JPH0443546A - 放電電極 - Google Patents
放電電極Info
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- JPH0443546A JPH0443546A JP15082690A JP15082690A JPH0443546A JP H0443546 A JPH0443546 A JP H0443546A JP 15082690 A JP15082690 A JP 15082690A JP 15082690 A JP15082690 A JP 15082690A JP H0443546 A JPH0443546 A JP H0443546A
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- Discharge Lamp (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、蛍光灯等に用いられる放電電極に関する。
(従来の技術)
従来、蛍光灯等の放電灯は管内に希ガス及び水銀蒸気等
を封入し、低圧気体中の放電現象を利用した放電管で、
特にグロー放電を利用して点灯させる冷陰極放電灯と呼
ばれる放電灯に用いられる電極材料としてはニッケル等
の金属電極が用いられていた。
を封入し、低圧気体中の放電現象を利用した放電管で、
特にグロー放電を利用して点灯させる冷陰極放電灯と呼
ばれる放電灯に用いられる電極材料としてはニッケル等
の金属電極が用いられていた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、金属電極を用いた放電灯にあっては、電
子の放射性が悪く、したがって放電開始電圧を高くしな
ければならず、また、管電圧か高くなるので消費電力か
高くなるという欠点かあった。
子の放射性が悪く、したがって放電開始電圧を高くしな
ければならず、また、管電圧か高くなるので消費電力か
高くなるという欠点かあった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、グロー放電灯による予熱の必要かなく電
子の放射性か良好で、放電開始電圧及び管電圧が低(、
電流密度の大きな且つ消費電力の小さい放電電極を提供
しようとするものである。
するところは、グロー放電灯による予熱の必要かなく電
子の放射性か良好で、放電開始電圧及び管電圧が低(、
電流密度の大きな且つ消費電力の小さい放電電極を提供
しようとするものである。
[発明の構成二:
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明の放電電極は、アルゴン
ガスを封入したガラス管内に所定間隔をおいて設けられ
たリード線と、これらのリード線の先端部に固定され一
方が開放口となる孔部を有する円筒状の半導体磁器より
なり、この電極部の前記孔部内に塊状または粒状もしく
はスポンジ状の半導体磁器が収納されていることを特徴
とするものである。
ガスを封入したガラス管内に所定間隔をおいて設けられ
たリード線と、これらのリード線の先端部に固定され一
方が開放口となる孔部を有する円筒状の半導体磁器より
なり、この電極部の前記孔部内に塊状または粒状もしく
はスポンジ状の半導体磁器が収納されていることを特徴
とするものである。
(作 用)
上記構成になる本発明の放電電極は、孔部に収納された
塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器から豊
富に電子の放出が行われるとともに、熱容量が太き(な
り且つ熱伝導率を小さくできるので、電子放射が始まる
とともに高温になりやすく安定な温度状態を保つことが
できる。したがって、高温であればあるほど電子の放射
性が良好になることから、豊富な電子を安定して放射し
高い電流密度が得られる。しかしながら、このような塊
状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器は、水銀
イオン及びアルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、キセノ
ン(Xe)、クリプトン(Kr)等の希ガスイオン等の
イオン衝撃に弱く、イオンの衝突によってスパッタリン
グをおこして電子放出特性が劣化する欠点もあるので、
これらの半導体磁器は高融点の半導体磁器または耐スパ
ツタリングの良好な円筒状孔部に収納してイオン衝撃よ
り防止するように構成しである。これにより、電子放射
特性に優れイオン衝撃に対抗力のある放電電極が得られ
る。
塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器から豊
富に電子の放出が行われるとともに、熱容量が太き(な
り且つ熱伝導率を小さくできるので、電子放射が始まる
とともに高温になりやすく安定な温度状態を保つことが
できる。したがって、高温であればあるほど電子の放射
性が良好になることから、豊富な電子を安定して放射し
高い電流密度が得られる。しかしながら、このような塊
状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器は、水銀
イオン及びアルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、キセノ
ン(Xe)、クリプトン(Kr)等の希ガスイオン等の
イオン衝撃に弱く、イオンの衝突によってスパッタリン
グをおこして電子放出特性が劣化する欠点もあるので、
これらの半導体磁器は高融点の半導体磁器または耐スパ
ツタリングの良好な円筒状孔部に収納してイオン衝撃よ
り防止するように構成しである。これにより、電子放射
特性に優れイオン衝撃に対抗力のある放電電極が得られ
る。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図乃至第5図によって説
明する。
明する。
第1図は本発明の放電電極を用いた放電管の断面図で、
第2図は放電電極の断面図である。図において1はアル
ゴンガスを封入したガラス管で、2は放電電極である。
第2図は放電電極の断面図である。図において1はアル
ゴンガスを封入したガラス管で、2は放電電極である。
ガラス管1は断面円筒型の細長い容器で、ガラス管1の
左右側端部にはそれぞれ導体のリード線3が設けてあり
、このリード線3と平行に水銀ゲッター4が設けてあっ
て、ガラス管1内にはアルゴンガス5が所定量封入され
である。前記水銀ゲッター4は一般的な放電灯製造方法
として知られているもので、高周波誘導加熱装置等によ
り加熱することで水銀蒸気をガラス管1内に充満させる
ものである。前記リード線3はガラス管1の外部より内
部へ挿通された導電性材料で形成され、先端部には放電
電極2を取付けるための取付部3aが設けである。この
取付部3aは弾性のある導電性材料で形成され放電電極
2の外周を弾性的に挾持するように構成されている。
左右側端部にはそれぞれ導体のリード線3が設けてあり
、このリード線3と平行に水銀ゲッター4が設けてあっ
て、ガラス管1内にはアルゴンガス5が所定量封入され
である。前記水銀ゲッター4は一般的な放電灯製造方法
として知られているもので、高周波誘導加熱装置等によ
り加熱することで水銀蒸気をガラス管1内に充満させる
ものである。前記リード線3はガラス管1の外部より内
部へ挿通された導電性材料で形成され、先端部には放電
電極2を取付けるための取付部3aが設けである。この
取付部3aは弾性のある導電性材料で形成され放電電極
2の外周を弾性的に挾持するように構成されている。
放電電極2は第2図に示すように、一方か開放口となる
有底円筒状の電極部6と、この電極部6内に挿入収納さ
れる塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器7
とにより構成されている。前記電極部6は高融点又は耐
スパツタリング性の良好な半導体磁器、例えばBa (
Zr、Nb)03系の半導体磁器が用いられ、特に磁器
表面上にNb系層を形成してスパッタリング防止層とし
ている。
有底円筒状の電極部6と、この電極部6内に挿入収納さ
れる塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器7
とにより構成されている。前記電極部6は高融点又は耐
スパツタリング性の良好な半導体磁器、例えばBa (
Zr、Nb)03系の半導体磁器が用いられ、特に磁器
表面上にNb系層を形成してスパッタリング防止層とし
ている。
このような電極部6の前記有底円筒状の孔部8内に挿入
収納される塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体
磁器7は、電子放射性良好な半導体磁器、例えばBaT
iO3系半導体磁器の粉末を焼結して塊状または粒状に
したもの、もしくはスポンジ状にしたものを用いる。こ
のBaTiO3系半導体磁器は、−電子放射性か良好で
あるが、これを塊状または粒状もしくはスポンジ状にす
ることにより、熱容量を大きくし熱伝導率を小さくする
ことができるので、放電開始と同時により高温で安定な
温度状態を保ち、電流密度も高く取れて安定な放電を行
うことかできる。
収納される塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体
磁器7は、電子放射性良好な半導体磁器、例えばBaT
iO3系半導体磁器の粉末を焼結して塊状または粒状に
したもの、もしくはスポンジ状にしたものを用いる。こ
のBaTiO3系半導体磁器は、−電子放射性か良好で
あるが、これを塊状または粒状もしくはスポンジ状にす
ることにより、熱容量を大きくし熱伝導率を小さくする
ことができるので、放電開始と同時により高温で安定な
温度状態を保ち、電流密度も高く取れて安定な放電を行
うことかできる。
一方、放電に伴って発生する水銀イオン等は、対向電極
の方向から電極部6に飛来し、耐スパツタリング性の良
好な半導体磁器の電極部6に衝突するかこの電極部の耐
スパツタリング性良好な電極部により劣化は防止され、
電極部内に収納された半導体磁器7には衝突することな
く豊富な電子放出を継続することができる。
の方向から電極部6に飛来し、耐スパツタリング性の良
好な半導体磁器の電極部6に衝突するかこの電極部の耐
スパツタリング性良好な電極部により劣化は防止され、
電極部内に収納された半導体磁器7には衝突することな
く豊富な電子放出を継続することができる。
次に、第3図乃至第5図により本発明の放電電極の実験
結果について述べる。実験にはガラス管径10mm、全
長200mmの放電管で、周波数30KHzのDC−A
Cインバータにより起動したものである。そして、第3
図は管電流に対する放電開始電圧、第4図は管電流に対
する管電圧、第5図は管電流に対する管電力を示したも
のである。
結果について述べる。実験にはガラス管径10mm、全
長200mmの放電管で、周波数30KHzのDC−A
Cインバータにより起動したものである。そして、第3
図は管電流に対する放電開始電圧、第4図は管電流に対
する管電圧、第5図は管電流に対する管電力を示したも
のである。
なお、図中Aは本発明の放電電極、Bは従来のニッケル
電極によるものである。
電極によるものである。
第3図において、放電電極のものはニッケル電極のもの
に対して放電開始電圧は400Vと550Vとになり、
150Vも低いことから電子放射性の優れていることが
判る。
に対して放電開始電圧は400Vと550Vとになり、
150Vも低いことから電子放射性の優れていることが
判る。
第4図において、放電電極(A)によるものは管電流の
増加とともに管電圧は低下するが、ニッケル電極(B)
の場合は管電流の増加に対しても一定値を示しており、
管電流20mAにおいては約190Vrms低下してい
ることが判る。これにより消費量が少ないことが理解さ
れるであろう。
増加とともに管電圧は低下するが、ニッケル電極(B)
の場合は管電流の増加に対しても一定値を示しており、
管電流20mAにおいては約190Vrms低下してい
ることが判る。これにより消費量が少ないことが理解さ
れるであろう。
第5図において、放電電極(A)によるものは管電流の
増加に対して管電力の増加率は小さく、ニッケル電極(
B)によるものは増加率が大であることから、本発明に
係る放電電極の方が省エネルギーであることが判る。
増加に対して管電力の増加率は小さく、ニッケル電極(
B)によるものは増加率が大であることから、本発明に
係る放電電極の方が省エネルギーであることが判る。
以上のことから、本発明による放電電極は従来のニッケ
ル電極に比較して、電子放射性が良好で、放電開始電圧
及び管電圧が低く消費電力の小さい放電灯を得ることが
できる。また、予熱の不要な且つ構造上小型化が可能で
あることから管径の細い放電灯を得ることができる。
ル電極に比較して、電子放射性が良好で、放電開始電圧
及び管電圧が低く消費電力の小さい放電灯を得ることが
できる。また、予熱の不要な且つ構造上小型化が可能で
あることから管径の細い放電灯を得ることができる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の放電電極は、希ガスや水銀
蒸気等を封入したガラス管内に所定間隔をおいて設けら
れたリード線と、このリード線の先端部に固定され一方
が開放口となる孔部を有する円筒状の半導体磁器よりな
り、この電極部の前記孔部内に塊状または粒状もしくは
スポンジ状の半導体磁器を収納したので、グロー放電等
による予熱の必要がなく電子の放射性が優れ、放電開始
電圧及び管電圧が低く、電流密度の大きな且つ消費電力
の小さい省エネルギー化された放li電極が得られると
いう利点がある。
蒸気等を封入したガラス管内に所定間隔をおいて設けら
れたリード線と、このリード線の先端部に固定され一方
が開放口となる孔部を有する円筒状の半導体磁器よりな
り、この電極部の前記孔部内に塊状または粒状もしくは
スポンジ状の半導体磁器を収納したので、グロー放電等
による予熱の必要がなく電子の放射性が優れ、放電開始
電圧及び管電圧が低く、電流密度の大きな且つ消費電力
の小さい省エネルギー化された放li電極が得られると
いう利点がある。
第1図乃至第5図は本発明の一実施例で、第1図は放電
灯の断面図、第2図は放電電極の断面図、第3図は管電
流と放電開始電圧との関係図、第4図は管電流上管電圧
との関係図、第5図は管電流と管電力との関係図である
。 1・・・ガラス管、2・・・放電電極、3・・・リード
線、6・・・電極部、7・・・半導体磁器、8・・・孔
部代理人 弁理士 三 澤 正 義第2図
灯の断面図、第2図は放電電極の断面図、第3図は管電
流と放電開始電圧との関係図、第4図は管電流上管電圧
との関係図、第5図は管電流と管電力との関係図である
。 1・・・ガラス管、2・・・放電電極、3・・・リード
線、6・・・電極部、7・・・半導体磁器、8・・・孔
部代理人 弁理士 三 澤 正 義第2図
Claims (1)
- 希ガス及びまたは水銀蒸気等を封入したガラス管内に所
定間隔をおいて設けられたリード線と、これらのリード
線の先端部に固定され一方が開放口となる孔部を有する
円筒状の半導体磁器よりなり、この電極部の前記孔部内
には塊状または粒状もしくはスポンジ状の半導体磁器が
収納されていることを特徴とする放電電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15082690A JP2881479B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 放電電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15082690A JP2881479B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 放電電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0443546A true JPH0443546A (ja) | 1992-02-13 |
JP2881479B2 JP2881479B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=15505249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15082690A Expired - Fee Related JP2881479B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 放電電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2881479B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06267404A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Tdk Corp | 電極材料,電極材料製造方法及び電極 |
JPH06302297A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Tdk Corp | 放電ランプ電極 |
JPH06302298A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Tdk Corp | 放電ランプ電極 |
EP0803898A2 (de) * | 1996-04-24 | 1997-10-29 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektrode für Entladungslampen |
US6172453B1 (en) * | 1993-03-17 | 2001-01-09 | Tdk Corporation | Discharge lamp electrode |
US6383416B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-05-07 | Tdk Corporation | Electron-emitting material and preparing process |
US6432325B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Electrode |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15082690A patent/JP2881479B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06267404A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Tdk Corp | 電極材料,電極材料製造方法及び電極 |
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JPH06302297A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Tdk Corp | 放電ランプ電極 |
JPH06302298A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Tdk Corp | 放電ランプ電極 |
EP0803898A2 (de) * | 1996-04-24 | 1997-10-29 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektrode für Entladungslampen |
EP0803898A3 (de) * | 1996-04-24 | 1997-12-29 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektrode für Entladungslampen |
US6383416B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-05-07 | Tdk Corporation | Electron-emitting material and preparing process |
US6432325B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Electrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2881479B2 (ja) | 1999-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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