JPH0473365B2 - - Google Patents
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- JPH0473365B2 JPH0473365B2 JP60217632A JP21763285A JPH0473365B2 JP H0473365 B2 JPH0473365 B2 JP H0473365B2 JP 60217632 A JP60217632 A JP 60217632A JP 21763285 A JP21763285 A JP 21763285A JP H0473365 B2 JPH0473365 B2 JP H0473365B2
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、速い切断速度で、切断抵抗が小さ
く、かつ小さい切り代で、歩留りよく半導体単結
晶をスライス切断することができる帯状極薄刃に
関するものである。 〔従来の技術〕 一般に、シリコンやガリウムひ素、さらにイン
ジウム燐などの各種の棒状半導体単結晶を、マル
チバンドソー（おさのこ盤）などを用いて板状に
スライス切断することが行なわれており、これに
用いられる切断刃としては、例えば特開昭59−
158216号公報に記載されるような、超急冷凝固に
より非晶質化されたNi基合金薄帯からなる刃本
体の少なくとも切断関与領域面に、ダイヤモンド
粒子がNi素地中に分散含有する組織を有するメ
ツキ層を全面形成してなる帯状極薄刃が知られて
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、上記の従来帯状極薄刃を用いた場合、
メツキ層が切断関与領域面全体に均一な厚さで形
成されているために、この切断が元来研磨剤を外
部から切断油とともに供給する遊離砥粒方式であ
ることと合まつて、切断速度が非常に遅く、ま
た、切断時に切断油と研磨剤を円滑に供給するこ
とが困難なので、切断刃が非常に高い切断抵抗を
受けるようになるほか、切断油による切断刃表面
の冷却効果が低く、さらに切断中、切り粉が円滑
に除去されない上に、ストローク毎の研磨剤の交
換が十分に行なわれないために、切断抵抗が大き
くなり、それによつて切断に要する動力が増大す
るともに、切断時間が長くなり、この結果切断刃
の使用寿命が短かくなるほか、切り代の増加およ
びチツピング発生の増大をもたらすようになるほ
どの問題点の発生を避けることができない。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような従来半導
体単結晶切断用帯状極薄刃のもつ問題点を解決す
べく研究を行なつた結果、超急冷凝固により非晶
質化されたNi基合金薄帯からなる刃本体の切断
関与領域面に形成されるダイヤモンド粒子分散
Niメツキ層を、例えば直径：0.1〜0.2mm、高さ：
５〜15μｍの微小突起が、例えば0.05〜0.1mmの間
隔で分布した斑点状降連続メツキ層として、前記
Ni基合金薄帯の表面を網状に露出せしめた構造
にすると、この網状露出部分によつて、切断油と
研磨剤の供給、これらと切り粉の除去が円滑に行
なわれるようになるので、切断刃の切断抵抗およ
び切断に要する動力が低減するばかりでなく、切
断刃の冷却効果も向上し、さらに切断ストローク
毎の研磨剤の交換も十分に行なわれることから、
高速切断が可能となるばかりでなく、切り代が小
さく、かつチツピングの発生が抑制され、高い歩
留りで、能率よく、かつ長い使用寿命での棒状半
導体単結晶のスライス切断ができようになるとい
う知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、超急冷凝固により非晶質化された
Ni基合金薄帯からなる刃本体の少なくとも切断
関与領域面に、ダイヤモンド粒子がNi素地中に
分散含有する組織を有するメツキ層を形成してな
る帯状極薄刃において、 上記切断関与領域面全体、あるいは刃先縁部を
除いた切断関与領域面における上記ダイヤモンド
粒子分散Niメツキ層を斑点状不連続メツキ層と
して、上記Ni基合金薄帯の表面を鋼状に露出せ
しめた構造を有する半導体単結晶切断用帯状極薄
刃に特徴を有するものである。 また、この発明の半導体単結晶切断用帯状極薄
刃が第１図ａおよびｂに概略縦断面図で示されて
いるが、この帯状極薄刃７，７′は、 (a) まず、刃本体となるNi基合金、望ましくは、 SiおよびＢのうちの１種または２種；１〜10
％、 Ｖ、Ti、およびNbのうちの１種または２種
以上：１〜５％、 を含み、残りがNiと不可避不純物からなる組
成（以上重量％、以下％は重量％を示す）を有
するNi基合金を用意し、 (b) このNi基合金を、第２図に要部斜視図で示
されるように、誘導加熱コイル２を備え、かつ
底部にスリツト付きノズル３が形成された石英
製ルツボ１内で、例えば0.5〜１気圧程度のAr
またはHeガス雰囲気中、溶融温度以上に加熱
し、 (C) ついで、ルツボ１内のNi基合金溶湯を、図
示されない加圧手段で0.01〜１Kg／cm2の圧力に
加圧された、例えばArまたはHeなどの不活性
ガスにて、前記ノズルから、これに近接した下
方位置において、例えば５〜30ｍ／secの周速
度で高速回転する銅製冷却ロール４の表面に向
つて排出させ、ロール４上で超急冷凝固させて
非晶質化した平均厚さ：15〜80μｍの薄帯５を
形成し、 (d) この薄帯から所定形状の刃本体を切り出し、
その切断関与領域面、あるいは刃先縁部を除い
た切断関与領域面に、例えば細かい目の網目模
様を絶縁性の樹脂塗料を用いてスクリーン印刷
するパターンマスキングを施し、 (e) 上記のマスキングを施した状態で、平均粒
径：２〜20μｍを優するダイヤモンド粉末を分
散含有させたNiメツキ液中に浸して電気メツ
キを行ない、マスキングの微細網目に、望まし
くは５〜65容量％の割合でダイヤモンド粒子を
分散含有したNiメツキ層を形成し、 (f) 最終的に、上記マスキングが剥がして、上記
Ni基合金薄帯の表面を網状に露出せしめると
共に、第１図ａおよびｂに刃先部が概略縦断面
図で示されるように、超急冷凝固により非晶質
化された平均厚さ：15〜80μｍのNi基合金薄帯
５からなる刃本体の刃先縁部を除いた切断関与
領域面（第１図ａの場合）、あるいは切断関与
領域面全体（第１図ｂの場合）に、Ni素地６
ｂ中に平均粒径：２〜20μｍのダイヤモンド粒
子６ａが５〜65容量％の割合で分散含有し、か
つ例えば直径：0.1〜0.2mm×高さ：５〜15μｍ
の寸法をもつた微小突起６が、例えば0.05〜
0.1mmの間隔で分布した斑点状の不連続メツキ
層を形成することにより製造することができ
る。 〔実施例〕 つぎに、この発明の帯状極薄刃を実施例により
具体例に説明する。 第２図に示される超急冷による非晶質Ni基合
金帯の製造装置を用い、圧力：0.8気圧のArガス
雰囲気中、石英製ルツボ１内で、それぞれ第１表
に示される成分組成をもつたNi基合金溶湯を、
誘導加熱コイル２により調製し、このルツボ
く、かつ小さい切り代で、歩留りよく半導体単結
晶をスライス切断することができる帯状極薄刃に
関するものである。 〔従来の技術〕 一般に、シリコンやガリウムひ素、さらにイン
ジウム燐などの各種の棒状半導体単結晶を、マル
チバンドソー（おさのこ盤）などを用いて板状に
スライス切断することが行なわれており、これに
用いられる切断刃としては、例えば特開昭59−
158216号公報に記載されるような、超急冷凝固に
より非晶質化されたNi基合金薄帯からなる刃本
体の少なくとも切断関与領域面に、ダイヤモンド
粒子がNi素地中に分散含有する組織を有するメ
ツキ層を全面形成してなる帯状極薄刃が知られて
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、上記の従来帯状極薄刃を用いた場合、
メツキ層が切断関与領域面全体に均一な厚さで形
成されているために、この切断が元来研磨剤を外
部から切断油とともに供給する遊離砥粒方式であ
ることと合まつて、切断速度が非常に遅く、ま
た、切断時に切断油と研磨剤を円滑に供給するこ
とが困難なので、切断刃が非常に高い切断抵抗を
受けるようになるほか、切断油による切断刃表面
の冷却効果が低く、さらに切断中、切り粉が円滑
に除去されない上に、ストローク毎の研磨剤の交
換が十分に行なわれないために、切断抵抗が大き
くなり、それによつて切断に要する動力が増大す
るともに、切断時間が長くなり、この結果切断刃
の使用寿命が短かくなるほか、切り代の増加およ
びチツピング発生の増大をもたらすようになるほ
どの問題点の発生を避けることができない。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような従来半導
体単結晶切断用帯状極薄刃のもつ問題点を解決す
べく研究を行なつた結果、超急冷凝固により非晶
質化されたNi基合金薄帯からなる刃本体の切断
関与領域面に形成されるダイヤモンド粒子分散
Niメツキ層を、例えば直径：0.1〜0.2mm、高さ：
５〜15μｍの微小突起が、例えば0.05〜0.1mmの間
隔で分布した斑点状降連続メツキ層として、前記
Ni基合金薄帯の表面を網状に露出せしめた構造
にすると、この網状露出部分によつて、切断油と
研磨剤の供給、これらと切り粉の除去が円滑に行
なわれるようになるので、切断刃の切断抵抗およ
び切断に要する動力が低減するばかりでなく、切
断刃の冷却効果も向上し、さらに切断ストローク
毎の研磨剤の交換も十分に行なわれることから、
高速切断が可能となるばかりでなく、切り代が小
さく、かつチツピングの発生が抑制され、高い歩
留りで、能率よく、かつ長い使用寿命での棒状半
導体単結晶のスライス切断ができようになるとい
う知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、超急冷凝固により非晶質化された
Ni基合金薄帯からなる刃本体の少なくとも切断
関与領域面に、ダイヤモンド粒子がNi素地中に
分散含有する組織を有するメツキ層を形成してな
る帯状極薄刃において、 上記切断関与領域面全体、あるいは刃先縁部を
除いた切断関与領域面における上記ダイヤモンド
粒子分散Niメツキ層を斑点状不連続メツキ層と
して、上記Ni基合金薄帯の表面を鋼状に露出せ
しめた構造を有する半導体単結晶切断用帯状極薄
刃に特徴を有するものである。 また、この発明の半導体単結晶切断用帯状極薄
刃が第１図ａおよびｂに概略縦断面図で示されて
いるが、この帯状極薄刃７，７′は、 (a) まず、刃本体となるNi基合金、望ましくは、 SiおよびＢのうちの１種または２種；１〜10
％、 Ｖ、Ti、およびNbのうちの１種または２種
以上：１〜５％、 を含み、残りがNiと不可避不純物からなる組
成（以上重量％、以下％は重量％を示す）を有
するNi基合金を用意し、 (b) このNi基合金を、第２図に要部斜視図で示
されるように、誘導加熱コイル２を備え、かつ
底部にスリツト付きノズル３が形成された石英
製ルツボ１内で、例えば0.5〜１気圧程度のAr
またはHeガス雰囲気中、溶融温度以上に加熱
し、 (C) ついで、ルツボ１内のNi基合金溶湯を、図
示されない加圧手段で0.01〜１Kg／cm2の圧力に
加圧された、例えばArまたはHeなどの不活性
ガスにて、前記ノズルから、これに近接した下
方位置において、例えば５〜30ｍ／secの周速
度で高速回転する銅製冷却ロール４の表面に向
つて排出させ、ロール４上で超急冷凝固させて
非晶質化した平均厚さ：15〜80μｍの薄帯５を
形成し、 (d) この薄帯から所定形状の刃本体を切り出し、
その切断関与領域面、あるいは刃先縁部を除い
た切断関与領域面に、例えば細かい目の網目模
様を絶縁性の樹脂塗料を用いてスクリーン印刷
するパターンマスキングを施し、 (e) 上記のマスキングを施した状態で、平均粒
径：２〜20μｍを優するダイヤモンド粉末を分
散含有させたNiメツキ液中に浸して電気メツ
キを行ない、マスキングの微細網目に、望まし
くは５〜65容量％の割合でダイヤモンド粒子を
分散含有したNiメツキ層を形成し、 (f) 最終的に、上記マスキングが剥がして、上記
Ni基合金薄帯の表面を網状に露出せしめると
共に、第１図ａおよびｂに刃先部が概略縦断面
図で示されるように、超急冷凝固により非晶質
化された平均厚さ：15〜80μｍのNi基合金薄帯
５からなる刃本体の刃先縁部を除いた切断関与
領域面（第１図ａの場合）、あるいは切断関与
領域面全体（第１図ｂの場合）に、Ni素地６
ｂ中に平均粒径：２〜20μｍのダイヤモンド粒
子６ａが５〜65容量％の割合で分散含有し、か
つ例えば直径：0.1〜0.2mm×高さ：５〜15μｍ
の寸法をもつた微小突起６が、例えば0.05〜
0.1mmの間隔で分布した斑点状の不連続メツキ
層を形成することにより製造することができ
る。 〔実施例〕 つぎに、この発明の帯状極薄刃を実施例により
具体例に説明する。 第２図に示される超急冷による非晶質Ni基合
金帯の製造装置を用い、圧力：0.8気圧のArガス
雰囲気中、石英製ルツボ１内で、それぞれ第１表
に示される成分組成をもつたNi基合金溶湯を、
誘導加熱コイル２により調製し、このルツボ
【表】
１内のNi基合金溶湯を、その表面を圧力：0.1〜
0.6Kg／cm2のArガスで圧下して、スリツト寸法が
0.3mm×８mmの同じく石英製ノズル３から、18〜
３ｍ／secの周速度で回転する銅製冷却ロール４
を排出して、これを超急冷凝固させ、非晶質化す
ることにより、第１表に示される各種の平均厚さ
（幅はいずれもノズル幅と同じ８mm）を有する薄
帯５を製造し、ついでこの薄帯から長さ：400mm
×幅：５mmの寸法をもつた刃本体を切り出し、こ
の刃本体の切断関与領域面全体（第１図ｂの場
合）、あるいは刃先縁部を除いた切断関与領域面
（第１図ａの場合）に、直径：0.1〜0.2mmの小孔
が0.05〜0.1mmの間隔で密集した模様のパターン
マスキングを絶縁性樹脂塗料を用いてスクリーン
印刷し、引続いて、順次、電解脱脂、水洗、電解
溶出、電解還元、水洗、Niストライクメツキ、
および水洗の各処理を施した後、 NiSO4・6H2O：300ｇ／、 NiCl2・6H2O：40ｇ／、 H3BO3：40ｇ／、 光沢剤：微量、 ピツト防止剤：微量、 ダイヤモンド粉末の平均粒径：２〜5μｍ、 ダイヤモンド粉末の含有割合：100〜200ｇ／、 PH：４、 のメツキ液を用い、これを攪拌しながら、 メツキ浴温度：45℃、 陽極電流密度：1A／ｄm2、 メツキ時間：25〜70分、 の条件でダイヤモンド粒子分散Niメキを施し、
マスキング剤を剥離することにより、上記Ni基
合金薄帯の表面を網状に露出せしめ、かつ同じく
第１表および第１図に示される通り、直径：0.1
〜0.2mm、高さ：５〜15μｍの寸法を有し、かつ
Ni素地６ｂ中にダイヤモンド粒子６ａが分散含
有した組織を有する微小突起６が0.05〜0.1mmの
間隔で分布した斑点状不連続メツキ層が、Ni基
合金薄帯５からなる刃本体の切断関与領域面に形
成された本発明帯状極薄刃７，７′１〜６をそれ
ぞれ製造した。 また、比較の目的で、上記のパターンマスキン
グを行なわない以外は同一の条件で、Ni素地中
にダイヤモンド粒子が分散含有した組織を有する
連続メツキ層が、Ni基合金薄帯５からなる刃本
体の切断関与領域面全面に一様に形成された従来
帯状極薄刃１、２を製造した。 なお、この結果得られた本発明帯状極薄刃１〜
６および従来帯状極薄刃１，２におけるNi基合
金薄帯の非晶質化はＸ線回折により確認した。 ついで、これらの各種の帯状極薄刃を、100枚
を１セツトにして１mm間隔でマルチバンドソーの
枠に、両端部の付加張力を100Kg／mm2として取付
け、ストロークの長さ：170mm、ストローク数：
80往復／分の条件で、15の切削油に研磨剤とし
て平均粒径：10μｍのSiC粉末を５Kgの割合で配
合したものを供給しながら、直径：150mm×長
さ：300mmの円柱状シリコン単結晶インゴツトを
スライス切断し、１回の切断に要した時間と平均
切り代、さらに切断後の全ウエハーに発生したチ
ツピング（欠け）の全数を測定した。これらの測
定結果を第１表に示した。 〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明帯状極薄刃
１〜６は、いずれも不連続メツキ層を構成する微
小突起相互間に形成された細かい網状薄帯表面露
出部分を通して、切断油および研磨剤の供給、切
断ストローク毎の研磨剤の交換、さらに切り粉の
除去が円滑に行なわれるようになるので、切断刃
の切断抵抗および切断に要する動力が低減するば
かりでなく、切断刃の冷却効果も向上するように
なることから、短かい切断時間で、しかも小さい
切り代で、ウエハーにチツピング発生が抑制され
た状態でスライス切断することができるのに対し
て、従来帯状極薄刃１、２では、これとは反対に
切断油および研磨剤の流通、さらに切り粉の除去
が円滑に行なわれないので、切断刃が非常に高い
切断抵抗を受けるようになるほか、切断油による
切断刃表面の冷却効果もあまり期待することがで
きないことから、切断に要する動力が増大すると
ともに、切断時間が長くなり、さらに切り代およ
びチツピング発生の増加を避けることができない
ことが明らかである。 上述のように、この発明の帯状極薄刃によれ
ば、速い切断速度、すなわち短かい切断時間で、
切り代が小さく、かつチツピング発生も少ない状
態で、半導体単結晶を切断することができ、これ
によつて使用寿命の延命化および歩留向上が可能
になるなど工業上有用な効果がもたらされるので
ある。
0.6Kg／cm2のArガスで圧下して、スリツト寸法が
0.3mm×８mmの同じく石英製ノズル３から、18〜
３ｍ／secの周速度で回転する銅製冷却ロール４
を排出して、これを超急冷凝固させ、非晶質化す
ることにより、第１表に示される各種の平均厚さ
（幅はいずれもノズル幅と同じ８mm）を有する薄
帯５を製造し、ついでこの薄帯から長さ：400mm
×幅：５mmの寸法をもつた刃本体を切り出し、こ
の刃本体の切断関与領域面全体（第１図ｂの場
合）、あるいは刃先縁部を除いた切断関与領域面
（第１図ａの場合）に、直径：0.1〜0.2mmの小孔
が0.05〜0.1mmの間隔で密集した模様のパターン
マスキングを絶縁性樹脂塗料を用いてスクリーン
印刷し、引続いて、順次、電解脱脂、水洗、電解
溶出、電解還元、水洗、Niストライクメツキ、
および水洗の各処理を施した後、 NiSO4・6H2O：300ｇ／、 NiCl2・6H2O：40ｇ／、 H3BO3：40ｇ／、 光沢剤：微量、 ピツト防止剤：微量、 ダイヤモンド粉末の平均粒径：２〜5μｍ、 ダイヤモンド粉末の含有割合：100〜200ｇ／、 PH：４、 のメツキ液を用い、これを攪拌しながら、 メツキ浴温度：45℃、 陽極電流密度：1A／ｄm2、 メツキ時間：25〜70分、 の条件でダイヤモンド粒子分散Niメキを施し、
マスキング剤を剥離することにより、上記Ni基
合金薄帯の表面を網状に露出せしめ、かつ同じく
第１表および第１図に示される通り、直径：0.1
〜0.2mm、高さ：５〜15μｍの寸法を有し、かつ
Ni素地６ｂ中にダイヤモンド粒子６ａが分散含
有した組織を有する微小突起６が0.05〜0.1mmの
間隔で分布した斑点状不連続メツキ層が、Ni基
合金薄帯５からなる刃本体の切断関与領域面に形
成された本発明帯状極薄刃７，７′１〜６をそれ
ぞれ製造した。 また、比較の目的で、上記のパターンマスキン
グを行なわない以外は同一の条件で、Ni素地中
にダイヤモンド粒子が分散含有した組織を有する
連続メツキ層が、Ni基合金薄帯５からなる刃本
体の切断関与領域面全面に一様に形成された従来
帯状極薄刃１、２を製造した。 なお、この結果得られた本発明帯状極薄刃１〜
６および従来帯状極薄刃１，２におけるNi基合
金薄帯の非晶質化はＸ線回折により確認した。 ついで、これらの各種の帯状極薄刃を、100枚
を１セツトにして１mm間隔でマルチバンドソーの
枠に、両端部の付加張力を100Kg／mm2として取付
け、ストロークの長さ：170mm、ストローク数：
80往復／分の条件で、15の切削油に研磨剤とし
て平均粒径：10μｍのSiC粉末を５Kgの割合で配
合したものを供給しながら、直径：150mm×長
さ：300mmの円柱状シリコン単結晶インゴツトを
スライス切断し、１回の切断に要した時間と平均
切り代、さらに切断後の全ウエハーに発生したチ
ツピング（欠け）の全数を測定した。これらの測
定結果を第１表に示した。 〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明帯状極薄刃
１〜６は、いずれも不連続メツキ層を構成する微
小突起相互間に形成された細かい網状薄帯表面露
出部分を通して、切断油および研磨剤の供給、切
断ストローク毎の研磨剤の交換、さらに切り粉の
除去が円滑に行なわれるようになるので、切断刃
の切断抵抗および切断に要する動力が低減するば
かりでなく、切断刃の冷却効果も向上するように
なることから、短かい切断時間で、しかも小さい
切り代で、ウエハーにチツピング発生が抑制され
た状態でスライス切断することができるのに対し
て、従来帯状極薄刃１、２では、これとは反対に
切断油および研磨剤の流通、さらに切り粉の除去
が円滑に行なわれないので、切断刃が非常に高い
切断抵抗を受けるようになるほか、切断油による
切断刃表面の冷却効果もあまり期待することがで
きないことから、切断に要する動力が増大すると
ともに、切断時間が長くなり、さらに切り代およ
びチツピング発生の増加を避けることができない
ことが明らかである。 上述のように、この発明の帯状極薄刃によれ
ば、速い切断速度、すなわち短かい切断時間で、
切り代が小さく、かつチツピング発生も少ない状
態で、半導体単結晶を切断することができ、これ
によつて使用寿命の延命化および歩留向上が可能
になるなど工業上有用な効果がもたらされるので
ある。
第１図ａおよびｂは、この発明の帯状極薄刃の
刃先部を示す概略縦断面図、第２図は非晶質Ni
基合金薄帯の製造装置を示す要部斜視図である。 １……ルツボ、２……誘導加熱コイル、３……
ノズル、４……冷却ロール、５……非晶質Ni基
合金薄帯、６……微小突起、６ａ……ダイヤモン
ド粒子、６ｂ……Ni素地、７，７′……この発明
の帯状極薄刃。
刃先部を示す概略縦断面図、第２図は非晶質Ni
基合金薄帯の製造装置を示す要部斜視図である。 １……ルツボ、２……誘導加熱コイル、３……
ノズル、４……冷却ロール、５……非晶質Ni基
合金薄帯、６……微小突起、６ａ……ダイヤモン
ド粒子、６ｂ……Ni素地、７，７′……この発明
の帯状極薄刃。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 超急冷凝固により非晶質化されたNi基合金
薄帯からなる刃本体の少なくとも切断関与領域面
に、ダイヤモンド粒子がNi素地中に分散含有す
る組織を有するメツキ層を形成してなる帯状極薄
刃において、 上記切断関与領域面全体、あるいは刃先縁部を
除いた切断関与領域面における上記ダイヤモンド
粒子分散Niメツキ層を斑点状不連続メツキ層と
して、上記Ni基合金薄帯の表面を網状に露出せ
しめた構造を有することを特徴とする半導体単結
晶切断用帯状極薄刃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21763285A JPS6279912A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体単結晶切断用帯状極薄刃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21763285A JPS6279912A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体単結晶切断用帯状極薄刃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279912A JPS6279912A (ja) | 1987-04-13 |
| JPH0473365B2 true JPH0473365B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=16707309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21763285A Granted JPS6279912A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体単結晶切断用帯状極薄刃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279912A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4538137B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2010-09-08 | 株式会社アトック | カッターブレード及び自在切削機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845872A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-17 | Goei Seisakusho:Kk | ダイヤモンド研摩工具の製造方法 |
| JPS59158216A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-09-07 | シ−メンス・アクチエンゲセルシヤフト | 半導体材料切断装置 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21763285A patent/JPS6279912A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845872A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-17 | Goei Seisakusho:Kk | ダイヤモンド研摩工具の製造方法 |
| JPS59158216A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-09-07 | シ−メンス・アクチエンゲセルシヤフト | 半導体材料切断装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6279912A (ja) | 1987-04-13 |
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