JPH0450925A

JPH0450925A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH0450925A
Application number: JP2326438A
Authority: JP
Inventors: Yojiro Matsueda; 洋二郎松枝
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1990-11-28
Filing date: 1990-11-28
Publication date: 1992-02-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は液晶表示装置に係わり、特にアクティブマトリ
クス型の装置に関する。

（従来の技術）従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置として、
「日経エレクトロニクス１９８６年１２月１５日号、ｐ
、１９３−２１０コに掲載されたものがあり、その概略
構成を第４図に示す。列方向に信号線Ｘｉ、Ｘ２．Ｘ３
．・・・が配線され、行方向に走査線Ｙ１．．Ｙ２．Ｙ
３．・・・が配線されている。

また画素電極１１がマトリクス状に配置され、各信号線
Ｘと走査線Ｙとの交点には薄膜トランジスタ（以−ド、
ＴＰＴと称す）か配置されている。

例えば、信号線Ｘ１と走査線Ｙ１との交点には薄膜トラ
ンジスタ１１ａ１信号線Ｘ２と走査線Ｙ２との交点には
ＴＰＴＩ　１　ｂがそれぞれ配置され、一つの画素電極
１１に対して二つのＴＦＴＩ　１　ａ及び１１ｂが設け
られている。このように、いずれか一方が正常に動作し
ない場合にも他方を用いて救済し得るように、冗長性を
持たせている。

そして、ＴＦＴＩ　１　ａはゲートＧ１１ａが走査線Ｙ
１に、ソースＳ］、１ａか信号線Ｘ１に接続され、ドレ
インＤ　ｌｌａか画素電極１１に接続されている。

またＴＰＴｌｌｂは、ゲートＧ　ｆｌｂが走査線Ｙ２に
、ソースＳ　ｌｌｂか信号線Ｘ２に接続され、ドレイン
Ｄｌｌｂは同し画素電極１１に接続されている。

これにより、走査線Ｙ１又はＹ２に送られてきた選択パ
ルスにより選択されたＴＰＴｌ　１ａ又は１１ｂに、信
号線Ｘ１又はＸ２より映像信号か入力され、その出力か
画素電極１１に印加される。

（発明か解決しようとする課題）しかし、各々の画素電極毎に二つのＴＰＴを配置したた
め、各Ｔ　Ｐ　Ｔのトレインと画素電極、さらにはソー
スと信号線Ｘとの接続部の増加を招いていた。第５図に
示されたように、例えば画素電極１１はＴＦＴｌｌａの
ドレインＤｌｌａとコンタクトホール２０２において接
続されており、ＴＦＴｌ、１ｂのドレインＤｌｌｂとコ
ンタクトホール２０１において接続されている。このよ
うにコンタクトホールの数が増えると、光か液晶を透過
し得る開孔部２００の面積か減少し、画面が暗くなり画
質が低下するという問題があった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、開孔率
を上げて高画質化を達成し得る液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明は、第１の絶縁基板上に画素電極かマトリクス上
に配置され、第１の走査線より走査され第１の信号線よ
り信号を入力される第１のＴＰＴと、第２の走査線より
走査され第２の信号線より信号を入力される第２のＴＰ
Ｔとが各々の画素電極に接続されており、第２の絶縁基
板上に対向して設けられた第２の絶縁基板表面には対向
電極が配置され、第１の絶縁基板と第２の絶縁基板との
間には液晶が挟持された液晶表示装置であって、伺−の
画素電極に対する第１のＴＰＴの接続部と第２のＴＰＴ
の接続部とが共有されており、同一の信号線に対する第
１のＴＰＴの接続部と第２のＴＰＴの接続部とか共有さ
れていることを特徴としている。

（作　用）各画素電極毎に冗長性を持たせるべく第１及び第２のＴ
ＰＴか接続されているが、同一の画素電極に対する第１
のＴＰＴと第２のＴＰＴの接続部が共有化され、さらに
同一の信号線に対する第１のＴＰＴと第２のＴＰＴの接
続部か共有化されているため、接続部の数か減少し開孔
率か向上し高画質化かもたらされる。また、各ＴＰＴの
半導体薄膜同志か接続され短絡されているため、製造時
に不純物イオンを半導体薄膜に注入する過程で絶縁破壊
を起こさすに済み、製造歩留まりが向上する。

（実施例）以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図に本実施例による液晶表示装置の構成を示す
。本実施例では、ＴＰＴと画素電極との接続部、さらに
はＴＰＴと信号線との接続部の共有化を図ることて接続
部の数を減少させ、開孔率を向上させた点に特徴がある
。

第１図に本実施例による液晶表示装置の回路構成を示す
。画素電極コ１とＴＦＴＩ　１　ａのドレインＤ　ｌｌ
ａとの接続部と、画素電極１１とＴＰＴＩ　１　ｂのド
レインＤｌｌｂとの接続部が、接続部１２１において共
有されている。同様に、信号線Ｘ２とＴＦＴｌｌｂのソ
ース５ｌｌｂとの接続部と、信号線Ｘ２とＴＦＴ２２ａ
のソースＳ　２２ａとの接続部か、接続部１２２におい
て共有されている。

この場合の具体的な平面構造を、第２図に示す。

ＴＦＴｌ　１　ａのドレインＤｌ］ａとＴ　Ｐ　Ｔ　ｌ
ｌｂのドレインＤＩｌｂとは、導電性を有する半導体薄
膜１０３で接続され、共有化したコンタクトホール１０
１において画素電極１１に接続されている。

信号線Ｘ２に対するＴＰＴｌｌｂのドレインＤ　ｌｌｂ
とＴＦＴ２２ａのドレインＤ２２ａとの接続も同様に、
共有化したコンタクトホール１０２においてなされてい
る。このように、接続部の共有化を図ることでその数を
減らし、開孔部１００の面積を増大させて明るい画面を
実現し、高画質化を達成している。具体的には、第５図
に示された従来の開孔部２００の面積と比較すると、約
２０％上昇している。

また、各ＴＰＴの半導体薄膜同志が短絡されるため、製
造時に不純物イオンを注入する際にチャシアツブによる
絶縁破壊を起こさずに済み、静電気耐圧が向上して歩留
まり率を改善することができる。

第３図に示された他の実施例は、保持容量１１］を有し
た場合に相当する。この場合も同様に、ＴＰＴｌ　１　
ａのドレインＤ　ｌｌａとＴＰＴｌｌｂのトレインＤｌ
ｌｂとか、共有化されたコンタクトホール１０ユにおい
て画素電極１１に接続されている。但しここでは、保持
容量１１１の共通電極１］２と画素電極１１との接続も
、このコンタクトホール１０１を共有して行っている。

上述した実施例はいずれも一例であり、本発明を限定す
るものではない。例えば、ＴＰＴとしては、多結晶シリ
コン、非晶質シリコンあるいはカドミウム・セレン（Ｃ
ｄＳｅ）等のいずれの材料から成るＴＰＴを用いた装置
においても、適用することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、ＴＰＴと画素電極
、さらにＴＰＴと信号線との接続部が共有され開孔率か
向上しているため、明るく高画質な画面を実現すること
かできると同時に、各ＴＰＴの半導体薄膜同志か接続さ
れ短絡されているため、不純物イオンを半導体薄膜に注
入する過程で絶縁破壊を起こさすに済み、製造歩留まり
を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による液晶表示装置の構成を
示した回路図、第２図は同装置の構造を示した平面図、
第３図は本発明の他の実施例による液晶表示装置の構成
を示した回路図、第４図は従来の液晶表示装置の構成を
示した回路図、第５図は同装置の構造を示した平面図で
ある。１１−・・画素電極、ｌｌａ、ｌｌｂ、２２ａ−・・Ｔ
ＦＴ、　Ｄｌｌａ　、　　Ｄｌｌｂ　、　　Ｄ２２ａ　
・・・ドレイン、５ｌｌａ　、　　５ｌｌｂ　、　　５
２２ａ−＝ソース、１０１゜１０２・・・コンタクトホ
ール、１０３・・・半導体薄膜、１００．１１０・・・
開孔部、１１１・・・保持容量、１１２・・・共通電極
、Ｘｌ、、Ｘ２　、Ｘ３・・・信号線、Ｙｌ、Ｙ２．Ｙ
３・・・走査線。気１　図

Claims

【特許請求の範囲】　第１の絶縁基板上に画素電極がマトリクス上に配置さ
れ、第１の走査線より走査され第１の信号線より信号を
入力される第１の薄膜トランジスタと、第２の走査線よ
り走査され第２の信号線より信号を入力される第２の薄
膜トランジスタとが前記各々の画素電極に接続されてお
り、前記第２の絶縁基板上に対向して設けられた第２の
絶縁基板表面には対向電極が配置され、前記第１の絶縁
基板と前記第２の絶縁基板との間には液晶が挟持された
液晶表示装置において、同一の画素電極に対する前記第１の薄膜トランジスタの
接続部と前記第２の薄膜トランジスタの接続部とが共有
されており、同一の信号線に対する前記第１の薄膜トランジスタの接
続部と前記第２の薄膜トランジスタの接続部とが共有さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。