JPH0455335B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （利用分野） 本発明は、自動ウエーハ移換機に関するもので
あり、特に、一方のキヤリア内にある一定のピツ
チで収納されたウエーハを、そのｎ倍または１／
ｎ倍のピツチで他方のキヤリア内へ移換えて収納
する自動ウエーハ移換機に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Application) The present invention relates to an automatic wafer transfer machine, and in particular, it transfers wafers stored at a certain pitch in one carrier to n times or 1/
This relates to an automatic wafer transfer machine that transfers and stores wafers into another carrier at n times the pitch.

（従来技術） 半導体製造工程においては、半導体ウエーハに
種々の熱処理や化学処理、洗滌などが実施される
ことは周知のとおりである。このように、ウエー
ハに各種処理を施す場合、従来は、該処理の能率
をはかるために、該ウエーハをキヤリア内に多数
収納して行なつている。(Prior Art) It is well known that in semiconductor manufacturing processes, semiconductor wafers are subjected to various heat treatments, chemical treatments, cleaning, etc. As described above, when various types of processing are performed on wafers, conventionally, in order to improve the efficiency of the processing, a large number of wafers are housed in a carrier.

該キヤリアは、前記ウエーハ収納用の溝が一定
ピツチで形成されているウエーハ収納用の箱であ
る。前記キヤリア内に収納する前記ウエーハは、
なるべく多く収納した方が収納の効率が良いのは
当然である。 The carrier is a wafer storage box in which the wafer storage grooves are formed at a constant pitch. The wafer stored in the carrier is
Naturally, it is more efficient to store as many items as possible.

しかし、処理の内容によつては、たとえば、熱
処理を施すかエツチング処理を施すかによつて
は、該処理の正常な効果を得るために、前記キヤ
リア内に収納された各々のウエーハの間隔を異な
らせることが必要である。 However, depending on the content of the process, for example, whether heat treatment or etching process is performed, the distance between each wafer housed in the carrier may be adjusted to obtain the normal effect of the process. It is necessary to make them different.

例えば、熱処理は、その効率を上げるためにウ
エーハの間隔を狭くして行ない、一方、CVDや
エツチング処理などは、これらの処理のむらを防
ぐために、前記ウエーハの間隔を熱処理時に比し
て大きくして行なうのである。 For example, heat treatment is performed by narrowing the spacing between wafers to increase its efficiency, while CVD and etching treatments are performed by increasing the spacing between the wafers compared to the time of heat treatment to prevent unevenness in these processes. I will do it.

また、前記したような処理の違いによつて、前
記キヤリアの材質も変えなければならない。つま
り、熱処理はウエーハを石英製等のキヤリアに収
納して行ない、一方、エツチング処理は前記ウエ
ーハをテフロン等の樹脂性キヤリアに収納して行
なうのである。 Furthermore, the material of the carrier must also be changed due to the difference in processing as described above. That is, the heat treatment is carried out with the wafer housed in a carrier made of quartz or the like, while the etching process is carried out with the wafer housed in a resin carrier such as Teflon.

したがつて、ウエーハをある処理工程から別の
処理工程へ移す場合、ある物質により形成された
第１のキヤリア内に、あるピツチで形成された溝
部に配置されたウエーハを、別の物質により形成
された他のキヤリア内に、別のピツチで形成され
た溝部に移換える操作を行なわなければならな
い。 Therefore, when transferring a wafer from one process step to another, a wafer placed in a groove formed at a certain pitch in a first carrier formed of a certain material is transferred from a first carrier formed of a certain material to a groove formed of a different material. An operation must be carried out to transfer the groove to another pitch formed in another carrier.

前述の操作の従来例は、ピンセツト等を用い
て、人が一枚一枚ウエーハを直接手で行なうもの
であつた。あるいは、ウエーハの間隔は一定で、
キヤリアの材質だけを変えたい場合は、該ウエー
ハが水平方向に収納された状態にして、第１のキ
ヤリアに第２のキヤリアを各々のウエーハ挿入面
どうしが対向するように密着させ、第２のキヤリ
アが下にくるようにして、該ウエーハを第１のキ
ヤリアから第２のキヤリアへ移動させるものであ
つた。この場合の操作も人が該キヤリアを手で持
つて行なつていた。 In the conventional example of the above-mentioned operation, a person directly handles each wafer one by one using tweezers or the like. Alternatively, the wafer spacing is constant;
If you want to change only the material of the carrier, the wafers are stored horizontally, and the second carrier is brought into close contact with the first carrier so that their wafer insertion surfaces face each other. The wafer was moved from the first carrier to the second carrier with the carrier facing down. The operation in this case was also carried out by a person holding the carrier by hand.

しかし、前述の従来例では、ウエーハを第１の
キヤリアから第２のキヤリアへ移換える時、該ウ
エーハを汚したり、また該ウエーハが該第１およ
び第２のキヤリアと接触して、該ウエーハに傷が
付いたり、欠けたり、あるいは該ウエーハを床面
に落とし、破損する等の欠点があつた。 However, in the conventional example described above, when the wafer is transferred from the first carrier to the second carrier, the wafer may be contaminated, or the wafer may come into contact with the first and second carriers, causing the wafer to be transferred from the first carrier to the second carrier. There were drawbacks such as scratches, chips, or the wafers were dropped and damaged when dropped on the floor.

特に、第１および第２のキヤリアを、各々のウ
エーハ挿入面どうしが対向するように密着させる
操作の場合は、傷やチツピング等を生じ、また粉
塵を発生してウエーアの発生を原因となつてい
た。また、人が直接操作するので効率が悪く、半
導体製作費の上昇等の欠点もあつた。 In particular, when the first and second carriers are brought into close contact with each other so that their wafer insertion surfaces face each other, scratches, chipping, etc. may occur, and dust may be generated, causing wafer generation. Ta. In addition, since it is directly operated by humans, it is inefficient and has drawbacks such as increased semiconductor manufacturing costs.

（目的） 本発明は、前述の欠点を除去するためになされ
たものであり、その目的は、第１のキヤリア内に
第１のピツチで配置されたウエーハを、第２のキ
ヤリア内に、前記第１のピツチの整数倍または整
数分の１のピツチで配列されるように移換える場
合において、該ウエーハを傷つけたり、汚したり
することなく安全に移換えを行ない、かつ該移換
えの時間を短縮し、効率を良くするのに好適な自
動ウエーハ移換機を提供することにある。(Objective) The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks, and its object is to transfer the wafers arranged at a first pitch in a first carrier into a second carrier. When transferring so that the wafers are arranged at a pitch that is an integral multiple or a fraction of the first pitch, the transfer can be carried out safely without damaging or soiling the wafer, and the transfer can be carried out in a timely manner. It is an object of the present invention to provide an automatic wafer transfer machine suitable for shortening the time and improving efficiency.

（概要） 前記の目的を達成するために、本発明は、その
底面にプツシヤ穴およびウエーハ係止溝を形成し
た第１のキヤリアと、その底面にプツシヤ穴およ
びウエーハ係止溝を形成した第２のキヤリアと、
前記キヤリアをのせ、該キヤリア底面に形成され
たプツシヤ穴とほぼ同形状の穴を形成したテーブ
ルと、その対向面に該ウエーハを挿入、係止でき
る第１の主溝および特定のピツチ位置にあるウエ
ーハだけを通過できる第２の主溝を有する１組の
ホルダと、該ホルダを回転させて複数の予定位置
で停止させ、該ホルダの回転方向での前記各主溝
の位置を選択してウエーハの通過・係止溝を制御
するホルダ回転装置と、該ホルダの上方に位置
し、その対向面に該ウエーハを挿入できる第３の
主溝を有する１組のガイドの、前記ホルダおよび
前記ガイドを支持する支持架枠と、該ガイドを上
昇または下降させるガイド昇降装置と、前記テー
ブルを下方に位置し、キヤリア内のウエーハを上
昇または下降させるプツシヤと、該プツシヤを上
昇または下降させるプツシヤ昇降装置と、該テー
ブルと支持架枠およびプツシヤを相対移動させる
装置とを具備した点に特徴がある。(Summary) In order to achieve the above object, the present invention provides a first carrier having a pusher hole and a wafer locking groove formed in its bottom surface, and a second carrier having a pusher hole and a wafer locking groove formed in its bottom surface. With the carrier of
A table on which the carrier is placed and has a hole approximately the same shape as the pusher hole formed on the bottom surface of the carrier, a first main groove on the opposite surface thereof into which the wafer can be inserted and locked, and a table located at a specific pitch position. A set of holders having a second main groove through which only the wafer can pass, the holder being rotated and stopped at a plurality of predetermined positions, and the position of each of the main grooves in the rotational direction of the holder being selected, the wafer is removed. a holder rotating device for controlling passage and locking grooves of the wafer; and a pair of guides located above the holder and having a third main groove into which the wafer can be inserted on the opposing surface thereof. A support frame for supporting, a guide lifting device for lifting or lowering the guide, a pusher located below the table and lifting or lowering the wafer in the carrier, and a pusher lifting device for lifting or lowering the pusher. , is characterized in that it is equipped with a device for relatively moving the table, the support frame, and the pusher.

（実施例） 以下に、図面を参照して、本発明を詳細に説明
する。(Example) The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第１図は本発明の一実施例の概略正面図であ
る。 FIG. 1 is a schematic front view of an embodiment of the present invention.

第１図において、左ホルダ１ａおよび右ホルダ
１ｂは、共に正方形柱状をなしている。該左ホル
ダ１ａの両端には、該左ホルダ１ａの正方形断面
の中心線延長上にその回転軸となる左回転軸８ａ
が突出し、また該右ホルダ１ｂの両端には、該右
ホルダ１ｂの正方形断面の中心線延長上にその回
転中心軸となる右回転軸８ｂが突出している。 In FIG. 1, both the left holder 1a and the right holder 1b have a square column shape. At both ends of the left holder 1a, there is a left rotation shaft 8a that is a rotation axis extending from the center line of the square cross section of the left holder 1a.
protrudes from both ends of the right holder 1b, and a right rotation shaft 8b, which serves as the center axis of rotation thereof, protrudes from both ends of the right holder 1b, extending from the center line of the square cross section of the right holder 1b.

テーブル４の中央上方には図示されない支持架
枠がある。該支持架枠は、前記左ホルダ１ａと右
ホルダ１ｂとの間がウエーハの外形よりもやや狭
い間隔を保つように、前記左回転軸８ａおよび右
回転軸８ｂを保持している。該保持は前記ホルダ
１ａおよび右ホルダ１ｂが回転自在になるように
なされている。 Above the center of the table 4 is a support frame (not shown). The support frame holds the left rotation shaft 8a and the right rotation shaft 8b such that the distance between the left holder 1a and the right holder 1b is slightly narrower than the outer shape of the wafer. The holding is performed so that the holder 1a and the right holder 1b are rotatable.

前記左ホルダ１ａおよび右ホルダ１ｂの同一側
の側面より突出した左回転軸８ａおよび右回転軸
８ｂは、その一方が、前記支持架枠に固着された
図示されないホルダ回転装置に接続されている。 One of the left rotation shaft 8a and right rotation shaft 8b protruding from the same side surface of the left holder 1a and the right holder 1b is connected to a holder rotation device (not shown) fixed to the support frame.

該ホルダ回転装置は、前記左ホルダ１ａおよび
右ホルダ１ｂを該左ホルダ１ａおよび右ホルダ１
ｂを互いに反対方向に任意の角度回転させ、複数
の予定位置で停止させ、その位置を保持すること
ができる。 The holder rotation device rotates the left holder 1a and the right holder 1b into the left holder 1a and the right holder 1.
b can be rotated at arbitrary angles in opposite directions, stopped at a plurality of predetermined positions, and held at the positions.

左ガイド２ａおよび右ガイド２ｂは共に矩形柱
状をなしている。前記左ホルダ１ａの上方には左
ガイド２ａが、前記右ホルダ１ｂの上方には右ガ
イド２ｂが位置し、該左ガイド２ａと右ガイド２
ｂとの間がウエーハの外径よりもやや狭い間隔を
保つように、前記支持架枠に固着されている。 Both the left guide 2a and the right guide 2b have a rectangular column shape. A left guide 2a is located above the left holder 1a, and a right guide 2b is located above the right holder 1b.
The wafer is fixed to the support frame such that the distance between the wafer and the wafer is slightly narrower than the outer diameter of the wafer.

前記支持架枠は図示されないガイド昇降装置よ
り、テーブル４に対して上下方向に移動すること
ができる。 The support frame can be moved vertically relative to the table 4 by a guide lifting device (not shown).

第１のキヤリア３０はテーブル４の中央に設置
されている。第２のキヤリア４０は該第１のキヤ
リア３０の左側に、第３のキヤリア５０は該第１
のキヤリア３０の右側に、該第１のキヤリア３０
とそれぞれ一定の間隔をおいて、前記テーブル４
に設置されている。 The first carrier 30 is installed in the center of the table 4. The second carrier 40 is to the left of the first carrier 30, and the third carrier 50 is to the left of the first carrier 30.
The first carrier 30 is placed on the right side of the first carrier 30.
and the table 4 at regular intervals, respectively.
It is installed in

前記テーブル４は図示されないテーブル移動装
置により左右に移動することができる。 The table 4 can be moved left and right by a table moving device (not shown).

前記第１のキヤリア３０の下方にはプツシヤ５
が設置されている。該プツシヤ５は図示されない
プツシヤ昇降装置により上下に移動することがで
き、第１のキヤリア３０、あるいは第２および第
３のキヤリア４０，５０に設けられた補助溝を通
して該キヤリア内に進入することができる。 Below the first carrier 30 is a pusher 5.
is installed. The pusher 5 can be moved up and down by a pusher lifting device (not shown), and can enter the carrier through an auxiliary groove provided in the first carrier 30 or the second and third carriers 40 and 50. can.

前記第２のキヤリア４０の下方には左ローラ６
ａが設置されている。また、前記第３のキヤリア
５０の下方には右ローラ６ｂが設置されている。
該第１および第２のローラ６ａ，６ｂは図示され
ないローラ駆動装置により、回転および上下に移
動することができる。 Below the second carrier 40 is a left roller 6.
A is installed. Furthermore, a right roller 6b is installed below the third carrier 50.
The first and second rollers 6a, 6b can be rotated and moved up and down by a roller drive device (not shown).

第２図は左および右ホルダ１ａ，１ｂの詳細図
であり、第１図と同一の符号は、同一または同等
部分をあらわしている。 FIG. 2 is a detailed view of the left and right holders 1a, 1b, and the same reference numerals as in FIG. 1 represent the same or equivalent parts.

第２図において、ａは第１図と同様に左および
右ホルダ１ａ，１ｂの正面図、ｂは同図ａの平面
図である。 In FIG. 2, a is a front view of the left and right holders 1a and 1b as in FIG. 1, and b is a plan view of the same figure a.

第２図において、左ホルダ１ａと右ホルダ１ｂ
のそれぞれ対向した面の間の距離は、ウエーハの
外径Ｄよりもやや狭い間隔に設定されている。 In FIG. 2, the left holder 1a and the right holder 1b
The distance between the opposing surfaces is set to be slightly narrower than the outer diameter D of the wafer.

該左ホルダ１ａと右ホルダ１ｂとの対向面に
は、前記ウエーハの外径Ｄよりもやや広い間隔Ｐ
１を提供するような第１の主溝２０１が、矩形状
に、かつ該ウエーハの厚みよりもやや広く、第１
のキヤリア３０に収納するウエーハの数だけ同一
ピツチで、またテーブル４に対して垂直方向に形
成されている。 On the opposing surfaces of the left holder 1a and the right holder 1b, there is a gap P that is slightly wider than the outer diameter D of the wafer.
1, the first main groove 201 has a rectangular shape and is slightly wider than the thickness of the wafer.
They are formed at the same pitch and perpendicular to the table 4 for the number of wafers to be stored in the carrier 30.

たとえば、第１、第２、第３および第４のウエ
ーハ１０１，１０２，１０３，１０４は、前記第
１の主溝２０１を通ることにより、左ホルダ１ａ
と右ホルダ１ｂとの間を矢印Ａ方向に、つまり下
方から上方へ、あるいはその逆の上方から下方へ
自由に移動できる。 For example, the first, second, third, and fourth wafers 101, 102, 103, and 104 pass through the first main groove 201, thereby allowing the first wafers 101, 102, 103, and 104 to
and the right holder 1b in the direction of arrow A, that is, from below to above, or vice versa, from above to below.

左ホルダ１ａに形成される第１の主溝２０１
は、前述のように、第１のキヤリア３０に収納す
るウエーハの数だけ形成されている。 First main groove 201 formed in left holder 1a
As described above, the number of wafers is equal to the number of wafers to be stored in the first carrier 30.

さらに該第１の主溝２０１には、その１つおき
に、該第１の主溝２０１と同じ幅でまた、その溝
の底面から左回転軸８ａの中心までの距離が、該
第１の主溝２０１の底面から左回転軸８ａの中心
までの距離と等しくなるように、かつその溝の底
面が、前記第１の主溝２０１の底面と反時計方向
に45度の角度を形成するような第２の主溝２０２
が形成されている。 Furthermore, every other first main groove 201 has the same width as the first main groove 201 and a distance from the bottom of the groove to the center of the left rotation shaft 8a. The distance from the bottom of the main groove 201 to the center of the left rotating shaft 8a is equal to the distance, and the bottom of the groove forms an angle of 45 degrees counterclockwise with the bottom of the first main groove 201. The second main groove 202
is formed.

第２図ｂにおいては、左ホルダ１ａの第２の主
溝２０２は、図面の下から数えて偶数番目の第１
の主溝２０１に形成されている。 In FIG. 2b, the second main groove 202 of the left holder 1a is an even-numbered first groove counting from the bottom of the drawing.
It is formed in the main groove 201 of.

また右ホルダ１ｂに形成された該第１の主溝２
０１も、前述のように第１のキヤリア３０に収納
するウエーハの数だけ形成されているる。 Further, the first main groove 2 formed in the right holder 1b
01 are also formed by the number of wafers to be stored in the first carrier 30 as described above.

さらに、該第１の主溝２０１にはその１つおき
に、前記左ホルダ１ａに形成された第２の主溝２
０２と対向するような位置に該第１の主溝２０１
と同じ幅で、またその溝の底面から右回転軸８ｂ
の中心までの距離が、該第１の主溝２０１の底面
から右回転軸８ｂの中心までの距離と等しくなる
ように、かつその溝の底面が前記第１の主溝２０
１の底面と時計方向に45度の角度を形成するよう
な第２の主溝２０２が形成されている。 Furthermore, every other first main groove 201 has a second main groove 2 formed in the left holder 1a.
The first main groove 201 is located at a position facing 02.
and the right rotation shaft 8b from the bottom of the groove.
such that the distance to the center of the first main groove 201 is equal to the distance from the bottom surface of the first main groove 201 to the center of the right rotation shaft 8b, and the bottom surface of the groove is
A second main groove 202 is formed so as to form an angle of 45 degrees clockwise with the bottom surface of the first groove.

第２図ｂにおいては、左ホルダ１ｂの第２の主
溝２０２は図面の下から数えて偶数番目の第１の
主溝２０１に対して形成されている。 In FIG. 2b, the second main groove 202 of the left holder 1b is formed in the even-numbered first main groove 201 counting from the bottom of the drawing.

第３図は左および右ホルダ１ａ，１ｂが第２図
の状態から左および右回転軸８ａ，８ｂを中心と
して、該左および右ホルダ１ａ，１ｂの対向する
部分が上向きになつて第１の主溝２０１が上向き
になるように、すなわち矢印Ｂ方向に45度回転し
た状態図である。 FIG. 3 shows that the left and right holders 1a, 1b have changed from the state shown in FIG. This is a diagram showing a state in which the main groove 201 is rotated 45 degrees in the direction of arrow B, that is, so that the main groove 201 faces upward.

第３図ａは正面図、第３図ｂは同図ａの平面図
である。 FIG. 3a is a front view, and FIG. 3b is a plan view of FIG. 3a.

第３図より明らかなように、この状態において
は第１、第２、第３および第４のウエーハ１０
１，１０２，１０３，１０４はいずれも左および
右ホルダ１ａ，１ｂに形成された第１の主溝２０
１に係止されている。 As is clear from FIG. 3, in this state, the first, second, third and fourth wafers 10
1, 102, 103, and 104 are first main grooves 20 formed in the left and right holders 1a, 1b.
1 is locked.

すなわち、この状態では、第１、第２、第３お
よび第４のウエーハ１０１，１０２，１０３，１
０４が挿入されている前記左および右ホルダ１
ａ，１ｂ間の相対向する部分、つまり、対向する
第１の主溝２０１側端の底面部間の距離はすべて
等しく、これをP2とすると、P2＜Ｄなる条件が
与えられているのである。 That is, in this state, the first, second, third and fourth wafers 101, 102, 103, 1
Said left and right holder 1 into which 04 is inserted
The opposing parts between a and 1b, that is, the distance between the opposing bottom surfaces of the first main groove 201 side ends are all equal, and if this is P2, then the condition P2<D is given. .

第４図は、左および右ホルダ１ａ，１ｂが第３
図の状態から左および右回転軸８ａ，８ｂを中心
として、該左および右ホルダ１ａ，１ｂの対向す
る部分が下向きになつて第２の主溝２０２が対向
するように、すなわち、矢印Ｃ方向に90度回転し
た様子を示している。 In Fig. 4, the left and right holders 1a, 1b are in the third position.
From the state shown in the figure, the left and right holders 1a and 1b should be moved in such a way that the opposing parts of the left and right holders 1a and 1b are facing downward and the second main grooves 202 are facing each other, that is, in the direction of arrow C. This shows the image rotated 90 degrees.

第４図ａは正面図、第４図ｂは同図ａの平面図
である。 FIG. 4a is a front view, and FIG. 4b is a plan view of FIG. 4a.

第４図より明らかなように、この状態において
は、第１および第３のウエーハ１０１，１０３は
左および右ホルダ１ａ，１ｂに形成された第１の
主溝２０１に係止されている。 As is clear from FIG. 4, in this state, the first and third wafers 101, 103 are locked in the first main grooves 201 formed in the left and right holders 1a, 1b.

しかし、第２および第４のウエーハ１０２，１
０４は第２の主溝２０２の間を通りぬけることが
できる。したがつて、該第２の主溝２０２を通る
ことにより、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂと
の間を矢印Ａ方向に、つまり下方から上方へ、上
方から下方へ自由に移動できるのである。 However, the second and fourth wafers 102,1
04 can pass through between the second main grooves 202. Therefore, by passing through the second main groove 202, it can freely move between the left and right holders 1a and 1b in the direction of arrow A, that is, from below to above and from above to below.

この状態では、第１、第２、第３および第４の
ウエーハ１０１，１０２，１０３，１０４が挿入
されている前記左および右ホルダ１ａ，１ｂ間の
相対向する部分は、第４図ｂにおいて、該図面の
下から数えて奇数番目のウエーハ、つもり第１、
第３のウエーハ１０１，１０３が挿入されている
部分においては第１の主溝であり、図面の下から
数えて偶数番目のウエーハ、つまり第２、第４の
ウエーハ１０２，１０４が挿入されている部分に
おいては第２の主溝である。 In this state, the opposing portions between the left and right holders 1a and 1b into which the first, second, third and fourth wafers 101, 102, 103, 104 are inserted are as shown in FIG. 4b. , the odd numbered wafer counting from the bottom of the drawing, the first one,
The part where the third wafers 101 and 103 are inserted is the first main groove, and even-numbered wafers counting from the bottom of the drawing, that is, the second and fourth wafers 102 and 104 are inserted. This is the second main groove.

前記第１の主溝２０１間の距離は第３図におけ
る説明と同様P2であるが、前記第２の主溝２０
２の距離をP1とすると、P2＜Ｄ＜P1なる条件が
与えられているのである。 The distance between the first main grooves 201 is P2 as explained in FIG.
If the distance between 2 and 2 is P1, then the condition P2<D<P1 is given.

第５図は左および右ガイド２ａ，２ｂの詳細図
である。 FIG. 5 is a detailed view of the left and right guides 2a, 2b.

第５図において、ａは第１図と同様に左および
右ガイド２ａ，２ｂの正面図、ｂは同図ａの平面
図である。 In FIG. 5, a is a front view of the left and right guides 2a, 2b as in FIG. 1, and b is a plan view of the same figure a.

第５図において、第１図〜第４図と同一の符号
は、同一または同等部分をあらわしている。 In FIG. 5, the same reference numerals as in FIGS. 1 to 4 represent the same or equivalent parts.

左ガイド２ａと右ガイド２ｂのそれぞれ対向し
た面の間の距離は、ウエーハの外径Ｄよりもやや
狭い間隔に設定されている。該左ガイド２ａと右
ガイド２ｂの対向面には、前記ウエーハの外径Ｄ
よりもやや広い間隔P1を提供するような第３の
主溝２０３が、矩形状に、かつ該ウエーハの厚み
よりもやや広く、第１のキヤリア３０に収納する
ウエーハの数だけ同ピツチで、また、テーブル４
に対して垂直方向に形成されている。 The distance between the opposing surfaces of the left guide 2a and the right guide 2b is set to be slightly narrower than the outer diameter D of the wafer. The left guide 2a and the right guide 2b have an outer diameter D of the wafer on opposing surfaces.
The third main groove 203 has a rectangular shape and is slightly wider than the thickness of the wafer, and has the same pitch as the number of wafers to be stored in the first carrier 30. , table 4
It is formed perpendicularly to the

前記ピツチは、左ホルダ１ａおよび右ホルダ１
ｂに形成された第１の主溝２０１と同ピツチであ
り、また該第３の主溝２０３の断面形状は、前記
第１の主溝２０１の断面形状と同じに形成されて
いる。 The pitch is a left holder 1a and a right holder 1.
The third main groove 203 has the same pitch as the first main groove 201 formed in b, and the cross-sectional shape of the third main groove 203 is the same as that of the first main groove 201.

第５図ｂにおいて、図面の下の第３の主溝２０
３から順に第１、第２、第３および第４のウエー
ハ１０１，１０２，１０３，１０４が挿入されて
いる。 In Figure 5b, the third main groove 20 at the bottom of the drawing
First, second, third, and fourth wafers 101, 102, 103, and 104 are inserted in order from No. 3 onwards.

前記第１、第２、第３および第４のウエーハ１
０１，１０２，１０３，１０４は前記第３の主溝
２０３を通ることにより、左ガイド２ａと右ガイ
ド２ｂとの間を矢印方向へ、つまり下方から上方
へ、あるいは上方から下方へ自由に移動できる。 The first, second, third and fourth wafers 1
01, 102, 103, and 104 can freely move between the left guide 2a and the right guide 2b in the direction of the arrow, that is, from below to above or from above to below, by passing through the third main groove 203. .

第６図は、第１、第２および第３のキヤリア３
０，４０，５０およびテーブル４の詳細図であ
る。 FIG. 6 shows the first, second and third carriers 3
0, 40, 50 and a detailed diagram of Table 4.

第６図ａは、第１と同様に第１、第２および第
３のキヤリア３０，４０，５０およびテーブル４
正面図、第６ｂは同図ａの平面図である。 FIG. 6a shows the first, second and third carriers 30, 40, 50 and the table 4, similar to the first one.
Front view No. 6b is a plan view of FIG. 6a.

第６図において、第１図〜第５図と同一の符号
は、同一または同等部分をあらわしている。 In FIG. 6, the same reference numerals as in FIGS. 1 to 5 represent the same or equivalent parts.

第１のキヤリア３０はテーブル４の中央に設置
され、第２のキヤリア４０は該第１のキヤリア３
０の左側に、また第３のキヤリア５０は該第１の
キヤリア３０の右側に、該第１のキヤリア３０と
一定の間隔をおいて前記テーブル４に設置されて
いる。 A first carrier 30 is installed in the center of the table 4, and a second carrier 40 is installed in the center of the table 4.
0, and the third carrier 50 is installed on the right side of the first carrier 30 at a constant distance from the first carrier 30 on the table 4.

前記第１のキヤリア３０はその断面が凹形をな
しており、該凹形内部にウエーハを収納できるよ
うに、その側面板の対向する内面の距離はウエー
ハの外径Ｄよりも大きくなつている。 The first carrier 30 has a concave cross section, and the distance between the opposing inner surfaces of the side plates is larger than the outer diameter D of the wafer so that the wafer can be stored inside the concave shape. .

該第１のキヤリア３０の底面の中央部には、矩
形状の第１のプツシヤ穴３１が形成されている。
また、前記第１のキヤリア３０の側面板に平行
な、該第１のプツシヤ穴３１の対向する辺には、
ウエーハ係止用の第１のウエーハ係止溝３０１が
形成されている。 A rectangular first push hole 31 is formed in the center of the bottom surface of the first carrier 30 .
Further, on the opposite side of the first pusher hole 31 parallel to the side plate of the first carrier 30,
A first wafer locking groove 301 for locking a wafer is formed.

該第１のウエーハ係止溝３０１は、前記第１の
プツシヤ穴３１の対向する辺のそれぞれに、第１
のキヤリア３０に収納されるべきウエーハの数だ
け形成されている。 The first wafer locking groove 301 is provided with a first wafer locking groove 301 on each of opposing sides of the first pusher hole 31.
The number of wafers to be stored in the carrier 30 is the same as that of the wafers.

また、該第１のウエーハ係止溝３０１は、前記
左および右ホルダ１ａ，１ｂに形成された第１の
主溝２０１、および前記左および右ガイド２ａ，
２ｂに形成された第３の主溝２０３と同ピツチで
形成されている。 Further, the first wafer locking groove 301 is connected to the first main groove 201 formed in the left and right holders 1a, 1b, and the left and right guide 2a,
It is formed at the same pitch as the third main groove 203 formed in 2b.

前記第１のウエーハ係止溝３０１は、ウエーハ
の一部をそこに挿入した場合に、該ウエーハが倒
れないように支持するための溝であるので、その
形状は該ウエーハの大きさ、あるいは形状によつ
て慎重に定められるものである。 The first wafer locking groove 301 is a groove for supporting the wafer so that it does not fall when a part of the wafer is inserted therein, so its shape depends on the size or shape of the wafer. This is carefully determined by the

前記第１のキヤリア３０が設置されているテー
ブル４にも、該第１のキヤリア３０に形成されて
いる第１のプツシヤ穴３１とほぼ同形状のプツシ
ヤ穴３１Ｔが加工されている。 A pusher hole 31T having substantially the same shape as the first pusher hole 31 formed in the first carrier 30 is also formed in the table 4 on which the first carrier 30 is installed.

第２および第３のキヤリア４０，５０も第１の
キヤリア３０の同様に、その断面が凹形をなして
おり、該凹形内部にウエーハを収納できるよう
に、その側面板の対向する内面の距離はウエーハ
の外径Ｄよりも大きくなつている。 Like the first carrier 30, the second and third carriers 40, 50 also have a concave cross section, and the opposing inner surfaces of their side plates are designed to accommodate wafers inside the concave shape. The distance is larger than the outer diameter D of the wafer.

前記第１、第２および第３のキヤリア３０，４
０，５０はウエーハの処理工程が違う場合に用い
られることになるので、その構成をなす材質は異
なることが多い。また、前記側面板の対向する内
面の距離は、それぞれ同じであるが、該側面板の
高さは必ずしも同じではない。 the first, second and third carriers 30, 4;
0 and 50 are used when the wafer processing steps are different, so the materials that make up the structure are often different. Furthermore, although the distances between the opposing inner surfaces of the side plates are the same, the heights of the side plates are not necessarily the same.

前記第２および第３のキヤリア４０，５０に
は、前記第１のキヤリア３０に形成された第１の
プツシヤ穴３１と同形状の第２、第３のプツシヤ
穴４１，５１が、該第２および第３のキヤリア４
０，５０の底面の中央部に形成されている。 The second and third carriers 40 and 50 have second and third push holes 41 and 51 having the same shape as the first push hole 31 formed in the first carrier 30, respectively. and third carrier 4
It is formed in the center of the bottom surface of 0.50.

前記第２のキヤリア４０に形成された該第２の
プツシヤ穴４１の、該第２のキヤリア４０の側面
板と平行な、対向する辺には、ウエーハ係止用の
第２のウエーハ係止溝４０１が形成されている。 A second wafer locking groove for locking a wafer is provided on the opposite side of the second pusher hole 41 formed in the second carrier 40 that is parallel to the side plate of the second carrier 40. 401 is formed.

該第２のウエーハ係止溝４０１は、各々の形状
は前記第１のウエーハ係止溝３０１の各々の形状
と同じであるが、そのピツチは、図示の例では、
前記第１のウエーハ係止溝３０１のそれの２倍で
ある。 The shapes of the second wafer locking grooves 401 are the same as those of the first wafer locking grooves 301, but the pitches thereof are as follows in the illustrated example.
It is twice that of the first wafer locking groove 301.

また、それぞれの該第２のウエーハ係止溝４０
１は、それぞれの該第１のウエーハ係止溝３０１
の同一直線上になければならず、縦方向のずれは
絶対に許されない。 Further, each of the second wafer locking grooves 40
1 is each of the first wafer locking grooves 301
must be on the same straight line, and vertical deviations are absolutely not allowed.

第６図ｂにおいては、図面の下から数えて偶数
番目の前記第１のウエーハ係止溝３０１に対応し
て、偶数番目の第１のウエーハ係止溝３０１の左
側延長線上に第２のウエーハ係止溝４０１が位置
されている。 In FIG. 6b, a second wafer is placed on the left extended line of the even-numbered first wafer-locking groove 301 corresponding to the even-numbered first wafer-locking groove 301 as counted from the bottom of the drawing. A locking groove 401 is located.

前記第２のキヤリア４０が設置されているテー
ブル４にも、該第２のキヤリア４０に形成されて
いる第２のプツシヤ穴４１のほぼ同形状のプツシ
ヤ穴４１Ｔが加工されている。 A pusher hole 41T having substantially the same shape as the second pusher hole 41 formed in the second carrier 40 is also machined in the table 4 on which the second carrier 40 is installed.

前記第３のキヤリア５０に形成された該第３の
プツシヤ穴５１の、該第３のキヤリア５０の側面
板と平行な、対向する辺に、ウエーハ係止用の第
３のウエーハ係止溝５０１が形成されている。 A third wafer locking groove 501 for locking a wafer is provided on the opposite side of the third pusher hole 51 formed in the third carrier 50 that is parallel to the side plate of the third carrier 50. is formed.

該第３のウエーハ係止溝５０１は、各々の形状
は、前記第１および第２のウエーハ係止溝３０
１，４０１の各々の形状と同じである。 The third wafer locking groove 501 has a shape similar to that of the first and second wafer locking grooves 30.
1,401.

該第３のウエーハ係止溝５０１のピツチは、前
記第１のウエーハ係止溝３０１のそれの２倍であ
り、第２のウエーハ係止溝４０１のそれと同じで
ある。 The pitch of the third wafer locking groove 501 is twice that of the first wafer locking groove 301 and the same as that of the second wafer locking groove 401.

第６図ｂにおいて、該第３のウエーハ係止溝５
０１は、図面の下から数えて奇数番目の第１のウ
エーハ係止溝３０１に対応して、該奇数番目の第
１のウエーハ係止溝３０１の右側延長線上に位置
されている。 In FIG. 6b, the third wafer locking groove 5
01 corresponds to the odd-numbered first wafer-locking grooves 301 counting from the bottom of the drawing, and is located on the right extension line of the odd-numbered first wafer-locking grooves 301.

それぞれの該第３のウエーハ係止溝５０１は、
第２のウエーハ係止溝４０１と同様、それぞれの
該第１のウエーハ係止溝３０１の同一線上になけ
ればならず、縦方向のずれは絶対に許されない。 Each third wafer locking groove 501 is
Like the second wafer locking grooves 401, they must be on the same line with each of the first wafer locking grooves 301, and vertical deviation is absolutely not allowed.

前記第３のキヤリア５０が設置されているテー
ブル４にも、該第３のキヤリア５０に形成されて
いる第３のプツシヤ穴５１とほぼ同形状のプツシ
ヤ穴５１Ｔが加工されている。 A pusher hole 51T having substantially the same shape as the third pusher hole 51 formed in the third carrier 50 is also formed in the table 4 on which the third carrier 50 is installed.

さて、第１図において説明したように、テーブ
ル４の中央部、すなわち、第１のキヤリア３０の
上方に、図示されない支持架枠により、左および
右ホルダ１ａ，１ｂが支持され、さらに該左およ
び右ホルダ１ａ，１ｂの上方に左および右ガイド
２ａ，２ｂが支持されている。 Now, as explained in FIG. 1, the left and right holders 1a and 1b are supported by a support frame (not shown) at the center of the table 4, that is, above the first carrier 30, and the left and right holders 1a, 1b are Left and right guides 2a, 2b are supported above the right holders 1a, 1b.

また、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂに形成
された第１の主溝２０１、前記左および右ガイド
２ａ，２ｂに形成された第３の主溝２０３および
第１のキヤリア３０に形成された第１のウエーハ
係止溝３０１は同じピツチで同数だけ形成されて
いる。 Also, a first main groove 201 formed in the left and right holders 1a, 1b, a third main groove 203 formed in the left and right guides 2a, 2b, and a third main groove 203 formed in the first carrier 30. The same number of wafer locking grooves 301 are formed at the same pitch.

前記第１の主溝２０１、第３の主溝２０３およ
び第１のウエーハ係止溝３０１は、第１図を平面
図として見た場合、つまり、第１図において矢印
Ｅ方向から見た場合には、それぞれの溝の縦方向
の位置が一致するように構成されている。 The first main groove 201, the third main groove 203, and the first wafer locking groove 301 are as shown in FIG. are constructed so that the vertical positions of the respective grooves coincide.

つまり、前記第１のキヤリア３０に形成された
第１のウエーハ係止溝３０１を各々に、ウエーハ
が係止されている場合において、その各々のウエ
ーハは、該ウエーハを垂直に上昇させた時、第２
図に示された相対位置関係にある前記第１の主溝
２０１を通りぬけることができ、さらに、第５図
に示された前記左および右ガイド２ａ，２ｂに形
成された第３の主溝２０３に挿入されるように、
前記それぞれの溝は配置されているのである。 That is, when a wafer is locked in each of the first wafer locking grooves 301 formed in the first carrier 30, when the wafer is lifted vertically, Second
It can pass through the first main groove 201 having the relative positional relationship shown in the figure, and furthermore, the third main groove formed in the left and right guides 2a and 2b shown in FIG. As inserted in 203,
The respective grooves are arranged.

次にウエーハの移換えの手順を説明する。 Next, the procedure for transferring wafers will be explained.

第７図ａ〜第７図ｌは該移し換えの手順を次す
説明図である。 FIGS. 7a to 7l are explanatory diagrams illustrating the transfer procedure.

これらの図において、第１図〜第６図と同一の
符号は、同一または同等部分をあらわしている。 In these figures, the same reference numerals as in FIGS. 1 to 6 represent the same or equivalent parts.

第１図はウエーハ移換えの最初の状態をあらわ
している。第１のキヤリア３０に形成された第１
のウエーハ係止溝３０１は50組が形成されてい
て、該50組の第１のウエーハ係止溝３０１には50
枚のウエーハ１００がそれぞれ係止されている。 FIG. 1 shows the initial state of wafer transfer. The first carrier formed on the first carrier 30
50 sets of wafer locking grooves 301 are formed, and the first wafer locking grooves 301 of the 50 groups have 50 sets of wafer locking grooves 301.
Two wafers 100 are each locked.

左および右ホルダ１ａ，１ｂおよび左および右
ガイド２ａ，２ｂは、図示されない支持架枠によ
り、第１のキヤリア３０の上方に位置されてい
る。前記左および右ホルダ１ａ，１ｂは第２図の
ような状態にある。 The left and right holders 1a, 1b and the left and right guides 2a, 2b are positioned above the first carrier 30 by a support frame (not shown). The left and right holders 1a, 1b are in a state as shown in FIG.

第７図ａ〜第７図ｌにおいて、ウエーハ１００
の円の中に書かれた数字は、該ウエーハ１００の
枚数を示している。 In FIGS. 7a to 7l, the wafer 100
The number written inside the circle indicates the number of wafers 100.

第７図ａにおいて、図示されない支持架枠が図
示されないガイド昇降装置により下降し、該支持
架枠に支持された左および右ホルダ１ａ，１ｂ
が、第１のキヤリア３０の側面板に接近したとこ
ろで、該支持架枠は停止する。 In FIG. 7a, a support frame (not shown) is lowered by a guide lifting device (not shown), and left and right holders 1a and 1b supported by the support frame are lowered.
However, when approaching the side plate of the first carrier 30, the support frame stops.

該第１のキヤリア３０下方に位置していたプツ
シヤ５は、図示されないプツシヤ昇降装置により
上昇する。該プツシヤ５は、50枚の前記ウエーハ
１００に接触して該ウエーハ１００を上昇させ
る。 The pusher 5 located below the first carrier 30 is raised by a pusher lifting device (not shown). The pusher 5 contacts the 50 wafers 100 and raises the wafers 100.

該プツシヤ５は、前記ウエーハ１００が左およ
び右ホルダ１ａ，１ｂの第１の主溝２０１間を通
り、さらに左および右ガイド２ａ，２ｂの第３の
主溝２０３間に挿入されたところで停止する。 The pusher 5 stops when the wafer 100 passes between the first main grooves 201 of the left and right holders 1a, 1b and is further inserted between the third main grooves 203 of the left and right guides 2a, 2b. .

第７図ｂにおいて、図示されたいホルダ回転装
置は前記左および右ホルダ１ａ，１ｂを、該左お
よび右ホルダ１ａ，１ｂの対向する部分が上昇す
るように、つまり矢印Ｂ方向に45度回転させる。
したがつて、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂは
第３図のような状態になる。 In FIG. 7b, the holder rotation device shown rotates the left and right holders 1a, 1b by 45 degrees in such a way that the opposing parts of the left and right holders 1a, 1b rise, that is, in the direction of arrow B. .
Therefore, the left and right holders 1a and 1b are in the state shown in FIG. 3.

第７図ｃにおいては、前記プツシヤ５が、プツ
シヤ昇降装置により下降し、前記テーブル４の下
方に来たところで停止する。 In FIG. 7c, the pusher 5 is lowered by the pusher lifting device and stops when it reaches below the table 4.

前記50枚のウエーハ１００は、前記プツシヤ５
と共に下降し、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂ
に形成された第１の主溝２０１の対向する底面端
部にぶつかり、該底面端部に係止される。この状
態で支持架枠は上昇する。 The 50 wafers 100 are transferred to the pusher 5.
the left and right holders 1a, 1b
The first main groove 201 formed in the first main groove 201 collides with the opposing bottom end portions and is locked to the bottom end portions. In this state, the support frame will rise.

上昇は、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂの下
端が、第１、第２および第３のキヤリア３０，４
０，５０のいずれの側面板よりも高い位置にくる
まで行なわれ、その後停止する。 In the upward movement, the lower ends of the left and right holders 1a, 1b are connected to the first, second and third carriers 30, 4.
The process continues until it reaches a position higher than either side plate of 0 or 50, and then stops.

第７図ｄにおいては、テーブル４は、図示され
ないテーブル移動装置により右方へ移動する。該
移動は、該テーブル４上に設置された第２のキヤ
リア４０が、前記支持架枠の真下にくるまで行な
われる。 In FIG. 7d, the table 4 is moved to the right by a table moving device (not shown). The movement is continued until the second carrier 40 placed on the table 4 is located directly below the support frame.

前記支持架枠は、ガイド昇降装置により下降
し、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂが前記第２
のキヤリア４０の側面板に近接したところで停止
する。 The support frame is lowered by a guide lifting device, and the left and right holders 1a, 1b are lowered by the second
It stops near the side plate of the carrier 40.

第７図ｅにおいては、前述したテーブル４に右
方への移動により、前記第２のキヤリア４０の下
方に位置することとなつた前記プツシヤ５は、プ
ツシヤ昇降装置により上昇する。 In FIG. 7e, the pusher 5, which has come to be located below the second carrier 40 due to the table 4 being moved to the right, is raised by the pusher lifting device.

そして、第２のキヤリア４０の底面および前記
テーブル４に形成された第２のプツシヤ穴４１お
よび４１Ｔを通り、前記左および右ホルダ１ａ，
１ｂに形成された第１の主溝２０１の対向する底
面端部に係止された前記50枚のウエーハ１００の
下部に接触する。 Then, it passes through the bottom surface of the second carrier 40 and the second pusher holes 41 and 41T formed in the table 4, and passes through the left and right holders 1a,
It comes into contact with the lower portions of the 50 wafers 100 that are locked to the opposing bottom ends of the first main groove 201 formed in the groove 1b.

前記プツシヤ５はさらに上昇し、前記ウエーハ
１００を左および右ガイド２ａ，２ｂに形成され
た第３の主溝２０３へ挿入する。この時、前記プ
ツシヤ５は上昇を停止する。 The pusher 5 further rises and inserts the wafer 100 into the third main groove 203 formed in the left and right guides 2a, 2b. At this time, the pusher 5 stops rising.

第７図ｆにおいては、ホルダ回転装置は、前記
左および右ホルダ１ａ，１ｂを、該左および右ホ
ルダ１ａ，１ｂの対向する部分が下向きになるよ
うに、つまり矢印Ｃ方向に、90度回転させる。し
たがつて、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂは第
４図のような状態になる。 In FIG. 7f, the holder rotating device rotates the left and right holders 1a, 1b by 90 degrees so that the opposing parts of the left and right holders 1a, 1b face downward, that is, in the direction of arrow C. let Therefore, the left and right holders 1a and 1b are in the state shown in FIG. 4.

第７図ｇにおいては、前記50枚のウエーハ１０
０を支持していた前記プツシヤ５は、プツシヤ昇
降装置により下降を始める。同時に前記ウエーハ
１００も該プツシヤ５と共に下降する。 In FIG. 7g, the 50 wafers 10
The pusher 5, which was supporting 0, begins to descend by the pusher lifting device. At the same time, the wafer 100 is also lowered together with the pusher 5.

該50枚のウエーハ１００は、前記左および右ホ
ルダ１ａ，１ｂの溝部にさしかかつたところで、
該左および右ホルダ１ａ，１ｂに形成された第２
の主溝２０２を通過するものは、前記プツシヤ５
と共に前記左および右ホルダ１ａ，１ｂ下部へ通
過する。 When the 50 wafers 100 reached the grooves of the left and right holders 1a and 1b,
Second holders formed on the left and right holders 1a, 1b
Those passing through the main groove 202 of the pusher 5
It also passes under the left and right holders 1a and 1b.

しかし、該左および右ホルダ１ａ，１ｂに形成
された前記第１の主溝２０１に進入するウエーハ
１００は、該第１の主溝２０１の底面端部にて係
止される。 However, the wafer 100 entering the first main groove 201 formed in the left and right holders 1a, 1b is stopped at the bottom end of the first main groove 201.

第４図ｂにより明らかなように、該第２の主溝
２０２は、それぞれの第１の主溝２０１の１つお
きに形成されているので、前記50枚のウエーハ１
００は、その１枚おきに、25枚は該左および右ホ
ルダ１ａ，１ｂの部分で係止され、残り25枚は前
記プツシヤ５と共に下降を続けることになる。 As is clear from FIG. 4b, since the second main grooves 202 are formed every other first main groove 201, the 50 wafers 1
00, every other 25 sheets are locked at the left and right holders 1a and 1b, and the remaining 25 sheets continue to descend together with the pusher 5.

該プツシヤ５と共に下降を続ける25枚のウエー
ハ１００は、第２のキヤリア４０内に挿入され、
該第２のキヤリア４０の底面に設けられた第２の
ウエーハ係止溝４０１のそれぞれに係止される。 The 25 wafers 100, which continue to descend with the pusher 5, are inserted into the second carrier 40,
The wafers are locked in respective second wafer locking grooves 401 provided on the bottom surface of the second carrier 40 .

前記プツシヤ５は、該第２のキヤリア４０の底
面および前記テーブル４に設けられた第２のプツ
シヤ穴４１および４１Ｔを通過し、前記25枚のウ
エーハ１００を前記第２のウエーハ係止溝４０１
に係止させた後、下降を停止する。 The pusher 5 passes through the bottom surface of the second carrier 40 and second pusher holes 41 and 41T provided in the table 4, and the 25 wafers 100 are inserted into the second wafer locking groove 401.
After it is locked, it stops descending.

その後、支持架枠はガイド昇降装置により、前
記左および右ホルダ１ａ，１ｂの下端が第１、第
２および第３のキヤリア３０，４０，５０のいず
れの側面板よりも上部へ達するまで上昇する。 Thereafter, the support frame is raised by the guide lifting device until the lower ends of the left and right holders 1a, 1b reach above any side plate of the first, second and third carriers 30, 40, 50. .

第７図ｈにおいては、前記テーブル４が図示さ
れないテーブル移動装置により左方へ移動する。
該移動は、該テーブル４上に設置された第３のキ
ヤリア５０が、前記支持架枠の真下にくるまで行
なわれる。 In FIG. 7h, the table 4 is moved to the left by a table moving device (not shown).
The movement is continued until the third carrier 50 placed on the table 4 is located directly below the support frame.

第７図ｉにおいては、支持架枠はガイド昇降装
置により再び下降し、該支持架枠は前記左および
右ホルダ１ａ，１ｂが前記第３のキヤリア５０の
側面板に接近したところで停止する。 In FIG. 7i, the support frame is lowered again by the guide lifting device and stops when the left and right holders 1a, 1b approach the side plates of the third carrier 50.

そして、前述したテーブル４の右方への移動に
より、前記第３のキヤリア５０の下方に位置する
こととなつた前記プツシヤ５は、プツシヤ昇降装
置により上昇する。 Then, due to the rightward movement of the table 4 described above, the pusher 5, which is located below the third carrier 50, is raised by the pusher lifting device.

該プツシヤ５は、第３のキヤリア５０の底面お
よびテーブル４に形成された第３のプツシヤ穴５
１および５１Ｔを通り、前記左および右ホルダ１
ａ，１ｂに形成された第１の主溝２０１の底部端
部に係止された前記25枚のウエーハ１００の下部
に接触する。 The pusher 5 is inserted into a third pusher hole 5 formed in the bottom surface of the third carrier 50 and in the table 4.
1 and 51T, said left and right holder 1
It comes into contact with the lower portions of the 25 wafers 100 that are locked to the bottom ends of the first main grooves 201 formed in the grooves a and 1b.

前記プツシヤ５はさらに上昇し、前記ウエーハ
１００を前記左および右ガイド２ａ，２ｂに形成
された第３の主溝２０３内へ挿入する。この時、
前記プツシヤ５は上昇を停止する。 The pusher 5 further rises and inserts the wafer 100 into the third main groove 203 formed in the left and right guides 2a, 2b. At this time,
The pusher 5 stops rising.

第７図ｊにおいては、前記ガイド回転装置は、
前記右ホルダ１ａ，１ｂを、該左および右ホルダ
１ａ，１ｂの対向する部分が上向きになるよう
に、つまり矢印Ｂ方向に、45度回転させる。 In FIG. 7j, the guide rotation device is
The right holders 1a, 1b are rotated 45 degrees so that the opposing portions of the left and right holders 1a, 1b face upward, that is, in the direction of arrow B.

したがつて、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂ
は始めの状態、つまり第２図のように、すべての
ウエーハを通過させる状態となる。 Therefore, the left and right holders 1a, 1b
is the initial state, that is, the state in which all wafers are allowed to pass, as shown in FIG.

第７図ｋにおいては、前記プツシヤ５は、プツ
シヤ昇降装置により再び下降を始める。前記25枚
のウエーハ１００も該プツシヤ５と共に下降す
る。 In FIG. 7k, the pusher 5 starts to descend again by the pusher lifting device. The 25 wafers 100 also descend together with the pusher 5.

該25枚のウエーハ１００は、前記左および右ホ
ルダ１ａ，１ｂに形成された第１の主溝２０１を
通過し、該左および右ホルダ１ａ，１ｂの下側へ
下降し、その後、前記第３のキヤリア５０内へ挿
入される。 The 25 wafers 100 pass through the first main groove 201 formed in the left and right holders 1a, 1b, descend to the lower side of the left and right holders 1a, 1b, and then the third is inserted into the carrier 50 of.

前記25枚のウエーハ１００は、該第３のキヤリ
ア５０の底面に設けられた第３のウエーハ係止溝
５０１のそれぞれに係止される。 The 25 wafers 100 are respectively locked in third wafer locking grooves 501 provided on the bottom surface of the third carrier 50.

前記プツシヤ５は、前記第３のキヤリア５０の
底面および前記テーブル４に設けられた第３のプ
ツシヤ穴５１を通過し、前記25枚のウエーハ１０
０を前記第３のウエーハ係止溝５０１に係止させ
た後、下降を停止する。 The pusher 5 passes through the bottom surface of the third carrier 50 and the third pusher hole 51 provided in the table 4, and the 25 wafers 10
0 is locked in the third wafer locking groove 501, the lowering is stopped.

その後、支持架枠は、ガイド昇降装置により、
前記左および右ホルダ１ａ，１ｂの下端が、第
１、第２および第３のキヤリア３０，４０，５０
のいずれの側面板よりも高い位置へ達するまで上
昇する。 After that, the support frame is moved by the guide lifting device.
The lower ends of the left and right holders 1a, 1b are connected to the first, second and third carriers 30, 40, 50.
rise until it reaches a position higher than either side plate.

第７図ｌにおいては、前記テーブル４はテーブ
ル移動装置により右方へ移動する。該移動は、該
テーブル４上に設置された第１のキヤリア３０
が、前記支持架枠の真下にくるまで行なわれ、そ
の後、停止する。 In FIG. 7l, the table 4 is moved to the right by the table moving device. The movement is performed by the first carrier 30 installed on the table 4.
This continues until it is directly below the support frame, and then it stops.

以上の第１図、第７図ａ〜ｌの操作により、該
第１図において第１のキヤリア３０内に収納され
た50枚のウエーハ１００は、該第１のキヤリア３
０の左右に設置された第２および第３のキヤリア
４０，５０内に25枚づつ、かつ前記第１のキヤリ
ア３０内に収納されていたウエーハ１００間のピ
ツチの２倍のピツチで収納されたことになる。 Through the operations shown in FIG. 1 and FIGS. 7a to 7l, the 50 wafers 100 stored in the first carrier 30 in FIG.
25 wafers each were stored in the second and third carriers 40 and 50 installed on the left and right sides of the wafer 0, and the pitch was twice the pitch between the wafers 100 that had been stored in the first carrier 30. It turns out.

なお第７図ｄ，ｈ，ｌにおいては、テーブル４
を図示されないテーブル移動装置により右方ある
いは左方に移動したが、該テーブル４を固定して
おいて、左および右ホルダ１ａ，１ｂ、左および
右ガイド２ａ，２ｂ、プツシヤ５および左および
右ローラ６ａ，６ｂを移動させても同様の効果が
得られることは明白である。 In addition, in Fig. 7 d, h, and l, Table 4
was moved to the right or left by a table moving device (not shown), but the table 4 was fixed and left and right holders 1a, 1b, left and right guides 2a, 2b, pusher 5, and left and right rollers were moved. It is clear that the same effect can be obtained even if 6a and 6b are moved.

一般に、ウエーハはゲルマニウムやシリコン等
の単結晶であるが、該単結晶の方向を示すため
に、該ウエーハは円形形状の該ウエーハの一部に
直線状のカツトが施されている。そして、キヤリ
ア内にウエーハを収納する場合、該ウエーハの結
晶方位、つまり円形形状の一部を直線状にカツト
した部分を一定方向にそろえる必要がある場合が
多い。 Generally, a wafer is a single crystal of germanium, silicon, or the like, and a linear cut is made in a part of the circular wafer to indicate the direction of the single crystal. When storing a wafer in a carrier, it is often necessary to align the crystal orientation of the wafer, that is, the straight cut portion of a circular shape, in a certain direction.

前述の操作においては、該ウエーハ１００の方
向をそろえる操作はしていないので、第７図のｌ
における第２および第３のキヤリア４０，５０に
収納されたウエーハ１００は、その方向がばらば
らである。 In the above-mentioned operation, the direction of the wafer 100 was not aligned, so l in FIG.
The wafers 100 stored in the second and third carriers 40 and 50 are oriented in different directions.

以下に、第２および第３のキヤリア４０，５０
に収納されたウエーハ１００の方向をそろえる手
順を示す。 Below, the second and third carriers 40, 50
The procedure for aligning the directions of the wafers 100 stored in the wafers 100 is shown.

第７図ｍ〜第７図ｐはウエーハ１００の方向を
そろえる手順は説明する説明図である。 FIGS. 7m to 7p are explanatory diagrams illustrating the procedure for aligning the directions of the wafers 100.

第１図〜第６図および第７図ａ〜第７図ｌにお
いては、ウエーハ１００の前記切欠直線部は示し
ていなかつたが、第７図ｍ〜第７図ｐにおいては
該切欠直線部を示してある。 In FIGS. 1 to 6 and 7a to 7l, the straight notched portion of the wafer 100 is not shown, but the straight notched portion is shown in FIGS. 7m to 7p. It is shown.

また、ウエーハ１００の円の中に書かれた数字
は、該ウエーハ１００の枚数を示している。 Further, the number written inside the circle of the wafer 100 indicates the number of the wafer 100.

第７図ｍ〜第７図ｐにおいて、第１図〜第６
図、および第７図ａ〜第７図ｌと同一の符号は、
同一または同等部分をあらわしている。 In Figures 7 m to 7 p, Figures 1 to 6
The same reference numerals as in the figure and FIGS. 7a to 7l are
Represents the same or equivalent parts.

前述のように第７図ａにおいて、第１のキヤリ
ア３０内に収納されていた50枚のウエーハ１００
は、第７図ｌにおいては、第２および第３のキヤ
リア４０，５０内に25枚ずつ、かつ前記第１のキ
ヤリア３０内に収納されたウエーハ１００間のピ
ツチの２倍のピツチで収納されている。 As mentioned above, in FIG. 7a, the 50 wafers 100 stored in the first carrier 30
In FIG. 7l, 25 wafers are stored in each of the second and third carriers 40 and 50, and the pitch is twice the pitch between the wafers 100 stored in the first carrier 30. ing.

第７図ｍにおいては、前記第２および第３のキ
ヤリア４０，５０の下方に設置された左および右
ローラ６ａ，６ｂが、図示されないローラ駆動装
置により上昇する。 In FIG. 7m, the left and right rollers 6a, 6b installed below the second and third carriers 40, 50 are raised by a roller drive device (not shown).

前記第２および第３のキヤリア４０，５０内に
収納されたウエーハ１００は、第２および第３の
ウエーハ係止溝４０１，５０１に挿入、係止され
ているが、該ウエーハ１００の最下部は第２およ
び第３のプツシヤ穴４１，５１の下面に若干突出
している。 The wafer 100 housed in the second and third carriers 40 and 50 is inserted and locked into the second and third wafer locking grooves 401 and 501, but the lowest part of the wafer 100 is It slightly protrudes from the lower surface of the second and third pusher holes 41 and 51.

前記左および右ローラ６ａ，６ｂの上昇は、前
記第２および第３のプツシヤ穴４１，５１の下面
に突出した前記ウエーハ１００の最下部の円弧状
部分に接触するまで行なわれる。 The left and right rollers 6a, 6b are raised until they come into contact with the lowermost arcuate portions of the wafer 100 protruding from the lower surfaces of the second and third push holes 41, 51.

この時、ウエーハ１００の結晶方位を示す前記
直接部が、この最下部にあるウエーハ１００に
は、前記左および右ローラ６ａ，６ｂは接触しな
い。 At this time, the left and right rollers 6a and 6b do not come into contact with the wafer 100, where the direct portion indicating the crystal orientation of the wafer 100 is at the bottom.

第７図ｎにおいては、前記左および右ローラ６
ａ，６ｂは、図示されないローラ駆動装置により
一定時間回転する。回転方向は、時計方向、反時
計方向のどちらでもよい。 In FIG. 7n, the left and right rollers 6
a and 6b are rotated for a certain period of time by a roller drive device (not shown). The rotation direction may be either clockwise or counterclockwise.

前記左および右ローラ６ａ，６ｂの回転によ
り、該左および右ローラ６ａ，６ｂと接触してい
る前記ウエーハ１００は、その摩擦力のために回
転する。 Due to the rotation of the left and right rollers 6a, 6b, the wafer 100 in contact with the left and right rollers 6a, 6b rotates due to the frictional force thereof.

任意の方向に向いていた前記ウエーハ１００の
直線部は、前記回転のため、該ウエーハ１００の
最下部へ回転させられる。該ウエーハ１００の最
下部に移動した該ウエーハ１００の直線部は、前
記左および右ローラ６ａ，６ｂに接触しなくな
る。 The straight portion of the wafer 100 that was oriented in any direction is rotated to the bottom of the wafer 100 due to the rotation. The straight portion of the wafer 100 that has moved to the bottom of the wafer 100 no longer contacts the left and right rollers 6a, 6b.

したがつて、前記左および右ローラ６ａ，６ｂ
が回転を続けても、該ウエーハ１００はその回転
を停止する。前記左および右ローラ６ａ，６ｂ
は、前記すべてのウエーハ１００の直線部が該ウ
エーハ１００の最下部に移動し、該すべてのウエ
ーハ１００の回転が停止するまで続けられる。 Therefore, the left and right rollers 6a, 6b
Even if the wafer 100 continues to rotate, the wafer 100 stops rotating. Said left and right rollers 6a, 6b
continues until the straight portions of all the wafers 100 move to the bottom of the wafers 100 and the rotation of all the wafers 100 stops.

この状態において、前記ウエーハ１００の結晶
方位は、すべて同一方向に揃えられたことにな
る。さらに、前記ウエーハ１００の直接部を、該
ウエーハ１００の下以外に向けたい場合には、以
下の操作を行なう。 In this state, the crystal orientations of the wafer 100 are all aligned in the same direction. Furthermore, if it is desired to direct the direct portion of the wafer 100 to a location other than the bottom of the wafer 100, the following operation is performed.

第７図ｏにおいては、そのすべての直接部が、
その最下部に位置する前記ウエーハ１００に対し
て、前記左および右ローラ６ａ，６ｂは図示され
ないローラ駆動装置により、さらに上昇する。該
左および右ローラ６ａ，６ｂは、前記ウエーハ１
００の直線部に接触すると同時に、その上昇を停
止する。 In Figure 7 o, all of its direct parts are
With respect to the wafer 100 located at the lowest position, the left and right rollers 6a, 6b are further raised by a roller drive device (not shown). The left and right rollers 6a, 6b move the wafer 1
As soon as it touches the straight line of 00, it stops rising.

第７図ｐにおいては、前記左および右ローラ６
ａ，６ｂは、前記図示されないローラ駆動装置に
より回転する。回転方向は、時計方向、反時計方
向のどちらでもよい。 In FIG. 7p, the left and right rollers 6
a and 6b are rotated by the roller drive device (not shown). The rotation direction may be either clockwise or counterclockwise.

前記ウエーハ１００は、前記左および右ローラ
６ａ，６ｂの回転により回転する。前記ウエーハ
１００の直線部が希望する任意の方向に向けられ
たところで、前記左および右ローラ６ａ，６ｂ
は、その回転を停止する。第７図ｐにおいては、
前記ウエーハ１００の直線部はすべて該ウエーハ
の最上部に位置している。 The wafer 100 is rotated by the rotation of the left and right rollers 6a and 6b. When the straight portion of the wafer 100 is oriented in any desired direction, the left and right rollers 6a, 6b
stops its rotation. In Figure 7 p,
All straight portions of the wafer 100 are located at the top of the wafer.

前記ウエーハ１００の直線部が希望する任意の
方向に向けられ、前記左および右ローラ６ａ，６
ｂの回転が停止したところで、前記左および右ロ
ーラ６ａ，６ｂは下降する。 The straight portion of the wafer 100 is oriented in any desired direction, and the left and right rollers 6a, 6
When the rotation of roller b stops, the left and right rollers 6a and 6b descend.

以上の操作により、その直線部が種々の方向に
向けられていたウエーハ１００は、すべて希望す
る同一方向へ向けられたことになる。 By the above operation, all of the wafers 100 whose straight portions were oriented in various directions are now oriented in the same desired direction.

また、以上の操作の逆の操作、つまり第２およ
び第３のキヤリア４０，５０内に収められたウエ
ーハ１００を、第１のキヤリア３０内へ移換える
操作も、前述した操作を全く逆の手順により行え
ば容易に達成できる。 In addition, the reverse operation of the above operation, that is, the operation of transferring the wafer 100 contained in the second and third carriers 40 and 50 into the first carrier 30, can also be performed by performing the above-mentioned operation in completely reverse order. This can be easily achieved by doing this.

また、第１のキヤリア３０の左右両側へ第２、
第３のキヤリア４０，５０を設けたが、これに限
らず、前記第１のキヤリア３０を端部に設け、第
２または第３のキヤリア４０，５０を中央に設け
てもよいのは当然である。 Further, a second
Although the third carriers 40, 50 are provided, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that the first carrier 30 may be provided at the end and the second or third carrier 40, 50 may be provided in the center. be.

本発明の一実施例では、ウエーハ１００の移換
えに、第１または第２および第３のキヤリア３
０，４０，５０に形成された第１または第２およ
び第３のウエーハ係止溝３０１，４０１，５０１
に係止されたそれぞれのウエーハ１００を、左お
よび右ホルダ１ａ，１ｂおよび左および右ガイド
２ａ，２ｂに形成されたそれぞれの第１、第２お
よび第３の主溝２０１，２０２，２０３内に挿入
あるいは係止する手段、あるいはその逆の手段を
用いている。 In one embodiment of the invention, the first or second and third carriers 3 are used to transfer the wafer 100.
First or second and third wafer locking grooves 301, 401, 501 formed at 0, 40, 50
Each of the wafers 100, which is secured to the means of insertion or locking, or vice versa.

前記第１、第２および第３のウエーハ係止溝３
０１，４０１，５０１および第１、第２および第
３の主溝２０１，２０２，２０３は、前記ウエー
ハ１００を係止あるいは保持するための溝である
から、該溝の幅はあまり広くできないが、適度か
遊びは必要である。 The first, second and third wafer locking grooves 3
01, 401, 501 and the first, second, and third main grooves 201, 202, and 203 are grooves for locking or holding the wafer 100, so the width of the grooves cannot be made very wide. Moderation or play is necessary.

前記第１、第２および第３のキヤリア３０，４
０，５０に形成された前記第１、第２および第３
のウエーハ係止溝３０１，４０１，５０１に係止
された前記ウエーハ１００は、該ウエーハ係止溝
の前記遊びのために、該キヤリアの底面に対して
垂直に立つことができず、該キヤリアの底面の垂
直面に対して若干の傾斜角度をなして、あるウエ
ーハは該垂直面の手前側、また、他のウエーハは
反対側に傾斜して立てことになる。 the first, second and third carriers 30, 4;
the first, second and third formed at 0,50;
The wafer 100 locked in the wafer locking grooves 301, 401, and 501 cannot stand perpendicularly to the bottom surface of the carrier due to the play in the wafer locking groove, and Some wafers are stood at a slight inclination angle with respect to the vertical plane of the bottom surface, and some wafers are inclined to the near side of the vertical plane, and other wafers are inclined to the opposite side.

したがつて、キヤリア内での各ウエーハ１００
間の上部にピツチが異なり、この状態では、前記
左および右ホルダ１ａ，１ｂおよび左および右ガ
イド２ａ，２ｂに形成された第１、第２および第
３の主溝２０１，２０２，２０３内に、該ウエー
ハ１００を円滑に挿入することがむずかしくな
る。 Therefore, each wafer 100 in the carrier
In this state, the pitches are different in the upper portions of the grooves, and in this state, the grooves are formed in the first, second and third main grooves 201, 202, 203 formed in the left and right holders 1a, 1b and the left and right guides 2a, 2b. , it becomes difficult to insert the wafer 100 smoothly.

はなはだしい場合には、前述の移換え動作に支
障を生じたり、ウエーハを損傷したりする欠点が
ある。 In extreme cases, there is a drawback that the above-mentioned transfer operation may be hindered or the wafer may be damaged.

上記欠点の解決策として、図示されない手段に
より前記テーブル４を、該テーブル４と前記ウエ
ーハ１００との交線と平行な仮想軸のまわりに傾
斜させてやることが考えられる。 As a solution to the above drawback, it is conceivable to tilt the table 4 around an imaginary axis parallel to the line of intersection between the table 4 and the wafer 100 by means not shown.

前記テーブル４の傾斜により、前記のすべての
ウエーハ１００は同一方向に傾斜し、したがつ
て、該ウエーハ１００間の上部のピツチは、その
キヤリアごとに同じになる。 Due to the tilting of the table 4, all the wafers 100 are tilted in the same direction, so the top pitch between the wafers 100 is the same for each carrier.

なお、前記傾斜が大きい場合には、前記第１の
キヤリア３０に形成された第１のウエーハ係止溝
３０１と、前記左および右ホルダ１ａ，１ｂおよ
び左および右ガイド２ａ，２ｂに形成された第
１、第２および第３の主溝２０１，２０２，２０
３との相対位置を調整する必要がある。 In addition, when the said inclination is large, the 1st wafer locking groove 301 formed in the said 1st carrier 30, the said left and right holders 1a, 1b, and the left and right guides 2a, 2b. First, second and third main grooves 201, 202, 20
It is necessary to adjust the relative position with 3.

また、前述のように左および右ホルダ１ａ，１
ｂおよび左および右ガイド２ａ，２ｂに形成され
た第１、第２および第３の主溝２０１，２０２，
２０３も、前記ウエーハ１００が挿入された時に
適度な遊びが生ずるように形成されている。 In addition, as described above, the left and right holders 1a, 1
b and the first, second and third main grooves 201, 202 formed in the left and right guides 2a, 2b,
203 is also formed so that a suitable amount of play occurs when the wafer 100 is inserted.

該遊びは、前記ウエーハ係止溝に係止された前
記ウエーハ１００を前記プツシヤ５により上昇さ
せる際、前記第１、第２および第３の主溝２０
１，２０２，２０３に挿入しやすくする為のもの
である。 The play is caused by the play in the first, second and third main grooves 20 when the pusher 5 raises the wafer 100 that is locked in the wafer locking groove.
This is to facilitate insertion into 1, 202, and 203.

しかし、該遊びのために、前記ウエーハ１００
が、それぞれ平行に保持されなくなるおそれがあ
る。したがつて、この状態では、前記左および右
ホルダ１ａ，１ｂにより保持された前記ウエーハ
１００を前記第１、第２および第３のウエーハ係
止溝３０１，４０１，５０１内へ挿入、係止させ
ることはむずかしくなる。 However, due to the play, the wafer 100
However, there is a risk that they will not be held parallel to each other. Therefore, in this state, the wafer 100 held by the left and right holders 1a and 1b is inserted into and locked into the first, second, and third wafer locking grooves 301, 401, and 501. Things become difficult.

上記欠点の解決のためには、前記第１、第２お
よび第３の主溝２０１，２０２，２０３を、その
断面が矩形ではなく、該溝の底面部が該ウエーハ
１００の幅の同じて、該溝の開口部が前記底面部
の幅よりも広くなるような台形であるような形状
とするのがよい。 In order to solve the above-mentioned drawbacks, the first, second and third main grooves 201, 202, 203 are not rectangular in cross section, but have bottom portions that are the same width as the wafer 100. It is preferable that the groove has a trapezoidal shape such that the opening part thereof is wider than the width of the bottom part.

この場合には、第１、第２および第３のウエー
ハ係止溝３０１，４０１，５０１内に係止された
ウエーハ１００を、第１、第２および第３の主溝
２０１，２０２，２０３へ挿入する場合は、その
断面を矩形状とし、遊びを大きくした場合と同様
に容易であり、また該ウエーハ１００を保持する
場合は、該ウエーハ係止溝の底面部にて、前記ウ
エーハ１００が保持されるので、該ウエーハ１０
０と該第１、第２および第３の主溝２０１，２０
２，２０３との間に遊びは生じない。 In this case, the wafer 100 locked in the first, second and third wafer locking grooves 301, 401, 501 is transferred to the first, second and third main grooves 201, 202, 203. When inserting the wafer 100, it is easy to insert the wafer 100 by making the cross section rectangular and increasing the play.When holding the wafer 100, the wafer 100 is held at the bottom of the wafer locking groove Therefore, the wafer 10
0 and the first, second and third main grooves 201, 20
There is no play between 2 and 203.

前記一実施例においては、左および右ホルダ１
ａ，１ｂを正方形柱状としたが、特に正方形柱状
に限らず、円柱状あるいは他の形状であつてもよ
い。 In the above embodiment, the left and right holders 1
Although a and 1b are square columnar shapes, they are not limited to square columnar shapes and may be cylindrical or other shapes.

また、第２および第３のキヤリア４０，５０の
底面に形成された第２および第３のウエーハ係止
溝４０１，５０１のそれぞれのピツチを、第１の
キヤリア３０の底面に形成された第１のウエーハ
係止溝３０１のそれぞれのピツチの２倍とした
が、該第１のウエーハ係止溝３０１のそれぞれの
ピツチと同一にしても良いことは明らかである。 Further, the pitches of the second and third wafer locking grooves 401 and 501 formed on the bottom surface of the second and third carriers 40 and 50 are adjusted to the pitches of the second and third wafer locking grooves 401 and 501 formed on the bottom surface of the first carrier Although the pitch is twice the pitch of each of the first wafer locking grooves 301, it is clear that the pitch may be the same as the pitch of each of the first wafer locking grooves 301.

この場合、第１のキヤリア３０と第２および第
３のキヤリア４０，５０との材質が同じ時は、第
１のキヤリア３０をもつて、第２および第３のキ
ヤリア４０，５０に代えることができる。 In this case, when the first carrier 30 and the second and third carriers 40, 50 are made of the same material, the first carrier 30 can be replaced with the second and third carriers 40, 50. can.

さて、本発明の一実施例は、１つのキヤリア内
に収められた50枚のウエーハを別の２つとキヤリ
ア内へ25枚ずつ移し換え、また該別の２つのキヤ
リア内へ25枚ずつ移し換えられたウエーハ間のピ
ツチは、始めの１つのキヤリア内に収められた50
枚のウエーハ間のピツチの２倍であつた。 Now, in one embodiment of the present invention, 50 wafers housed in one carrier are transferred to two other carriers, 25 wafers at a time, and 25 wafers at a time are transferred to the other two carriers. The pitch between the wafers contained within the first 50 wafers is
The pitch was twice the pitch between two wafers.

つまり、第１のキヤリアへ収納されていたウエ
ーハの枚数は、第２および第３のキヤリアへ収納
された枚数の２倍であつた。 In other words, the number of wafers stored in the first carrier was twice the number of wafers stored in the second and third carriers.

しかし、左および右ホルダに形成された第２の
主溝を、第１の主溝の一端に２つおきに形成する
とともに、もう１組の前記第２の主溝と同形状の
第４の主溝を前記第２の主溝が形成されいない前
記第１の主溝の他端に２つおきに形成し、また、
さらに第４のキヤリアを設け、第２、第３および
第４のキヤリアに第１のキヤリアに形成された第
１のウエーハ係止溝の３倍のピツチで第２、第３
および第４のウエーハ係止溝を形成し、該第１の
ウエーハ係止溝のすべてが該第２、第３および第
４のウエーハ係止溝の延長線上に位置するように
構成することにより、前記比率を３倍にすること
ができる。 However, the second main grooves formed in the left and right holders are formed every second at one end of the first main groove, and another set of fourth main grooves having the same shape as the second main groove is formed at one end of the first main groove. A main groove is formed at every other end of the first main groove where the second main groove is not formed, and
Furthermore, a fourth carrier is provided, and the second, third, and fourth carriers are provided with grooves that are three times as large as the first wafer locking grooves formed in the first carrier.
and a fourth wafer locking groove, all of the first wafer locking grooves being located on an extension line of the second, third and fourth wafer locking grooves, The ratio can be tripled.

一般に、左および右ホルダに形成された第１お
よび第２の主溝および該左および右ホルダの形状
を自由に変形することにより、本発明は、これら
の具体的な数値に制約されず、１つのキヤリア内
に収めらたＸ枚のウエーハを、別のｎ個のキヤリ
ア内へＸ／ｎ枚ずつ移し換え、また、該別のｎ個
のキヤリア内へＸ／ｎ枚ずつ移し換えられたウエ
ーハ間のピツチは、始めの１つのキヤリア内に収
められたＸ枚のウエーハ間のピツチのｎ倍にする
ことができる。 Generally, by freely changing the shapes of the first and second main grooves formed in the left and right holders and the shapes of the left and right holders, the present invention is not limited to these specific numerical values, X wafers housed in one carrier are transferred into another n carriers by X/n wafers, and wafers transferred into the other n carriers by X/n wafers The pitch between them can be n times the pitch between the X wafers initially contained in one carrier.

また、逆の操作によりｎ個のキヤリア内にＸ枚
ずつ収められたウエーハを、別の１つのキヤリア
内へｎ・Ｘ枚移し換え、また該別の１つのキヤリ
ア内へ移し換えられたｎ・Ｘ枚のウエーハ間のピ
ツチは、始めのｎ個のキヤリア内にＸ枚ずつ収め
られたウエーハ間のピツチの１／ｎ倍にすること
ができる。 In addition, by performing the reverse operation, n x wafers stored in n carriers are transferred to another carrier, and n x wafers are transferred to another carrier. The pitch between X wafers can be 1/n times the pitch between X wafers stored in the first n carriers.

（効果） 以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、つぎのような効果が達成される。(Effects) As is clear from the above description, according to the present invention, the following effects are achieved.

(1) キヤリア内へ収納されたウエーハを他のキヤ
リア内へ自動適に移換えることができるので、
該ウエーハを汚したり、傷つけたり、あるいは
破損することがなく、また該移換えが効率よく
行なわれ、経済的である。(1) Wafers stored in a carrier can be automatically and appropriately transferred to other carriers.
The wafer is not contaminated, scratched or damaged, and the transfer is efficient and economical.

(2) キヤリア内へ収納されたウエーハの結晶方位
をそろえることができるので、各種処理が能率
よく行なわれる。(2) Since the crystal orientation of the wafers stored in the carrier can be aligned, various processes can be performed efficiently.

(3) １対の柱状ホルダによつて、ウエーハの選択
および一方のキヤリアから他方のキヤリアへの
移送中の保持機能を果たすことができるので、
移換え装置の構造を簡素化できる。(3) A pair of columnar holders can perform the holding function during wafer selection and transfer from one carrier to the other;
The structure of the transfer device can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の一実施例の概略正面図、第２
図は左および右ホルダの詳細図、第３図は左およ
び右ホルダが第２図の状態からその対向する部分
が上向きになるように45度回転した状態図、第４
図は左および右ホルダが第３図の状態からその対
向する部分が下向きになるように90度回転した状
態図、第５図は左および右ガイドの詳細図、第６
図は第１、第２および第３のキヤリアおよびテー
ブルの詳細図、第７図ａ〜ｌはウエーハの移し換
えの手順を示す説明図、第７図ｍ〜ｐはウエーハ
の方向をそろえる手順を示す説明図である。 １ａ……左ホルダ、１ｂ……右ホルダ、２ａ…
…左ガイド、２ｂ……右ガイド、４……テーブ
ル、５……プツシヤ、８ａ……左回転軸、８ｂ…
…右回転軸、３０……第１のキヤリア、３１……
第１のプツシヤ穴、４０……第２のキヤリア、４
１……第２のプツシヤ穴、５０……第３のキヤリ
ア、５１……第３のプツシヤ穴、１００……ウエ
ーハ、１０１……第１のウエーハ、１０２……第
２のウエーハ、１０３……第３のウエーハ、１０
４……第４のウエーハ、２０１……第１の主溝、
２０２……第２の主溝、２０３……第３の主溝、
３０１……第１のウエーハ係止溝、４０１……第
２のウエーハ係止溝、５０１……第３のウエーハ
係止溝。 FIG. 1 is a schematic front view of one embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a detailed view of the left and right holders, Figure 3 is a diagram of the left and right holders rotated 45 degrees from the state shown in Figure 2 so that their opposing parts face upward, and Figure 4
The diagram shows the left and right holders rotated 90 degrees from the state shown in Figure 3 so that their opposing parts face downwards. Figure 5 is a detailed diagram of the left and right guides. Figure 6 is a detailed diagram of the left and right guides.
The figures are detailed views of the first, second, and third carriers and tables, Figures 7 a to l are explanatory diagrams showing the procedure for transferring wafers, and Figures 7 m to p show the procedure for aligning the wafer directions. FIG. 1a...Left holder, 1b...Right holder, 2a...
...Left guide, 2b...Right guide, 4...Table, 5...Pusher, 8a...Left rotation axis, 8b...
...Right rotation axis, 30...First carrier, 31...
First pusher hole, 40...Second carrier, 4
1... Second pusher hole, 50... Third carrier, 51... Third pusher hole, 100... Wafer, 101... First wafer, 102... Second wafer, 103... Third wafer, 10
4... Fourth wafer, 201... First main groove,
202...Second main groove, 203...Third main groove,
301...First wafer locking groove, 401...Second wafer locking groove, 501...Third wafer locking groove.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １ 一方のキヤリア内に、第１のピツチで収納さ
れたウエーハを、そのｎ倍（ｎは整数）または
１／ｎ倍に相当する第２のピツチで他方のキヤリ
ア内へ移換えて収納する自動ウエーハ移換機であ
つて、 前記第１のピツチで形成された複数のウエーハ
係止溝および底面に穿設されたプツシヤ穴を有す
る第１のキヤリア、ならびに前記第２のピツチで
形成された複数のウエーハ係止溝および底面に穿
設されたプツシヤ穴を有する第２のキヤリアと、 前記第１および第２のキヤリアのプツシヤ穴に
対応する位置にプツシヤ穴が穿設されていて、前
記第１のキヤリアおよび第２のキヤリアを、互い
に対応する各キヤリアのウエーハ係止溝が一直線
上に配列されるように、その上面に並置状態で載
置するためのテーブルと、 前記テーブルの上方に、前記第１および第２の
キヤリアと平行に、かつ互いに平行に配置され
て、それぞれの周面には、前記第１および第２の
ピツチの中の小さい方のピツチで収納されたウエ
ーハを通過させる第１の複数の主溝、および前記
第１および第２のピツチの中の大きい方のピツチ
で収納されたウエーハのみを通過させる少なくと
も１組の第２の複数の主溝が、相互にある中心角
だけずらして穿設されている１対の柱状ホルダ
と、 前記１対のホルダを、その軸のまわりに回転さ
せ、各ホルダの第１の主溝を対向させて前記小さ
い方のピツチで収納されたウエーハを通過させる
第１の位置、および各ホルダの第２の主溝を対向
させて前記大きい方のピツチで収納されたウエー
ハのみを通過させる第２の位置、ならびに前記第
１の位置から予定角度だけ回転させて第１および
第２のピツチで収納されたすべてのウエーハの通
過を禁止して該ウエーハをホルダで保持させる第
３の位置で停止させるようにホルダ間のウエーハ
の通過・係止を制御するホルダ回転装置と、 前記１対のホルダの真上に、それぞれ配置さ
れ、それぞれの対向面に、前記第１および第２の
ピツチの中の小さい方のピツチで収納されたウエ
ーハを挿入する第３の複数の主溝を穿設された１
対のガイドと、 前記１対のホルダおよび１対のガイドを、相互
に所定の相対位置に保つて支持する支持架枠と、 前記支持架枠を上昇または下降させるガイド昇
降装置と、 前記テーブルの下方に設けられ、前記テーブル
およびその上のキユリアの各プツシヤ穴を貫通し
て上昇、下降し、キヤリア内および前記ホルダに
支持されたウエーハを上昇または下降させるプツ
シヤと、 前記プツシヤの上昇・下降を制御するプツシヤ
昇降装置と、 前記テーブルおよびプツシヤ、ならびに前記支
持架枠を、ウエーハ係止溝と平行な方向に相対移
動させる駆動装置とを具備したことを特徴とする
自動ウエーハ移換機。 ２ 前記第１および第２のキヤリアに形成された
ウエーハ係止溝のピツチが等しいことを特徴とす
る前記特許請求範囲の第１項記載の自動ウエーハ
移換機。 ３ 前記第１、第２および第３の主溝の断面形状
が台形であることを特徴とする前記特許請求の範
囲第１項または第２項記載の自動ウエーハ移換
機。 ４ 一方のキヤリア内に、第１のピツチで収納さ
れたウエーハを、そのｎ倍（ｎは整数）または
１／ｎ倍に相当する第２のピツチで他方のキヤリ
ア内へ移換えて収納する自動ウエーハ移換機であ
つて、 前記第１のピツチで形成された複数のウエーハ
係止溝および底面に穿設されたプツシヤ穴を有す
る第１のキヤリア、ならびに前記第２のピツチで
形成された複数のウエーハ係止溝および底面に穿
設されたプツシヤ穴を有する第２のキヤリアと、 前記第１および第２のキヤリアのプツシヤ穴に
対応する位置にプツシヤ穴が穿設されていて、前
記第１のキヤリアおよび第２のキヤリアを、互い
に対応する各キヤリアのウエーハ係止溝が一直線
上に配列されるように、その上面に並置状態で載
置するためのテーブルと、 前記テーブルの上方に、前記第１および第２の
キヤリアと平行に、かつ互いに平行に配置され
て、それぞれの周面には、前記第１および第２の
ピツチの中の小さい方のピツチで収納されたウエ
ーハを通過させる第１の複数の主溝、および前記
第１および第２のピツチの中の大きい方のピツチ
で収納されたウエーハのみを通過させる少なくと
も１組の第２の複数の主溝が、相互にある中心角
だけずらして穿設されている１対の柱状ホルダ
と、 前記１対のホルダを、その軸のまわりに回転さ
せ、各ホルダの第１の主溝を対向させて前記小さ
い方のピツチで収納されたウエーハを通過させる
第１の位置、および各ホルダの第２の主溝を対向
させて前記大きい方のピツチで収納されたウエー
ハのみを通過させる第２の位置、ならびに前記第
１の位置から予定角度だけ回転させ、第１および
第２のピツチで収納されたすべてのウエーハの通
過を禁止して該ウエーハをホルダで保持させる第
３の位置で停止させて、ホルダ間のウエーハの通
過・係止を制御するホルダ回転装置と、 前記１対のホルダの真上に、それぞれ配置さ
れ、それぞれの対向面に、前記第１および第２の
ピツチの中の小さい方のピツチで収納されたウエ
ーハを挿入する第３の複数の主溝を穿設された１
対のガイドと、 前記１対のホルダおよび１対のガイドを、相互
に所定の相対位置に保つて支持する支持架枠と、 前記支持架枠を上昇または下降させるガイド昇
降装置と、 前記テーブルの下方に設けられ、前記テーブル
およびその上のキユリアの各プツシヤ穴を貫通し
て上昇、下降し、キヤリア内および前記ホルダに
支持されたウエーハを上昇または下降させるプツ
シヤと、 前記プツシヤの上昇・下降を制御するプツシヤ
昇降装置と、 前記テーブルおよびプツシヤ、ならびに前記支
持架枠を、ウエーハ係止溝と平行な方向に相対移
動させる駆動装置と、 前記テーブルを、その面およびウエーハ面の両
方にほぼ垂直な面内で予定角度だけ傾斜させる手
段とを具備したことを特徴とする自動ウエーハ移
換機。[Claims] 1. Wafers stored in one carrier at a first pitch are transferred into the other carrier at a second pitch corresponding to n times (n is an integer) or 1/n times the wafers. An automatic wafer transfer machine for transferring and storing wafers, the first carrier having a plurality of wafer locking grooves formed by the first pitch and a pusher hole drilled in the bottom surface, and the second carrier having a pusher hole drilled in the bottom surface. a second carrier having a plurality of wafer locking grooves formed with pitches and a pusher hole drilled in the bottom surface; pusher holes drilled at positions corresponding to the pusher holes of the first and second carriers; a table for placing the first carrier and the second carrier in a juxtaposed state on the upper surface thereof such that the wafer locking grooves of the corresponding carriers are aligned in a straight line; are arranged above the table, parallel to the first and second carriers and parallel to each other, and each of the carriers is housed in a smaller pitch among the first and second pitches on the circumferential surface thereof. a first plurality of main grooves through which wafers accommodated in the first and second pitches pass; and at least one set of second plurality main grooves through which only wafers accommodated in a larger pitch of the first and second pitches pass. , a pair of columnar holders that are bored by a certain center angle, and the pair of holders are rotated around their axes so that the first main grooves of each holder face each other and the small a first position where the wafers stored in the larger pitch pass through; a second position where the second main grooves of each holder face each other and allow only the wafers stored in the larger pitch to pass; The wafers are rotated by a predetermined angle from the first position to prevent all wafers stored in the first and second pitches from passing through, and the wafers are held by the holders and stopped at the third position. a holder rotating device for controlling passage and locking of the wafer; and a holder rotating device disposed directly above the pair of holders, each having a smaller pitch between the first and second pitches on each opposing surface. 1 with a plurality of third main grooves into which the stored wafers are inserted;
a pair of guides; a support frame that supports the pair of holders and the pair of guides while maintaining them at predetermined relative positions; a guide lifting device that raises or lowers the support frame; a pusher that is provided below and that ascends and descends through each pusher hole in the table and the carrier above it to raise or lower a wafer supported in the carrier and in the holder; and a pusher that raises and lowers the pusher. An automatic wafer transfer machine comprising: a pusher elevating device for controlling; and a drive device for relatively moving the table, the pusher, and the support frame in a direction parallel to a wafer locking groove. 2. The automatic wafer transfer machine according to claim 1, wherein the pitches of the wafer locking grooves formed in the first and second carriers are equal. 3. The automatic wafer transfer machine according to claim 1 or 2, wherein the first, second, and third main grooves have a trapezoidal cross-sectional shape. 4 Automatic transfer of wafers stored in one carrier at a first pitch into the other carrier at a second pitch corresponding to n times (n is an integer) or 1/n times the wafers. A wafer transfer machine, the first carrier having a plurality of wafer locking grooves formed by the first pitch and a pusher hole drilled in the bottom surface, and a plurality of wafer locking grooves formed by the second pitch. a second carrier having a wafer locking groove and a pusher hole drilled in the bottom surface; a pusher hole is drilled at a position corresponding to the pusher hole of the first and second carrier; a table for placing the carrier and the second carrier in juxtaposition on the upper surface thereof so that the wafer locking grooves of the respective carriers corresponding to each other are arranged in a straight line; The first and second carriers are disposed parallel to each other and parallel to each other, and each of the carriers has a plurality of grooves arranged on the circumferential surface of each carrier for passing a wafer stored in the smaller pitch of the first and second carriers. a plurality of main grooves, and at least one set of a plurality of second main grooves through which only wafers housed in the larger pitch of the first and second pitches are at a central angle with respect to each other; A pair of columnar holders are drilled with an offset of 1, and the pair of holders are rotated about their axes and housed in the smaller pitch with the first main grooves of each holder facing each other. a first position in which the second main grooves of each holder are opposed to each other and only wafers stored in the larger pitch are allowed to pass through; The wafers are passed between the holders and locked by rotating the wafers by the angle of rotation, prohibiting the passage of all wafers stored in the first and second pitches, and stopping the wafers at a third position where the wafers are held by the holders. a holder rotating device for controlling the holder rotation device; and a wafer placed directly above the pair of holders, and a wafer housed in the smaller pitch of the first and second pitches inserted into the opposing surfaces of the holders. 1 with a third plurality of main grooves drilled
a pair of guides; a support frame that supports the pair of holders and the pair of guides while maintaining them at predetermined relative positions; a guide lifting device that raises or lowers the support frame; a pusher that is provided below and that ascends and descends through each pusher hole in the table and the carrier above it to raise or lower a wafer supported in the carrier and in the holder; and a pusher that raises and lowers the pusher. a pusher lifting device to control; a drive device to relatively move the table, the pusher, and the support frame in a direction parallel to the wafer retaining groove; An automatic wafer transfer machine characterized by comprising means for tilting a predetermined angle within a plane.