JPH01291216A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH01291216A JPH01291216A JP63120514A JP12051488A JPH01291216A JP H01291216 A JPH01291216 A JP H01291216A JP 63120514 A JP63120514 A JP 63120514A JP 12051488 A JP12051488 A JP 12051488A JP H01291216 A JPH01291216 A JP H01291216A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 30
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 2
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
データ電極に与えられたデータを、スイッチング素子を
介して液晶セルに書き込むアクティブマトリクス型液晶
表示装置に関し、 前記スイッチング素子の劣化を防止してアクティブマ)
IJクス型液晶表示装置の表示品質を安定させること
を目的とし、 アクティブマトリクス型液晶表示装置のスイッチング素
子を、直列接続された2個の薄膜トランジスタで構成す
ると共に、この2個の薄膜トランジスタのゲートを2木
の独立した走査電極に接続し、少なくとも一方の走査電
極の電圧のデユーティ比を約50%にして液晶セルにデ
ータを書き込むように構成する。
介して液晶セルに書き込むアクティブマトリクス型液晶
表示装置に関し、 前記スイッチング素子の劣化を防止してアクティブマ)
IJクス型液晶表示装置の表示品質を安定させること
を目的とし、 アクティブマトリクス型液晶表示装置のスイッチング素
子を、直列接続された2個の薄膜トランジスタで構成す
ると共に、この2個の薄膜トランジスタのゲートを2木
の独立した走査電極に接続し、少なくとも一方の走査電
極の電圧のデユーティ比を約50%にして液晶セルにデ
ータを書き込むように構成する。
本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置の改良に
関する。
関する。
近年、アクティブマトリクス駆動方式のフラットデイス
プレィの研究、開発が盛んに行われている。このアクテ
ィブマトリクス駆動方式のフラットデイスプレィはブラ
ウン管に比べて奥行を少なくすることができるので、ポ
ケット型テレビやうツブトップ型コンピュータ等の表示
器として商品化もなされている。
プレィの研究、開発が盛んに行われている。このアクテ
ィブマトリクス駆動方式のフラットデイスプレィはブラ
ウン管に比べて奥行を少なくすることができるので、ポ
ケット型テレビやうツブトップ型コンピュータ等の表示
器として商品化もなされている。
ところが、アクティブマトリクス駆動方式では、スイッ
チング素子として用いられる薄膜トランジスタ、特にア
モルファス−シリコン型薄膜トランジスタ(a−3i
TFT)の特性の劣化により液晶表示装置の表示品質が
低下することがあり、この改善が望まれている。
チング素子として用いられる薄膜トランジスタ、特にア
モルファス−シリコン型薄膜トランジスタ(a−3i
TFT)の特性の劣化により液晶表示装置の表示品質が
低下することがあり、この改善が望まれている。
第5図は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
1素子の構成を示すものである。一般に、従来のアクテ
ィブマトリクス型表示装置は、液晶セルが配置された表
示層を2つのガラス基板で挟んで構成されており、一方
のガラス基板上に薄膜トランジスタ等のスイッチング素
子と、走査電極と、液晶セルの一方の電極(以下対向電
極と記す)が形成され、他方のガラス基板上にデータ電
極が ・液晶セルの共通電極として形成されているが、
ここでは表示層にある1つの液晶セルの薄膜トランジス
タとの接続および各電極との接続についてのみ説明する
。
1素子の構成を示すものである。一般に、従来のアクテ
ィブマトリクス型表示装置は、液晶セルが配置された表
示層を2つのガラス基板で挟んで構成されており、一方
のガラス基板上に薄膜トランジスタ等のスイッチング素
子と、走査電極と、液晶セルの一方の電極(以下対向電
極と記す)が形成され、他方のガラス基板上にデータ電
極が ・液晶セルの共通電極として形成されているが、
ここでは表示層にある1つの液晶セルの薄膜トランジス
タとの接続および各電極との接続についてのみ説明する
。
アクティブマトリクス型液晶表示装置には第5図に示す
ようにデータ電極4、走査電極5及び対向電極7の3本
の電極があり、データ電極4と対向電極7との間に1つ
の液晶セル(LC)3と、この液晶セル3を制御する薄
膜トランジスタ(以□後TPTという)8が設けられて
いる。TFT8の制御端子(ゲート)は走査電極5に接
続されており、2つの被制御端子の一方(ドレイン)は
データ電極4に、他方(ソース)は液晶セル3の一方の
端子に接続されている。また、液晶セル3の他方の端子
は対向電極7に接続されている。
ようにデータ電極4、走査電極5及び対向電極7の3本
の電極があり、データ電極4と対向電極7との間に1つ
の液晶セル(LC)3と、この液晶セル3を制御する薄
膜トランジスタ(以□後TPTという)8が設けられて
いる。TFT8の制御端子(ゲート)は走査電極5に接
続されており、2つの被制御端子の一方(ドレイン)は
データ電極4に、他方(ソース)は液晶セル3の一方の
端子に接続されている。また、液晶セル3の他方の端子
は対向電極7に接続されている。
以上のように構成されたアクティブマトリクス型液晶表
示装置の動作を第6図を用いて説明する。
示装置の動作を第6図を用いて説明する。
液晶セル3は見掛は上交流バイアスを印加しないと劣化
するために、対向電極7は波形イで示すように中間電位
に保持され、データ電極4の電圧は波形口で示すように
この対向電極7の電位を中心にした交番電圧となってい
る。データ電極4の交番電圧の周期はテレビ映像におけ
るラスクスキャンの1垂直走査時間(16,7m5)の
2倍である。
するために、対向電極7は波形イで示すように中間電位
に保持され、データ電極4の電圧は波形口で示すように
この対向電極7の電位を中心にした交番電圧となってい
る。データ電極4の交番電圧の周期はテレビ映像におけ
るラスクスキャンの1垂直走査時間(16,7m5)の
2倍である。
走査電極5は波形ハで示すように通常07未満に保持さ
れており、TFT8をオンにする時だけ高い電圧となる
。一般にTFT8をオンする時間は60μsとなってい
る。そして、TFT8のオン毎にそのときのデータ電極
4のデータが、波形二で示すように液晶セル3に書き込
まれることになる。
れており、TFT8をオンにする時だけ高い電圧となる
。一般にTFT8をオンする時間は60μsとなってい
る。そして、TFT8のオン毎にそのときのデータ電極
4のデータが、波形二で示すように液晶セル3に書き込
まれることになる。
ところが、前述のアクティブマトリクス型液晶表示装置
では、TFT8はオン状態よりもオフ状態の方が感かに
長いために、TFT8のドレイン電流−ゲート電圧特性
は、第7図に示すように初期状態から次第に負側にシフ
トしていく。する止、TFT8をオフ状態にするために
ゲートに走査電極5を負の電位(−αV)を印加しても
微小のドレイン電流βが液晶セル3に流れることになり
、先に液晶セル3に書き込まれたデータ電位が保持でき
なくなる。即ち、従来のアクティブマトリクス形液晶表
示装置には液晶セル3のコントラストが次第に低下する
という課題がある。
では、TFT8はオン状態よりもオフ状態の方が感かに
長いために、TFT8のドレイン電流−ゲート電圧特性
は、第7図に示すように初期状態から次第に負側にシフ
トしていく。する止、TFT8をオフ状態にするために
ゲートに走査電極5を負の電位(−αV)を印加しても
微小のドレイン電流βが液晶セル3に流れることになり
、先に液晶セル3に書き込まれたデータ電位が保持でき
なくなる。即ち、従来のアクティブマトリクス形液晶表
示装置には液晶セル3のコントラストが次第に低下する
という課題がある。
なお、前述の現象は、a−3i T F Tのゲートに
十電圧を印加すると、TPTはオン状態になってドレイ
ン電流が流れるが、蓄積状態の電子がゲート絶縁膜/活
性層界面にトラップされてしきい値がプラス側にシフト
され、逆に、ゲートに一電圧を印加すると、TPTはオ
フ状態になり、ドレイン電流は、10− ’ 2A以下
になって、トラップされた電子が放出され、しきい値が
マイナス側にシフトされるという特性によるものである
。
十電圧を印加すると、TPTはオン状態になってドレイ
ン電流が流れるが、蓄積状態の電子がゲート絶縁膜/活
性層界面にトラップされてしきい値がプラス側にシフト
され、逆に、ゲートに一電圧を印加すると、TPTはオ
フ状態になり、ドレイン電流は、10− ’ 2A以下
になって、トラップされた電子が放出され、しきい値が
マイナス側にシフトされるという特性によるものである
。
本発明の目的は、アクティブマトリクス型液晶表示装置
に用いられるTPTの経時変化によるしきい値のマイナ
ス方向へのシフトをなくし、アクティブマトリクス型液
晶表示装置の液晶セルのコントラストを常に安定させる
ことができるようにすることにある。
に用いられるTPTの経時変化によるしきい値のマイナ
ス方向へのシフトをなくし、アクティブマトリクス型液
晶表示装置の液晶セルのコントラストを常に安定させる
ことができるようにすることにある。
前記目的を達成する本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の構成が第1図に示される。
晶表示装置の構成が第1図に示される。
図において、1.2はTPTであり、これらは直列に接
続されている。3は液晶セルであり、その一端は対向電
極7に接続され、他端は前述のTPT2に接続されてい
る。また、TFTIはデータ電極4に接続されており、
TFTI、2のゲートはそれぞれ2本の独立した走査電
極5.6に接続されている。そして、前記走査電極5,
6の内、少なくとも一方にはデユーティ比が約50%に
設定された電圧が与えられている。
続されている。3は液晶セルであり、その一端は対向電
極7に接続され、他端は前述のTPT2に接続されてい
る。また、TFTIはデータ電極4に接続されており、
TFTI、2のゲートはそれぞれ2本の独立した走査電
極5.6に接続されている。そして、前記走査電極5,
6の内、少なくとも一方にはデユーティ比が約50%に
設定された電圧が与えられている。
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば
、液晶セルとデータ電極との間に直列接続された2個の
TPTがあり、そのうちの少なくとも一方のTPTは、
デユーティ比が約50%のゲート電圧を走査電極から与
えられるので、そのドレイン電流−ゲート電圧特性が劣
化せず、TPTをオフ状態にするためにゲートに走査電
極から負の電位が印加された時のドレイン電流が増加し
ない。よって、先に液晶セルに書き込まれたデータ電位
が保持され、液晶セルのコントラストが低下しない。
、液晶セルとデータ電極との間に直列接続された2個の
TPTがあり、そのうちの少なくとも一方のTPTは、
デユーティ比が約50%のゲート電圧を走査電極から与
えられるので、そのドレイン電流−ゲート電圧特性が劣
化せず、TPTをオフ状態にするためにゲートに走査電
極から負の電位が印加された時のドレイン電流が増加し
ない。よって、先に液晶セルに書き込まれたデータ電位
が保持され、液晶セルのコントラストが低下しない。
以下添付図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第2図は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の一実施例の構成を示すものであるが、この実施例にお
いても表示層にある1つの液晶セルのTPTとの接続お
よび各電極との接続についてのみ説明する。
の一実施例の構成を示すものであるが、この実施例にお
いても表示層にある1つの液晶セルのTPTとの接続お
よび各電極との接続についてのみ説明する。
第2図において、1および2は直列接続されたrFT(
fi膜トランジスタ)であり、そのソース2のソースS
2は一端が対向電極7に接続された液晶セル3の他端に
接続されている。また、TFTlのゲートG1と、TP
T2のゲー1−G2とは、それぞれ独立した走査電極5
及び走査電極6に接続されており、2つのTFTI、2
はそれぞれ独立してオン、オフ制御されるようになって
いる。
fi膜トランジスタ)であり、そのソース2のソースS
2は一端が対向電極7に接続された液晶セル3の他端に
接続されている。また、TFTlのゲートG1と、TP
T2のゲー1−G2とは、それぞれ独立した走査電極5
及び走査電極6に接続されており、2つのTFTI、2
はそれぞれ独立してオン、オフ制御されるようになって
いる。
以上のように構成されたアクティブマトリクス型液晶表
示装置の駆動例を第3図を用いて説明する。
示装置の駆動例を第3図を用いて説明する。
液晶セル3は見掛は上交流バイアスを印加しないと劣化
するために、対向電極7はこの実施例でも波形(dlで
示゛すように中間電位に保持され、データ電極4の電圧
は波形(C)で示すようにこの対向型テレビ映像におけ
るラスクスキャンの1垂直走査時間(16,7m5)の
2倍である。
するために、対向電極7はこの実施例でも波形(dlで
示゛すように中間電位に保持され、データ電極4の電圧
は波形(C)で示すようにこの対向型テレビ映像におけ
るラスクスキャンの1垂直走査時間(16,7m5)の
2倍である。
走査電極5には波形(alで示すように0■を中心にし
た交番電圧が与えられており、そのデユーティ比は50
パーセントよりも少し大きくなっている。
た交番電圧が与えられており、そのデユーティ比は50
パーセントよりも少し大きくなっている。
走査電極6には、走査電極5の電圧波形(a)と全く同
じ周期の波形(b)で示す交番電圧が与えられており、
これら2つの波形(al、 (blはラスクスキャンの
1垂直走査時間(16,7m5)だけ周期がずれている
。
じ周期の波形(b)で示す交番電圧が与えられており、
これら2つの波形(al、 (blはラスクスキャンの
1垂直走査時間(16,7m5)だけ周期がずれている
。
よって、走査電極5の電圧波形(alのハイレベル“1
(”の期間について注目してみると、波形(alはその
立ち上がりから所定時間Tの間と、立ち下がる直前の同
じ時間γだけ、走査電極6のハイレベル“11”の電圧
と重なり合い、この期間γだけ第2図のTFTl及びT
PT2が共にオンになる。
(”の期間について注目してみると、波形(alはその
立ち上がりから所定時間Tの間と、立ち下がる直前の同
じ時間γだけ、走査電極6のハイレベル“11”の電圧
と重なり合い、この期間γだけ第2図のTFTl及びT
PT2が共にオンになる。
即ち、走査電極5と走査電極6の波形のAND波形が第
3図に波形(e)で示すようになる。この実施例では前
述の時間γ、つまり波形telにおけるハイレベル”I
+”の時間を60μsに設定してあり、この波形(e)
が従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置における
走査電極5の波形(第6図に波形ハで示したもの)にな
るようになっている。従って、この実施例では1垂直走
査時間(16,7m5)毎にTFTl及びTPT2が共
にオンになって、その期間にデータ電極4のデータが液
晶セル3に波形(flで示すように書き込まれることに
なり、液晶セル3の駆動波形は第6図に示した従来装置
と変わらない。
3図に波形(e)で示すようになる。この実施例では前
述の時間γ、つまり波形telにおけるハイレベル”I
+”の時間を60μsに設定してあり、この波形(e)
が従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置における
走査電極5の波形(第6図に波形ハで示したもの)にな
るようになっている。従って、この実施例では1垂直走
査時間(16,7m5)毎にTFTl及びTPT2が共
にオンになって、その期間にデータ電極4のデータが液
晶セル3に波形(flで示すように書き込まれることに
なり、液晶セル3の駆動波形は第6図に示した従来装置
と変わらない。
ところで、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
では、TPTはオン状態よりもオフ状態の方が遥かに長
いために、TPTのドレイン電流−ゲート電圧特性が初
期状態から次第に負側にシフトされ、この状態でTPT
のゲートに走査電極5を負の電位を印加しても微小のド
レイン電流が液晶セル3に流れ、液晶セル3のコントラ
ストが次第に低下するという課題があった。ところが、
この実施例の装置におけるTFTl及びTFT2は、波
形(al、 (b)で示すように、デユーティ比が約5
0パーセントの駆動電圧でオン/オフされるので、TF
Tのドレイン電流−ゲート電圧特性のプラス方向へのシ
フトおよびマイナス方向へのシフトがキャンセルされ、
TPTのドレイン電流−ゲート電圧特性は第7図に示し
た初期の特性から変化しない。
では、TPTはオン状態よりもオフ状態の方が遥かに長
いために、TPTのドレイン電流−ゲート電圧特性が初
期状態から次第に負側にシフトされ、この状態でTPT
のゲートに走査電極5を負の電位を印加しても微小のド
レイン電流が液晶セル3に流れ、液晶セル3のコントラ
ストが次第に低下するという課題があった。ところが、
この実施例の装置におけるTFTl及びTFT2は、波
形(al、 (b)で示すように、デユーティ比が約5
0パーセントの駆動電圧でオン/オフされるので、TF
Tのドレイン電流−ゲート電圧特性のプラス方向へのシ
フトおよびマイナス方向へのシフトがキャンセルされ、
TPTのドレイン電流−ゲート電圧特性は第7図に示し
た初期の特性から変化しない。
よって、TFTlまたはTFT2がオフ状態になった時
に液晶セル3に微小のドレイン電流は流れないので、液
晶セル3のコントラストが低下することがない。
に液晶セル3に微小のドレイン電流は流れないので、液
晶セル3のコントラストが低下することがない。
第4図は第2図のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の別の駆動例を示すものである。この例では、走査電極
5に印加する交番電圧は波形(alで示すように第3図
の実施例と同じにし、走査電極6に印加する交番電圧を
波形中)゛ に示すように、周期が16.7n+s毎に
60μSだけハイレベル”H”となるパルス状にし、こ
のパルスを走査電極5の交番電圧に同期させて出力させ
るようにしている。従って、この例においても、走査電
極5の波形(a)と走査電極6の波形(b)゛ とのA
ND波形は第3図の波形+e)と同じになるので、液晶
セル3の駆動波形は第3図の(flと同じになる。
の別の駆動例を示すものである。この例では、走査電極
5に印加する交番電圧は波形(alで示すように第3図
の実施例と同じにし、走査電極6に印加する交番電圧を
波形中)゛ に示すように、周期が16.7n+s毎に
60μSだけハイレベル”H”となるパルス状にし、こ
のパルスを走査電極5の交番電圧に同期させて出力させ
るようにしている。従って、この例においても、走査電
極5の波形(a)と走査電極6の波形(b)゛ とのA
ND波形は第3図の波形+e)と同じになるので、液晶
セル3の駆動波形は第3図の(flと同じになる。
この実施例の駆動例では、走査電極6に接続するTFT
Iについては、オン状態よりもオフ状態の方が迩かに長
いために、そのドレイン電流−ゲート電圧特性は初期状
態から次第に負側にシフトし、TFTlは走査電極5に
負の電位を印加しても微小のドレイン電流が流れ得る状
態になるが、TFT2の方はデユーティ比が50%の電
圧で駆動されているために、そのドレイン電流−ゲート
電圧特性は初期状態から劣化せず、微小のドレイン電流
はTFT2で遮断されるので、液晶セル3のコントラス
トの劣化が防止される。
Iについては、オン状態よりもオフ状態の方が迩かに長
いために、そのドレイン電流−ゲート電圧特性は初期状
態から次第に負側にシフトし、TFTlは走査電極5に
負の電位を印加しても微小のドレイン電流が流れ得る状
態になるが、TFT2の方はデユーティ比が50%の電
圧で駆動されているために、そのドレイン電流−ゲート
電圧特性は初期状態から劣化せず、微小のドレイン電流
はTFT2で遮断されるので、液晶セル3のコントラス
トの劣化が防止される。
なお、第4図における走査電極5と走査電極6の電圧は
入れ換えても全く同じである。
入れ換えても全く同じである。
以上説明したように、本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置によれば、直列に接続された2つのTPT
の内、少なくとも一方をデユーティ比が約50パーセン
トの電圧でオン/オフするので、TPTのドレイン電流
−ゲート電圧特性が初期状態から劣化せず、液晶セル3
のコントラストを常に安定させることができるという効
果がある。
液晶表示装置によれば、直列に接続された2つのTPT
の内、少なくとも一方をデユーティ比が約50パーセン
トの電圧でオン/オフするので、TPTのドレイン電流
−ゲート電圧特性が初期状態から劣化せず、液晶セル3
のコントラストを常に安定させることができるという効
果がある。
第1図は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の原理ブロック図、第2図は本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の一実施例の構成を示す回路図、第
3図は第2図の回路の駆動例を示す波形図、第4図は第
2図の回路の別の駆動例を示す波形図、第5図は従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す回路
図、第6図は第5図の回路の駆動波形図、第7図は薄膜
トランジスタのドレイン電流−ゲート電圧特性の初期状
態からのシフトを説明する線図である。 1.2.8・・・薄膜トランジスタ(TPT)、3・・
・液晶セル、 4・・・データ電極、5.6・・・走
査電極、7・・・対向電極。
の原理ブロック図、第2図は本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の一実施例の構成を示す回路図、第
3図は第2図の回路の駆動例を示す波形図、第4図は第
2図の回路の別の駆動例を示す波形図、第5図は従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す回路
図、第6図は第5図の回路の駆動波形図、第7図は薄膜
トランジスタのドレイン電流−ゲート電圧特性の初期状
態からのシフトを説明する線図である。 1.2.8・・・薄膜トランジスタ(TPT)、3・・
・液晶セル、 4・・・データ電極、5.6・・・走
査電極、7・・・対向電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 データ電極とその対向電極との間に液晶を介在させて液
晶セルを形成し、このデータ電極に与えられたデータを
スイッチング素子を介して前記液晶セルに書き込むアク
ティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子を、直列接続された2個の薄膜ト
ランジスタで構成すると共に、この2個の薄膜トランジ
スタのゲートを2本の独立した走査電極に接続し、 少なくとも一方の走査電極の電圧のデューティ比を約5
0%にしたことを特徴とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63120514A JPH01291216A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63120514A JPH01291216A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01291216A true JPH01291216A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14788107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63120514A Pending JPH01291216A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01291216A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777591A (en) * | 1993-05-06 | 1998-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix display apparatus employing dual switching means and data signal line driving means |
JP2007178952A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Tpo Hong Kong Holding Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその制御方法 |
WO2008032552A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Pioneer Corporation | Circuit de commutation, circuit de commande de pixel et circuit d'échantillonnage avec maintien |
US7605789B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Sony Corporation | Transistor circuit, pixel circuit, display device, and driving method therefor |
JP2010511900A (ja) * | 2006-12-01 | 2010-04-15 | ストア、エレクトロニック、システムズ | 低消費電力アクティブ・マトリックス・ディスプレイ |
JP2010117475A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Sony Corp | 表示装置、電子機器および表示装置の駆動方法 |
JP2011150288A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 画素回路、これを利用した表示装置及び表示装置の駆動方法 |
JP2018159825A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 駆動回路及び電子機器 |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP63120514A patent/JPH01291216A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777591A (en) * | 1993-05-06 | 1998-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix display apparatus employing dual switching means and data signal line driving means |
US7605789B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Sony Corporation | Transistor circuit, pixel circuit, display device, and driving method therefor |
JP2007178952A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Tpo Hong Kong Holding Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその制御方法 |
WO2008032552A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Pioneer Corporation | Circuit de commutation, circuit de commande de pixel et circuit d'échantillonnage avec maintien |
JP2010511900A (ja) * | 2006-12-01 | 2010-04-15 | ストア、エレクトロニック、システムズ | 低消費電力アクティブ・マトリックス・ディスプレイ |
JP2014112248A (ja) * | 2006-12-01 | 2014-06-19 | Store Electronic Systems | ディスプレイ回路の動作方法および画素アレイのためのディスプレイ回路 |
JP2010117475A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Sony Corp | 表示装置、電子機器および表示装置の駆動方法 |
US8648846B2 (en) | 2008-11-12 | 2014-02-11 | Sony Corporation | Display device, electronic device, and method of driving display device |
US8902213B2 (en) | 2008-11-12 | 2014-12-02 | Sony Corporation | Display device, electronic device, and method of driving display device |
JP2011150288A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 画素回路、これを利用した表示装置及び表示装置の駆動方法 |
JP2018159825A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 駆動回路及び電子機器 |
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