JPH0440878B2 - - Google Patents
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- JPH0440878B2 JPH0440878B2 JP60138722A JP13872285A JPH0440878B2 JP H0440878 B2 JPH0440878 B2 JP H0440878B2 JP 60138722 A JP60138722 A JP 60138722A JP 13872285 A JP13872285 A JP 13872285A JP H0440878 B2 JPH0440878 B2 JP H0440878B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線基板上に形成される設計変更用電
極に関する。
極に関する。
従来の多層配線基板における設計変更用電極の
一例が、IBM J.RES.DEVELOP,VOL.26,No.
1,JAN.1982の第30頁〜第36頁に所載のA.J.
Blodgett等の“Termal Conduction Module:
A High−Performance Maltilayer Ceramic
Package”と題する論文に開示されている。第3
図はこのような電極を示す。この電極は、集積回
路チツプまたはワイヤー(導電線)を接続する接
続部分31と、設計変更時にパツド間を切り離す
切断部分32とから構成され、各部分31および
32は層構成も導体材料も同じであり、構造上の
差異はない。基板上にこのような電極が形成され
たあと、この電極および他の必要部分を残して、
絶縁膜により基板上が覆われる。
一例が、IBM J.RES.DEVELOP,VOL.26,No.
1,JAN.1982の第30頁〜第36頁に所載のA.J.
Blodgett等の“Termal Conduction Module:
A High−Performance Maltilayer Ceramic
Package”と題する論文に開示されている。第3
図はこのような電極を示す。この電極は、集積回
路チツプまたはワイヤー(導電線)を接続する接
続部分31と、設計変更時にパツド間を切り離す
切断部分32とから構成され、各部分31および
32は層構成も導体材料も同じであり、構造上の
差異はない。基板上にこのような電極が形成され
たあと、この電極および他の必要部分を残して、
絶縁膜により基板上が覆われる。
上述した従来の電極構造では、チツプやワイヤ
ーを半田づけするときには、基板上の配線パター
ンに半田が流れないよう設計変更電極上にソルダ
ーダムを設ける必要がある。すなわち、電極形成
後、さらにソルダーダム形成工程が必要となる。
ソルダーダム形成工程では、パターン化、硬化お
よび焼成等の処理が必要であるため、設計変更電
極の表面を酸化物等を生じない金属で形成しなけ
ればならず、この結果、半田ぬれ性や切断性を十
分に満足する材料だけで電極を形成することがで
きないという欠点がある。
ーを半田づけするときには、基板上の配線パター
ンに半田が流れないよう設計変更電極上にソルダ
ーダムを設ける必要がある。すなわち、電極形成
後、さらにソルダーダム形成工程が必要となる。
ソルダーダム形成工程では、パターン化、硬化お
よび焼成等の処理が必要であるため、設計変更電
極の表面を酸化物等を生じない金属で形成しなけ
ればならず、この結果、半田ぬれ性や切断性を十
分に満足する材料だけで電極を形成することがで
きないという欠点がある。
本発明の電極は、基板上に形成した電極部と、
該電極部を少なくとも2つの部分に切断できるよ
うに該電極部の一部を露出させて該電極部を覆う
絶縁層と、それぞれ前記2つの部分に対向する前
記絶縁層上の対応位置に形成した少なくとも2つ
の接続用パツドと、前記接続用パツドと前記電極
部とを接続するよう前記絶縁層を貫通するビアホ
ールとから構成される。
該電極部を少なくとも2つの部分に切断できるよ
うに該電極部の一部を露出させて該電極部を覆う
絶縁層と、それぞれ前記2つの部分に対向する前
記絶縁層上の対応位置に形成した少なくとも2つ
の接続用パツドと、前記接続用パツドと前記電極
部とを接続するよう前記絶縁層を貫通するビアホ
ールとから構成される。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第1図を参照すると、本発明の一実施例は、内
部に各種の配線パターン(図示せず)を有する配
線層部(基板)11と、配線層部11上に形成さ
れ配線部分12および切断部分13からなる電極
部19と、電極部19を2つの部分に切断できる
ように電極部19の切断部分13を露出させて電
極部19を覆う絶縁層14と、配線部分12に対
向する絶縁層14上の対応位置に形成した2つの
接続用パツド18と、接続用パツド18と配線部
分12とを電気的に接続するよう絶縁層14を貫
通するビアホール16と、前記各種の配線パター
ンの一部と配線部分12とを電気的に接続するビ
アホール17とから構成される。設計変更時に
は、電極部19は、露出部15を介して超音波カ
ツタやレーザー光線等により切断部分13で切断
できる。電極部19は、電気抵抗の低減および切
断の容易性を考慮して、スパツタリングにより形
成されたクロムおよびパラジウム膜上に金をめつ
きすることにより構成される。パツド18は、半
田ぬれ性を考慮して、スパツタリングにより形成
されたクロム、パラジウムおよび銅膜上に半田ぬ
れ性のよい銅をめつきすることにより構成され
る。この方法では、銅層の形成が多層化の最終工
程となるため、銅の酸化等は全く発生しない。本
実施例では、絶縁層14がソルダーダムとして働
き、半田が他の配線パターンに流れるのを阻止し
ている。
部に各種の配線パターン(図示せず)を有する配
線層部(基板)11と、配線層部11上に形成さ
れ配線部分12および切断部分13からなる電極
部19と、電極部19を2つの部分に切断できる
ように電極部19の切断部分13を露出させて電
極部19を覆う絶縁層14と、配線部分12に対
向する絶縁層14上の対応位置に形成した2つの
接続用パツド18と、接続用パツド18と配線部
分12とを電気的に接続するよう絶縁層14を貫
通するビアホール16と、前記各種の配線パター
ンの一部と配線部分12とを電気的に接続するビ
アホール17とから構成される。設計変更時に
は、電極部19は、露出部15を介して超音波カ
ツタやレーザー光線等により切断部分13で切断
できる。電極部19は、電気抵抗の低減および切
断の容易性を考慮して、スパツタリングにより形
成されたクロムおよびパラジウム膜上に金をめつ
きすることにより構成される。パツド18は、半
田ぬれ性を考慮して、スパツタリングにより形成
されたクロム、パラジウムおよび銅膜上に半田ぬ
れ性のよい銅をめつきすることにより構成され
る。この方法では、銅層の形成が多層化の最終工
程となるため、銅の酸化等は全く発生しない。本
実施例では、絶縁層14がソルダーダムとして働
き、半田が他の配線パターンに流れるのを阻止し
ている。
第2図を参照すると、本発明の第2の実施例の
断面図を第2図に示す。21から27は、接続用
パツド28の構成以外は第1の実施例と全同じ構
成である。パツド28は、クロム・パラジウム・
銅スパツタ膜の上に銅・ニツケル・金の多層めつ
きを行なうことにより形成され、接続用パツドを
酸化等から保護している。本実施例でも、電極の
形成が多層化の最終工程となるため、金の熱拡
散、熱膨張率の違いによる多層めつき間での剥れ
等は全く生じない。
断面図を第2図に示す。21から27は、接続用
パツド28の構成以外は第1の実施例と全同じ構
成である。パツド28は、クロム・パラジウム・
銅スパツタ膜の上に銅・ニツケル・金の多層めつ
きを行なうことにより形成され、接続用パツドを
酸化等から保護している。本実施例でも、電極の
形成が多層化の最終工程となるため、金の熱拡
散、熱膨張率の違いによる多層めつき間での剥れ
等は全く生じない。
以上、説明したように、本発明は設計変更電極
のチツプおよびワイヤー接続部を最上層に形成
し、配線部分やパターン切断部分をパツドの下に
絶縁層を介して形成することにより、接続性や切
断性に対してそれぞれすぐれた性質をもつた金属
を使つて設計変更電極を形成できるという効果が
ある。
のチツプおよびワイヤー接続部を最上層に形成
し、配線部分やパターン切断部分をパツドの下に
絶縁層を介して形成することにより、接続性や切
断性に対してそれぞれすぐれた性質をもつた金属
を使つて設計変更電極を形成できるという効果が
ある。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2
図は本発明の第2の実施例の断面図および第3図
は従来例を示す斜視図である。 図において、11……基板、12……配線部
分、13……切断部分、14……絶縁層、15…
…露出部、16……ビアホール、17……ビアホ
ール、18……パツド、28……パツド、31…
…接続部、32……切断部。
図は本発明の第2の実施例の断面図および第3図
は従来例を示す斜視図である。 図において、11……基板、12……配線部
分、13……切断部分、14……絶縁層、15…
…露出部、16……ビアホール、17……ビアホ
ール、18……パツド、28……パツド、31…
…接続部、32……切断部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 配線基板上に形成される設計変更用電極にお
いて、前記基板上に形成した電極部と、該電極部
を少なくとも2つの部分に切断できるように該電
極部の一部を露出させて該電極部を覆う絶縁層
と、それぞれ前記2つの部分に対向する前記絶縁
層上の対応位置に形成した少なくとも2つの接続
用パツドと、前記接続用パツドと前記電極部とを
接続するよう前記絶縁層を貫通するビアホールと
から構成したことを特徴とする設計変更用電極。 2 前記接続用パツドと、前記切断部分とを異な
る導電材料より形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の設計変更用電極。 3 前記接続用パツドが銅を含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の設計変更用電極。 4 前記接続用パツドの表面の材料が貴金属であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
設計変更用電極。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60138722A JPS61296800A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 設計変更用電極 |
US06/875,670 US4710592A (en) | 1985-06-25 | 1986-06-18 | Multilayer wiring substrate with engineering change pads |
DE8686108689T DE3677417D1 (de) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | Mehrschichtleitersubstrat mit kontaktflecken zum aendern von verbindungen. |
EP86108689A EP0206337B1 (en) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | Multilayer wiring substrate with engineering change pads |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60138722A JPS61296800A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 設計変更用電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61296800A JPS61296800A (ja) | 1986-12-27 |
JPH0440878B2 true JPH0440878B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=15228614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60138722A Granted JPS61296800A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 設計変更用電極 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4710592A (ja) |
EP (1) | EP0206337B1 (ja) |
JP (1) | JPS61296800A (ja) |
DE (1) | DE3677417D1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0271590A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッドic用基板 |
FR2650471B1 (fr) * | 1989-07-27 | 1991-10-11 | Bull Sa | Procede de formation de piliers du reseau multicouche d'une carte de connexion d'au moins un circuit integre de haute densite |
FR2650472A1 (fr) * | 1989-07-27 | 1991-02-01 | Bull Sa | Procede de depot d'une couche isolante sur une couche conductrice du reseau multicouche d'une carte de connexion de circuit integre de haute densite, et carte en resultant |
US5006673A (en) * | 1989-12-07 | 1991-04-09 | Motorola, Inc. | Fabrication of pad array carriers from a universal interconnect structure |
US5060116A (en) * | 1990-04-20 | 1991-10-22 | Grobman Warren D | Electronics system with direct write engineering change capability |
US5224022A (en) * | 1990-05-15 | 1993-06-29 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Reroute strategy for high density substrates |
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