JPH0461184A

JPH0461184A - 面発光半導体レーザの製造方法

Info

Publication number: JPH0461184A
Application number: JP16440290A
Authority: JP
Inventors: Mitsunori Sugimoto; 杉本　満則; Noboru Hamao; 浜尾　昇
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1990-06-22
Filing date: 1990-06-22
Publication date: 1992-02-27
Anticipated expiration: 2012-12-10
Also published as: JP2689694B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は光交換や光情報処理に用いられる面発光半導体
レーザに関する。

（従来の技術）光交換、光コンピュータ、光情報処理等の分野では２次
元集積化が可能な面発光レーザが必要であり、盛んに研
究開発されている。その−例が、Ｊ、　Ｌ。

ＪｅｗｅｌｌやＹ、　Ｈ，Ｌｅｅ等によるエレクトロニ
クスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）２５巻１１２３〜１１２４頁及び、１３７７〜１３
７８Ｊ４に記載されている。１〜５ｐｍ径の面発光レー
ザが１〜２ｍＡの閾電流で発振したと報告されている。

またその製造方法は半導体層形成後、金、Ｎｉを蒸着し
、Ｎｉを数／ｉｍ径の円形にパターニングしＮｉをマス
クとしてドライエツチングにより、数ｐｍ径の半導体柱
を形成し°（いた。

（発明が解決しようとする課題）前述の面発光レーザでは閾値電流が１ｍＡ程度であり、
閾値電流密度ＩＫ、Ａ、／ｃｍから引算される閾値電流
２□ｍ直径で３Ｏ□Ａと比べると非常に大きい。この理
由はメザ側面での活性層側面が人気（゛露：ｉ３　ｔ、
、＋　′１．−構造となっており、更にドライ−Ｊツー
ヂングによる半導体柱を形成時のダメージが加下表ｉｆ
＋ｉにあり、ここでの表面非発光再結合を介し／−１無
効電！Ｌが１ｍＡ程度あるためど考えられる３、まグー
数（ｉｍ径の半導体柱は機械的な強度が弱く、プロセス
丁、程中（、−破損し歩留りが低下゛したり、発光領域
Ｇパスｌ−Ｌ、スがかかり発光効率が低下するＵ！ｊ題
があっ／、−３、オｆ：同様の理由で成長表面側にヒー
　Ｉ・シンクを融着することが困難であるため、連続発
振時の特−性が、男、゛いという問題があった６、本発明の目的は、表面再結合により無効電！＊を低減す
ることにより、低閾値電流、高発光効率の面発光半導体
レーザを、及びその歩留り良い製造］ｊ法を提供するこ
とにある。

（課題を解決゛するための手段）本発明の面発光半導体レーザは、コ１′、導体基板七に
、第１導電型の半導体多層反射膜と、少なくとも１つの
量子井戸構造をもつ量ｒ−井戸ｒｂ性層と、第２導電型
の半導体多層反射膜とを少なくとも備え、前記量子井戸
活性層に達する溝で囲まれた発光領域となる半導体柱を
有し、前記溝の半導体側面に変成層を備えることを特徴
とする。

あるいは上記の本発明の面発光レーザの溝をボッイミド
等の樹脂で埋めてプレーナ化した面発光レーザあるいは
レーザアレイであることを特徴とす゛る。

本発明の面発光半導体レーザ製造方法は、半導体基板上
に、第１導電型の半導体多層反射膜と、少なくとも１つ
の量子井戸構造をもつ量子井戸活性層と、第２導電型の
半導体多層反則膜とを、少なくとも備える半導体層を形
成する工程と、前記量子井戸活性層に達する溝をエツチ
ングにより形成し、該溝で囲まれた発光領域となる半導
体柱を形成する工程と、少なくとも絶縁膜を含む相互拡
散促進膜を半導体表面に形成する工程と、前記溝の側面
を除いて、指向性のあるドライエツチングにより、前記
相互拡散促進膜を除去する工程と、熱処理により前記溝
の側面の半導体層において相互拡散を行なう工程とを、
備えることを特徴とする。

また、第２の製造方法は、半導体基板上−に、第１導電
型の半導体多層反射膜と、少なくとも１つの量子井戸構
造をもつｔ丁−井戸活性層と、第２導電型の半導体多層
反射膜とを、少なくとも備える半導体層を形成する工程
と、前記ＦＡ子井／ｊ活性層に達する溝をエツチングに
より形成し、該溝で囲まれた発光領域どなる半導体柱を
形成づる］：１ｒ−１ど、少なくとも絶縁膜を含む相互
拡散促進膜を半導体表面に形成する工程と、該相互拡散
促進膜１−にノオトレジストを前記溝が平坦になるよう
に塗布する工程と、前記溝部を除いてエツチングにより
、前記相互拡散促進膜を除去する工程と、熱処理、によ
り、前記溝部において相互拡散を行ない半導体変成層を
形成する工程とを、備えることを特徴とする。

（作用）表面非発光再結合により無効電流を低減するにはへテロ
接合を用いれば良く、この−実現手段として不純物導入
等による無秩序化の技術がある。

これは量子井戸構造からなる活性層に不純物を導人１−
　＆：、、：す、熱応力を力［ｌ父る、−どにより、量
子−井１−］構造の構成、了１、素の相互−拡散を促進
Ｉ７、量子井戸構造を無秩序化１ノで、はぼ−様組成の
半導体とづるものである１７、二の無秩序化された領域
を変成層と呼ぶ１、これにより活性層の側面を活１″Ａ
層よりも禁制帯幅の広い半導体とする、二とによって、
ヘテＬＵ接合効果により表面再結合の抑制をするもので
ある。この技術を面発光ｔかザに適用４−るには問題が
あった。即ち、面発光１／−ザの発光部は、８半導体社
どな・・、）でいるが、この全面に不純物又は熱応力を
導入し、て−無秩序化すると、半導体の頂１９部付近の
十へ導体多層膜も無秩序化され、反射率が低下り、　！
、Ｔ　＋）、頂」二部に形成さ才′１か電極の抵抗が増
大［，５、レーザ特性が悪化し″（シまう。そこで本発
明の構造（：１無秩序化された変成層を溝の側ｍにのみ
形成した構造となっ−Ｃいる。

更に、発光領域σ戸１ニー導体朴の周りに溝を形成１−
だ構造なので、従来のＪ：うな発光部が突出した構造と
違い、１了の機械的強度が保たれ、製造上程や実装［積
に破損づ゛ることはなく、発光領域に不用なストレスが
かからない構造とな−）ている。

本発明の製造方法によれば上述の横送を容易に歩留り高
く製作することができる。本発明の請求項２の製造ノ５
法′Ｑは、半導体柱を−〕−ソチングにより形成後、Ｓ
ｉＯ等の相互拡散促進膜を全面に指向性の良いド・ンイ
エップング法、例えば反広キイオンビーノ・Ｊエツチン
グ（ＲＩＢＥ））去により、」′導体表面の平坦部のＳ
ｉＯ２膜のみをよノチングする。これにＪり半導体１＋
の側面のＳｉＯ□膜は残り、゛１′、導体朴の頂上部等
の平坦部のＳｉＯは除去される。こうし−ζ半導体柱側
面にのみ相″！１−拡赦促進膜を形成後、熱処理するこ
とにより、多層反射膜や電極の劣化なし。

に、側面にのみ変成層を形成できる６、請求項３の製造
ノブ法は、相互拡散促進膜を全面に形成する］二部まで
、請求項２と同様Ｃある。その後、フォトレジストを塗
布し、で表面を平坦にする。溝の部分はつ、ゴハー全体
に比べ面積が小さいので容易に平坦に塗布することがで
きる。次にドライエツチング等により均一・にエツチン
グをするど、半導体表面の平１ｇ部では溝の部分よりフ
ォトレジストが薄いので、〒、くフォトレジストされる
。次にエツチングにより平坦部で相７ラー拡散促進膜を
除去する。溝の部分はフォトレジストがエツチングされ
たたけで相互拡散促進膜は保存されている。この後フォ
トレジストを洗浄により除き、熱処理をすることにより
、溝の中の部分のみ不純物又は空孔等が導入され、変成
層が形成され。このようにして半導体柱の側面の量子井
戸活性層を無秩序化できる。この方法でも反射膜や電極
の劣化、それに伴なう電気抵抗の増大はない。

更に、本発明では、周囲に溝を形成することにより、半
導体柱を形成しているので、溝をポリイミドで容易に埋
めこみプレーナ化できる。特に周囲の溝の幅を一定とす
ることにより、ポリイミドの埋め込み形状が−・定とな
り、再現良く平坦化できる。埋め込み後半導体柱の頂上
部のポリイミドは、ドライエツチングにより再現良く均
一に除去することが可能である。多数の面発光レーザを
集積したレーザアレイでは各々を独立駆動するために、
多数の配線をしなければならない。従来のレーザアレイ
ではプレーナ化が難しく、半導体柱の高さが２／，ｍ程
度あるため、配線の段切れが起こり易く歩留りが低Ｆ　
していた。本発明は、ブし・−す化が容易であり、レー
ザの数が増えでも容易に細かい配線がＯ］能で、高密度
集積面発光レーザアレイに最適である。

（実施例）次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明σルー実施例の製造
工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）示す様に
ｎ型ＧａＡｓ半導体基板１上に、ｎ型ＡＩＡｓ８０２人
Ｉｎ型ＧａＡｓ６７０人の２３周期からなる第１導電型
の半導体多層反射膜２、Ａ１ｏ５Ｇａｏ５Ａｓ　１４３
０人／Ｉｎｏ２Ｇａｏ８Ａｓ１０ｏ入／Ａ１ｏ５Ｇａｏ
５Ａｓ１４３０人からなる量子井戸構造の活性層３、ｐ
型ＧａＡｓ６７Ｏ人ｊｐ型ＡＩＡｓ８０２人１０周期の
第２導電型の半導体多層反射膜４、ｐ型ＧａＡｓ３０人
のキャップ層１５を結晶成長する。ここで活性層３内部
のＩｎｏ．２Ｇａｏ．ｓＡＳ層は正単一量子井戸の活性
層である。

次に通常のフォトエツチング技術によってリング状溝７
を形成する。この時のエツープング深さは活性層構造３
まで達する様にする。エツチング方法は、反応性イオン
ビームエツチング（ＲＩＢＥ法）や反Ｊ：ｉｉ・性イオ
ンエツチング法（ＲＩＥ法）等の指向性のあるもので垂
直な側面が得られる様に４る。この時に、発光領域とな
る２〜５／、ｍ径の半導体柱６が形成される。

次に相互拡散促進膜の５ｉ０２膜（厚さ１，０００〜２
０００人）を全面に形成する。

次に、再び指向性のあるドライエツチングを用いて５膜
０２月莫５を、］ニニラチンする。ニラチン・グガスと
してＣＦ、等が用いられる。エツチング方法は、やはり
ＲＩＢＥ法やＲＩＥ法を用いれば良い。この時にエツチ
ングビーム１２が指向性があるためにリング状溝７の側
面に形成されたＳｉＯ２膜５のエツチング速度は極めて
遅い。このため第１図（ｂ）に示す様に、平坦部のＳｉ
Ｏ・２膜５のみをエツチングする事が出来Ｚ）。次に、
Ａｓ雰囲気において８５０°Ｃ１時間〜１０時間程度の
熱処理を行なう。このとき、ＧａＡｓ表面からのＡｓの
脱離を防ぐため、Ｈ２雰囲気中でＧａＡｓ基板で表面を
保護する方法（フェイストゥフェイス法）や石英アンプ
ル内部にＡｓ粉末とレーリ′ウーＬバー　を同局に真゛
警（月じ切る事によってＡｓ雰囲気を実現する方法等を
どると良い。この熱処理によってリング状溝７狽１１面
のＳｉＯ２膜５の近傍のみ変成層（無秩序化領域）８を
形成する事が出来る。５ｉ０２膜５近傍で結晶が皿秩序
化・１−る理由は、結晶内部のＡ［原子が動きやｔ＜３
１０２”ＡＫ　５を還元づるためど考えられているが訂
細な機構は明らかでは無い。この方法の他に、従来から
知られているＳｉ拡散の方法を用いても良い１、この場
△−にはＳｉＯ□膜５の代わりにＳｉＮ膜／Ｓｉ膜の２
層構造を用い（やはり第１図（ｂ）の様に゛Ｔ’川、用
トのみ、これらの層をエツチング除去する。

次に８５０°Ｃで１時間〜１０時間程度の熱処理する事
によ−〕で８１拡散がリング状溝７の側面のＳｉＮ膜／
Ｓｉ膜の近傍のみで生じ、ｎ型の無秩序化領域８が形成
される。この場合には、第１導電型半導体多層反射膜２
及び半導体基板１をｐ型として、第２導電型半導体多層
反射膜４をｎ型とした方が、半導体柱の頂に部にｐｎ接
合が露出しないため都合が良い。又、ＳｉＮ膜／Ｓｉ膜
の代わりにＺｎドープスピンオングラス膜、Ｚｎ　ｄｏ
ｐｅ　５ｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ膜（ＳＯＧ膜）を用
いる事も出来る。この場合は無秩序化領域はｐ型となる
。

次に第１図（ｅ）のようにポリイミド１３を、全面に汗
と坦となるよう塗布する。次に酸素ガスを用いたドライ
エツチングを用いて半導体柱６の頂上部のに達するまで
エツチングする。この時リング状溝７０幅をほぼ一定と
することによって半導体柱６の頂上部の上にポリイミド
１３の厚みウェハー内で均一とする事が出来る。このた
めポリイミドのドライエツチングにより、半導体柱６の
頂上部を歩留まり良く露出させる事が出来る。次にＳｉ
Ｎ膜９を形成し、通常のフォトエツチングによって電極
をとるための窓を形成しｐ型電極１０を形成する。この
場合、ポリイミドによる平坦化が実現さ、れているため
、ｐ型電極１０の段切れは生じない。最後にｎ型電極１
１を形成し、フォトエツチングによって、光出力取り出
し窓１４を形成する。この様にして第１図（ｄ）の本発
明の面発光レーザが完成する。

本実施例においては、活性層構造としてＡｌｏ５Ｇａｏ
５Ａｓ／Ｉｎ、２Ｇａｏ８Ａｓ／Ａｌｏ５Ｇａｏ、Ａｓ
の単一量子井戸構造としたが、材料や構造はこれに限ら
Ｊ″、多重量子井戸構造や単一層構造を用いても良い。

ただし、単一層構造の場合には、無秩序化の効果が弱く
なるため、層厚は１００ＯＡ以下が好ましい。又、本実
施例ではギヤツブ層を用いたが、第２半導体多層反射膜
表面近傍を十分高濃度（ｐ＞１０　ｃｍ　　）にすれば
、ギャップ層を設けなくでも良い。又、半導体多層反射
膜としてＧａＡｓ６７Ｏ人／ＡｌＡｓ８０２人のものを
用いたが、これに限らず発振光の波長λらに対して異な
る屈折率ｎｉ　、　ｎ２を有し厚みが各々λ／４ｎ、λ
／４ｎ２の層の交互積層構造であれば他の組成及び厚み
でも良い。又、本実施例では、半導体柱の周りの溝パタ
ーンとして同心円状のリングパターンを用いたが、これ
に限らず四角形や他の図形のリング状パターンで溝の幅
がほぼ一定となっていれば、本発明が有効に適用出来る
。

次に本発明の第２の実施例につい゛Ｃ図面を参照して詳
細に説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の面発光
半導体レーザの一実施例の製造工程を説明するための断
面図である。

まずｌ〕型ＧａＡｓ半導体基板１才にｎ型Ａ］、Ａｓ層
夕び１１型ＧａＡｓ層名々厚さλ／４ｎ（λ：活性層の
禁止帯幅でほぼ決まるレーザ発振波長：ｎ：半導体各層
の１７酎Ｊ］率）で−文斤に約２０周期積層したｎ型’
＋、導体多層反射膜２ど厚さ５００人〜１７ｙｍのｎ型
Ａ、ｌＸＧａ１−ＸＡ５（ｘ＝０．３−０．７）のｎ型
クラッド層１６とＮさ約１００人のＩｎ、、、Ｇａ、　
、、。

Ａｓ（ｙ＝０．０５〜０．５）ｔｉｌｔ子井戸層と厚Ｆ
　３０〜２００人のＧａＡｓ閉に込め層からなる量子−
井戸活性層３と厚さ５００人〜１／１ｍのＰ型Ａ１７．
Ｇａ１．Ａｓ（ｚ＝０．３−０．７）ｐ型クラッド層１
７ど、ｐ型ＡｌＡｓ層どｐ型ＧａＡｓ層を各々厚？　Ａ
／４ｎｒで交互に約１０〜２０周期積層したｐ型半導体
多層反射１！に４ど厚さ１０〜１０００人のｐ型ＧａＡ
、ｓキャラ１層１５とを分子線ユ、ピタギシ−（ＭＢＥ
）法を用いて形成した１、次に成長した基板上にＳｉＯ
、ＳｉＮ等の絶縁膜あるいはフォー・レジストを約３０
００Ａ〜５□ｍ形成し７、フォー・リソグラフィ法によ
り、内径１／、ｍ〜１００．／、ｍ、外径約１０μｍ〜
１５０μｍ程度のドーナツツ状の領域を除去し、同心円
状のマスク１８を形成する。その後このマスク１８を用
いてＣ１□プラズマによる反応性イオノビームエツチン
グ（ＲＩＢＥ）法等のドライエツチング技術にＪす、少
なくとも量子用ｅ”ｉ耐ｌ″′１層：３が露１゛１目−
るまでエツチングを行い講７を形成する（第２図（ａ）
）。

、−の時、この講７に囲まれた円柱；仄の発光領域６が
形成されるが、この発光領域６は講７をはさんで、コソ
チングされずに残っている′！導体層ζ川用５：に：ｈ
でいるため、半導体（１の発光領域６にかかるストｔ２
スは著［７く軽減される。次に相互拡散促進膜となる５
１０２又はＳｉＮ膜等の絶縁膜５を全１１１１に形成Ｉ
５、その後フォトレジスト１９を溝７が埋まる」）に箭
ｎｉｉ、″′塗布する。この時溝７ｉＪつｌ／）−：♀
一体じ、付１２、て、著しく小さいため、フｔ　ｌ−レ
ジスト・１９はその粘性によりほぼ？τ′坦に塗布され
る（第２図（ｂ））。次に酸素・イオン２０を用いた反
＋、：２：、性イ２３＞、□］ソーブング（ＲＩＥ）等
のドライエツチング技術を用い、成長表面」二〇祁１縁
膜５が露出するまでノ第１・レジストをＪノチング除去
Ｊる（第２図（Ｃ））。この後成長表向に露出しｌ−絶
縁膜５のみｆ、Ｊツチングで除去１．７、その後溝の中
の１．・シストを洗浄で除去リ−る。次に、例えばＧａ
Ａｓ基板を保護基板として用いるフｊ−、イストウーフ
Ｊ−イス法等を用い、７００８Ｃ〜９００°Ｃで熱処理
を施−４゜この１−程により絶縁膜５中から不純物また
は空孔等が導入され溝７の部分のみに半導体変成層８が
形成され、発光領域６の側面の量子井フーコ活性層３は
無秩序化され、そこでは禁制帯幅が大きくなるので、実
効的に埋め込み構造が形成される（第２図（ｄ））。こ
の時、絶縁膜５は成長表面には存在しないので、成長表
向からは不純物等が導入されず、発光効・ｒの低減、直
列抵抗の増大等の問題は生じない。尚、相互拡散促進膜
や熱処理方法は第１の実施例の中で示し７だ他の方法で
もよい。この後に、ｐ側電極１０としてＡｕを全面に形
成１〜だ後に、フォトリソグラフィ法により発光領域以
外のＡｕをエツチング除去する。最後にｎ型ＧａＡｓ基
板１の裏面の発光領域６以外の部分にｎｕｌｌ電極Ｇａ
Ａｓ基板１１としてＡｕＧｅＮｉ／　ＡｕＮｉを形成し
第２図（ｅ）に示す面発光半導体レーザが完成する。。

この実施例においても量子井戸活性層は単一量子井戸と
したが、これにかぎらず多重量子井戸であっても本発明
は適用できる。

これにかぎらず、第１の実施例と同様にＳｉ膜やＺｎド
ープ５ＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）等を用いた
不純物導入による無秩序化を用いる場合においても本発
明は適用できる。

以↓゛、２つの実施例で示した面発光レー　リ゛では、
いずれも従来に比べ、無効電流を１／１０以トにでき、
低しきい値での発振が司能である。また、製作工程や実
装時の破損もなく高歩留りで製作できる。

本発明の２つの実施例において材料系はＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓ系としたがこれに限らず他の材料系、例えばＩ
ｎ、ＧａＡｓ／ＩｎＰ系においＣも本発明は適用できる
。

（発明の効果）本発明の面発光ｌ、”−ザとぞの製造方法によれば表面
角結合の無効電流成分がほぼなくなり、低閾値電流で発
振する面発光レーザが高歩留りに製作出来る。しかも発
光領域に機械的ストレスがかかりにくく、素子特性の低
下や製造工程の歩留りの低干−もない。またブレーナ化
が容易であり、ブレーナ化することにより複数の電極配
線が容易で、細い配線でも段切れすることなく良好に形
成できるので、レーザアレイや集積素子に適している。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜・（＋ｉ）は本発明にＪ、る面発光甲、
導体１．・−ザの第１の実施例の製作１Ｌ程を示す断面
図である３、第２図（Ｆｌ）〜（ｅ）は本発明の面発光
半、導体１．、−・ザの第２の実施例の製作工程を示−
９ＩＮ而しｊである。図において、１．・・・半導体基板、２・・・第１導電
型崖導体多層反躬）１９１．：３・・・活性層、４・・
・第２導電型半導体多層反躬膜、５・・・５１０２膜ま
ｔ：は絶Ｈ膜、６・・伴導体社（発光領域）、７１１．
溝、８・、、！１’−導体変成層（無秩序化領域）、９
−−−８ｉＮ膜、１ｏ−ｐ型電棒、１Ｆ、、−ｎ型電極
、１２−−−−Ｔ−ツ（ングビーム、１３・・・ポリイ
ミド、１４・・・光出力取り高１゜窓、１５・・・Ａヤ
ソブ層、１６・・・ｎ型クラッド層、１７＝、、ｐ型ク
ラッド層、１８・・・＼′スク、１９・・・ソオトレジ
スト、２０・・・酸素・ｆオ）３゜

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板上に、第１導電型の半導体多層反射膜
と、少なくとも１つの量子井戸構造をもつ量子井戸活性
層と、第２導電型の半導体多層反射膜とを少なくとも備
え、前記量子井戸活性層に達する溝で囲まれた発光領域
となる半導体柱を有し、前記溝の半導体側面に変成層を
備えることを特徴とする面発光半導体レーザ。
（２）半導体基板上に、第１導電型の半導体多層反射膜
と、少なくとも１つの量子井戸構造をもつ量子井戸活性
層と、第２導電型の半導体多層反射膜とを少なくとも備
える半導体層を形成する工程と、前記量子井戸活性層に
達する溝をエッチングにより形成し、該溝で囲まれた発
光領域となる半導体柱を形成する工程と、少なくとも絶
縁膜を含む相互拡散促進膜を半導体表面に形成する工程
と、前記溝の側面を除いて、指向性のあるドライエッチ
ングにより、前記相互拡散促進膜を除去する工程と、熱
処理により前記溝の側面の半導体層において相互拡散を
行なう工程とを、備えることを特徴とする面発光半導体
レーザの製造方法。
（３）半導体基板上に、第１導電型の半導体多層反射膜
と、少なくとも１つの量子井戸構造をもつ量子井戸活性
層と、第２導電型の半導体多層反射膜とを、少なくとも
備える半導体層を形成する工程と、前記量子井戸活性層
に達する溝をエッチングにより形成し、該溝で囲まれた
発光領域となる半導体柱を形成する工程と、少なくとも
絶縁膜を含む相互拡散促進膜を半導体表面に形成する工
程と、該相互拡散促進膜上にフォトレジストを前記溝が
平坦になるように塗布する工程と、前記溝部を除いてエ
ッチングにより、前記相互拡散促進膜を除去する工程と
、熱処理により、前記溝部において相互拡散を行ない半
導体変成層を形成する工程とを、備えることを特徴とす
る面発光半導体レーザの製造方法。