JPH046608A - 薄膜磁気ヘツド及びこれを搭載した磁気デイスク装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びこれを搭載した磁気デイスク装置Info
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- JPH046608A JPH046608A JP10761190A JP10761190A JPH046608A JP H046608 A JPH046608 A JP H046608A JP 10761190 A JP10761190 A JP 10761190A JP 10761190 A JP10761190 A JP 10761190A JP H046608 A JPH046608 A JP H046608A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に、高記録密度を達成するために適した薄
膜磁気ヘッドに関する。
膜磁気ヘッドに関する。
更に、本発明は薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク
装置、特に、コンピュータの外部記憶装置として使用す
るのに好適な磁気ディスク装置に関する。
装置、特に、コンピュータの外部記憶装置として使用す
るのに好適な磁気ディスク装置に関する。
磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置。
ビデオテープレコーダ等の磁気記録装置の記録密度が増
加するにつれて、情報の書込みや読出しを行う薄膜磁気
ヘッドの高周波特性を向上させなければならない。薄膜
磁気ヘッドの特性は磁気コアの磁区構造と密接な関係が
あり、磁区構造の制御が重要になってきている。読出又
は書込み時に好ましい磁区構造の変化は、応答の速い磁
化回転であるが、単層磁性膜を磁気コアに用いると環流
磁区構造となるため、応答が遅く不連続な変化になりや
すい90度磁壁の移動を含んでしまい、高周波特性が劣
下しS/N比が悪くなってしまう。また、読込時の信号
波形が歪むことがあり読出エラーの原因になってしまう
。従来の方法は、特開昭58−171709号公報に記
載のように、磁性膜と非磁性膜を交互に積層した多層磁
性膜を磁気コアに用いる事により、磁区構造を単磁区化
していた。単磁区の場合には磁化回転だけで磁束を通す
ため、高周波特性が良く読込時に信号波形が歪むことも
ない。この場合、上部・下部磁気コアはそれぞれ分割さ
れておらず、それぞれ連続した多層磁性膜から成る。
加するにつれて、情報の書込みや読出しを行う薄膜磁気
ヘッドの高周波特性を向上させなければならない。薄膜
磁気ヘッドの特性は磁気コアの磁区構造と密接な関係が
あり、磁区構造の制御が重要になってきている。読出又
は書込み時に好ましい磁区構造の変化は、応答の速い磁
化回転であるが、単層磁性膜を磁気コアに用いると環流
磁区構造となるため、応答が遅く不連続な変化になりや
すい90度磁壁の移動を含んでしまい、高周波特性が劣
下しS/N比が悪くなってしまう。また、読込時の信号
波形が歪むことがあり読出エラーの原因になってしまう
。従来の方法は、特開昭58−171709号公報に記
載のように、磁性膜と非磁性膜を交互に積層した多層磁
性膜を磁気コアに用いる事により、磁区構造を単磁区化
していた。単磁区の場合には磁化回転だけで磁束を通す
ため、高周波特性が良く読込時に信号波形が歪むことも
ない。この場合、上部・下部磁気コアはそれぞれ分割さ
れておらず、それぞれ連続した多層磁性膜から成る。
また、記録密度を高くするにはトラック幅を小さく高精
度で形成しなければならない。トラック幅を決める上部
磁気コア先端部の幅を高精度で形成するには特開昭60
−10409号公報に記載のように上部磁気コア先端部
のみを先に形成し、その後、上部磁気コア後部を形成す
るのが有利とされている。
度で形成しなければならない。トラック幅を決める上部
磁気コア先端部の幅を高精度で形成するには特開昭60
−10409号公報に記載のように上部磁気コア先端部
のみを先に形成し、その後、上部磁気コア後部を形成す
るのが有利とされている。
上記従来技術のうち、特開昭58−171709号に記
載されている技術を用いれば、再生波形歪を発生させず
に高周波でのS/N比を良くすることができるが上部磁
気コア先端部形成の高精度化については考慮されておら
ず、出力が薄膜磁気ヘッドによってばらつくという問題
があった。また、従来技術のうち特開昭60−1040
9号公報に記載されている技術を用いれば、上部磁気コ
ア先端部を高精度で形成できるが、磁区構造については
考慮がされておらず、再生波形歪が発生したり、高周波
でのS/N比が低くなる問題があった。
載されている技術を用いれば、再生波形歪を発生させず
に高周波でのS/N比を良くすることができるが上部磁
気コア先端部形成の高精度化については考慮されておら
ず、出力が薄膜磁気ヘッドによってばらつくという問題
があった。また、従来技術のうち特開昭60−1040
9号公報に記載されている技術を用いれば、上部磁気コ
ア先端部を高精度で形成できるが、磁区構造については
考慮がされておらず、再生波形歪が発生したり、高周波
でのS/N比が低くなる問題があった。
本発明の目的は、上部磁気コア先端部を高精度に形成す
る薄膜磁気ヘッドの、再生波形歪をなくし、高周波での
S/N比を向上することにある。
る薄膜磁気ヘッドの、再生波形歪をなくし、高周波での
S/N比を向上することにある。
上記目的を達成するために、薄膜磁気ヘッドは上部磁気
コアを先端部と後部に分割して別々に形成する構造とし
、上部磁気コア先端部、上部磁気コア後部、下部磁気コ
アの一部又は全部を磁性膜と非磁性膜を交互に積層した
二層以上の多層磁性膜により形成したものである。
コアを先端部と後部に分割して別々に形成する構造とし
、上部磁気コア先端部、上部磁気コア後部、下部磁気コ
アの一部又は全部を磁性膜と非磁性膜を交互に積層した
二層以上の多層磁性膜により形成したものである。
薄膜磁気ヘッドを上部磁気コアが先端部と後部に分割し
て別々に形成する構造とすることにより。
て別々に形成する構造とすることにより。
トラック幅を決める上部磁気コア先端部の幅を高精度で
形成することができる。また、上部磁気コア先端部、上
部磁気コア後部、下部磁気コアを多層磁性膜で形成する
ことにより磁区構造は単磁区となり、磁壁がないため再
生波形歪が無くなるだけでなく高周波領域でのS/N比
も高くなる。
形成することができる。また、上部磁気コア先端部、上
部磁気コア後部、下部磁気コアを多層磁性膜で形成する
ことにより磁区構造は単磁区となり、磁壁がないため再
生波形歪が無くなるだけでなく高周波領域でのS/N比
も高くなる。
以下、本発明を用いた一実施例を第1図(a)。
(b)に示す。薄膜磁気ヘッドは基板1上に形成された
。磁性膜(Go−Ta−Zr)2と非磁性膜(AQzO
δ)3により形成された下部磁気コア。
。磁性膜(Go−Ta−Zr)2と非磁性膜(AQzO
δ)3により形成された下部磁気コア。
磁気ギャップ(AQzOa)4.下層絶縁層(レジスト
)5.磁性膜(Go−Ta−Zr)6と非磁性膜(AQ
zOa)7により形成された上部磁気コア先端部、保護
膜(A Q zo s”) 8 、磁気性膜(Go−T
a−Zr)10と非磁性膜(A Q 203)9により
形成された上部磁気コア後部、コイル(@)12.上層
絶縁膜(レジスト)13.素子保護膜14から構成され
る。上部磁気コア先端部と上部磁気コア後部は保護膜8
に設けたコンタクトホール11を通して接続しており、
下部磁気コアとともに磁気回路を形成している。
)5.磁性膜(Go−Ta−Zr)6と非磁性膜(AQ
zOa)7により形成された上部磁気コア先端部、保護
膜(A Q zo s”) 8 、磁気性膜(Go−T
a−Zr)10と非磁性膜(A Q 203)9により
形成された上部磁気コア後部、コイル(@)12.上層
絶縁膜(レジスト)13.素子保護膜14から構成され
る。上部磁気コア先端部と上部磁気コア後部は保護膜8
に設けたコンタクトホール11を通して接続しており、
下部磁気コアとともに磁気回路を形成している。
磁性膜CoTaZr−層の膜厚を0.4μm非磁性膜八
ρへ03−暦の膜厚を5nmとし、下部磁気コアを五層
磁性膜(61i性膜膜厚2μm)、上部磁気コア先端部
を六層磁性膜(磁性膜膜厚2.4μm)+上部磁気コア
後部を上層磁性膜(磁性膜膜厚2.8μm)で形成した
薄膜磁気ヘッドの各磁気コアの磁区構造は単磁区となっ
た。第2図(a)に規格化したS/N比の周波数変化を
示す。
ρへ03−暦の膜厚を5nmとし、下部磁気コアを五層
磁性膜(61i性膜膜厚2μm)、上部磁気コア先端部
を六層磁性膜(磁性膜膜厚2.4μm)+上部磁気コア
後部を上層磁性膜(磁性膜膜厚2.8μm)で形成した
薄膜磁気ヘッドの各磁気コアの磁区構造は単磁区となっ
た。第2図(a)に規格化したS/N比の周波数変化を
示す。
各磁気コアの膜厚がそれぞれ等しく、各磁気コアを単層
Co−Ta−Zr膜で形成し、他は同じ構成の薄膜磁気
ヘッドと、同じ記録媒体からの読込特性を比較すると、
トラック@8μmの場合には、10MHz以上の高周波
領域でS/N比が向上した。第2図(b)に規格化した
ノイズの周波数変化を示す、多層磁性膜の薄膜磁気ヘッ
ドで高周波領域でノイズが減少するのは磁気コアが単磁
区で磁壁がないため、磁壁移動の寄与がなくなるためで
ある。また、トラック幅が5μmの薄膜磁気ヘッドの場
合には、第3図に示すように、S/N比の向上はトラッ
ク幅が8μmの場合よりも大きい。
Co−Ta−Zr膜で形成し、他は同じ構成の薄膜磁気
ヘッドと、同じ記録媒体からの読込特性を比較すると、
トラック@8μmの場合には、10MHz以上の高周波
領域でS/N比が向上した。第2図(b)に規格化した
ノイズの周波数変化を示す、多層磁性膜の薄膜磁気ヘッ
ドで高周波領域でノイズが減少するのは磁気コアが単磁
区で磁壁がないため、磁壁移動の寄与がなくなるためで
ある。また、トラック幅が5μmの薄膜磁気ヘッドの場
合には、第3図に示すように、S/N比の向上はトラッ
ク幅が8μmの場合よりも大きい。
本発明によれば、狭トラック幅、高周波領域でS/N比
向上の効果がある。さらに、単Ha性膜で形成した薄膜
磁気ヘッドでは再生波形歪が発生したが、多層磁性層で
形成した薄膜磁気ヘッドでは再生波形歪は問題とならな
いレベルであった。
向上の効果がある。さらに、単Ha性膜で形成した薄膜
磁気ヘッドでは再生波形歪が発生したが、多層磁性層で
形成した薄膜磁気ヘッドでは再生波形歪は問題とならな
いレベルであった。
磁性膜をNi−Fe、Fe−5i、Fe−Ge。
Fe−Ti、Fe−N、Ni−Fe−Co、C。
−F e 、 Co −Z r 、 Co −T a
、又は、Co−Tiで形成し、非磁性膜をC,Ti、W
、Cr。
、又は、Co−Tiで形成し、非磁性膜をC,Ti、W
、Cr。
Ta、Pt、SiO2,S i N、 T i−C,Y
2O3、又は、BNで形成した多層膜で磁気コアを構成
した薄膜磁気ヘッドは再生波形歪は問題にならないレベ
ルであり、同じ膜厚で単層磁性膜で形成した薄膜磁気ヘ
ッドよりも10MHz以上の高周波領域でS/N比が向
上した。
2O3、又は、BNで形成した多層膜で磁気コアを構成
した薄膜磁気ヘッドは再生波形歪は問題にならないレベ
ルであり、同じ膜厚で単層磁性膜で形成した薄膜磁気ヘ
ッドよりも10MHz以上の高周波領域でS/N比が向
上した。
本実施例の、トラック幅が10μm以下の多層磁性膜で
磁気コアを形成した薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置はトラック密度を−インチ当り1800)−ラ
ック以上に、線記録密度を一インチ当り30キロビット
以上にでき、両者の積である面記録密度を54メガビッ
ト以上にできた。
磁気コアを形成した薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置はトラック密度を−インチ当り1800)−ラ
ック以上に、線記録密度を一インチ当り30キロビット
以上にでき、両者の積である面記録密度を54メガビッ
ト以上にできた。
また、直径8〜11インチの磁気ディスクを3800r
pm以上で回転することにより転送速度を4.5メガバ
イト/秒以上にできた。再生波形歪が問題とならないレ
ベルであるため、読出エラーは無かった。トラック幅が
10μm以下の、単層磁性膜で磁気コアを形成した薄膜
磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置は再生波形歪の
ため読出エラーが頻発した。また、S/N比が低下する
ため線記録密度を30キロビット以上にはできなかった
。
pm以上で回転することにより転送速度を4.5メガバ
イト/秒以上にできた。再生波形歪が問題とならないレ
ベルであるため、読出エラーは無かった。トラック幅が
10μm以下の、単層磁性膜で磁気コアを形成した薄膜
磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置は再生波形歪の
ため読出エラーが頻発した。また、S/N比が低下する
ため線記録密度を30キロビット以上にはできなかった
。
本発明によれば、トラック幅を高精度で形成する薄膜磁
気ヘッドの磁気コアの磁区構造を単磁区にできるので、
10μm以下の狭トラツク幅薄膜磁気ヘッドにおいて1
0MHz以上の高周波領域でのS/N比を向上する効果
がある。
気ヘッドの磁気コアの磁区構造を単磁区にできるので、
10μm以下の狭トラツク幅薄膜磁気ヘッドにおいて1
0MHz以上の高周波領域でのS/N比を向上する効果
がある。
さらに、再生波形歪がないので読比エラーをなくす効果
がある。
がある。
さらに、磁気ディスク装置の面記録密度を1平方インチ
当り54メガビット以上にできるため、60ギガバイト
以上の容量の磁気ディスク装置を提供することができる
。
当り54メガビット以上にできるため、60ギガバイト
以上の容量の磁気ディスク装置を提供することができる
。
第1図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図(
a)および上面図(b)、第2図(a)はトラック幅が
8μmの、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドと従来技
術の薄膜磁気ヘッドの、S/N比の周波数変化(a)お
よびノイズの周波数変化(b)を示す特性図、第3図は
トラック幅が5μmの、本発明の薄膜磁気ヘッドと従来
技術の薄膜磁気ヘッドのS/N比の周波数変化の説明図
を示す。 1・・・基板、2・・・下部磁気コア磁性膜、3・・・
下部磁気コア非磁性膜、4・・・磁気ギャップ、5・・
・下層絶縁膜、6・・・上部磁気コア先端部磁性膜、7
・・・上部磁気コア先端部非磁性膜、8・・・保護膜、
9・・・上部磁気コア後部非磁性膜、10・・・上部磁
気コア磁性膜、11・・・コンタクトホール、12・・
・コイル、13・・・上層絶縁膜、14・・・素子保護
膜。
a)および上面図(b)、第2図(a)はトラック幅が
8μmの、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドと従来技
術の薄膜磁気ヘッドの、S/N比の周波数変化(a)お
よびノイズの周波数変化(b)を示す特性図、第3図は
トラック幅が5μmの、本発明の薄膜磁気ヘッドと従来
技術の薄膜磁気ヘッドのS/N比の周波数変化の説明図
を示す。 1・・・基板、2・・・下部磁気コア磁性膜、3・・・
下部磁気コア非磁性膜、4・・・磁気ギャップ、5・・
・下層絶縁膜、6・・・上部磁気コア先端部磁性膜、7
・・・上部磁気コア先端部非磁性膜、8・・・保護膜、
9・・・上部磁気コア後部非磁性膜、10・・・上部磁
気コア磁性膜、11・・・コンタクトホール、12・・
・コイル、13・・・上層絶縁膜、14・・・素子保護
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁気コアと
、前記下部磁気コア上に形成され一部が前記下部磁気コ
アの一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気
ギャップを介して対向し、これによつて前記下部磁気コ
アと共に一部に前記磁気ギャップをもつ磁気回路を形成
する上部磁気コアが、前記スライダの浮上面側の先端部
と、少なくとも前記先端部上に形成した保護膜と、前記
保護膜に設けられたコンタクトホールを通じて前記先端
部と接続する後部とをもち、前記上部磁気コアと前記下
部磁気コアの間を通り前記磁気回路と交差する導体コイ
ルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁気コアの先端部及び前記上部磁気コアの後部
及び前記下部磁気コアの一部又は全部が磁性膜と非磁性
膜を交互に積層した複数層の多層磁性膜により形成され
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 2、請求項1において、前記上部磁気コア後部を形成す
る磁気膜の総膜厚が、前記上部磁気コア先端部を形成す
る磁性膜の総膜厚よりも大きい薄膜磁気ヘッド。 3、請求項1または2において、前記磁性膜が、Co−
Ta−Zr、Ni−Fe、Fe−Si、Fe−Ge、F
e−Ti、Fe−N、Ni−Fe−Co、Co−Fe、
Co−Zr、Co−Ta、Co−Tiを主成分とする合
金から選ばれた材料である薄膜磁気ヘッド。4、請求項
1または2において、前記非磁性膜が高融点非磁性金属
材料である薄膜磁気ヘッド。 5、請求項1または2において、前記非磁性膜が、C、
Ti、W、Cr、Ta、Ptから選ばれた材料である薄
膜磁気ヘッド。 6、請求項1または2において、前記非磁性膜が非磁性
絶縁膜である薄膜磁気ヘッド。 7、請求項1または2において、前記非磁性膜絶縁膜が
Al_2O_3、SiO_2、SiN、Ti−C、Y_
2O_3、BNから選ばれた材料である薄膜磁気ヘッド
。 8、請求項1、2、3、4、5、6または7において、
情報を記録する少なくとも一枚の前記磁気ディスクと、 前記磁気ディスクに対して情報の書込及び読出を行う前
記薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とをもつヘッド・デ
ィスク・アッセンブリを少なくとも一つ具備し前記薄膜
磁気ヘッドを一個以上搭載する磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10761190A JPH046608A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 薄膜磁気ヘツド及びこれを搭載した磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10761190A JPH046608A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 薄膜磁気ヘツド及びこれを搭載した磁気デイスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046608A true JPH046608A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14463563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10761190A Pending JPH046608A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 薄膜磁気ヘツド及びこれを搭載した磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH046608A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214205A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
KR100415446B1 (ko) * | 2000-03-09 | 2004-01-24 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그의 제조방법 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP10761190A patent/JPH046608A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214205A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
KR100415446B1 (ko) * | 2000-03-09 | 2004-01-24 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그의 제조방법 |
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