JPH046647A - 光磁気再生装置 - Google Patents
光磁気再生装置Info
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- JPH046647A JPH046647A JP10640690A JP10640690A JPH046647A JP H046647 A JPH046647 A JP H046647A JP 10640690 A JP10640690 A JP 10640690A JP 10640690 A JP10640690 A JP 10640690A JP H046647 A JPH046647 A JP H046647A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光磁気記録媒体に記録された情報を再生す
る光磁気再生装置に関する。
る光磁気再生装置に関する。
従来の光磁気再生装置として、例えば第8図に示すよう
なものがある。この光磁気再生装置においては、半導体
レーザ1から射出された直線偏光を、コリメータレンズ
2、ビーム整形プリズム3、偏光ビームスプリッタ4お
よび対物レンズ5を経て光磁気ディスク6に投射し、そ
の反射光(戻り光)を対物レンズ5を経て偏光ビームス
プリッタ4により入射光路から分離して偏光ビームスプ
リッタフに入射させ、その透過光をエラー信号検出系8
に、反射光を情報信号検出系9にそれぞれ入射させるよ
うにしている。
なものがある。この光磁気再生装置においては、半導体
レーザ1から射出された直線偏光を、コリメータレンズ
2、ビーム整形プリズム3、偏光ビームスプリッタ4お
よび対物レンズ5を経て光磁気ディスク6に投射し、そ
の反射光(戻り光)を対物レンズ5を経て偏光ビームス
プリッタ4により入射光路から分離して偏光ビームスプ
リッタフに入射させ、その透過光をエラー信号検出系8
に、反射光を情報信号検出系9にそれぞれ入射させるよ
うにしている。
ここで、偏光ビームスプリッタ4および7は、S偏光成
分を100%反射し、P偏光成分を所定の割合で透過お
よび反射させるように構成され、これにより該偏光ビー
ムスプリッタ7で反射されて情報信号検出系9に入射す
る光のカー回転角を見掛は上大きくしている。
分を100%反射し、P偏光成分を所定の割合で透過お
よび反射させるように構成され、これにより該偏光ビー
ムスプリッタ7で反射されて情報信号検出系9に入射す
る光のカー回転角を見掛は上大きくしている。
すなわち、光磁気ディスク6に両矢印で示す方向をP偏
光方向とする直線偏光を投射すると、その反射光は光磁
気ディスク6に記録された情報に応じて、その偏光面が
第9図Aに示すように±θア回転する。この光磁気ディ
スク6からの戻り光を、上記のように構成した偏光ビー
ムスプリンタ4および7で反射させると、P偏光成分が
所定の割合で透過するため、その反射光は第9図Bに示
すように、カー回転角が±θ3° となって見掛は上大
きくなる。
光方向とする直線偏光を投射すると、その反射光は光磁
気ディスク6に記録された情報に応じて、その偏光面が
第9図Aに示すように±θア回転する。この光磁気ディ
スク6からの戻り光を、上記のように構成した偏光ビー
ムスプリンタ4および7で反射させると、P偏光成分が
所定の割合で透過するため、その反射光は第9図Bに示
すように、カー回転角が±θ3° となって見掛は上大
きくなる。
エラー信号検出系8は、平行光束の入射角が臨界角より
もやや小さめとなるように設定された反射面を有する臨
界角プリズム10と、その反射面で反射された光束を受
光する光検出器11とを具える。
もやや小さめとなるように設定された反射面を有する臨
界角プリズム10と、その反射面で反射された光束を受
光する光検出器11とを具える。
光検出器11は、光軸を中心として、臨界角プリズム1
0の入射面方向およびそれと直交する方向に分割された
4個の受光領域を有し、入射面方向と直交する分割線を
境とする両側の2個の受光領域の出力の和の差に基づい
てフォーカスエラー信号を得、入射面方向の分割線を境
とする両側の2個の受光領域の出力の和の差に基づいて
プッシュプルのトラッキングエラー信号を得るようにし
ている。
0の入射面方向およびそれと直交する方向に分割された
4個の受光領域を有し、入射面方向と直交する分割線を
境とする両側の2個の受光領域の出力の和の差に基づい
てフォーカスエラー信号を得、入射面方向の分割線を境
とする両側の2個の受光領域の出力の和の差に基づいて
プッシュプルのトラッキングエラー信号を得るようにし
ている。
また、情報信号検出系9は、172波長板12、偏光ビ
ームスプリッタ13、集光レンズ14.15および光検
出器16.17を有し、偏光ビームスプリッタ7で反射
された光束を、その偏光面を172波長板12によって
第9図Cに示すように45°回転させた後、偏光ビーム
スプリッタ13でP偏光成分とS偏光成分とに分離し、
その分離されたP偏光成分およびS偏光成分をそれぞれ
集光レンズ14および15で集光して光検出器16およ
び17で受光して、これら光検出器16.17の出力差
に基づいて同相ノイズを相殺した情報信号を得るように
している。
ームスプリッタ13、集光レンズ14.15および光検
出器16.17を有し、偏光ビームスプリッタ7で反射
された光束を、その偏光面を172波長板12によって
第9図Cに示すように45°回転させた後、偏光ビーム
スプリッタ13でP偏光成分とS偏光成分とに分離し、
その分離されたP偏光成分およびS偏光成分をそれぞれ
集光レンズ14および15で集光して光検出器16およ
び17で受光して、これら光検出器16.17の出力差
に基づいて同相ノイズを相殺した情報信号を得るように
している。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述した従来の光磁気再生装置において
は、エラー信号検出系8と情報信号検出系9との2つの
独立した検出系を用いるため、光学系が大きくなるとい
う問題があると共に、部品点数が多くなって高価になる
という問題がある。
は、エラー信号検出系8と情報信号検出系9との2つの
独立した検出系を用いるため、光学系が大きくなるとい
う問題があると共に、部品点数が多くなって高価になる
という問題がある。
また、光磁気ディスク6からの戻り光を100%とする
と、エラー信号検出系8に15%、情報信号検出系9に
20%の光量が必要となり、したがってビームスプリッ
タ4でのP偏光反射率が35%必要となる。このため、
光磁気ディスク6への入射光路における光量損失も大き
くなって、光の利用効率が悪くなり、半導体レーザ1と
して高価な高出力のものが必要になるという問題がある
。
と、エラー信号検出系8に15%、情報信号検出系9に
20%の光量が必要となり、したがってビームスプリッ
タ4でのP偏光反射率が35%必要となる。このため、
光磁気ディスク6への入射光路における光量損失も大き
くなって、光の利用効率が悪くなり、半導体レーザ1と
して高価な高出力のものが必要になるという問題がある
。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので、小形かつ安価にできると共に、光の利用効率
も向上でき、したがって光源として安価な低出力のもの
を使用できるよう適切に構成した光磁気再生装置を提供
することを目的とする。
たもので、小形かつ安価にできると共に、光の利用効率
も向上でき、したがって光源として安価な低出力のもの
を使用できるよう適切に構成した光磁気再生装置を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕上記目的を達
成するため、この発明では、対物レンズを経て光磁気記
録媒体に読み取り光を照射して、該光磁気記録媒体に垂
直方向に磁化されて記録された情報を光学的に読み取る
光磁気再生装置において、前記光磁気記録媒体からの戻
り光の光路中に配置され、該戻り光の中心光線に対して
ほぼ臨界角となるように設定した反射面を有する臨界角
プリズムと、この臨界角プリズムの前記反射面で反射さ
れた光束の所定の偏光成分を取り出す検光子と、この検
光子で取り出された光束を受光する受光手段とを具え、
この受光手段により、前記光磁気記録媒体に記録された
情報の再生信号および前記対物レンズの前記光磁気記録
媒体に対する相対的位置ずれを表すエラー信号を検出す
るよう構成する。
成するため、この発明では、対物レンズを経て光磁気記
録媒体に読み取り光を照射して、該光磁気記録媒体に垂
直方向に磁化されて記録された情報を光学的に読み取る
光磁気再生装置において、前記光磁気記録媒体からの戻
り光の光路中に配置され、該戻り光の中心光線に対して
ほぼ臨界角となるように設定した反射面を有する臨界角
プリズムと、この臨界角プリズムの前記反射面で反射さ
れた光束の所定の偏光成分を取り出す検光子と、この検
光子で取り出された光束を受光する受光手段とを具え、
この受光手段により、前記光磁気記録媒体に記録された
情報の再生信号および前記対物レンズの前記光磁気記録
媒体に対する相対的位置ずれを表すエラー信号を検出す
るよう構成する。
第1図はこの発明の第1実施例を示すものである。この
実施例では、半導体レーザ21から紙面内で光軸と直交
する方向に振動する直線偏光を放射させ、その直線偏光
をコリメータレンズ22により平行光とした後、ビーム
整形プリズム23によりビーム形状を整形して偏光ビー
ムスプリッタ24に入射させて、その透過光を対物レン
ズ25により光磁気ディスク26に収束させる。
実施例では、半導体レーザ21から紙面内で光軸と直交
する方向に振動する直線偏光を放射させ、その直線偏光
をコリメータレンズ22により平行光とした後、ビーム
整形プリズム23によりビーム形状を整形して偏光ビー
ムスプリッタ24に入射させて、その透過光を対物レン
ズ25により光磁気ディスク26に収束させる。
光磁気ディスク26での反射光(戻り光)は、対物レン
ズ25を経て偏光ビームスプリ・ツタ24に入射させ、
該偏光ビームスプリ・ツタ24で反射される戻り光を、
平行光束の入射角が臨界角よりもややノJ\さめとなる
ように設定した反射面27aを有する臨界角プリズム2
7に入射させてその反射面27aで反射させる。
ズ25を経て偏光ビームスプリ・ツタ24に入射させ、
該偏光ビームスプリ・ツタ24で反射される戻り光を、
平行光束の入射角が臨界角よりもややノJ\さめとなる
ように設定した反射面27aを有する臨界角プリズム2
7に入射させてその反射面27aで反射させる。
臨界角プリズム27の反射面27aで反射された戻り光
は、1/2波長板28により偏光面を45°回転させて
偏光ビームスプリッタ29に入射させ、ここでP偏光成
分およびS偏光成分をそれぞれ分離し、これら分離され
た偏光成分をそれぞれ集光レンズ30および31で集光
して光検出器32および33で受光する。
は、1/2波長板28により偏光面を45°回転させて
偏光ビームスプリッタ29に入射させ、ここでP偏光成
分およびS偏光成分をそれぞれ分離し、これら分離され
た偏光成分をそれぞれ集光レンズ30および31で集光
して光検出器32および33で受光する。
光検出器32.33の一方、この実施例では光検出器3
2は、第2図に平面図を示すように、光軸を中心に臨界
角プリズム27の入射面方向Xおよびそれと直交する方
向Yに分割した4つの受光領域32a〜32dをもって
構成し、それらの出力をa −dとするとき、フォーカ
スエラー信号(FE)およびトラッキングエラー信号(
TE)を、 FE= (a + d ) −(b 十c )TE−(
a十b)−(c十d) によって検出し、情報信号(RF)を、他方の光検出器
33の出力をeとするとき、 RF= (a+b+c+d)−e によって検出するようにする。
2は、第2図に平面図を示すように、光軸を中心に臨界
角プリズム27の入射面方向Xおよびそれと直交する方
向Yに分割した4つの受光領域32a〜32dをもって
構成し、それらの出力をa −dとするとき、フォーカ
スエラー信号(FE)およびトラッキングエラー信号(
TE)を、 FE= (a + d ) −(b 十c )TE−(
a十b)−(c十d) によって検出し、情報信号(RF)を、他方の光検出器
33の出力をeとするとき、 RF= (a+b+c+d)−e によって検出するようにする。
上記構成において、RFのC/Nは、偏光ビームスプリ
ッタ24でのS偏光反射率をR3I、P偏光およびS偏
光間の位相差を61とし、臨界角プリズム27でのS偏
光反射率をR3Z、P偏光およびS偏光間の位相差を6
2とし、カー回転角をθにとすると、 C/N 公、「Lπ7R1z cos(δ、+δz)
sin δ6の関係にある。
ッタ24でのS偏光反射率をR3I、P偏光およびS偏
光間の位相差を61とし、臨界角プリズム27でのS偏
光反射率をR3Z、P偏光およびS偏光間の位相差を6
2とし、カー回転角をθにとすると、 C/N 公、「Lπ7R1z cos(δ、+δz)
sin δ6の関係にある。
そこで、この実施例では、偏光ビームスプリッタ24を
、その偏光特性が、R51=100%、P偏光反射率R
FIがR□=20%、δ1・0となるように構成して、
S偏光成分すなわち光磁気信号成分を100%反射させ
て臨界角プリズム27に入射させるようにする。また、
臨界角プリズム27においては、硝材の屈折率nがn=
1.5のとき、S偏光反射率RatおよびP偏光反射率
RP□が第3図に示すようになり、そのままでは光磁気
信号成分であるS偏光成分の一部が透過してC/Nが低
下してしまうため、この実施例では臨界角プリズム27
の反射面27aに多層膜35をコーティングして、δ2
=0でRs□が第4図に示すようにR32=100%と
なるようにする。
、その偏光特性が、R51=100%、P偏光反射率R
FIがR□=20%、δ1・0となるように構成して、
S偏光成分すなわち光磁気信号成分を100%反射させ
て臨界角プリズム27に入射させるようにする。また、
臨界角プリズム27においては、硝材の屈折率nがn=
1.5のとき、S偏光反射率RatおよびP偏光反射率
RP□が第3図に示すようになり、そのままでは光磁気
信号成分であるS偏光成分の一部が透過してC/Nが低
下してしまうため、この実施例では臨界角プリズム27
の反射面27aに多層膜35をコーティングして、δ2
=0でRs□が第4図に示すようにR32=100%と
なるようにする。
この実施例によれば、1つの検出光学系によって、情報
信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー
信号を得るようにしたので、光学系を小形にできると共
に、部品点数も少なくでき、したがって安価にできる。
信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー
信号を得るようにしたので、光学系を小形にできると共
に、部品点数も少なくでき、したがって安価にできる。
また、光磁気ディスク26からの戻り光を100%とす
ると、第8図に示した従来の光磁気再生装置では、エラ
ー信号検出系8に15%、情報信号検出系9に20%の
光量を得るために、偏光ビームスプリッタ4でのP偏光
反射率が35%必要となるが、この実施例ではエラー信
号検出系および情報信号検出系を1つの検出光学系で共
用しているので、偏光ビームスプリッタ24でのP偏光
反射率RPIは20%で済むことになる。したがって、
光磁気ディスク26への入射光路における光量損失を小
さくでき、光の利用効率を向上できるので、半導体レー
ザ21として安価な低出力のものを使用することができ
る。
ると、第8図に示した従来の光磁気再生装置では、エラ
ー信号検出系8に15%、情報信号検出系9に20%の
光量を得るために、偏光ビームスプリッタ4でのP偏光
反射率が35%必要となるが、この実施例ではエラー信
号検出系および情報信号検出系を1つの検出光学系で共
用しているので、偏光ビームスプリッタ24でのP偏光
反射率RPIは20%で済むことになる。したがって、
光磁気ディスク26への入射光路における光量損失を小
さくでき、光の利用効率を向上できるので、半導体レー
ザ21として安価な低出力のものを使用することができ
る。
さらに、光磁気ディスク26に垂直方向の複屈折がある
と、入射角によって複屈折量が異なるので、反射光束内
の複屈折は一様でなくなり、偏光ビームスプリッタ29
を透過して光検出器32に入射する光束の強度分布は、
第5図Aに示すように、一方の対角象限では強度が増加
し、他方の対角象限では強度が減少するような分布とな
る。なお、偏光ビームスプリッタ29で反射されて光検
出器33に入射する光束の強度分布は、第5図Bに示す
ように、強度分布の変化が第5図Aのものと180°位
相がずれたものとなる。このため、非点収差法やナイフ
ェツジ法等によってフォーカスエラー信号を検出すると
、光磁気ディスク26の複屈折の影響を受けて検出精度
が低下するが、この実施例におけるように、臨界角法に
よってフォーカスエラー信号を検出するようにすれば、
このような光磁気ディスク26の複屈折の影響を受ける
ことがないので、フォーカスエラー信号を高精度で検出
することができる。
と、入射角によって複屈折量が異なるので、反射光束内
の複屈折は一様でなくなり、偏光ビームスプリッタ29
を透過して光検出器32に入射する光束の強度分布は、
第5図Aに示すように、一方の対角象限では強度が増加
し、他方の対角象限では強度が減少するような分布とな
る。なお、偏光ビームスプリッタ29で反射されて光検
出器33に入射する光束の強度分布は、第5図Bに示す
ように、強度分布の変化が第5図Aのものと180°位
相がずれたものとなる。このため、非点収差法やナイフ
ェツジ法等によってフォーカスエラー信号を検出すると
、光磁気ディスク26の複屈折の影響を受けて検出精度
が低下するが、この実施例におけるように、臨界角法に
よってフォーカスエラー信号を検出するようにすれば、
このような光磁気ディスク26の複屈折の影響を受ける
ことがないので、フォーカスエラー信号を高精度で検出
することができる。
第6図はこの発明の第2実施例を示すものである。この
実施例は、臨界角プリズム27の反射面27aで反射さ
れた戻り光を、1/2波長板28を経て集光レンズ37
により収束し、その収束光を入射角依存性の小さい偏光
ビームスプリッタ38でP偏光成分およびS偏光成分に
分離して、P偏光成分を光検出器32で受光し、S偏光
成分を偏光ビームスプリッタ38に一体に設けた全反射
面38aで全反射させて、光検出器32と同一平面に設
けた光検出器33で受光するようにしたもので、その他
の構成は第1実施例と同様である。
実施例は、臨界角プリズム27の反射面27aで反射さ
れた戻り光を、1/2波長板28を経て集光レンズ37
により収束し、その収束光を入射角依存性の小さい偏光
ビームスプリッタ38でP偏光成分およびS偏光成分に
分離して、P偏光成分を光検出器32で受光し、S偏光
成分を偏光ビームスプリッタ38に一体に設けた全反射
面38aで全反射させて、光検出器32と同一平面に設
けた光検出器33で受光するようにしたもので、その他
の構成は第1実施例と同様である。
このように構成すれば、第1実施例に比べ集光レンズを
1枚減らすことができると共に、戻り光を収束して偏光
ビームスプリンタ38に入射させるので、偏光ビームス
プリンタ38を小さくできる。
1枚減らすことができると共に、戻り光を収束して偏光
ビームスプリンタ38に入射させるので、偏光ビームス
プリンタ38を小さくできる。
したがって、第1実施例におけるよりも、より小形かつ
安価にできる。また、光検出器32および33を同一平
面に設けるようにしたので、その光学的調整を容易にで
きると共に、これらを同一基板に一体に形成することに
より安価にできる。
安価にできる。また、光検出器32および33を同一平
面に設けるようにしたので、その光学的調整を容易にで
きると共に、これらを同一基板に一体に形成することに
より安価にできる。
なお、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、幾多の変形または変更が可能である。例えば
上述した実施例では、光検出器32を4分割受光領域を
もって構成したが、光検出器33を4分割受光領域をも
って構成してフォーカスおよびトラッキングエラー信号
を検出するようにしてもよいし、光検出器32および3
3の双方を4分割受光領域をもって構成してそれぞれフ
ォーカスおよびトラッキングエラー信号を検出し、双方
の対応するエラー信号を加算するようにしてもよい。
ではなく、幾多の変形または変更が可能である。例えば
上述した実施例では、光検出器32を4分割受光領域を
もって構成したが、光検出器33を4分割受光領域をも
って構成してフォーカスおよびトラッキングエラー信号
を検出するようにしてもよいし、光検出器32および3
3の双方を4分割受光領域をもって構成してそれぞれフ
ォーカスおよびトラッキングエラー信号を検出し、双方
の対応するエラー信号を加算するようにしてもよい。
また、光検出器32および33を、第7図AおよびBに
示すように、それぞれ2分割受光領域32a 、 32
bおよび33a 、 33bをもって構成し、一方の光
検出器32の受光領域32a 、 32bの出力差に基
づいてトラッキングエラー信号を、他方の光検出器33
の受光領域33a、33bの出力差に基づいてフォーカ
スエラー信号を検出するようにしてもよい。
示すように、それぞれ2分割受光領域32a 、 32
bおよび33a 、 33bをもって構成し、一方の光
検出器32の受光領域32a 、 32bの出力差に基
づいてトラッキングエラー信号を、他方の光検出器33
の受光領域33a、33bの出力差に基づいてフォーカ
スエラー信号を検出するようにしてもよい。
さらに、上述した実施例では、1/2波長板28を用い
て戻り光の偏光面を45°回転させるようにしたが、1
72波長板28を用いる代わりにRn臨界角リズム27
以降の光学系を光軸回りに45°回転して配置してもよ
い。
て戻り光の偏光面を45°回転させるようにしたが、1
72波長板28を用いる代わりにRn臨界角リズム27
以降の光学系を光軸回りに45°回転して配置してもよ
い。
以上のように、この発明によれば、光磁気記録媒体から
の戻り光を臨界角プリズムで反射させ、その反射光を検
光子を経て受光手段で受光して、光磁気記録媒体に記録
された情報の再往信号および対物レンズの光磁気記録媒
体に対する相対的位置ずれを表すエラー信号を検出する
ようにしたので、従来のように再生信号およびエラー信
号を別々の検出光学系によって検出するものに比べ、光
学系を小形にできると共に、部品点数も少なくでき、し
たがって安価にできる。また、検出光学系を共用するこ
とにより、光の利用効率を向上できるので、光源として
安価な低出力のものを使用することかできる。
の戻り光を臨界角プリズムで反射させ、その反射光を検
光子を経て受光手段で受光して、光磁気記録媒体に記録
された情報の再往信号および対物レンズの光磁気記録媒
体に対する相対的位置ずれを表すエラー信号を検出する
ようにしたので、従来のように再生信号およびエラー信
号を別々の検出光学系によって検出するものに比べ、光
学系を小形にできると共に、部品点数も少なくでき、し
たがって安価にできる。また、検出光学系を共用するこ
とにより、光の利用効率を向上できるので、光源として
安価な低出力のものを使用することかできる。
第1図はこの発明の第1実施例を示す図、第2図は第1
図に示す光検出器の一方の構成を示す平面図、 第3図は臨界角プリズムの一般的な反射率特性を示す図
、 第4図は第1図に示すR界角プリズムの反射率特性を示
す図、 第5図AおよびBは光磁気ディスクの複屈折による戻り
光の強度分布の変化を示す図、第6図はこの発明の第2
実施例を示す図、第7図AおよびBは第1図、第6図に
示す光検出器の変形例を示す図、 第8図および第9図A−Cは従来の技術を説明するため
の図である。 21・・−半導体レーザ 22・−・コリメータ
レンズ23−・ビーム整形プリズム 24−・−偏光ビ
ームスプリッタ25−・一対物レンズ 26−
・−光磁気ディスク27−H=界角プリズム 27
a−・−反射面28−・172波長板 30.31・・−集光レンズ 32a〜32d−・・受光領域 37・・−集光レンズ 38a・−全反射面 29−一偏光ビームスプリツタ 32、33・−光検出器 35−多層膜 38−・偏光ビームスプリッタ 第1 第2図 反I11デ気度
図に示す光検出器の一方の構成を示す平面図、 第3図は臨界角プリズムの一般的な反射率特性を示す図
、 第4図は第1図に示すR界角プリズムの反射率特性を示
す図、 第5図AおよびBは光磁気ディスクの複屈折による戻り
光の強度分布の変化を示す図、第6図はこの発明の第2
実施例を示す図、第7図AおよびBは第1図、第6図に
示す光検出器の変形例を示す図、 第8図および第9図A−Cは従来の技術を説明するため
の図である。 21・・−半導体レーザ 22・−・コリメータ
レンズ23−・ビーム整形プリズム 24−・−偏光ビ
ームスプリッタ25−・一対物レンズ 26−
・−光磁気ディスク27−H=界角プリズム 27
a−・−反射面28−・172波長板 30.31・・−集光レンズ 32a〜32d−・・受光領域 37・・−集光レンズ 38a・−全反射面 29−一偏光ビームスプリツタ 32、33・−光検出器 35−多層膜 38−・偏光ビームスプリッタ 第1 第2図 反I11デ気度
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、対物レンズを経て光磁気記録媒体に読み取り光を照
射して、該光磁気記録媒体に垂直方向に磁化されて記録
された情報を光学的に読み取る光磁気再生装置において
、 前記光磁気記録媒体からの戻り光の光路中に配置され、
該戻り光の中心光線に対してほぼ臨界角となるように設
定した反射面を有する臨界角プリズムと、 この臨界角プリズムの前記反射面で反射された光束の所
定の偏光成分を取り出す検光子と、この検光子で取り出
された光束を受光する受光手段とを具え、 この受光手段により、前記光磁気記録媒体に記録された
情報の再生信号および前記対物レンズの前記光磁気記録
媒体に対する相対的位置ずれを表すエラー信号を検出す
るよう構成したことを特徴とする光磁気再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10640690A JPH046647A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 光磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10640690A JPH046647A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 光磁気再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046647A true JPH046647A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14432798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10640690A Pending JPH046647A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 光磁気再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH046647A (ja) |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP10640690A patent/JPH046647A/ja active Pending
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