JPH0445563A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0445563A JPH0445563A JP15442490A JP15442490A JPH0445563A JP H0445563 A JPH0445563 A JP H0445563A JP 15442490 A JP15442490 A JP 15442490A JP 15442490 A JP15442490 A JP 15442490A JP H0445563 A JPH0445563 A JP H0445563A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子が搭載されたリードフレームに封止
樹脂をモールド成形する半導体装置の製造方法に関する
ものである。
樹脂をモールド成形する半導体装置の製造方法に関する
ものである。
従来、半導体装置としては、封止樹脂がモールド成形さ
れたものがある。この種の半導体装置を第５図によって
説明する。
れたものがある。この種の半導体装置を第５図によって
説明する。
第５図は従来の半導体装置を示す断面図である。
同図において、１は半導体素子、２はこの半導体素子１
を搭載するためのリードフレームである。
を搭載するためのリードフレームである。
このリードフレーム２は、半導体素子１が接合されるア
イランド２ａと、半導体素子１の表面電極（図示せず）
に金属細線３を介して接続されるインナーリード２ｂと
、このインナーリード２ｂと一体的に形成されたアウタ
ーリード２０等とから構成されている。４は前記半導体
素子１．金属細線３．アイランド２ａおよびインナーリ
ード２ｂ等を外部環境から保護すると共にパンケージを
構成する封止部材である。この封止部材４は、例えばエ
ポキシ樹脂等の合成樹脂がらなり、モールド金型（図示
せず）を使用して所定形状に成形される。
イランド２ａと、半導体素子１の表面電極（図示せず）
に金属細線３を介して接続されるインナーリード２ｂと
、このインナーリード２ｂと一体的に形成されたアウタ
ーリード２０等とから構成されている。４は前記半導体
素子１．金属細線３．アイランド２ａおよびインナーリ
ード２ｂ等を外部環境から保護すると共にパンケージを
構成する封止部材である。この封止部材４は、例えばエ
ポキシ樹脂等の合成樹脂がらなり、モールド金型（図示
せず）を使用して所定形状に成形される。
次に、このように構成された従来の半導体装置を製造す
る方法について説明する。この半導体装置を組立てるに
は、先ず、リードフレーム２のアイランド２ａに半導体
素子ｌを接合させ、この半導体素子ｌの表面電極とリー
ドフレーム２のインナーリード２ｂとを金属細線３によ
って接続する。
る方法について説明する。この半導体装置を組立てるに
は、先ず、リードフレーム２のアイランド２ａに半導体
素子ｌを接合させ、この半導体素子ｌの表面電極とリー
ドフレーム２のインナーリード２ｂとを金属細線３によ
って接続する。
このようにして半導体素子１をリードフレーム２上に搭
載した後、このリードフレーム２をモールド金型に型締
めして封止部材をモールド成形する。
載した後、このリードフレーム２をモールド金型に型締
めして封止部材をモールド成形する。
このモールド金型は通常は下金型と上金型とから構成さ
れている。そして、モールド成形を行なうには、リード
フレーム２を上下金型間に挟持させ、加熱溶融された状
態の封止部材４を上下金型内に注入して行なわれる。封
止部材４が硬化した後、この封止部材４をリードフレー
ム２と共に離型させて樹脂封止工程が終了する。樹脂封
止後、アウターリード２Ｃの先端を切断することによっ
てリードフレーム２から半導体装置を分断させ、このア
ウターリード２ｃを所定形状に曲げ加工して半導体装置
が完成する。
れている。そして、モールド成形を行なうには、リード
フレーム２を上下金型間に挟持させ、加熱溶融された状
態の封止部材４を上下金型内に注入して行なわれる。封
止部材４が硬化した後、この封止部材４をリードフレー
ム２と共に離型させて樹脂封止工程が終了する。樹脂封
止後、アウターリード２Ｃの先端を切断することによっ
てリードフレーム２から半導体装置を分断させ、このア
ウターリード２ｃを所定形状に曲げ加工して半導体装置
が完成する。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに、このように構成された従来の半導体装置では
、半導体素子ｌの熱が十分に放熱されず、発熱性の高い
半導体素子には適していない構造であった。これは、樹
脂材からなる封止部材４が金属等に較べて熱を伝え難い
からである。
、半導体素子ｌの熱が十分に放熱されず、発熱性の高い
半導体素子には適していない構造であった。これは、樹
脂材からなる封止部材４が金属等に較べて熱を伝え難い
からである。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、モールド用下金
型のキャビティ内に熱伝導率の高い材料からなる伝熱板
を位置決めし、次いで、この伝熱板の上側にリードフレ
ームを間隔をおいて位置決めし、しかる後、この下金型
を型締めしてキャビティ内に封止樹脂を注入するもので
ある。
型のキャビティ内に熱伝導率の高い材料からなる伝熱板
を位置決めし、次いで、この伝熱板の上側にリードフレ
ームを間隔をおいて位置決めし、しかる後、この下金型
を型締めしてキャビティ内に封止樹脂を注入するもので
ある。
伝熱板が封止樹脂内であって半導体素子の近傍に埋設さ
れることになり、半導体素子の熱が封止樹脂内を伝わり
やすくなる。
れることになり、半導体素子の熱が封止樹脂内を伝わり
やすくなる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法を実施する際に
使用するモールド金型の分解斜視図、第２図は本発明の
製造方法によって製造された半導体装置の断面図である
。これらの図において前記第５図で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。
使用するモールド金型の分解斜視図、第２図は本発明の
製造方法によって製造された半導体装置の断面図である
。これらの図において前記第５図で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。
これらの図において、１１は封止部材４をモールド成形
するためのモールド金型で、このモールド金型１１は成
形用下金型１２と、この下金型−１２上に型締めされる
成形用上金型１３とからなり、上下金型１２．１３は駆
動装置（図示せず）に連結されて互いに接離するように
構成されている。
するためのモールド金型で、このモールド金型１１は成
形用下金型１２と、この下金型−１２上に型締めされる
成形用上金型１３とからなり、上下金型１２．１３は駆
動装置（図示せず）に連結されて互いに接離するように
構成されている。
前記下金型１２および上金型１３には、封止部材４を成
形するためのキャビイ１２ａ、１３ａがそれぞれ合わせ
面倒に形成されている。なお、このキャビティ１２ａ、
１３ａはランナー、ゲート（図示せず）等を介して樹脂
供給装置に連通され、加熱溶融された樹脂が注入される
ように構成されている。そして、下金型１２には後述す
る熱伝導体を位置決めするための位置決めビン１４がキ
ャビティ１２ａの側方に３本立設され、上金型１３には
この位置決めビン１４が挿入する穴１５が設けられてい
る。
形するためのキャビイ１２ａ、１３ａがそれぞれ合わせ
面倒に形成されている。なお、このキャビティ１２ａ、
１３ａはランナー、ゲート（図示せず）等を介して樹脂
供給装置に連通され、加熱溶融された樹脂が注入される
ように構成されている。そして、下金型１２には後述す
る熱伝導体を位置決めするための位置決めビン１４がキ
ャビティ１２ａの側方に３本立設され、上金型１３には
この位置決めビン１４が挿入する穴１５が設けられてい
る。
１６は熱伝導体で、この熱伝導体１６は熱伝導率の高い
板材（例えば鋼材等）によって形成され、前記下金型１
２のキャビイ１２ａ内に挿入される平面視四角形状の平
板部１６ａと、モールド金型１１に型締めされて前記平
板部１６ａをキ＋ビティ１２ａ内に位置決めする位置決
め部１６ｂとが一体に形成されている。なお、この熱伝
導体１６の厚み寸法はリードフレーム２の厚み寸法と略
等しい寸法に設定されている。前記位置決め部１６ｂは
前記平板部１６ａの角部分から側方へ突出されており、
本実施例では３本設けられている。そして、各位置決め
部１６ｂは、基部を曲げ加工することによって前記平板
部１６ａに対して上側へ偏在されている。また、この位
置決め部１６ｂの突出端には、下金型１２の位置決めビ
ン１４が嵌合する位置決め穴１６ｃが穿設されている。
板材（例えば鋼材等）によって形成され、前記下金型１
２のキャビイ１２ａ内に挿入される平面視四角形状の平
板部１６ａと、モールド金型１１に型締めされて前記平
板部１６ａをキ＋ビティ１２ａ内に位置決めする位置決
め部１６ｂとが一体に形成されている。なお、この熱伝
導体１６の厚み寸法はリードフレーム２の厚み寸法と略
等しい寸法に設定されている。前記位置決め部１６ｂは
前記平板部１６ａの角部分から側方へ突出されており、
本実施例では３本設けられている。そして、各位置決め
部１６ｂは、基部を曲げ加工することによって前記平板
部１６ａに対して上側へ偏在されている。また、この位
置決め部１６ｂの突出端には、下金型１２の位置決めビ
ン１４が嵌合する位置決め穴１６ｃが穿設されている。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する
。先ず、第１図に示すように、下金型１２のキャビティ
１２ａ内に熱伝導体１６の平板部１６ａを挿入し、位置
決め部１６ｂの位置決め穴１６ｃを下金型１２の位置決
めビン１４へ嵌合させる。これによって平板部１６ａは
下金型１２のキャビティ１２ａ内に位置決めされる。な
お、キャビティ１２ａ内での平板部１６ａの位置は、キ
ャビティ１２ａの底面から所定寸法だけ離間するように
設定されている。次に、半導体素子１が搭載されたリー
ドフレーム２をこの熱伝導体１６の上側に載置して所定
位置（半導体素子１がキャビティ１２ａ内に位置づけら
れる位Ｗ）に位置決めする。この状態では、熱伝導体１
６の平板部１６ａが位置決め部１６ｂに対して下側に偏
在されている関係から、平板部１６ａはリードフレーム
２からは離間することになる。そして、下金型１２に上
金型１３を合わせ、モールド金型１１内に熱伝導体１６
とリードフレーム２とを型締めする。
。先ず、第１図に示すように、下金型１２のキャビティ
１２ａ内に熱伝導体１６の平板部１６ａを挿入し、位置
決め部１６ｂの位置決め穴１６ｃを下金型１２の位置決
めビン１４へ嵌合させる。これによって平板部１６ａは
下金型１２のキャビティ１２ａ内に位置決めされる。な
お、キャビティ１２ａ内での平板部１６ａの位置は、キ
ャビティ１２ａの底面から所定寸法だけ離間するように
設定されている。次に、半導体素子１が搭載されたリー
ドフレーム２をこの熱伝導体１６の上側に載置して所定
位置（半導体素子１がキャビティ１２ａ内に位置づけら
れる位Ｗ）に位置決めする。この状態では、熱伝導体１
６の平板部１６ａが位置決め部１６ｂに対して下側に偏
在されている関係から、平板部１６ａはリードフレーム
２からは離間することになる。そして、下金型１２に上
金型１３を合わせ、モールド金型１１内に熱伝導体１６
とリードフレーム２とを型締めする。
この際、半導体素子１は上金型１３のキャビティ１３ａ
内に臨むことになる。型締め終了後、加熱溶融された状
態の封止部材４をキャビティ１２ａ。
内に臨むことになる。型締め終了後、加熱溶融された状
態の封止部材４をキャビティ１２ａ。
１３ａ内に注入し、半導体素子１．アイランド２ａ、イ
ンナーリード２ｂ、金属細線３および熱伝導体１６等を
封止する。封止部材４が硬化した後、この封止部材４を
リードフレーム２と共に離型させて樹脂封止工程が終了
する。封止後には熱伝導体１６の位置決め部１６ｂが封
止部材４がら突出するが、この突出部分は、リードフレ
ーム２がら半導体装置を切り離す工程で同時に切断され
る。
ンナーリード２ｂ、金属細線３および熱伝導体１６等を
封止する。封止部材４が硬化した後、この封止部材４を
リードフレーム２と共に離型させて樹脂封止工程が終了
する。封止後には熱伝導体１６の位置決め部１６ｂが封
止部材４がら突出するが、この突出部分は、リードフレ
ーム２がら半導体装置を切り離す工程で同時に切断され
る。
この分断工程を経た後、アウターリード２ｃを所定形状
に曲げ加工すれば、第２図に示すようニ半導体装置が完
成する。
に曲げ加工すれば、第２図に示すようニ半導体装置が完
成する。
したがって、このようにして製造された半導体装置では
、熱伝導体１６が封止部材４内であって半導体素子１の
近傍に埋設されることなり、半導体素子１の熱が封止部
材４内を伝わりゃすくなる。
、熱伝導体１６が封止部材４内であって半導体素子１の
近傍に埋設されることなり、半導体素子１の熱が封止部
材４内を伝わりゃすくなる。
なお、本実施例では熱伝導体１６の厚みをリードフレー
ム２と略等しくした例を示したが、第３図および第４図
に示すように、リードフレーム２より厚い熱伝導体１６
を使用することもできる。
ム２と略等しくした例を示したが、第３図および第４図
に示すように、リードフレーム２より厚い熱伝導体１６
を使用することもできる。
第３図および第４図は他の実施例を示す図で、第３図は
リードフレームより厚い熱伝導体を使用する場合のモー
ルド金型の分解斜視図、第４図はリードフレームより厚
い熱伝導体が用いられた半導体装置の断面図である。こ
れらの図において前記第１図および第２図で説明したも
のと同一もしくは同等部材については、同一符号を付し
詳細な説明は省略する。２１は熱伝導体で、この実施例
で使用する熱伝導体２１は、第１図および第一２図で示
した実施例のものに較べて厚みが大きく設定され、リー
ドフレーム２より厚く形成されている。
リードフレームより厚い熱伝導体を使用する場合のモー
ルド金型の分解斜視図、第４図はリードフレームより厚
い熱伝導体が用いられた半導体装置の断面図である。こ
れらの図において前記第１図および第２図で説明したも
のと同一もしくは同等部材については、同一符号を付し
詳細な説明は省略する。２１は熱伝導体で、この実施例
で使用する熱伝導体２１は、第１図および第一２図で示
した実施例のものに較べて厚みが大きく設定され、リー
ドフレーム２より厚く形成されている。
そして、前記実施例と同様にして平板部２１ａ。
位置決め部２１ｂおよび位置決め穴２１ｃが形成されて
いる。２２は前記熱伝導体２１の位置決め部２１ｂが挿
入される溝で、この溝２２は、下金型１２の合わせ面に
前記位置決め部２１ｂが嵌合する形状をもって形成され
ている。そして、この溝２２の深さ寸法は、熱伝導体２
１とリードフレーム２との板厚差分とされている。すな
わち、この溝２２内に位置決め部２１ａを嵌合させれば
、型締め時に下金型１２と上金型１３との合わせ部分に
隙間が生じるようなことはなくなる。この厚みの厚い熱
伝導体２１を使用して製造された半導体装置を第４図に
示す、この実施例に示したように、熱伝導体２１をリー
ドフレーム２より厚く形成すると、第１図および第２図
で示した半導体装置よりさらに放熱性を高めることがで
きる。なお、溝２２の底部分を昇降自在に設けたり、溝
２２の底面と位置決め部２１ｂとの間にスペーサを介装
したりすれば、熱伝導体２２の厚みを容易に変更するこ
とができるようになる。すなわち、このようにすると、
使用する熱伝導体の厚みに適合するように下金型１２を
複数種類形成する必要がな（なる。
いる。２２は前記熱伝導体２１の位置決め部２１ｂが挿
入される溝で、この溝２２は、下金型１２の合わせ面に
前記位置決め部２１ｂが嵌合する形状をもって形成され
ている。そして、この溝２２の深さ寸法は、熱伝導体２
１とリードフレーム２との板厚差分とされている。すな
わち、この溝２２内に位置決め部２１ａを嵌合させれば
、型締め時に下金型１２と上金型１３との合わせ部分に
隙間が生じるようなことはなくなる。この厚みの厚い熱
伝導体２１を使用して製造された半導体装置を第４図に
示す、この実施例に示したように、熱伝導体２１をリー
ドフレーム２より厚く形成すると、第１図および第２図
で示した半導体装置よりさらに放熱性を高めることがで
きる。なお、溝２２の底部分を昇降自在に設けたり、溝
２２の底面と位置決め部２１ｂとの間にスペーサを介装
したりすれば、熱伝導体２２の厚みを容易に変更するこ
とができるようになる。すなわち、このようにすると、
使用する熱伝導体の厚みに適合するように下金型１２を
複数種類形成する必要がな（なる。
以上説明したように本発明に係る半導体装置のＩＪ 遣
方法Ｃ！、モールド用下金型のキャビティ内ニ熱伝導率
の高い材料からなる伝熱板を位置決めし、次いで、この
伝熱板の上側にリードフレームを間隔をおいて位置決め
し、しかる後、この下金型を型締めしてキャビティ内に
封止樹脂を注入するため、伝熱板が封止樹脂内であって
半導体素子の近傍に埋設されることになる。したがって
、半導体素子の熱が封止樹脂内を伝わりゃすくなり放熱
性を高めることができるから、高発熱性の半導体素子を
使用しても信幀性の高い半導体装置が得られる。
方法Ｃ！、モールド用下金型のキャビティ内ニ熱伝導率
の高い材料からなる伝熱板を位置決めし、次いで、この
伝熱板の上側にリードフレームを間隔をおいて位置決め
し、しかる後、この下金型を型締めしてキャビティ内に
封止樹脂を注入するため、伝熱板が封止樹脂内であって
半導体素子の近傍に埋設されることになる。したがって
、半導体素子の熱が封止樹脂内を伝わりゃすくなり放熱
性を高めることができるから、高発熱性の半導体素子を
使用しても信幀性の高い半導体装置が得られる。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法を実施する際に
使用するモールド金型の分解斜視図、第２図は本発明の
製造方法によって製造された半導体装置の断面図である
。第３図および第４図は他の実施例を示す図で、第３図
はリードフレームより厚い熱伝導体を使用する場合のモ
ールド金型の分解斜視図、第４図はリードフレームより
厚い熱伝導体が用いられた半導体装置の断面図である。 第５図は従来の半導体装置を示す断面図である。 １・・・・半導体素子、２・・・・リードフレーム、４
・・・・封止部材、１１・・・・モールド金型、１２・
・・・下金型、１３・・・・上金型、１２ａ、１３ａ・
・・・キャビティ、１６．２１・・・・熱伝導体。
使用するモールド金型の分解斜視図、第２図は本発明の
製造方法によって製造された半導体装置の断面図である
。第３図および第４図は他の実施例を示す図で、第３図
はリードフレームより厚い熱伝導体を使用する場合のモ
ールド金型の分解斜視図、第４図はリードフレームより
厚い熱伝導体が用いられた半導体装置の断面図である。 第５図は従来の半導体装置を示す断面図である。 １・・・・半導体素子、２・・・・リードフレーム、４
・・・・封止部材、１１・・・・モールド金型、１２・
・・・下金型、１３・・・・上金型、１２ａ、１３ａ・
・・・キャビティ、１６．２１・・・・熱伝導体。
Claims (1)
- 半導体素子が搭載されたリードフレームに封止樹脂を
モールド成形する半導体装置の製造方法において、モー
ルド用下金型のキャビティ内に熱伝導率の高い材料から
なる伝熱板を位置決めし、次いで、この伝熱板の上側に
前記リードフレームを間隔をおいて位置決めし、しかる
後、この下金型を型締めしてキャビティ内に封止樹脂を
注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154424A JP2604054B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154424A JP2604054B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445563A true JPH0445563A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2604054B2 JP2604054B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15583869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154424A Expired - Lifetime JP2604054B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604054B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5384286A (en) * | 1991-08-16 | 1995-01-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for encapsulating a semiconductor chip, leadframe and heatsink |
| JPWO2022013936A1 (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137249A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154424A patent/JP2604054B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137249A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5384286A (en) * | 1991-08-16 | 1995-01-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for encapsulating a semiconductor chip, leadframe and heatsink |
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