JPH0455802A - 光集積回路の製造方法 - Google Patents
光集積回路の製造方法Info
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- JPH0455802A JPH0455802A JP2166518A JP16651890A JPH0455802A JP H0455802 A JPH0455802 A JP H0455802A JP 2166518 A JP2166518 A JP 2166518A JP 16651890 A JP16651890 A JP 16651890A JP H0455802 A JPH0455802 A JP H0455802A
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Landscapes
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光集積回路の製造方法にかかるものであり、
特に、光ピツクアップなどにおけるフォトダイオードの
受光に好適な光集積回路の製造方法に関するものである
。
特に、光ピツクアップなどにおけるフォトダイオードの
受光に好適な光集積回路の製造方法に関するものである
。
フォトダイオードを用いる光集積回路としては、例えば
、第３図に示すような光ピツクアップがある。この従来
例は、電子通信学会論文誌、８６１５゜Ｖｏｌ、Ｊ６９
−ＣＮｏ、５ ｒ光ディスクピックアップの光集積回
路化コないし特開昭第６１−２９６５４０号公報に開示
されたものである。 同図において、Ｓｉなどの基板１０上には、５ｉ０２な
どによってバンファＮ１２が形成されており、更にこの
バッファＮ１２上には、誘電体による光導波ＩＩ！ｒ１
４が形成されている。この光導波路１４の一方には、レ
ーザダイオード１６がハイブリッドに集積化されており
、基板１０上には、フォトダイオードアレイ１８．２０
が各々集積化されている。また、光導波路１４の他方の
側には、フォーカシンググレーティングカップラ２２．
フォーカシングビームスプリンタ２４が各々集積化され
ている。 フォトダイオードアレイ１８は、フォトダイオード１８
ａ、１８ｂによって各々構成されており、フォトダイオ
ードアレイ２０は、フォトダイオード２０ａ、２０ｂに
よって各々構成されている。 そして、これらのフォトダイオードアレイ１８゜２０の
出力側は、演算回路２８に接続されている。 以上のような光ピツクアップの動作について説明すると
、レーザダイオード１６から出力された光は、光導波路
１４中を伝播し、フォーカシンググレーティングカップ
ラ２２に入射する。レーザ光は、その後、フォーカシン
ググレーティングカップラ２２の回折作用によって、光
デイスク２６上に集光する。 次に、光ディスク２６によって反射された光は、光路を
逆に進行して再びフォーカシンググレーティングカップ
ラ２２に入射し、導波路を逆進する。 逆進した光は、フォーカシングビームスプリンタ２４に
よって、波面が２分割される。分割された戻りレーザ光
は、フォトダイオードアレイ１８゜２０付近に各々集光
される。 これらのフォトダイオードアレイ１８，２０によって光
電変換された信号に対しては、演算回路２８において所
望の演算が行なわれ、検出信号。 フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号が各々
出力される。 以上の各部のうち、フォトダイオード１８ｂの光入射側
は、例えば第４図に示すようになっている。同図は、第
３図の矢印Ｆ方向の断面を示すものである。同図におい
て、フォトダイオード１８ｂは、基板１０及び基板１０
と導電型が異なる導電Ｎ３０の界面におけるＰ−Ｎ接合
として形成されている。バッファ層１２は、導電４３０
に達する終端部分でテーパ状に形成されている。かかる
テーパ形状３２によって、光導波路１４中のレーザ光が
、導電層３０内に進入するようになっている。なお、他
のダイオード１８ｂ、２０ａ、２０ｂについても同様で
ある。
、第３図に示すような光ピツクアップがある。この従来
例は、電子通信学会論文誌、８６１５゜Ｖｏｌ、Ｊ６９
−ＣＮｏ、５ ｒ光ディスクピックアップの光集積回
路化コないし特開昭第６１−２９６５４０号公報に開示
されたものである。 同図において、Ｓｉなどの基板１０上には、５ｉ０２な
どによってバンファＮ１２が形成されており、更にこの
バッファＮ１２上には、誘電体による光導波ＩＩ！ｒ１
４が形成されている。この光導波路１４の一方には、レ
ーザダイオード１６がハイブリッドに集積化されており
、基板１０上には、フォトダイオードアレイ１８．２０
が各々集積化されている。また、光導波路１４の他方の
側には、フォーカシンググレーティングカップラ２２．
フォーカシングビームスプリンタ２４が各々集積化され
ている。 フォトダイオードアレイ１８は、フォトダイオード１８
ａ、１８ｂによって各々構成されており、フォトダイオ
ードアレイ２０は、フォトダイオード２０ａ、２０ｂに
よって各々構成されている。 そして、これらのフォトダイオードアレイ１８゜２０の
出力側は、演算回路２８に接続されている。 以上のような光ピツクアップの動作について説明すると
、レーザダイオード１６から出力された光は、光導波路
１４中を伝播し、フォーカシンググレーティングカップ
ラ２２に入射する。レーザ光は、その後、フォーカシン
ググレーティングカップラ２２の回折作用によって、光
デイスク２６上に集光する。 次に、光ディスク２６によって反射された光は、光路を
逆に進行して再びフォーカシンググレーティングカップ
ラ２２に入射し、導波路を逆進する。 逆進した光は、フォーカシングビームスプリンタ２４に
よって、波面が２分割される。分割された戻りレーザ光
は、フォトダイオードアレイ１８゜２０付近に各々集光
される。 これらのフォトダイオードアレイ１８，２０によって光
電変換された信号に対しては、演算回路２８において所
望の演算が行なわれ、検出信号。 フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号が各々
出力される。 以上の各部のうち、フォトダイオード１８ｂの光入射側
は、例えば第４図に示すようになっている。同図は、第
３図の矢印Ｆ方向の断面を示すものである。同図におい
て、フォトダイオード１８ｂは、基板１０及び基板１０
と導電型が異なる導電Ｎ３０の界面におけるＰ−Ｎ接合
として形成されている。バッファ層１２は、導電４３０
に達する終端部分でテーパ状に形成されている。かかる
テーパ形状３２によって、光導波路１４中のレーザ光が
、導電層３０内に進入するようになっている。なお、他
のダイオード１８ｂ、２０ａ、２０ｂについても同様で
ある。
しかしながら、従来は、良好なテーパ形状３２を形成す
る有効な手段がなく、やむを得ず、熱酸化の際にできる
バーズビークをテーパ形状３２として利用していた。し
かし、かかる手法では、十分なテーパ形状を得ることは
できない。 具体的には、光導波路１４中の光を導電Ｎ３０に効率的
に導入するためには、テーパ形状３２の長さＤＬとバッ
ファ層１２の厚さＤＴとの比が、ＤＬ ： ＤＴ＝５
： １ であることが、理論的に知られている。第２図には、か
かる理想的なテーパ形状が示されている。 ところが、上述した従来の手法では、 ＤＬ ： ＤＴ＝１ ： １ となり、とても満足し得るものではない。 本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、必要とさ
れるテーパ形状を再現性よく形成でき、導波光の受光を
効率よく行なうことができる光集積回路の製造方法を提
供することをその目的とするものである。
る有効な手段がなく、やむを得ず、熱酸化の際にできる
バーズビークをテーパ形状３２として利用していた。し
かし、かかる手法では、十分なテーパ形状を得ることは
できない。 具体的には、光導波路１４中の光を導電Ｎ３０に効率的
に導入するためには、テーパ形状３２の長さＤＬとバッ
ファ層１２の厚さＤＴとの比が、ＤＬ ： ＤＴ＝５
： １ であることが、理論的に知られている。第２図には、か
かる理想的なテーパ形状が示されている。 ところが、上述した従来の手法では、 ＤＬ ： ＤＴ＝１ ： １ となり、とても満足し得るものではない。 本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、必要とさ
れるテーパ形状を再現性よく形成でき、導波光の受光を
効率よく行なうことができる光集積回路の製造方法を提
供することをその目的とするものである。
本発明は、基板上に形成された光導波路中の光を受光手
段に導入するテーパ形状を有する光集積回路の製造方法
において、前記テーパ形状を、そのテーパ形状の形成部
とエツチング速度の異なる被膜を利用して形成すること
を特徴とするものである。
段に導入するテーパ形状を有する光集積回路の製造方法
において、前記テーパ形状を、そのテーパ形状の形成部
とエツチング速度の異なる被膜を利用して形成すること
を特徴とするものである。
本発明によれば、被膜のエツチングに対応して生ずるエ
ツチング時間の差異に比例してテーパ形状が形成される
。
ツチング時間の差異に比例してテーパ形状が形成される
。
以下、本発明にかかる光集積回路の製造方法の一実施例
について、添付図面を参照しながら説明する。なお、上
述した従来例と同様又は相当する構成部分については、
同一の符号を用いることとする。 第１図には、本実施例の各工程が各々示されている。最
初に、同図（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０が用意さ
れる。そして、このＳｉ基板１０に対して熱酸化が行な
われ、５ｉ０２によるバッファ層１２が形成される（同
図（Ｂ）参照）。 次に、かかるバッファ層１２上に、被膜形成用塗布液（
以下ｒｓＯＧＪという）が塗布され、更に熱処理が行な
われて第２の５ｉ０２層４０が形成される（同図（Ｃ）
参照）。このＳＯＧとしては、例えば、東京応化工業株
式会社製の商品名「０ＣＤＪが用いられる。この○ＣＤ
は、以下の第１表に示すように、熱処理の温度によって
、熱酸化に近い速度からその１００倍以上の速度までエ
ツチング速度を可変できるという特性を有してい次に、
以上のようなＳｉＯ；Ｊ！４０上には、フォトレジスト
４２が塗布形成され（同図（Ｄ）参照）、所定のパター
ニングが行なわれる（同図（Ｅ）参照）。 その後、フッ酸によるエツチングが行なわれる（同図（
Ｆ）参照）。すると、バッファ層１２とＳｉＯ２層４０
とのエツチング速度の相違から、同図に示すようにテー
パ形状４４が形成される。 すなわち、Ｓｉ０２層４０は、バッファ層１２と比較し
てエンチング速度が大きいため、フォトレジスト４２の
内側にエツチングが進行する。しかし、バッファ層１２
は、比較的エツチング速度が小さいため、徐々にエツチ
ングが行なわれ、エツチング液に触れた時間に比例して
エツチングが行なわれるようになる。従って、バッファ
Ｎ１２のうち、フォトレジスト４２のない外側は大きく
。 内側は小さくエツチングされるようになり、結果的に同
図に示すようなテーパ形状４４が得られることとなる。 その後、フォトレジスト４２．Ｓｉ０２層４０が各々順
に除去され（同図（Ｇ）及び（Ｈ）参照）、その上に光
導波路１４の形成が行なわれる（同図（Ｉ）参照）。 以上のように、本実施例によれば、バッファ層１２及び
Ｓ ｉ ０２Ｍ４０のエツチング速度の相違を利用して
いるので、第２図に示すような理想的なテーパ形状４４
を再現性よく得ることができる。 従って、光導波路１４内を進行する光の受光を効率よく
良好に行なうことができる。 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば、第２のＳｉＯ２層として、適当なエツチ
ング速度が得られる他の材料を用いてもよい。エツチン
グ手法として、ドライエツチングを用いてもよい。 また、上記実施例は、本発明を光ピツクアンプに適用し
たものであるが、受光素子を有する他の光集積回路に対
しても適用可能である。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明にかかる光集積回路の製造
方法によれば、受光手段に対するテーパ形状を、エツチ
ング速度の異なる被膜を利用して形成することとしたの
で、良好なテーパ形状を得ることができるという効果が
ある。
について、添付図面を参照しながら説明する。なお、上
述した従来例と同様又は相当する構成部分については、
同一の符号を用いることとする。 第１図には、本実施例の各工程が各々示されている。最
初に、同図（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０が用意さ
れる。そして、このＳｉ基板１０に対して熱酸化が行な
われ、５ｉ０２によるバッファ層１２が形成される（同
図（Ｂ）参照）。 次に、かかるバッファ層１２上に、被膜形成用塗布液（
以下ｒｓＯＧＪという）が塗布され、更に熱処理が行な
われて第２の５ｉ０２層４０が形成される（同図（Ｃ）
参照）。このＳＯＧとしては、例えば、東京応化工業株
式会社製の商品名「０ＣＤＪが用いられる。この○ＣＤ
は、以下の第１表に示すように、熱処理の温度によって
、熱酸化に近い速度からその１００倍以上の速度までエ
ツチング速度を可変できるという特性を有してい次に、
以上のようなＳｉＯ；Ｊ！４０上には、フォトレジスト
４２が塗布形成され（同図（Ｄ）参照）、所定のパター
ニングが行なわれる（同図（Ｅ）参照）。 その後、フッ酸によるエツチングが行なわれる（同図（
Ｆ）参照）。すると、バッファ層１２とＳｉＯ２層４０
とのエツチング速度の相違から、同図に示すようにテー
パ形状４４が形成される。 すなわち、Ｓｉ０２層４０は、バッファ層１２と比較し
てエンチング速度が大きいため、フォトレジスト４２の
内側にエツチングが進行する。しかし、バッファ層１２
は、比較的エツチング速度が小さいため、徐々にエツチ
ングが行なわれ、エツチング液に触れた時間に比例して
エツチングが行なわれるようになる。従って、バッファ
Ｎ１２のうち、フォトレジスト４２のない外側は大きく
。 内側は小さくエツチングされるようになり、結果的に同
図に示すようなテーパ形状４４が得られることとなる。 その後、フォトレジスト４２．Ｓｉ０２層４０が各々順
に除去され（同図（Ｇ）及び（Ｈ）参照）、その上に光
導波路１４の形成が行なわれる（同図（Ｉ）参照）。 以上のように、本実施例によれば、バッファ層１２及び
Ｓ ｉ ０２Ｍ４０のエツチング速度の相違を利用して
いるので、第２図に示すような理想的なテーパ形状４４
を再現性よく得ることができる。 従って、光導波路１４内を進行する光の受光を効率よく
良好に行なうことができる。 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば、第２のＳｉＯ２層として、適当なエツチ
ング速度が得られる他の材料を用いてもよい。エツチン
グ手法として、ドライエツチングを用いてもよい。 また、上記実施例は、本発明を光ピツクアンプに適用し
たものであるが、受光素子を有する他の光集積回路に対
しても適用可能である。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明にかかる光集積回路の製造
方法によれば、受光手段に対するテーパ形状を、エツチ
ング速度の異なる被膜を利用して形成することとしたの
で、良好なテーパ形状を得ることができるという効果が
ある。
第１図は本発明にかかる光集積回路の製造方法の一実施
例を示す説明図、第２図は理想的なテーパ形状を示す断
面図、第３図は光ピツクアップの一例を示す斜視図、第
４図は従来のテーパ形状を示す断面図である。 １０・・・基板、１２・・・バッファ層、１４・・・光
導波路、１６・・ルーザダイオード、１８．２０・・・
フォトダイオードアレイ、２２・・・フォーカシンググ
レーティングカップラ、２４川フオーカシングビームス
プリンタ、２６川光デイスク、２８・・・演算回路、４
０・・・ＳｉＯ２層、４２川フオトレジスト。 ４４・・・テーパ形状。 特許出願人 日本ビクター株式会社
例を示す説明図、第２図は理想的なテーパ形状を示す断
面図、第３図は光ピツクアップの一例を示す斜視図、第
４図は従来のテーパ形状を示す断面図である。 １０・・・基板、１２・・・バッファ層、１４・・・光
導波路、１６・・ルーザダイオード、１８．２０・・・
フォトダイオードアレイ、２２・・・フォーカシンググ
レーティングカップラ、２４川フオーカシングビームス
プリンタ、２６川光デイスク、２８・・・演算回路、４
０・・・ＳｉＯ２層、４２川フオトレジスト。 ４４・・・テーパ形状。 特許出願人 日本ビクター株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成された光導波路中の光を受光手段に導入す
るテーパ形状を有する光集積回路の製造方法において、 前記テーパ形状を、そのテーパ形状の形成部とエッチン
グ速度の異なる被膜を利用して形成することを特徴とす
る光集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166518A JPH0455802A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 光集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166518A JPH0455802A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 光集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0455802A true JPH0455802A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15832809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2166518A Pending JPH0455802A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 光集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0455802A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576149A (en) * | 1993-11-10 | 1996-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a tapered waveguide |
| DE19638999A1 (de) * | 1995-09-22 | 1997-03-27 | Sharp Kk | Wellenleiter-Photodetektor-Kombination, Verfahren zum Herstellen derselben, bei ihr verwendbarer Wellenleiter und Verfahren zum Herstellen des letzteren |
| US6030540A (en) * | 1996-07-29 | 2000-02-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing tapered waveguide |
| JP2000329677A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-30 | Seiko Instruments Inc | 光マイクロカンチレバーとその製造方法および光マイクロカンチレバーホルダ |
| KR100336891B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2003-06-12 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막트랜지스터액정표시소자의보호막형성방법 |
| KR100635882B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2006-10-18 | 강준모 | 광도파로 및 광도파로의 테이퍼 형성 방법 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2166518A patent/JPH0455802A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576149A (en) * | 1993-11-10 | 1996-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a tapered waveguide |
| DE19638999A1 (de) * | 1995-09-22 | 1997-03-27 | Sharp Kk | Wellenleiter-Photodetektor-Kombination, Verfahren zum Herstellen derselben, bei ihr verwendbarer Wellenleiter und Verfahren zum Herstellen des letzteren |
| US6078707A (en) * | 1995-09-22 | 2000-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Waveguide-photodetector, method for producing the same, waveguide usable in the waveguide-photodetector, and method for producing the same |
| DE19638999B4 (de) * | 1995-09-22 | 2008-04-30 | Sharp K.K. | Wellenleiter-Photodetektor-Kombination und Verfahren zum Herstellen derselben |
| US6030540A (en) * | 1996-07-29 | 2000-02-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing tapered waveguide |
| KR100336891B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2003-06-12 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막트랜지스터액정표시소자의보호막형성방법 |
| JP2000329677A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-30 | Seiko Instruments Inc | 光マイクロカンチレバーとその製造方法および光マイクロカンチレバーホルダ |
| KR100635882B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2006-10-18 | 강준모 | 광도파로 및 광도파로의 테이퍼 형성 방법 |
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