JPH0463289A - Worked metallic sheet and its production - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a worked metallic sheet having a slit of a fine spacing by patterning a resist agent into slightly shifted state on both surfaces of a metallic sheet, where difficult-to-etch metallic layers decreased in etching velocity are formed on both surfaces of an easy-to-etch metallic layer increased in etching velocity, and carrying out removal by etching. CONSTITUTION:A metallic sheet 4 having a three-layer structure, where a metallic layer 3 increased in etching velocity is interposed between metallic layers 1, 2 decreased in etching velocity and these layers are integrated, is formed as a stock, and etching is exerted while slightly shifting the central positions of the upper and the lower surfaces. A spacing L3 in the metallic layer 3 is larger than a spacing L1 in the metallic layer 1 and a spacing L2 in the metallic layer 2. Accordingly, the edge 3a of the metallic layer 3 is allowed to recede in a width direction to a greater extent than the edge 1a of the metallic layer 1 and the edge 1a of the metallic layer 1 is etched and left into a linear state, and, in a similar manner as above, the edge 2a of the metallic layer 2 is also etched and left into a linear state, by which a slit having a spacing L interposed between the edge 1a of the metallic layer 1 and the edge 2a of the metallic layer 2 can be formed in the metallic sheet 4 of three-layer structure.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、半導体装置用のリードフレーム、サーマルヘ
ッドの接触部材、工／コーダ等の用材となる金属加工薄
板及びその製造方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a metal processed thin plate that can be used as a lead frame for semiconductor devices, a contact member for a thermal head, a machine/coder, etc., and a method for manufacturing the same. .

［従来の技術］ 従来、半導体装置用のリードフレームを製造するに当た
っては、所定素材からなる金属薄板をリードフレームの
用材とし、これをエツチング手法により加工しており、
半導体素子が載置されるタブ部、このタブ部を囲むよう
に配置されるインナーリード部、このインナーリード部
に連続するアウターリード部等を得るために、所定の形
状パターンでレジスト剤を前記用材に施し、この後エツ
チング液によって不要部分や絶縁部分をエツチング除去
してリードフレームを得ている。[Prior Art] Conventionally, in manufacturing lead frames for semiconductor devices, a thin metal plate made of a predetermined material is used as the material for the lead frame, and this is processed using an etching method.
In order to obtain a tab portion on which a semiconductor element is placed, an inner lead portion arranged to surround this tab portion, an outer lead portion continuous to this inner lead portion, etc., a resist agent is applied to the material in a predetermined shape pattern. After that, unnecessary parts and insulating parts are etched away using an etching solution to obtain a lead frame.

昨今、リードフレームにおいては、超多ピンとする要望
が出てきたことから、リードフレームにおけるインナー
リード部のリードのピッチを詰めて前記リードの本数が
多くなるように試みられている。リードのピッチが小さ
いリードフレームの製造等絶縁部分の間隔を狭くする場
合、ピッチが小さいリードフレームを得るテクニックと
して、斜行エツチングの方法がある。この方法は、表裏
面のレジスト形成部分をずらしてエツチングし、その重
なり部分のみの間隔としようとする技術である。Recently, there has been a demand for a lead frame with an extremely large number of pins, so attempts have been made to increase the number of leads by reducing the pitch of the leads in the inner lead portion of the lead frame. When manufacturing a lead frame with a small lead pitch to narrow the distance between insulating parts, there is a diagonal etching method as a technique for obtaining a lead frame with a small lead pitch. This method is a technique in which the resist-formed portions on the front and back surfaces are etched while being shifted, and the spacing is created only in the overlapping portions.

従来のピッチが詰まったリードフレームを製造する場合
、第４図に示すように４２７０イ材等からなる金属板ａ
の上下面からエツチングｂｓｃを施す際に、中心位置を
ずらした場合エツチングｂ１Ｃが連絡してからの間隔ノ
は、ある一定の幅まで急速に広がる。例えば、第５図に
おいてＡはエツチングｂとＣが接触した瞬間である。こ
の時はまだ開口幅はゼロであるが、僅か後で他の部分で
はＤだけエツチングが進んだ状態で開口幅はノだけ進ん
でしまい、他の条件に比べて異常に大きくなる。従って
、開口幅！を調節するのは、他の部分の調節に比べ微細
なエツチング進度の調節が必要となり、実質的にピッチ
幅の狭いものが得られないという問題点があった。When manufacturing a conventional lead frame with tight pitches, as shown in Fig. 4, a metal plate a made of 4270A material, etc.
When performing etching bsc from the upper and lower surfaces of the etching bsc, if the center position is shifted, the distance after the etching b1c connects will rapidly widen to a certain width. For example, in FIG. 5, A is the moment when etchings b and C come into contact. At this time, the aperture width is still zero, but a little later, etching progresses by D in other parts, and the aperture width advances by , which becomes abnormally large compared to other conditions. Therefore, the opening width! Adjusting this requires finer adjustment of the etching progress than adjusting other parts, and there is a problem in that it is not possible to obtain a substantially narrow pitch width.

［発明が解決しようとする課題］ このような従来の問題点を解決するために、特殊な三層
構造の金属板を用いてエツチングする方法が開発された
が、これは第３図に示すようにエツチング速度の速い易
エツチング金属層３（素材として、例えば銅）の上下に
、エツチング速度の遅い難エツチング金属層１．２（素
材として、例えば鉄ニツケル合金「４２ニッケル合金」
）を積層した金属薄板４が用いられる。この金属薄板４
の前記難エツチング金属層１．２の表面にレジスト剤５
をバターニングし、難エツチング金属層１．２側からエ
ツチング処理することによって、抜きパターンが得られ
絶縁部６が形成される。即ち、難エツチング金属層１．
２でのエツチング作用が進み、易エツチング金属層３に
達すると、この易エツチング金属層３でのエツチング作
用が急速に進み、貫通することによって間隙の小さい絶
縁部６を得るのに用いられていた。[Problems to be Solved by the Invention] In order to solve these conventional problems, an etching method using a special three-layered metal plate was developed, as shown in Figure 3. Above and below the easily etched metal layer 3 (made of copper, for example) which has a fast etching rate, the hard-to-etch metal layer 1.2 which has a slow etching rate (the material is made of iron-nickel alloy "42 nickel alloy", for example).
) is used. This thin metal plate 4
A resist agent 5 is applied to the surface of the etching-resistant metal layer 1.2.
By patterning and etching from the hard-to-etch metal layer 1.2 side, a punched pattern is obtained and the insulating portion 6 is formed. That is, the hard-to-etch metal layer 1.
When the etching action in step 2 progresses and reaches the easily etched metal layer 3, the etching action in this easily etched metal layer 3 rapidly progresses and penetrates through it, which is used to obtain the insulating part 6 with a small gap. .

しかしながら、この場合も開口幅を調節するのは容易で
はなく、微細加工用といってももつと狭幅の要求には応
えられないのが現状である。本発明は、以上の問題点に
鑑み、ピッチ幅の狭い金属加工薄板及びその製造方法を
提供しようとするものである。However, in this case as well, it is not easy to adjust the opening width, and the current situation is that even if it is used for microfabrication, it cannot meet the demand for a narrow width. SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention provides a metal processed thin plate with a narrow pitch width and a method for manufacturing the same.

［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記した課題を考慮してなされたもので、エ
ツチング速度の速い易エツチング金属層の両面に、前記
易エツチング金属層よりエツチング速度が遅い難エツチ
ング金属層を形成し、前記難エツチング金属層の張出エ
ツジ部分が、対向するエツチング端面で相違する面に形
成されて近接対向している金属加工薄板を要旨とするも
のである。[Means for Solving the Problems] The present invention has been made in consideration of the above-mentioned problems, and includes a layer of hard-to-etch metal, which has a slower etching speed than the easy-to-etch metal layer, on both sides of an easily etched metal layer, which has a high etching speed. The gist of the present invention is to form a thin metal plate in which the protruding edge portions of the hard-to-etch metal layer are formed on opposite etching end faces and are closely opposed to each other.

また、本発明は、エツチング速度の速い易エツチング金
属層の両面に、前記易エツチング金属層よりエツチング
速度が遅い難エツチング金属層を形成してなる金属板の
両面に、レジスト剤を若干ずらしてパターニングしてエ
ツチング除去する金属加工薄板の製造方法を要旨とする
ものである。Further, the present invention provides patterning by slightly shifting the resist agent onto both sides of a metal plate, which is formed by forming a hard-to-etch metal layer, which has a slower etching rate than the easy-to-etch metal layer, on both sides of an easily-etchable metal layer, which has a high etching rate. The gist of this paper is a method for manufacturing thin metal sheets that are removed by etching.

［作　用］ 本発明のエツチングにおいては、第２図に示すように張
り出した突出部分ではなく側面部分がエツジとなり、間
隔りが調整可能のため他の部分とほぼ同し進み方で開口
幅が広がって行く、このためその開口幅の調整が容易で
ある。[Function] In the etching of the present invention, as shown in FIG. 2, the side surface portion becomes the edge instead of the protruding portion, and since the spacing is adjustable, the opening width increases almost in the same manner as the other portions. The opening widens, so the opening width can be easily adjusted.

［実施例コ 次に、本発明を第１図に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。[Embodiment] Next, the present invention will be explained in detail based on the embodiment shown in FIG.

第１図において、１．２は４２アロイ等からなるエツチ
ング速度の遅い金属層であり、その間に銅系材からなる
エツチング速度の速い金属層３を介在させて一体化した
三層構造の金属板４を素材として形成する。この三層構
造の金属板４は、上下面からエツチング処理するが、こ
の時エツチングの中心位置を少しずらして行うと、エツ
チングにより生じた間隔は金属層１．２より金属板層の
方が大きくなる。即ち、金属層１の間隔Ｌ１、金属層２
の間隔Ｌ２より金属層３の間隔Ｌ３の方が大となる。従
って、金属層１のエツジ１ａよりも金属板層のエツジ３
ａの方が幅方向に深く後退して入り込み、金属層１のエ
ツジ１ａが侵食されて直線状に残され、これと同様に金
属層２のエツジ２ａも侵食されて直線状に残される。こ
れにより、三層構造の金属板４には金属層１のエツジ１
ａと金属層２のエツジ２ａとで挟まれた間隔りのスリッ
トが形成される。In Fig. 1, 1.2 is a metal layer with a slow etching rate made of 42 alloy, etc., and a metal layer 3 with a fast etching rate made of a copper-based material is interposed between them to form a metal plate with a three-layer structure. 4 as a material. This metal plate 4 having a three-layer structure is etched from the top and bottom surfaces, but if the center position of the etching is slightly shifted at this time, the spacing created by etching will be larger for the metal plate layer than for the metal layer 1.2. Become. That is, the distance L1 between metal layers 1, metal layer 2
The distance L3 between the metal layers 3 is larger than the distance L2 between the metal layers 3 and 3. Therefore, the edge 3 of the metal plate layer is lower than the edge 1a of the metal layer 1.
The edge a recedes more deeply in the width direction, and the edge 1a of the metal layer 1 is eroded and left in a straight line.Similarly, the edge 2a of the metal layer 2 is also eroded and left in a straight line. As a result, the three-layer structure metal plate 4 has the edge 1 of the metal layer 1.
A slit is formed at intervals between the edge 2a of the metal layer 2 and the edge 2a of the metal layer 2.

このように形成された本発明に係る金属加工薄板は、リ
ードフレームの他にサーマルヘッドの接触部、ロータリ
ーエンコーダ、リニアエンフーダ等に使用することが出
来る。特に、エンコーダでは光学的遮光性が問題となる
ので、この間隔がそのままの幅として用いうるので極め
て有効である。The metal processed thin plate according to the present invention formed in this manner can be used not only for lead frames but also for contact parts of thermal heads, rotary encoders, linear encoders, etc. In particular, since optical light shielding is a problem in encoders, this interval can be used as the width, which is extremely effective.

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、微細な間隔のス
リットををする金属加工薄板を提供出来るのであり、こ
の金属加工薄板の構造は微細な間隔幅の調節が容易とな
るものである。また、本発明は微細な間隔のスリットを
金属板に形成するのに、その幅を容易に調節し得る製造
方法が得られるものであり、特に微細なスリットの形成
に優れた効果を奏する。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to provide a metal processed thin plate in which slits are formed at minute intervals, and the structure of this metal processed thin plate allows for easy adjustment of the minute gap width. It is what it is. Further, the present invention provides a manufacturing method in which the width of slits can be easily adjusted when forming slits at minute intervals in a metal plate, and is particularly effective in forming minute slits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の一実施例を断面で示す説明図、第２図
は本発明のエツチング進度を示す説明図、第３図は従来
の三層金属板のエツチング態様を示す説明図、第４図は
従来の通常金属板のエツチング例を示す説明図、第５図
はそのエツチングの進度を示す説明図である。 １．２・・・エツチング速度の遅い金属層１ａ亀　２ａ
、３ａ・・・エツジ ３・・・エツチング速度の速い金属層 ４・・・三層構造の金属板 ５・・・レジスト剤 ６・・・絶縁部 特許出願人　　凸版印刷株式会社 １１図 第３図 第２図 １４図 ！５図FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention in cross section, FIG. 2 is an explanatory diagram showing the etching progress of the present invention, FIG. 3 is an explanatory diagram showing the etching mode of a conventional three-layer metal plate, and FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of conventional etching of a normal metal plate, and FIG. 5 is an explanatory diagram showing the progress of the etching. 1.2...Metal layer 1a with slow etching speed 2a
, 3a...Edge 3...Metal layer with high etching speed 4...Metal plate with three-layer structure 5...Resist agent 6...Insulating portion Patent applicant Toppan Printing Co., Ltd. 11 Figure 3 Figure 2 Figure 14! Figure 5

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）エッチング速度の速い易エッチング金属層の両面
に、前記易エッチング金属層よりエッチング速度が遅い
難エッチング金属層を形成し、前記難エッチング金属層
の張出エッジ部分が、対向するエッチング端面で相違す
る面に形成されて近接対向していることを特徴とする金
属加工薄板。(1) A difficult-to-etch metal layer having a slower etching rate than the easily-etched metal layer is formed on both sides of an easily-etched metal layer having a high etching rate, and the overhanging edge portion of the difficult-to-etch metal layer is formed on the opposite etching end surface. A thin metal plate characterized by being formed on different faces and facing each other in close proximity. （２）エッチング速度の速い易エッチング金属層の両面
に、前記易エッチング金属層よりエッチング速度が遅い
難エッチング金属層を形成してなる金属板の両面に、レ
ジスト剤を若干ずらしてパターニングしてエッチング除
去することを特徴とする金属加工薄板の製造方法。(2) Etching by patterning a resist agent on both sides of a metal plate with a slightly shifted pattern on both sides of a metal plate formed by forming a difficult-to-etch metal layer, which has a slower etching rate than the easily-etched metal layer, on both sides of an easily-etched metal layer, which has a high etching rate. A method for producing a thin metal sheet, the method comprising removing the metal sheet.