JPH0471340B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電子部品の製造技術に関し、特に樹
脂封止されてなる半導体装置の製造に利用して有
効な技術に関する。

〔背景技術〕

半導体の外形寸法について定めてある規格とし
て、Mechanical standardization of
semiconductor devicees（規定元：
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL
COMMISSION，1976年発行）がある。

その規格の中に、リード間ピツチが規定されて
いる。

そこで本発明者は、規定に沿つて製造されたリ
ードフレームを用い半導体装置の製造を行なつた
ところ以下に示すような問題があることを見い出
した。

すなわち、第１２図に示されるように、半導体
装置１のパツケージ２から突出するリード３のタ
イバー連結部４（図中斜線で示されている部分）
に、切れ込み５が生じ、外観不良を生じるという
問題である。

また、第１３図に示されるように、基板１６に
設けられたソケツト７に対して半導体装置１のリ
ード３がうまく合わず、基板に実装しにくい、あ
るいは実装できない（以下実装不良とする）等と
いうことも見い出された。

本発明者が上述した問題について種々検討した
ところ、以下に示すようなことを明らかにした。

素子（ペレツト）を載置し、そのペレツトの端
子とリードを結線したリードフレームの、封止す
べき部分（以下主要部とする）を、樹脂（以下レ
ジンとする）により封止（以下モールドとする）
する。その後、レジン及びリードフレームが、常
温まで冷やされていく過程において、レジンの収
縮に伴なつて、リードがパツケージ中心方向に変
形される。すると、リード間ピツチが縮んだ状態
になり、規格値通りに製造されたリードフレーム
の、切断すべき部分を切断するように設定された
切断型を用いて切断すると、第１２図に示される
リード３のタイバー連結部４に切れ込み５を生じ
てしまうということが明らかにされた。

上述したリード間ピツチの縮みについて以下に
詳細に説明する。

レジンの熱収縮率とリードフレームの熱収縮率
を比較すると、レジンの熱収縮率は、リードフレ
ームの熱収縮率の数倍程度になつている。それゆ
え、モールド後、レジンとリードフレームが常温
まで冷える際、レジンの収縮量がリードフレーム
の収縮量よりも数倍程度大きく、レジンは、レジ
ン中に介在するリードをパツケージ中心方向へ変
形させようとしながら収縮する。そして、レジン
の絶対的な収縮量は、パツケージ長手方向が大き
いので、パツケージ側面からパツケージ長手方向
に対して直交する方向に突出するリードは、パツ
ケージ長手方向に、大きく変形される。すると、
リード間ピツチが縮んだ状態となる。

また、第１２図ないし第１３図において、パツ
ケージ２の長手方向中心から、大きく離れた位置
にあるリード３ほど、そのタイパー連結部４への
切込み５が大きくなつているが、これは、レジン
収縮がパツケージ２中心方向へ行なわれるため、
パツケージ２中心から大きく離れた位置にあるリ
ード３は、レジンの累積された収縮量によつて、
パツケージ２中心付近のリード３に比べ大きく変
形され、タイパー連結部４の切込５が大きくなる
ものである。

それゆえ、各リード間ピツチの縮み自体は小さ
いものの、その縮みが累積される部分、つまりパ
ツケージ中心から大きく離れた位置にあるリード
ほど、規定の位置よりも大きくずれてしまう。

そして、上述したようにリード間ピツチが縮ん
だ場合には、タイバー連結部の、パツケージ長手
方向中心側（内側）のみに切れ込みが生じるとい
う特徴がある。

しかしながら、切断時の精度によつては、リー
ド間ピツチが縮んだものであつても、常にタイバ
ー連結部の、パツケージ長手方向中心側のみに切
れ込みが生ずるとは、かぎらない。

ところで、本発明者による種々の実験から、リ
ードの本数が40本程度のものから、前述した問題
が顕著にあらわれるということもあきらかにさ
れ、つまり、パツケージ寸法が大きくなる程、問
題も大きくなることがわかつた。

また、第１３図に示されるように、リード間ピ
ツチが縮んだ半導体装置１を、基板６に設けられ
たソケツト７に挿入しようとしても、ソケツト７
は、規格で規定されているリード間ピツチｅのと
おりの間隔で配置されているため、規格値よりも
リード間ピツチが縮んだリードを有するものは、
ソケツト７に挿入しにくくなつたり、実装不良と
なつてしまう。この場合にも、パツケージ寸法が
大きくなる程実装不良が多くなる。

ここで、リードフレーム切断の際の、リードへ
の切込みを低減させるため、切断型の切断刃を、
予めリードの変形を考慮して設けることが考えら
れるが、リードのタイバー連結部への切込みは低
減できるものの、実装不良の低減をも計り得るこ
とは困難である。

また、本発明者は、パツケージ側面から四辺に
リードが突出するフラツトパツケージタイプの
IC（以下FPタイプICとする）についても、ヨール
ド後のレジン収縮によつてリード間ピツチが縮
み、以下に示すような問題があることを見い出し
た。

すなわち、実装時に、実装すべく基板に実装し
にくい、あるいは実装できない等ということであ
る。これは、FPタイプICのリードに対応し、FP
タイプICを載置するために基板に設けられた配
線パターンと、モールド後のレジン収縮によつて
リード間ピツチが縮んだFPタイプICのリードと
がうまく合わないためである。

そこで本発明者は、規格に適う半導体装置を得
ることが、リードのタイパー連結部への切込み
や、実装不良を低減できるものと考え、種々検討
を行なつた結果本発明にいたつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、規格に適つた半導体装置を得
ることにある。

本発明の他の目的は、リードのタイバー連結部
に切込みが生ずることのない、半導体製造技術を
提供することにある。

本発明の他の目的は、実装不良を低減でき得る
半導体製造技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。

すなわち、規格値のとおりのリード間ピツチ
に、レジンの収縮によるリード間ピツチの縮み分
をプラスしたリードフレームを作成し、そのリー
ドフレームを用いて半導体装置を製造することに
より、レジンの収縮によつてリード間ピツチが縮
んでも、予めプラスして設けられた縮み分が縮む
ことになるため、規格に適つた半導体装置が得ら
れるものである。

実施例 １ 本発明者は、前述した問題が生じた半導体装置
の、トータル的なリードの縮みを各リードについ
て測定し、その縮み量を予めリード間ピツチにプ
ラスしておき、そのリードフレームを用いて半導
体装置を製造しようと考えた。

そこで、リードフレームの、リード間ピツチ
を、規格値である2.54に対して、2.545にするこ
とを考えたが、リードフレームの製造における加
工精度上、リード間ピツチを2.545にすることは
難しいことを知り、第１図に示されるようなリー
ドフレームを考えた。

第１図は、本発明の一実施例であるリードフレ
ームの一部を示す平面図である。

第２図は、第１図におけるリードフレームのＡ
部拡大図である。

第３図は、モールド機構を示す概略断面図であ
る。

第４図は、モールド後のリードフレームを示す
平面図である。

第５図は、切断型を示す概略断面図である。

第６図は、リード連結部切断後の半導体装置を
示す平面図である。

第７図および第８図は、本発明の一実施例によ
つて得られた半導体装置のリードの、タイバー連
結部を示す拡大図である。

第９図は、本発明の一実施例によつて得られた
半導体装置を、実装した状態を示す側面図であ
る。

第１図において、８はリードフレームを示す。
９は、互いに平行する外枠フレームである。１０
は、タブであり、前記外枠フレーム９の間に、外
枠フレーム９の長手方向に対して複数個等間隔に
配置され、素子（以下ペレツトとする）を載置す
るためのものである。１１は、タブ吊りリードで
あり、前記外枠フレーム９に連結され、前記タブ
１０を支持し得るものである。１２は、リードで
あり、複数本配置され、一端は、前記タブ１０に
近接し、他端は前記外枠フレーム９長手方向とほ
ぼ平行する。前記リード１２の他端は、規格によ
つて定められているリード間ピツチ寸法2.54mm
（e₁）と、その寸法よりも大きなリード間ピツチ
寸法2.55mm（e₂）を交互にとつたかたちで配置さ
れている。１３は、第１のタイバーであり、モー
ルド時に、不所望な部分へのレジン流出を防ぎ、
後述するパツケージの形状を所望通りに得るため
のものである。１４は、タイバー連結部である。
１５は、第２のタイバーであり前記リード１２
の、前記タブ１０に近接する一端とは異なる他端
に連結され、前記リード１２の前記他端を保護し
得るものである。

第２図は、第１図におけるリードフレーム８の
Ａ部拡大で、リード１２が、e₁またはe₂のリード
間ピツチをもつて交互に配置されていることがわ
かる。

第３図において、１６は、モールド型を示す。
１７は、上型であり、後述する下型とで、モール
ド型１６を構成する。上型１７には、半導体装置
のパツケージの上半分を形成するための凹部１８
が複数個設けられている。上型１７は、図示しな
い機構により上下動でき得るようになつている。
上型１７の中央付近には、後述するタブレツトを
挿入するための円形の開口１９が設けられてい
る。２０は、下型であり、前記上型１７とで、モ
ールド型１６を構成する。下型２０には、半導体
装置のパツケージの下半分を形成するための凹部
２１が、前記上型１７の凹部１８に対応して設け
られている。下型２０は、タブにペレツト２２を
接着しかつペレツト２２の端子（図示せず）とリ
ードとを導電性ワイヤ２３で結線した状態のリー
ドフレーム８を複数連載置でき得るようになつて
いる。

なお、前記上型１７と前記下型２０とが合わせ
れ、凹部１８と凹部２１によつて形成された空間
を、キヤビテイ２４とする。

２５は、ランナーであり、後述するレジンを、
前記キヤビテイ２４内に導入するためのものであ
る。２６は、タブレツトであり、レジンを錠剤状
に成形したものである。２７は、プランジヤーで
あり、前記タブレツト２６を、前記上型１７の開
口１９を介して、前記モールド型１６内に加圧挿
入するためのものである。

第４図において２８は、パツケージである。

第５図において、２９は、切断型を示す。３０
は、切断型の上型であり、リードフレーム８の、
切断すべき部分、すなわち、外枠フレーム、第１
のタイバー１３、第２のタイバー１５（以下総称
してリード連結部とする）を切断するための切断
刃３１が、上型３０内を上下動自在に設けられて
いる。３２は、パツケージ２８の上半分に対応し
て設けられた凹部であり、パツケージ２８の上半
分を収納でき得るようになつている。３３は、切
断型の下型であり、前記上型３０の切断刃３１に
対応した複数の開口３４が設けられている。３５
は、パツケージ２８の下半分に対応して設けられ
た凹部であり、パツケージ２８の下半分を収納で
き得るようになつている。

なお、切断刃３１は、規格値のとおりのリード
フレームを切断するようなつている。

第６図において、３６は、半導体装置を示す。
３７は、タイバー連結部を示す。

第９図において、３８は基板である。３９は、
ソケツトであり、規格通りのピツチで、基板３８
に設けられている。

以下、本発明の一実施例である半導体装置の製
造技術について説明する。

第１図に示される、リードフレーム８は、リー
ド間ピツチとして、規格値である2.54mm（e₁）
と、規格値よりも大きい2.55mm（e₂）とを交互に
とつている。

これは、個々のリード間でみると、レジン収縮
によるリード間ピツチの縮みは小さく、その縮み
をほとんど無視でき得るほどであるが、個々のリ
ード間ピツチの縮みが累積されることによる影響
が大きく、それゆえ前述したリードフレームの、
縮みを見込んだリード間ピツチのプラス分のトー
タルが、個々のリード間ピツチの縮み量のトータ
ルと近似していれば、リード間ピツチが縮んでも
規格に適つた半導体装置が得られ、本発明の目的
を達成でき得るという考えに基づくものである。

先ず、リードフレーム８の、タブ１０にAu−
Si共晶合金法や、Agペースト等を用い、ペレツ
ト（図示せず）が接着される。次いで、前記ペレ
ツトの端子と、リードフレーム８のリード１２
が、Au線等の導電性ワイヤ（図示せず）により
結線され、ペレツトとリード１２との導通がとら
れる。その後第３図に示されるように、予め百数
十度程度に加熱されたモールド型１６の下型２０
所定位置に、リードフレーム８が、複数連載置さ
れる。このとき、リードフレーム８の外枠フレー
ム９に設けられた位置決め用穴（図示せず）が前
記下型２０に設けられた位置決め用ピン（図示せ
ず）に合わされ、前記リードフレーム８は、前記
下型２０所定位置に載置される。上型１７が、下
型２０に合わされると、百度程度に予熱されたタ
ブレツト２６が、プランジヤ２７により、上型１
７の開口１９内に挿入される。すると、タブレツ
ト２６が加熱溶融し、レジンがランナー２５を通
つて、キヤビテイ２４内に注入され、レジンが硬
化する。

予め、リードフレームのリード間ピツチに縮み
代をプラスしてあり、その縮み代のトータルと、
レジン収縮に伴なうリード間ピツチの実際の縮み
のトータルが近似していることにより、レジン硬
化によつてレジンが収縮しても、リード間ピツチ
の縮みが累積されることを低減して、リード間ピ
ツチが規格に適つたものが得られる。

モールド後のリードフレーム（第４図に示す）
は、第５図に示される切断型２９によつて、リー
ド連結部を切断される。リードフレーム８は、そ
の外枠フレーム、第１のタイバー、第２のタイバ
ーが、下型３３の開口３４にそれぞれ対応され、
下型３３に載置される。上型３０が下動し、リー
ドフレーム８のリード１２を、下型３３との間に
おさえ、その後切断刃３１が下動し、リードフレ
ーム８のリード連結部、つまり、外枠フレーム、
第１のタイバー、第２のタイバーが切断される。
すると、リード間ピツチは、規格に適うようにな
つているので、規格のとおりのリードフレームの
リード連結部を切断するように設定された切断型
の切断により、第６図に示される半導体装置３６
が得られる。つまり、タイバー連結部３７に切れ
込みが生ずることを低減された半導体装置３６が
得られる。

タイバー連結部を拡大したものが、第７図、第
８図に示されているが、前述したリード連結部を
切断する際、切断型２９の切断刃３１の精度、あ
るいは、下型３３へのリードフレーム８載置の際
の精度が、高ければ、第７図にその一部を示すよ
うに、タイバー連結部３７の布が、すべてのリー
ド１２にわたつて、それぞれのリード巾中心に対
して左右にほぼ均一となる。

しかしながら、前記下型３３へのリードフレー
ム８載置の際の精度が低い場合、第８図に、その
一部を示すように、タイバー連結部３７の巾とし
ては、リード巾中心に対して左右いずれか一方が
大きくなり、これは、パツケージ同一面から突出
するリードについて、すべて一定方向が大きくな
る。

つまり、リード間ピツチに、縮みが考慮されて
いるリードフレームを用いて半導体装置を製造し
た場合、すべてのリードのタイバー連結部の巾
が、リード巾中心に対して左右にほぼ均一である
か、パツケージ同一面から突出するリードのタイ
バー連結部の巾が、リード巾中心に対してすべて
左右いずれか一定方向に大きくなるという特徴が
ある。

なお、リードの本数が少ないもの、例えば14
本、16本等の場合にも、上述したタイバー連結部
と同様なタイバー連結部を有するが、これは、リ
ード間ピツチの縮みの累積が、40本程度のリード
のものより少ないためで、リード間ピツチはそれ
ほど大きく変わらないからである。

第９図は、規格値のとおりピツチ（2.54mm）で
配置されたソケツトに、本発明の一実施例によつ
て得られた半導体装置を実装した状態を示してい
るが、半導体装置３６は、規格に適つたリード間
ピツチを有するのでソケツト３９への半導体装置
の実装性は、良好である。

なお、リード連結部切断の際のリードフレーム
の位置ずれがない限り、リード連結部への切込み
は、低減されるので、外観不良の低減につなが
る。

本実施例では、そのリード間ピツチを、規格値
のもの（2.54mm、以下e₁とする）と、規格値より
も大きいもの（2.55mm、以下e₂とする）を交互に
配置したかたちになつているが、リードフレーム
製造の精度が向上すれば、全てのリード間ピツチ
を2.545mmとしても良い。

また、パツケージ中心付近のリードのリード間
ピツチを、e₁とし、パツケージ中心から離れた位
置にあるもののリード間ピツチを、e₂とすること
もできる。

リード間ピツチを、e₁とe₂の組合せに限らず、
2.56mmのものも組合わせる等、種々考えられる。

つまり、モールド後のリード間ピツチの縮み量
のトータルと、各リードの縮み代のトータルが近
似するような、リードフレームであれば、規格に
適つた半導体装置を得ることができる。

しかしながら、ごく少数のリードのリード間ピ
ツチだけを大きくするよりも、できるだけ多くの
リードのリード間ピツチに、その縮み代のトータ
ルを分散させたかたちにしたほうが、より規格に
適つた、寸法精度の良好な半導体装置を得ること
ができる。

また、リードフレームの製造精度が向上すれ
ば、パツケージ中心から離れるリード間ほど、そ
のピツチを徐々に大きくすることもでき、さらに
寸法精度の良好な半導体装置を得ることができ
る。

さらに、本実施例では、リード数が40本である
ものに、本発明を適用したが、リード本数が多
く、パツケージ寸法が大きいもの程、リード間ピ
ツチの縮みが累積される量が大きいので、パツケ
ージ寸法が大きいものに本発明を適用すれば、そ
の効果は顕著にあらわれる。

実施例 ２ 第１０図は、本発明の他の実施例として、半導
体装置の一種であるFPタイプIC製造に用いられ
るリードフレームを示す平面図である。

第１１図は、FPタイプICを、基板に実装した
状態を示す平面図である。

第１０図において４０は、リードフレームを示
す。４１は、互いに平行する外枠フレームであ
る。（なお、外枠フレーム４０長手方向をＸ方向
とし、長手方向と直交する方向をＹ方向とする）
４２は、タブであり、前記外枠フレーム４１の間
に、外枠フレーム４１の長手方向に対して複数個
等間隔に配置され、ペレツトを載置し得るもので
ある。４３は、タブ吊りリードであり、後述する
第１のタイバーに接続され、前記タブ４２を支持
し得るものである。４４は、リードであり、一端
は前記タブ４２に近接し、外枠は、Ｘ方向、Ｙ方
向に伸びる。ここで、Ｘ方向にその長手方向があ
るリードをＸ方向リードとし、Ｙ方向にその長手
方向があるリードをＹ方向リードとすると、Ｘ方
向リード４４の、前記タブ４２と近接する一端と
は異なる他端は、後述する第２のタイバーに連結
されている。そして、Ｙ方向リード４４の、前記
タブ４２と近接する一端とは異なる他端は、前記
外枠フレーム４１に連結される。Ｙ方向リード４
４は、そのリード間ピツチを、タブ吊り４３と第
１のタイバー４４が連結される部分から一番離れ
た位置にあるリード間ピツチをe₂（1.01mm）とし、
他の部分はe₁（1.00mm）のリード間ピツチとして
いる。これは、パツケージのＸ方向寸法がそれ程
大きくないので、Ｘ方向へのレジンの絶対的な収
縮量が小さいと考えたためである。一方Ｘ方向リ
ード４４は、第２のタイバー４６長手方向中心か
ら離れた位置にあるリード間ピツチを、e₂とe₁と
が交互になるようにしている。つまり、実施例１
と同様に、レジン収縮によるリード間ピツチの縮
み量のトータルと、リード間ピツチの縮みを見込
んで設けられたリード間ピツチのプラス分のトー
タルが合うようになつている。４５は、第１のタ
イバーであり、前記タブ４２をとり囲むようにし
て、前記リード４４を連結している。この第１の
タイバーは、モールド時に、不所望な部分のレジ
ンが流出するのを防ぐ役目をもつ。４６は、第２
のタイバーであり、前記外枠フレーム４１に連結
され、前記Ｘ方向リード４４の、前記タブ４２に
近接する一端とは異なる他端を保護し得るもので
ある。

第１１図において４７は、FPタイプICを示す。
４８は、パツケージを示す。４９は、基板であ
り、FPタイプIC４７のリード４４に対応した、
配線パターン５０が設けられ、FPタイプIC４７
を載置し得るようになつている。

以下に、その製造技術を説明するが、製造工程
等については実施例１に類似するものであり、実
施例１と同様な部分については、その説明を簡略
化する。

リードフレーム４０のタブ４２に、Au−Si共
晶合金法等によりペレツト（図示せず）が接着さ
れる。次いで、前記ペレツトの端子と、リードフ
レーム４０のリード４４が、Au線等のワイヤに
より結線され（図示せず）、ペレツトとリードと
の導通がとられる。その後、第５図に示されるモ
ールド機構と同様に構成されたモールド機構によ
り、モールドすべき部分がモールドされる。この
際、リードフレームのリード間ピツチに縮み代を
プラスしてあり、その縮み代にトータルと、レジ
ン収縮によるリード間ピツチの実際の縮みのトー
タルが近似しているので、レジン硬化によつてレ
ジンが収縮しても、リード間ピツチが規格に適つ
たものが得られる。その後、モールド後のリード
フレームは、第７図に示される切断型と同様に構
成された切断型によつて、切断すべき部分が切断
される。すると、前記切断の精度が高い場合には
実施例１と同様に、リードの、タイバー連結部
（第１のタイバーを連結していた部分）の巾が、
すべてのリードにわたつて、左右にほぼ均一とな
り、前記切断の精度が低い場合には、タイバー連
結部の巾としては、リード巾中心に対して左右い
ずれか一方が大きくなり、これはパツケージ同一
面から突出するリードについて、すべて一定方向
が大きくなる。

また、FPタイプICの場合リード間ピツチが１
mm程度であるため、レジン収縮に伴なうリード間
ピツチの縮みを考慮したことによる影響は大きい
といえる。

なお、リード間ピツチの縮み代のとり方につい
ては、実施例１と同様に、種々考えられる。

〔効果〕

(1) レジン収縮によるリード間ピツチの縮み代を
含んだリードフレームを用いて、半導体装置を
製造することにより、モールド後のレジン収縮
によつてリード間ピツチが縮んでも、予め設け
られていた、縮み代が縮むことになるため、規
格に適つた半導体装置が得られるという効果が
得られる。

(2) 規格により定められているリード間ピツチ
と、規格よりも大きい値のリード間ピツチを交
互に配置したリードフレームを用いることによ
り、リードフレームの製造精度向上を要求する
ことなく、規格に適つた半導体装置を得ること
ができるという効果が得られる。

(3) モールド後のレジン収縮によつても、リード
間ピツチは、規格寸法に適つたものが得られる
ことにより、リード連結部切断による、リード
のタイバー連結部への切込みを低減できるとい
う効果が得られる。

(4) リードのタイバー連結部への切込みが低減で
きることにより、タイバー連結部に切込みが生
じたものに比べ、その部分の機械的強度が増す
という効果が得られる。

(5) リードのタイバー連結部への切込みが低減で
きることにより、外観不良が低減できるという
効果が得られる。

(6) モールド後のレジン収縮によつても、リード
間ピツチは、規格寸法に適つたものが得られる
ので、実装性が向上するという効果が得られ
る。

以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

〔利用分野〕

以上の説明では、主として本発明者によつてな
された発明を、その背景となつた利用分野である
半導体装置の製造技術に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものでなく、樹脂に
より封止されてなる電子部品の製造技術に適用で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例であるリードフレ
ームの一部を示す平面図、第２図は、第１図にお
けるＡ部拡大図、第３図はモールド機構を示す概
略断面図、第４図は、モールド後のリードフレー
ムを示す平面図、第５図は、切断型を示す概略断
面図、第６図は、リード連結部切断後の半導体装
置を示す平面図、第７図及び第８図は、本発明の
一実施例によつて得られた半導体装置のリード
の、タイバー連結部を示す拡大図、第９図は、本
発明の一実施例によつて得られた半導体装置を実
装した状態を示す側面図、第１０図は、FPタイ
プIC製造に用いられるリードフレームを示す平
面図、第１１図は、FPタイプICを基板に実装し
た状態を示す平面図、第１２図は、本発明者によ
つて見い出された問題点を説明するための、半導
体装置の平面図、第１３図は、本発明者によつて
見い出された問題点を説明するための、半導体装
置、およびソケツトを示す側面図である。 １，３６……半導体装置、２，２８……パツケ
ージ、３，１２，４４……リード、４，１４，３
７……タイバー連結部、５……切込み、６，３
９，４９……基板、７，３９……ソケツト、８，
４０……リードフレーム、９，４１……外枠フレ
ーム、１０，４２……タブ、１１，４３……タブ
吊りリード、１３，４５……第１のタイバー、１
５，４６……第２のタイバー、１６……モールド
型、１７，３０……上型、１８，２１，３２，３
５……凹部、１９，３６……開口、２０，３３…
…下型、２２……ペレツト、２３……導電性ワイ
ヤ、２４……キヤビテイ、２５……ランナー、２
６……タブレツト、２７……プランジヤー、２９
……切断型、３１……切断刃、４７……FPタイ
プIC、５０……配線パターン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ (a) 半導体の封止に用いられる樹脂の硬化に
   伴つてリード間ピツチが収縮する分、少なくと
   も一部のリードにおけるリード間ピツチが所定
   の規格値より大きめに設定されているリードフ
   レームを用意し、上記リードフレームにペレツ
   トを搭載するとともに、ペレツトとリードを電
   気的に接続する第１の工程、 (b) 上記第１の工程を経た上記リードフレームを
   モールド型内に載置し、樹脂を上記モールド型
   に注入することにより上記リードフレームの一
   部を樹脂により封止する第２の工程、 (c) 上記樹脂及び上記樹脂により封止されたリー
   ドフレームのリード間ピツチが上記樹脂の硬化
   にともなつて収縮する第３の工程、 (d) 上記樹脂封止されたリードフレームのリード
   連結部を切断型により切断し、リード間ピツチ
   が所定の規格値に適合したリード間ピツチを有
   する半導体装置を得る第４の工程、 からなることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。 ２ 上記半導体の封止に用いられる樹脂の硬化に
   伴つてリード間ピツチが収縮する分、所定の規格
   値より大きめに設定されたリード間ピツチを有す
   るようにされた上記リードフレームは、リード間
   ピツチが所定の規格値より大きめのリード間ピツ
   チと所定の規格値のリード間ピツチとが交互に設
   定されて成るものであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ３ 上記半導体の封止に用いられる樹脂の硬化に
   伴つてリード間ピツチが収縮する分、所定の規格
   値より大きめに設定されたリード間ピツチを有す
   るようにされた上記リードフレームは、多数のリ
   ードが設けられた辺の中央部付近に設けられるリ
   ード間ピツチが所定の規格値とされ、上記中央部
   から離れるほどリード間ピツチが上記所定の規格
   値より大きくされてなることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ４ 上記リードフレームは、樹脂封止されかつ四
   方向からリードが突出するようされた長方形の外
   形の半導体装置を製造するために供されるもので
   あつて、リードが設けられる長辺方向のリード間
   ピツチが、上記半導体の封止に用いられる樹脂の
   硬化に伴つてリード間ピツチが収縮する分、所定
   の規格値より大きめに設定されてなることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
   製造方法。