JPH0469428B2 - - Google Patents
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- JPH0469428B2 JPH0469428B2 JP58119329A JP11932983A JPH0469428B2 JP H0469428 B2 JPH0469428 B2 JP H0469428B2 JP 58119329 A JP58119329 A JP 58119329A JP 11932983 A JP11932983 A JP 11932983A JP H0469428 B2 JPH0469428 B2 JP H0469428B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、フエイスダウンボンデイングを用
いた半導体装置に関する。
いた半導体装置に関する。
半導体素子を搭載し、素子相互間を接続する方
法の一つとして、フリツプチツプボンデイングに
代表されるフエイスダウンボンデイングが知られ
ている。これは素子の電極端子を半田バンプを用
いて配線基板上の導体パターンに直接接続する方
法であり、ワイヤボンデイング等に比べ電極端子
と導体パターンとの間がワイヤの如き熱圧着接続
ではなく、半田の溶解により接続されるため、信
頼性にすぐれ、また一つの素子と配線基板上の導
体パターンとの接続が電極端子の数に関係なく一
度でできる等の特長がある。
法の一つとして、フリツプチツプボンデイングに
代表されるフエイスダウンボンデイングが知られ
ている。これは素子の電極端子を半田バンプを用
いて配線基板上の導体パターンに直接接続する方
法であり、ワイヤボンデイング等に比べ電極端子
と導体パターンとの間がワイヤの如き熱圧着接続
ではなく、半田の溶解により接続されるため、信
頼性にすぐれ、また一つの素子と配線基板上の導
体パターンとの接続が電極端子の数に関係なく一
度でできる等の特長がある。
しかしながら、フエイスダウンボンデイングで
はボンデイング時に素子の電極端子形成面が基板
側を向くため、電極端子およびこれが接続される
導体パターン上の接続部がよく見えない。そこで
従来では半透鏡を用いて接続部を確認しながら、
素子と導体パターンとの位置合せを行なつてい
た。従つて位置合せを含めたボンデイング工程に
長時間を要するという問題があつた。
はボンデイング時に素子の電極端子形成面が基板
側を向くため、電極端子およびこれが接続される
導体パターン上の接続部がよく見えない。そこで
従来では半透鏡を用いて接続部を確認しながら、
素子と導体パターンとの位置合せを行なつてい
た。従つて位置合せを含めたボンデイング工程に
長時間を要するという問題があつた。
この発明の目的は、フエイスダウンボンデイン
グに際し半導体素子と配線基板上の導体パターン
との位置合せが容易で、量産性にすぐれた半導体
装置を提供することにある。
グに際し半導体素子と配線基板上の導体パターン
との位置合せが容易で、量産性にすぐれた半導体
装置を提供することにある。
この発明は、配線基板の絶縁性基体およびその
上に被着形成される導体パターンをいずれも透明
材料により形成することによつて、基板の裏面側
から半導体素子の電極端子と導体パターンとの接
続部が確認できるようにしたものである。
上に被着形成される導体パターンをいずれも透明
材料により形成することによつて、基板の裏面側
から半導体素子の電極端子と導体パターンとの接
続部が確認できるようにしたものである。
この発明によれば、半導体素子と配線基板上の
導体パターンとの位置合せを半透鏡等を用いるこ
となく極めて容易、確実に行なうことができる。
すなわち、この発明では透明材料からなる絶縁性
基体および導体パターンを通して半導体素子の電
極端子を光学的に観察でき、また導体パターンの
厚さによる導体パターン表面と下地（絶縁性基体
や絶縁層）表面との段差により、導体パターンの
輪郭（端面）を光学的に認識できることから、半
導体素子の電極端子と導体パターンとの接続個所
を確認しつつ、位置合わせを行うことが可能とな
る。従つてフエイスダウンボンデイング本来の特
長と相まつて、非常に量産性がよく製造コストの
低い半導体装置を提供することが可能である。
導体パターンとの位置合せを半透鏡等を用いるこ
となく極めて容易、確実に行なうことができる。
すなわち、この発明では透明材料からなる絶縁性
基体および導体パターンを通して半導体素子の電
極端子を光学的に観察でき、また導体パターンの
厚さによる導体パターン表面と下地（絶縁性基体
や絶縁層）表面との段差により、導体パターンの
輪郭（端面）を光学的に認識できることから、半
導体素子の電極端子と導体パターンとの接続個所
を確認しつつ、位置合わせを行うことが可能とな
る。従つてフエイスダウンボンデイング本来の特
長と相まつて、非常に量産性がよく製造コストの
低い半導体装置を提供することが可能である。
また、半導体素子の電極端子を導体パターンの
最適な位置に精度よく位置合わせすることが可能
となるために、半導体素子の接続不良をなくし、
歩留りを高くすることができる。
最適な位置に精度よく位置合わせすることが可能
となるために、半導体素子の接続不良をなくし、
歩留りを高くすることができる。
さらに、この発明によれば半導体素子が発光素
子や受光素子の場合、基板側に発光面や受光面を
向けることができるという利点がある。すなわ
ち、従来では発光または受光素子に関してはフエ
イスダウンボンデイングによる実装は不可能とさ
れていたが、この発明では基板および導体パター
ンがいずれも透明材料であることにより光の通過
を妨げないので、基板側から発光させたり受光す
ることが可能となる。
子や受光素子の場合、基板側に発光面や受光面を
向けることができるという利点がある。すなわ
ち、従来では発光または受光素子に関してはフエ
イスダウンボンデイングによる実装は不可能とさ
れていたが、この発明では基板および導体パター
ンがいずれも透明材料であることにより光の通過
を妨げないので、基板側から発光させたり受光す
ることが可能となる。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
図において、配線基板１はこの例では絶縁性基
体２上に第１層導体パターン３、絶縁体層４およ
び第２層導体パターン５を順次形成した２層の配
線基板である。第１層、第２層の導体パターン
３，５は、絶縁体層４に形成したスルーホールを
通して適宜接続されている。ここで、絶縁性基体
２はポリマーガラス、プラスチツク、サフアイヤ
等の透明セラミツク材料によつて形成されてい
る。また、導体パターン３，５はITO、SnO2等
の透明良導体により形成されている。さらに、絶
縁体層４もアクリル、エポキシ、シリコン等から
なる透明絶縁材料から形成されている。
体２上に第１層導体パターン３、絶縁体層４およ
び第２層導体パターン５を順次形成した２層の配
線基板である。第１層、第２層の導体パターン
３，５は、絶縁体層４に形成したスルーホールを
通して適宜接続されている。ここで、絶縁性基体
２はポリマーガラス、プラスチツク、サフアイヤ
等の透明セラミツク材料によつて形成されてい
る。また、導体パターン３，５はITO、SnO2等
の透明良導体により形成されている。さらに、絶
縁体層４もアクリル、エポキシ、シリコン等から
なる透明絶縁材料から形成されている。
そして、第２層導体パターン１５上に、半田バ
ンプを形成した電極端子７を有するフリツプチツ
プ半導体素子６、例えばICチツプが電極端子７
の形成面を配線基板１側に向けて、すなわちフエ
イスダウンボンデイングにより接続固定されてい
る。この場合、半導体素子６は電極端子７が導体
パターン５の所定位置に接続されるように、導体
パターン５に対し正確に位置合せする必要がある
が、電極端子７と導体パターン５との接続個所を
基体２、導体パターン３、絶縁体層４および導体
パターン５を通して例えば肉眼等で確認できるた
め、この位置合せは容易である。
ンプを形成した電極端子７を有するフリツプチツ
プ半導体素子６、例えばICチツプが電極端子７
の形成面を配線基板１側に向けて、すなわちフエ
イスダウンボンデイングにより接続固定されてい
る。この場合、半導体素子６は電極端子７が導体
パターン５の所定位置に接続されるように、導体
パターン５に対し正確に位置合せする必要がある
が、電極端子７と導体パターン５との接続個所を
基体２、導体パターン３、絶縁体層４および導体
パターン５を通して例えば肉眼等で確認できるた
め、この位置合せは容易である。
また、このように導体パターン３，５を透明材
料で形成した場合でも、導体パターン３，５の厚
さ（例えば2000オングストローム程度）による下
地表面との段差により、導体パターン３，５の輪
郭を例えば肉眼やカメラで光学的に認識すること
ができる。この場合、導体パターン３，５の輪郭
をやや斜めの方向から観察すると、より容易に認
識ができる。このようにして、半導体素子６の電
極端子７と導体パターン５との接続部を容易、確
実に確認できることになる。
料で形成した場合でも、導体パターン３，５の厚
さ（例えば2000オングストローム程度）による下
地表面との段差により、導体パターン３，５の輪
郭を例えば肉眼やカメラで光学的に認識すること
ができる。この場合、導体パターン３，５の輪郭
をやや斜めの方向から観察すると、より容易に認
識ができる。このようにして、半導体素子６の電
極端子７と導体パターン５との接続部を容易、確
実に確認できることになる。
なお、第２層導体パターン５上の電極端子７の
接続部には、必要に応じて電極端子７の接続を良
好にするためのメタライズが施される。具体的に
は、Cr，Ti，Ｗ等からなる接着層、Pd，Ni等か
らなる拡散防止層、熱圧着のためのCu，Au，Al
等の層、耐ハンダ性の良好なNi，Cu等の層およ
びAu等の酸化防止層を適宜形成する。
接続部には、必要に応じて電極端子７の接続を良
好にするためのメタライズが施される。具体的に
は、Cr，Ti，Ｗ等からなる接着層、Pd，Ni等か
らなる拡散防止層、熱圧着のためのCu，Au，Al
等の層、耐ハンダ性の良好なNi，Cu等の層およ
びAu等の酸化防止層を適宜形成する。
このようにすると、接続部にメタライズした材
料が不透明であるため、導体パターン５上の電極
端子７の接続部をより容易に確認できる。
料が不透明であるため、導体パターン５上の電極
端子７の接続部をより容易に確認できる。
また、第１図には示していないが、配線基板１
上に必要に応じ保護層がモールドされる。第２層
導体パターン５上の半導体素子６の接続部以上の
表面を予めアクリル、エポキシ等からなる透明絶
縁材料で被覆することも可能である。
上に必要に応じ保護層がモールドされる。第２層
導体パターン５上の半導体素子６の接続部以上の
表面を予めアクリル、エポキシ等からなる透明絶
縁材料で被覆することも可能である。
次に、配線基板１の製造工程の一例を第２図を
参照して説明する。
参照して説明する。
まず、第２図ａに示すように透明絶縁性基体
２、例えばガラス基板上に、ポジ型フオトレジス
ト１１を塗布し乾燥させた後、第１層透明導体パ
ターン３と反転関係にある不透明パターン１２を
選択的に形成したガラスマスク１３を用いて露光
を行ない、次いで第２図ｂのように現像する。次
に第２図ｃに示すように、透明導体膜１４、例え
ばITO膜を低温スパツタにより1μ程度着膜し、
その後第２図ｄに示すようにフオトレジスト１１
上の透明導体をリフトオフにより除去して、第１
層の透明導体パターン３を形成する。配線基板が
単層のものの場合は、これで基板製造工程は終了
し、以後は半導体素子のボンデイング工程へと進
むことになる。
２、例えばガラス基板上に、ポジ型フオトレジス
ト１１を塗布し乾燥させた後、第１層透明導体パ
ターン３と反転関係にある不透明パターン１２を
選択的に形成したガラスマスク１３を用いて露光
を行ない、次いで第２図ｂのように現像する。次
に第２図ｃに示すように、透明導体膜１４、例え
ばITO膜を低温スパツタにより1μ程度着膜し、
その後第２図ｄに示すようにフオトレジスト１１
上の透明導体をリフトオフにより除去して、第１
層の透明導体パターン３を形成する。配線基板が
単層のものの場合は、これで基板製造工程は終了
し、以後は半導体素子のボンデイング工程へと進
むことになる。
次に、第２図ｅに示すように透明絶縁体層１
５、例えば紫外線硬化型樹脂（アクリル、エポキ
シ等）をスクリーン印刷、スピンコート等により
塗布し、スルーホールに対応する不透明パターン
１６を選択的に形成したガラスマスク１７を介し
て紫外線により露光、現像する。これにより第２
図ｆに示すように、所定位置にスルーホール１８
を有する透明絶縁体層４が形成される。
５、例えば紫外線硬化型樹脂（アクリル、エポキ
シ等）をスクリーン印刷、スピンコート等により
塗布し、スルーホールに対応する不透明パターン
１６を選択的に形成したガラスマスク１７を介し
て紫外線により露光、現像する。これにより第２
図ｆに示すように、所定位置にスルーホール１８
を有する透明絶縁体層４が形成される。
そして、次に第２図ｇに示すように再びポジ型
フオトレジスト１９を塗布し乾燥させ、第２層の
透明導体パターン５と反転関係にある不透明パタ
ーン２０を選択的に形成したガラスマスク２１を
用いて露光した後、第２図ｂ〜ｄと同様の工程を
経て、第２図ｈに示すように第２層の透明導体パ
ターン５を形成する。こうして第１図中に示した
２層の配線基板１が得られる。
フオトレジスト１９を塗布し乾燥させ、第２層の
透明導体パターン５と反転関係にある不透明パタ
ーン２０を選択的に形成したガラスマスク２１を
用いて露光した後、第２図ｂ〜ｄと同様の工程を
経て、第２図ｈに示すように第２層の透明導体パ
ターン５を形成する。こうして第１図中に示した
２層の配線基板１が得られる。
なお、第２図ａ〜ｄの工程ではリフトオフを用
いたが、まず透明導体層を形成し、その後フオト
レジストを形成し、露光、現像後、エツチングを
行なつて透明導体パターン３を形成し、フオトレ
ジストを除去してもよい。
いたが、まず透明導体層を形成し、その後フオト
レジストを形成し、露光、現像後、エツチングを
行なつて透明導体パターン３を形成し、フオトレ
ジストを除去してもよい。
また、上記実施例では配線基板として２層のも
のを示したが、単層、あるいは３層以上の場合で
もこの発明は有効である。
のを示したが、単層、あるいは３層以上の場合で
もこの発明は有効である。
この発明に係る半導体装置において、配線基板
上に搭載する半導体素子は何でもよいが、特に発
光または受光素子の場合、基板側に発光または受
光面を向けることができる利点がある。すなわ
ち、従来では発光または受光素子はフリツプチツ
プ等のフエイスダウンボンデイングは不可能とさ
れていたが、この発明によればそれが可能とな
る。
上に搭載する半導体素子は何でもよいが、特に発
光または受光素子の場合、基板側に発光または受
光面を向けることができる利点がある。すなわ
ち、従来では発光または受光素子はフリツプチツ
プ等のフエイスダウンボンデイングは不可能とさ
れていたが、この発明によればそれが可能とな
る。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置
の断面図、第２図ａ〜ｈはこの発明で用いる配線
基板の製造工程を示す図である。 １……配線基板、２……透明絶縁性基体、３，
５……透明導体パターン、４……透明絶縁体層、
６……半導体素子、７……電極端子。
の断面図、第２図ａ〜ｈはこの発明で用いる配線
基板の製造工程を示す図である。 １……配線基板、２……透明絶縁性基体、３，
５……透明導体パターン、４……透明絶縁体層、
６……半導体素子、７……電極端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 配線基板上の導体パターンに、半導体素子の
電極端子をその電極端子形成面を配線基板側に向
けて接続してなる半導体装置において、前記配線
基板は透明絶縁性基体上に透明導体パターンを被
着形成して構成されていることを特徴とする半導
体装置。 ２ 配線基板は透明絶縁性基体上に複数層の透明
導体パターンを層間に透明絶縁体層を介して積層
形成したものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置。 ３ 透明導体パターンの半導体素子接続部に、半
導体素子の電極端子を接続するためのメタライズ
が施されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 ４ 半導体素子が発光または受光素子であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119329A JPS6010735A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119329A JPS6010735A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5254357A Division JP2597809B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010735A JPS6010735A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0469428B2 true JPH0469428B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14758775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119329A Granted JPS6010735A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010735A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0224689D0 (en) * | 2002-10-23 | 2002-12-04 | Simage Oy | Formation of contacts on semiconductor substrates |
| JP2005202382A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光プリント回路基板、面実装型半導体パッケージ、及びマザーボード |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269646A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS5273693A (en) * | 1975-12-16 | 1977-06-20 | Seiko Epson Corp | Display device |
| JPS5276051A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-25 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal indicating device |
| JPS5276877A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-28 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5359398A (en) * | 1976-11-09 | 1978-05-29 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display panel |
| JPS53104198A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Takagi Kogyo Kk | Liquid crystal panel |
| JPS5552229A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-16 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5691491A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Alps Electric Co Ltd | Method of manufacturing transparent laminated circuit board |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119329A patent/JPS6010735A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269646A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS5273693A (en) * | 1975-12-16 | 1977-06-20 | Seiko Epson Corp | Display device |
| JPS5276051A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-25 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal indicating device |
| JPS5276877A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-28 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5359398A (en) * | 1976-11-09 | 1978-05-29 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display panel |
| JPS53104198A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Takagi Kogyo Kk | Liquid crystal panel |
| JPS5552229A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-16 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5691491A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Alps Electric Co Ltd | Method of manufacturing transparent laminated circuit board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010735A (ja) | 1985-01-19 |
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