JPH0454489A - レーザ加工装置ステージ位置精度測定方法 - Google Patents
レーザ加工装置ステージ位置精度測定方法Info
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- JPH0454489A JPH0454489A JP2165296A JP16529690A JPH0454489A JP H0454489 A JPH0454489 A JP H0454489A JP 2165296 A JP2165296 A JP 2165296A JP 16529690 A JP16529690 A JP 16529690A JP H0454489 A JPH0454489 A JP H0454489A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、レーザ加工装置の被加工物を載置して被加
工物へのレーザ光の入射方向である2方向に垂直なX方
向およびY方向に移動させるステージの位置精度を測定
する方法に関する。
工物へのレーザ光の入射方向である2方向に垂直なX方
向およびY方向に移動させるステージの位置精度を測定
する方法に関する。
「従来の技術」
半導体メモリの製作にあたっては、半導体ウェハ上に形
成したメモリチップの一部の回路をレーザ光の照射によ
って切断することがあり、このように導体体ウェハにレ
ーザ加工を施すには、−例として第4図に示すように、
ステージll上に被加工物としての半導体ウェハ1を真
空吸着などにより固定して載置し、加工用レーザ12か
らのレーザ光13をミラー14で反射させたのち対物レ
ンズ15を介して半導体ウェハ1上に照射する構成のレ
ーザ加工装置を用い、制御部16により制御される駆動
機構17によって、半導体ウェハ1上のレーザ加工点が
対物レンズ15の光軸上に位置するようにステージ11
を対物レンズ】5の光軸方向であるX方向に垂直なX方
向およびX方向に移動させた上で、その半導体ウェハ1
上のレーザ加工点にレーザ光13を照射する。
成したメモリチップの一部の回路をレーザ光の照射によ
って切断することがあり、このように導体体ウェハにレ
ーザ加工を施すには、−例として第4図に示すように、
ステージll上に被加工物としての半導体ウェハ1を真
空吸着などにより固定して載置し、加工用レーザ12か
らのレーザ光13をミラー14で反射させたのち対物レ
ンズ15を介して半導体ウェハ1上に照射する構成のレ
ーザ加工装置を用い、制御部16により制御される駆動
機構17によって、半導体ウェハ1上のレーザ加工点が
対物レンズ15の光軸上に位置するようにステージ11
を対物レンズ】5の光軸方向であるX方向に垂直なX方
向およびX方向に移動させた上で、その半導体ウェハ1
上のレーザ加工点にレーザ光13を照射する。
しかし、制御部16から駆動機構17にステージ11を
半導体ウェハ1上のレーザ加工点が対物レンズ15の光
軸上に位置する位置に移動させる駆動信号を与えても、
駆動機構17の機械的精度の制約や狂いなどから、ステ
ージ11の実際に移動した位置は必ずしも設定上の位置
に一致しないで、その間にわずかながらも誤差を生じ、
したがって必ずしもレーザ光13を半導体ウェハ1上の
所期のレーザ加工点に正確に照射することができない。
半導体ウェハ1上のレーザ加工点が対物レンズ15の光
軸上に位置する位置に移動させる駆動信号を与えても、
駆動機構17の機械的精度の制約や狂いなどから、ステ
ージ11の実際に移動した位置は必ずしも設定上の位置
に一致しないで、その間にわずかながらも誤差を生じ、
したがって必ずしもレーザ光13を半導体ウェハ1上の
所期のレーザ加工点に正確に照射することができない。
そのため、従来は、あらかしめ測定資料としての半導体
ウェハにレーザ加工を施し、その加工後の測定資料とし
ての半導体ウェハを光学顕微鏡や測微鏡を用いて観察す
ることによってステージ11の実際に移動した位置が設
定上の位置に対してずれているか否かを検出し、ずれて
いるときにはそのずれをなくすように駆動機構17を機
械的に調整している。
ウェハにレーザ加工を施し、その加工後の測定資料とし
ての半導体ウェハを光学顕微鏡や測微鏡を用いて観察す
ることによってステージ11の実際に移動した位置が設
定上の位置に対してずれているか否かを検出し、ずれて
いるときにはそのずれをなくすように駆動機構17を機
械的に調整している。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上述した従来の方法においては、レーザ
加工を施した測定資料としての半導体ウェハを光学顕微
鏡や測微鏡を用いて観察することによってステージ11
の位置精度を測定し、位置精度が悪いときには駆動機構
17を機械的に調整することによって位置精度を補正す
るので、位置精度の測定が煩雑になるばかりか、測定者
によって測定結果にばらつきを生じ、正確な測定をする
ことができないとともに、位置精度の補正も著しく煩雑
になる不都合がある。
加工を施した測定資料としての半導体ウェハを光学顕微
鏡や測微鏡を用いて観察することによってステージ11
の位置精度を測定し、位置精度が悪いときには駆動機構
17を機械的に調整することによって位置精度を補正す
るので、位置精度の測定が煩雑になるばかりか、測定者
によって測定結果にばらつきを生じ、正確な測定をする
ことができないとともに、位置精度の補正も著しく煩雑
になる不都合がある。
そこで、この発明は、レーザ加工装置の被加工物を載置
して被加工物へのレーザ光の入射方向であるX方向に垂
直なX方向およびX方向に移動させるステージの位置精
度を測定する方法において、位置精度の測定を正確かつ
自動的に行うことができるとともに、位置精度を補正す
るときにも簡単かつ自動的に補正することができるよう
にしたものである。
して被加工物へのレーザ光の入射方向であるX方向に垂
直なX方向およびX方向に移動させるステージの位置精
度を測定する方法において、位置精度の測定を正確かつ
自動的に行うことができるとともに、位置精度を補正す
るときにも簡単かつ自動的に補正することができるよう
にしたものである。
「課題を解決するための手段」
この発明においては、被加工物を載置するステージ上に
、多数のP型半導体ラインと多数のN型半導体ラインが
それぞれ微小な一部ピッチで互いに交差して配列されて
構成されたフォトダイオードマトリックスを載置し、上
記ステージの駆動機構に対して上記ステージを上記被加
工物へのレーザ光の入射方向であるX方向に垂直な面内
のX方向およびX方向に所定間隔の設定上の位置に移動
させる駆動データを与えることにより上記ステージを移
動させて上記フォトダイオードマトリックス上にレーザ
光を照射し、そのレーザ光の上記フォトダイオードマト
リックスへの照射位置を上記フォトダイオードマトリッ
クスから検出して、その検出値から上記設定上の位置と
上記ステージが上記駆動データによって実際に移動した
位置との差を夏出し、その算出結果を上記駆動データに
加えるべき補正データとして補正用メモリに格納する。
、多数のP型半導体ラインと多数のN型半導体ラインが
それぞれ微小な一部ピッチで互いに交差して配列されて
構成されたフォトダイオードマトリックスを載置し、上
記ステージの駆動機構に対して上記ステージを上記被加
工物へのレーザ光の入射方向であるX方向に垂直な面内
のX方向およびX方向に所定間隔の設定上の位置に移動
させる駆動データを与えることにより上記ステージを移
動させて上記フォトダイオードマトリックス上にレーザ
光を照射し、そのレーザ光の上記フォトダイオードマト
リックスへの照射位置を上記フォトダイオードマトリッ
クスから検出して、その検出値から上記設定上の位置と
上記ステージが上記駆動データによって実際に移動した
位置との差を夏出し、その算出結果を上記駆動データに
加えるべき補正データとして補正用メモリに格納する。
「作 用J
上記の方法をとる、この発明のレーザ加工装置ステージ
位置精度測定方法においては、演算制御部において駆動
機構に対する駆動データを順次変えることによりステー
ジの設定上の位置を順次変えて、それぞれの設定上の位
置においてステージ上のフォトダイオードマトリックス
にレーザ光を照射し、そのフォトダイオードマトリック
スにより演算制御部においてレーザ光のフォトダイオー
ドマトリックスへの照射位置を検出して、その検出値か
ら演算制御部において上記の設定上の位置とステージが
駆動データによって実際に移動した位置との差を算出し
、その算出結果を演算制御部により上記の駆動データに
加えるべき補正データとして補正用メモリに格納するこ
とによって、ステージの位置精度の測定を正確かつ自動
的に行うことができる。
位置精度測定方法においては、演算制御部において駆動
機構に対する駆動データを順次変えることによりステー
ジの設定上の位置を順次変えて、それぞれの設定上の位
置においてステージ上のフォトダイオードマトリックス
にレーザ光を照射し、そのフォトダイオードマトリック
スにより演算制御部においてレーザ光のフォトダイオー
ドマトリックスへの照射位置を検出して、その検出値か
ら演算制御部において上記の設定上の位置とステージが
駆動データによって実際に移動した位置との差を算出し
、その算出結果を演算制御部により上記の駆動データに
加えるべき補正データとして補正用メモリに格納するこ
とによって、ステージの位置精度の測定を正確かつ自動
的に行うことができる。
また、実際に被加工物にレーザ加工を施すときには、上
記の補正用メモリから設定上の位置に対応する補正デー
タを読み出し、その読み出した補正データを上記の駆動
データに対して加算し、その加算結果のデータを上記の
駆動データに代えて駆動機構に与えることによって、ス
テージの位置精度の補正を簡単かつ自動的に行うことが
できる。
記の補正用メモリから設定上の位置に対応する補正デー
タを読み出し、その読み出した補正データを上記の駆動
データに対して加算し、その加算結果のデータを上記の
駆動データに代えて駆動機構に与えることによって、ス
テージの位置精度の補正を簡単かつ自動的に行うことが
できる。
「実施例J
第1図は、この発明のレーザ加工装置ステージ位置精度
測定方法を実現するシステムの一例である。
測定方法を実現するシステムの一例である。
レーザ加工装置は、−例として、ステージ11上に被加
工物(図示していない)を真空吸着などにより固定して
載置し、加工用レーザ12からのレーザ光13をミラー
14で反射させたのち対物レンス15を介して被加工物
上に照射する構成のもので、ステージ、11の位置精度
の測定のために、そのステージ11上にフォトダイオー
ドマトリックス21を真空吸着などにより固定して載置
する。
工物(図示していない)を真空吸着などにより固定して
載置し、加工用レーザ12からのレーザ光13をミラー
14で反射させたのち対物レンス15を介して被加工物
上に照射する構成のもので、ステージ、11の位置精度
の測定のために、そのステージ11上にフォトダイオー
ドマトリックス21を真空吸着などにより固定して載置
する。
フォトダイオードマトリックス21は、第2図に示すよ
うに基板21a上に多数のP型半導体ラインPI、P2
・・・と多数のN型半導体ラインNl。
うに基板21a上に多数のP型半導体ラインPI、P2
・・・と多数のN型半導体ラインNl。
N2・・・がそれぞれ例えば1μmというような微小な
一部ピッチで互いに交差して配列形成され、P型半導体
ラインPI、P2・・・の一端に電極X1゜N2・・・
が形成され、N型半導体ラインNl、N2・・・の一端
に電極Y1.Y2・・・が形成されて、第3図に示すよ
うにP型半導体ラインP1、P2・・・とN型半導体ラ
インNl、N2・・・のそれぞれの交点においてフォト
ダイオードが構成されたもので、電極XI、X2・・・
に所定の電圧が供給された状態で第2図に示すようにい
ずれかの交点のフォトダイオードにレーザ光13が照射
されると、そのレーザ光13が照射された交点のフォト
ダイオードが導通して電極Yl、Y2・・・のうちの対
応するものに所定の電圧が得られる。
一部ピッチで互いに交差して配列形成され、P型半導体
ラインPI、P2・・・の一端に電極X1゜N2・・・
が形成され、N型半導体ラインNl、N2・・・の一端
に電極Y1.Y2・・・が形成されて、第3図に示すよ
うにP型半導体ラインP1、P2・・・とN型半導体ラ
インNl、N2・・・のそれぞれの交点においてフォト
ダイオードが構成されたもので、電極XI、X2・・・
に所定の電圧が供給された状態で第2図に示すようにい
ずれかの交点のフォトダイオードにレーザ光13が照射
されると、そのレーザ光13が照射された交点のフォト
ダイオードが導通して電極Yl、Y2・・・のうちの対
応するものに所定の電圧が得られる。
したがって、電極Xi、X2・・・に順次、所定の電圧
を供給し、電極X1.N2・・・のうちのいずれに所定
の電圧が供給されたときに電極Y1.Y2・・・のうち
のいずれに所定の電圧が得られるかを検出することによ
って、レーザ光13が照射された交点位置を検知するこ
とができる。
を供給し、電極X1.N2・・・のうちのいずれに所定
の電圧が供給されたときに電極Y1.Y2・・・のうち
のいずれに所定の電圧が得られるかを検出することによ
って、レーザ光13が照射された交点位置を検知するこ
とができる。
そして、演算制御部22においてステージ11を対物レ
ンズ15の光軸方向である2方向に垂直な面内の、ある
設定上の位IFに移動させる駆動データを作成し、その
駆動データを演算制御部22により非補正側に切り換え
られるスイッチ23を通じてDA変換器24に供給して
駆動電圧に変換し、その駆動電圧を駆動機構17に供給
してステージ11を移動させ、ステージ1】の移動後に
おイテ、演’1IffllflBtlB22 ニヨリレ
ーサu動回N25を制御して加工用レーザ12からのレ
ーザ光13を上述したようにフォトダイオードマトリッ
クス21上に照射し、演算制御部22によりマトリック
ス駆動回1s26を制御してフォトダイオードマトリッ
クス21の電極XI、X2・・・に順次、所定の電圧を
供給するとともに、そのときフォトダイオードマトリッ
クス21の電極Yl、Y2・・・に得られる電圧を演算
制御部22に取り込んで、演算制御部22において上述
したようにレーザ光13のフォトダイオードマトリック
ス21への照射位置を検出する。
ンズ15の光軸方向である2方向に垂直な面内の、ある
設定上の位IFに移動させる駆動データを作成し、その
駆動データを演算制御部22により非補正側に切り換え
られるスイッチ23を通じてDA変換器24に供給して
駆動電圧に変換し、その駆動電圧を駆動機構17に供給
してステージ11を移動させ、ステージ1】の移動後に
おイテ、演’1IffllflBtlB22 ニヨリレ
ーサu動回N25を制御して加工用レーザ12からのレ
ーザ光13を上述したようにフォトダイオードマトリッ
クス21上に照射し、演算制御部22によりマトリック
ス駆動回1s26を制御してフォトダイオードマトリッ
クス21の電極XI、X2・・・に順次、所定の電圧を
供給するとともに、そのときフォトダイオードマトリッ
クス21の電極Yl、Y2・・・に得られる電圧を演算
制御部22に取り込んで、演算制御部22において上述
したようにレーザ光13のフォトダイオードマトリック
ス21への照射位置を検出する。
さらに、演算制御部22においては、そのレーザ光13
のフォトダイオードマトリックス21への照射位置の検
出値から、そのときの上記の設定上の位置とステージ1
1が駆動データによって実際に移動した位置との差を夏
出し、その算出結果を上記の駆動データに加えるべき補
正データとして補正用メモリ27に格納する。
のフォトダイオードマトリックス21への照射位置の検
出値から、そのときの上記の設定上の位置とステージ1
1が駆動データによって実際に移動した位置との差を夏
出し、その算出結果を上記の駆動データに加えるべき補
正データとして補正用メモリ27に格納する。
ステージ11の移動、移動後のフォトダイオードマトリ
ックス21へのレーザ光13の照射とその照射位置の検
出、その検出値からの上記の設定上の位置とステージ1
1が駆動データによって実際に移動した位置との差の算
出、およびその算出結果の補正データの補正用メモリ2
7への書き込み、という一連の作業は、ステージ11の
設定上の位置をX方向およびY方向に例えば80μmと
いうような所定間隔ごとに順次変えて、それぞれの設定
上の位!において実行する。したがって、ステージ11
の位置精度の測定を正確かつ自動的に行うことができる
。
ックス21へのレーザ光13の照射とその照射位置の検
出、その検出値からの上記の設定上の位置とステージ1
1が駆動データによって実際に移動した位置との差の算
出、およびその算出結果の補正データの補正用メモリ2
7への書き込み、という一連の作業は、ステージ11の
設定上の位置をX方向およびY方向に例えば80μmと
いうような所定間隔ごとに順次変えて、それぞれの設定
上の位!において実行する。したがって、ステージ11
の位置精度の測定を正確かつ自動的に行うことができる
。
実際に被加工物にレーザ加工を施すときには、演算制御
部22においてステージ11をある設定上の位置に移動
させる駆動データを作成するとともに、演算117御部
22により補正用メモリ27からその設定上の位置に対
応する補正データを読み出し、その駆動データと補正デ
ータを加算回路28において加算し、加算回路28の出
力データを演算制御部22により補正側に切り換えられ
るスイッチ23を通じてDA変換器24に供給して駆動
電圧に変換し、その駆動電圧を駆動機構17に供給して
ステージ1】を移動させる。したがって、ステージ11
の位置精度の補正を簡単かつ自動的に行うことができる
。
部22においてステージ11をある設定上の位置に移動
させる駆動データを作成するとともに、演算117御部
22により補正用メモリ27からその設定上の位置に対
応する補正データを読み出し、その駆動データと補正デ
ータを加算回路28において加算し、加算回路28の出
力データを演算制御部22により補正側に切り換えられ
るスイッチ23を通じてDA変換器24に供給して駆動
電圧に変換し、その駆動電圧を駆動機構17に供給して
ステージ1】を移動させる。したがって、ステージ11
の位置精度の補正を簡単かつ自動的に行うことができる
。
「発明の効果J
上述したように、この発明によれば、レーザ加工装置の
被加工物を載置するステージの位置精度の測定を正確か
つ自動的に行うことができるとともに、位置精度を補正
するときにも簡単かつ自動的に補正することができる。
被加工物を載置するステージの位置精度の測定を正確か
つ自動的に行うことができるとともに、位置精度を補正
するときにも簡単かつ自動的に補正することができる。
第1図は、この発明のレーザ加工装置ステージ位置精度
測定方法を実現するシステムの一例を示す図、第2図お
よび第3図は、そのフォトダイオードマトリックスの一
部を示す平面図および接続図、第4図は、レーザ加工装
置の一例を示す図である。
測定方法を実現するシステムの一例を示す図、第2図お
よび第3図は、そのフォトダイオードマトリックスの一
部を示す平面図および接続図、第4図は、レーザ加工装
置の一例を示す図である。
Claims (1)
- (1)被加工物を載置するステージ上に、多数のP型半
導体ラインと多数のN型半導体ラインがそれぞれ微小な
一定ピッチで互いに交差して配列されて構成されたフォ
トダイオードマトリックスを載置し、 上記ステージの駆動機構に対して上記ステージを上記被
加工物へのレーザ光の入射方向であるZ方向に垂直な面
内のX方向およびY方向に所定間隔の設定上の位置に移
動させる駆動データを与えることにより上記ステージを
移動させて上記フォトダイオードマトリックス上にレー
ザ光を照射し、 そのレーザ光の上記フォトダイオードマトリックスへの
照射位置を上記フォトダイオードマトリックスから検出
して、その検出値から上記設定上の位置と上記ステージ
が上記駆動データによって実際に移動した位置との差を
算出し、その算出結果を上記駆動データに加えるべき補
正データとして補正用メモリに格納する、レーザ加工装
置ステージ位置精度測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2165296A JPH0454489A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | レーザ加工装置ステージ位置精度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2165296A JPH0454489A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | レーザ加工装置ステージ位置精度測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0454489A true JPH0454489A (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=15809636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2165296A Pending JPH0454489A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | レーザ加工装置ステージ位置精度測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0454489A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999027540A1 (fr) * | 1997-11-25 | 1999-06-03 | Ebara Corporation | Dispositif de positionnement d'une plaquette |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2165296A patent/JPH0454489A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999027540A1 (fr) * | 1997-11-25 | 1999-06-03 | Ebara Corporation | Dispositif de positionnement d'une plaquette |
US6437864B1 (en) | 1997-11-25 | 2002-08-20 | Ebara Corporation | Stage positioning device |
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