第7図は従来装置の動作説明
のための波形図である。 図おいて、(1)は交流電源、(2)は全波整流回路、
(3)はインダクタ、(5)は出カドランス、(8)は
スイッチングデバイス、(9)はマグネトロン、(12
)は制御回路、(14)は低圧直流電源である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当不分を示す。
図、第2図はこの装置の動作を説明するための波形図、
第3図は第1図の装置の制御回路の−例を示す回路図、
第4図、第5図は本発明の他の実施例を示す回路図、第
6図は従来装置の回路図、第7図は従来装置の動作説明
のための波形図である。 図おいて、(1)は交流電源、(2)は全波整流回路、
(3)はインダクタ、(5)は出カドランス、(8)は
スイッチングデバイス、(9)はマグネトロン、(12
)は制御回路、(14)は低圧直流電源である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当不分を示す。
Claims (3)
- (1)交流電源を全波整流した直流電源とこの直流電源
のピーク値より低いピーク値を有する低圧直流電源と、
この低圧直流電源および上記直流電源を入力源とするイ
ンバータと、このインバータの出力をマグネトロンに供
給するリーケージインダクタンスを有する出力トランス
と、この出力トランスに設けられ上記マグネトロンのフ
ィラメント加熱用出力を発生する巻線と、上記インバー
タのスイッチングデバイスのオン期間比率を変化して上
記マグネトロンの出力を制御し、かつ、上記マグネトロ
ンを発振する期間以外の期間で上記低圧直流電源の入力
に基づき上記マグネトロンのフィラメント加熱用巻線に
出力を発生させる制御手段とを備えたことを特徴とする
高周波加熱装置。 - (2)低圧直流電源が交流電源を全波整流した直流出力
電圧ピーク値の約1/2及至1/3の電圧に充電される
複数のコンデンサを備え、かつ、このコンデンサに前記
インバータの回生電流を流す回路を備えたことを特徴と
する請求項(1)記載の高周波加熱装置。 - (3)低圧直流電源が交流電源を全波整流した直流出力
電圧ピーク値の約1/2及至1/3の電圧に充電される
複数のコンデンサを備え、このコンデンサに流入する前
記インバータの回生電流を抑制するためのインピーダン
スを、前記インバータと前記コンデンサとの間に直列的
に接続したことを特徴とする請求項(1)記載の高周波
加熱装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-124719 | 1990-05-15 | ||
JP12471990 | 1990-05-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0473885A true JPH0473885A (ja) | 1992-03-09 |
JP2931060B2 JP2931060B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=14892413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2248389A Expired - Fee Related JP2931060B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-09-18 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2931060B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8843640B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-09-23 | Nintendo Co., Ltd. | Information processing apparatus, computer-readable storage medium having information processing program stored therein, information processing method, and information processing system |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP2248389A patent/JP2931060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8843640B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-09-23 | Nintendo Co., Ltd. | Information processing apparatus, computer-readable storage medium having information processing program stored therein, information processing method, and information processing system |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2931060B2 (ja) | 1999-08-09 |
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