JPH0443638A

JPH0443638A - 半導体装置の製造方法及び製造装置

Info

Publication number: JPH0443638A
Application number: JP15182690A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Saito; 勉斉藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-06-11
Filing date: 1990-06-11
Publication date: 1992-02-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕半導体プロセスにおける前処理等で純水により洗浄を行
う半導体装置の製造方法に関し、前処理における水洗時
の塵埃の再付着を低減することを目的とし、半導体プロセスにおける所定の処理工程後に、半導体ウ
ェハを純水により洗浄を行う工程を含む半導体装置の製
造方法において、前記純水が満たされた槽内に、所定数
の半導体ウェハを浸漬し、該純水の水面下に塵埃回収治
具を配置し、該半導体ウェハの洗浄後に、該塵埃回収治
具を水平方向に所定速度で移動させて、該水面に浮遊し
ている塵埃を回収し、排水する、工程を含むように構成
する。

〔産業上の利用分野」本発明は、半導体プロセスにおける前処理等で純水によ
り洗浄を行う半導体装置の製造方法及び製造装置に関す
る。

近年、半導体デバイスの高集積化、高速化に伴いパター
ン寸法も微細化しており、半導体ウェハに付着する塵埃
が悪影響を及ぼす。特に半導体ウェハの大口径化により
一枚当りに付着する塵埃数が増える傾向にある。従って
、半導体ウェハを洗浄するための前処理工程では、洗浄
された塵埃が再付着することを防止する必要がある。

〔従来の技術〕従来、半導体プロセスにおける前処理工程の水による洗
浄は、槽内に純水を満たし、これにバスケットに保持さ
れた複数枚の半導体ウェハを浸漬する。そして、純水を
窒素ガスによりバブリングし、さらに排水、給水を繰返
して行う。

この場合、半導体ウェハより除かれる塵埃は、純水中で
比重の大きなものは沈み、比重の小さなものは水面で浮
遊する。

そして、洗浄後、半導体ウェハを保持したバスケットを
取上げて乾燥を行うものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、槽内の塵埃の一部は排出されるか、レジスト残
等は上部の方で浮遊して残存しており、洗浄後、半導体
ウェハの取上げ時に再びウエノ１面に付着する。そのた
め、前処理を行ってもウエノ＼面の塵埃は低減できずに
半導体デバイスの不良の原因となり歩留りの向上が図れ
ないという問題がある。

そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、前処
理における水洗時の塵埃の再付着を低減する半導体装置
の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図に本発明方法の原理説明図を示す。第１図におい
て、第１の工程では、純水が満たされた槽内に所定数の
半導体ウェハを浸漬する。第２の工程では、該純水の水
面下に塵埃回収治具を配置する。第３の工程では、浸漬
された半導体ウェハの洗浄を行う。第４の工程では、前
記塵埃回収治具を水平方向に所定速度で移動させ、水面
に浮遊している塵埃を回収する。そして、第５の工程に
おいて排水を行い、洗浄後の半導体ウェハを取上げるも
のである。

また、上記発明方法は、上記塵埃回収治具を水平方向に
所定速度で移動させると共に、塵埃回収後に上方へ移動
させる制御部を設けることにより実現される。

〔作用〕

−Ｆ述のように、半導体ウェハの洗浄後に塵埃回収治具
により水面に浮遊する塵埃を回収を行う。

この塵埃を回収する塵埃回収治具は、制御部により、水
平方向に所定速度で移動し、塵埃回収後に１一方に移動
する。

これにより、半導体ウェハの洗浄後に水面付近に浮遊す
る塵埃を回収することから、排水し７て半導体ウェハを
取出すときに、塵埃の再付着を低減することが可能とな
る。

〔実施例〕

第２図に本発明の一実施例の構成図を示す。第２図は本
発明方法を実現するだめの半導体製造装置の洗浄部分を
示したものである。

第２図において、槽ｌには純水２か満たされており、バ
スケット（図示せず）に保持された半導体ウェハ３が浸
漬されている。純水２の上方には、槽１の両壁面側に１
対のＬ字型の回収板４ａ。

４ｂが槽ｌの側辺と同等の幅で対称に配置される。

この回収板４ａ、４ｂが塵埃回収治具を構成する。

また、回収板４ａ、４ｂには駆動アーム５ａ。

５ｂが設けられており、制御部６により該駆動アーム５
ａ、５ｂを介して回収板４ａ、４ｂを水平方向（左右方
向）及び上下方向に移動させる。

次に、上述の動作について説明する。まず、洗浄（前処
理）する半導体ウェハ３を純水２が満たされた槽ｌ内に
浸漬する。その後、回収板４ａ。

４ｂが下降して槽ｌの両壁面側で水中における水面付近
に配置される。そして、窒素ガスによりバブリングを行
い（図示せず）、当該半導体ウェハ３の洗浄を行う。

洗浄が終了すると、水面が穏やかになるのを待って、制
御部６により１対の回収板６を共に中央方向（水平方向
）に移動させる。この時の移動速度は、浮遊している塵
埃が槽ｌ内に流れ込むのを防止するために１Ｏａｎ／ｍ
ｉｎ以下に設定される。

例えば、移動速度を３ｃｍ／ｍｉｎとし、槽１の口径を
半導体ウェハ３の直径８インチに対応させて一辺３２ａ
ａ四方とすると、１対の回収板４ａ、４ｂが中央で当接
するまで４分の時間を要する。

この回収板４ａ、４ｂが中央に移動する時に、そのＬ字
形状部分で水面付近に浮遊している塵埃を回収していく
ものである。そして、移動する回収板４ａ、４ｂの先端
が中央付近で当接した状態で塵埃の回収が終了する。

この時、槽ｌ内の純水２が排水されると共に、回収板４
ａ、４ｂは水面上方に制御部６により移動される。そし
て、上方に移動後、回収板４ａ。

４ｂは再び開かれ、槽ｌ内の洗浄された半導体ウェハ３
が取出される。

すなわち、排水時には、水面付近に浮遊している塵埃を
取除いていることから、半導体ウェハ３には一旦洗い出
された塵埃が再び付着することが低減されるものである
。

なお、回収板４ａ、４ｂを、駆動アーム５ａ。

５ｂに脱着可能に構成することにより、毎回新しいもの
に取換えられ、塵埃が付着した回収板４ａ。

４ｂを洗浄して再び使用することができる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、半導体ウェハの洗ｎＰ後
に水面に浮遊している塵埃を、塵埃回収治具を水平方向
に移動させて回収することにより、また、塵埃回収治具
の移動を制御部により所定速度でお制御することにより
、水洗時における半導体ウェハの面上への塵埃の再付着
を低減することができ、半導体デバイス製造の歩留りを
向」ニさせることができる。

図において、１は槽、２は純水、３は半導体ウェハ４ａ、４ｂは回収板、５ａ、５ｂは駆動アーム、６は制御部を示す。

特許出願人　富　士　通　株式会社

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の原理説明図、第２図は本発明の一実施例の構成図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体プロセスにおける所定の処理工程後に、半
導体ウェハ（３）を純水（２）により洗浄を行う工程を
含む半導体装置の製造方法において、前記純水（２）が
満たされた槽（１）内に、所定数の半導体ウェハ（３）
を浸漬し（第１の工程）、該純水（２）の水面下に塵埃回収治具（５ａ、５ｂ）を
配置し（第２の工程）、該半導体ウェハ（３）の洗浄後に（第３の工程）、該塵
埃回収治具（５ａ、５ｂ）を水平方向に所定速度で移動
させ、該水面に浮遊している塵埃を回収して（第４の工
程）、排水する（第５の工程）、工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）半導体プロセスにおける所定の処理工程後に、半
導体ウェハ（３）を純水（２）により洗浄を行う工程を
含む半導体装置の製造装置において、前記純水（２）が
満たされ、該純水（２）内に所定数の半導体ウェハ（３
）を浸漬させる槽（１）と、該純水（２）の水面下に位置し、該半導体ウェハ（３）
の洗浄後に、所定速度で水平方向に移動して該水面に浮
遊している塵埃を回収する塵埃回収治具（５ａ、５ｂ）
と、該塵埃回収治具（５ａ、５ｂ）を、水平方向に所定速度
で移動させると共に、塵埃回収後に上方へ移動させる制
御部（６）と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。