JPH043927A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPH043927A JPH043927A JP10602190A JP10602190A JPH043927A JP H043927 A JPH043927 A JP H043927A JP 10602190 A JP10602190 A JP 10602190A JP 10602190 A JP10602190 A JP 10602190A JP H043927 A JPH043927 A JP H043927A
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 13
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、真空容器内に放電プラズマを発生させ、こ
のプラズマを利用して真空中で半導体に各種の処理を行
う半導体処理装置に関するものである。
のプラズマを利用して真空中で半導体に各種の処理を行
う半導体処理装置に関するものである。
［従来の技術］
第５図は例えば実開平０１−６７７３８号公報に示され
ている従来の枚葉処理方式による平行平板型のプラズマ
処理装置の構成図であり、図において（１）は真空容器
、（２）は容器、（３）は上部電極５（４）は下部電極
。
ている従来の枚葉処理方式による平行平板型のプラズマ
処理装置の構成図であり、図において（１）は真空容器
、（２）は容器、（３）は上部電極５（４）は下部電極
。
（５）は絶縁体、（６）は半導体の被処理体、（７）は
排気系または圧力調整系（図示していない）に接続され
る排気管、（８）はガス等の導入管、（９）は電極可動
機構（図は下部電極を可動させる可動機構を示す）、（
１５）は容器内を真空に保ち、電極（図は下部電極を示
す）可動させながら容器へ保持する保持部である真空シ
ールで、図の場合下部型！１ｉ（４）、絶縁体（５）お
よび保持部（１５）で可動部（４５）を構成し、（１１
）は整合器、（１２）は高周波電源であり、点線図は電
極が上昇した状態を示す。
排気系または圧力調整系（図示していない）に接続され
る排気管、（８）はガス等の導入管、（９）は電極可動
機構（図は下部電極を可動させる可動機構を示す）、（
１５）は容器内を真空に保ち、電極（図は下部電極を示
す）可動させながら容器へ保持する保持部である真空シ
ールで、図の場合下部型！１ｉ（４）、絶縁体（５）お
よび保持部（１５）で可動部（４５）を構成し、（１１
）は整合器、（１２）は高周波電源であり、点線図は電
極が上昇した状態を示す。
次にこのプラズマ処理装置の動作に次いて説明する。被
処理体（６）は搬送系（図示しない）により容器（２）
の中に搬送され、下部電極（４）の所定の位置に配置さ
れる。そして電極可動機構（９）により下部電極（４）
及び絶縁体（５）を所定の電極間距離まで上昇あるいは
下降させる０次に導入管（８）より容器（２）内に反応
性ガスを導入する。一方、排気管（７）より排気を行い
容器（２）内を所定のガス圧に保つ０次に高周波電源（
１２）より容器（２）内に高周波電力を印加する。
処理体（６）は搬送系（図示しない）により容器（２）
の中に搬送され、下部電極（４）の所定の位置に配置さ
れる。そして電極可動機構（９）により下部電極（４）
及び絶縁体（５）を所定の電極間距離まで上昇あるいは
下降させる０次に導入管（８）より容器（２）内に反応
性ガスを導入する。一方、排気管（７）より排気を行い
容器（２）内を所定のガス圧に保つ０次に高周波電源（
１２）より容器（２）内に高周波電力を印加する。
これにより、上記両電極間に高周波グロー放電が発生し
、プラズマが生成される。このプラズマ中の各種イオン
、ラジカル等により、被処理体（６）のプラズマ処理例
えばエツチングが行われる。
、プラズマが生成される。このプラズマ中の各種イオン
、ラジカル等により、被処理体（６）のプラズマ処理例
えばエツチングが行われる。
第６図は上記第５図に示した従来のプラズマ処理装置に
おける保持部である真空シール（１５）の桟わりに同様
の作用を示すベローズ（１５０）を用いたプラズマ処理
装置で、動作は上記第５図のプラズマ処理装置と同じで
ある。
おける保持部である真空シール（１５）の桟わりに同様
の作用を示すベローズ（１５０）を用いたプラズマ処理
装置で、動作は上記第５図のプラズマ処理装置と同じで
ある。
［発明が解決しようとする課題］
従来のプラズマ処理装置は上記のように構成されている
ため、プラズマ処理により、プラズマ処理装置の容器（
２）内周辺にはプラズマ処理により生じた反応生成物が
付着する。下部電極（４）および絶縁体（５）が昇降す
る際に、保持部である真空シール（１５）またはベロー
ズ（１５０）の部分に付着した反応生成物が剥離するた
め発塵が避けられず、そのためその塵埃が容器（２）内
に浮遊し被処理体（６）を汚染し、品質および歩留りを
悪化させるなどの課題があった。
ため、プラズマ処理により、プラズマ処理装置の容器（
２）内周辺にはプラズマ処理により生じた反応生成物が
付着する。下部電極（４）および絶縁体（５）が昇降す
る際に、保持部である真空シール（１５）またはベロー
ズ（１５０）の部分に付着した反応生成物が剥離するた
め発塵が避けられず、そのためその塵埃が容器（２）内
に浮遊し被処理体（６）を汚染し、品質および歩留りを
悪化させるなどの課題があった。
この発明は、かかるａ裏を解決するためになされたもの
で、半導体の品質および歩留りを向上させる＃導体処理
装置を得ることを目的とするものである。
で、半導体の品質および歩留りを向上させる＃導体処理
装置を得ることを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明の半導体処理装置は、一対の電極の内の少なく
とも一方の電極を可動させる電極可動機構により、上記
電極間の間隔を変化させながら、上記電極間に発生する
プラズマにより上記電極に載置した半導体を処理するも
のにおいて、上記電極可動機構による可動部の動きに追
従して可動部を包囲するラビリンス状の隔壁を備えたも
のである。
とも一方の電極を可動させる電極可動機構により、上記
電極間の間隔を変化させながら、上記電極間に発生する
プラズマにより上記電極に載置した半導体を処理するも
のにおいて、上記電極可動機構による可動部の動きに追
従して可動部を包囲するラビリンス状の隔壁を備えたも
のである。
［作用コ
この発明において、隔壁が可動部の動きに追従しながら
可動部を包囲するので、電極の位置によらず可動部の真
空シールおよびベローズ等の保持部に反応生成物が付着
し、それが電極等の動きによって剥離して容器内に浮遊
するのを防止し、また隔壁が隙間を有するラビリンス状
であるので、隔壁に付着した反応生成物が隔壁の動きに
より剥離して容器内に浮遊するのを防止する。
可動部を包囲するので、電極の位置によらず可動部の真
空シールおよびベローズ等の保持部に反応生成物が付着
し、それが電極等の動きによって剥離して容器内に浮遊
するのを防止し、また隔壁が隙間を有するラビリンス状
であるので、隔壁に付着した反応生成物が隔壁の動きに
より剥離して容器内に浮遊するのを防止する。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例の半導体処理装置の構成図
である０図において（１３ａ）および（１３ｂ）は一対
でこの発明の一実施例に係わるラビリンス状の隔壁（１
３）を構成し、（１３ａ）は絶縁体（５）に取り付けら
れた第１隔壁、 （１３ｂ）は容器（２）に取り付けら
れた第２隔壁であり、第１隔壁（１３ａ）と第２隔壁（
１３ｂ）の間には極わずかな隙間があり、ラビリンス（
迷路）状になっている。（１４）は塵埃排気管であり、
隔壁（１３ａ）および（１３ｂ）で覆われた空間を容器
（２）内のそれ以外の空間のガス圧よりも低圧に保つよ
うになっており１点線図は電極が上昇した状態を示す、
即ち、この実施例は可動部側を排気している場合で１発
生した塵埃が内部に留まることなく外部へ排出できるの
で、プラズマ処理室に浮遊する塵埃を低減するのにさら
に効果的である。
である０図において（１３ａ）および（１３ｂ）は一対
でこの発明の一実施例に係わるラビリンス状の隔壁（１
３）を構成し、（１３ａ）は絶縁体（５）に取り付けら
れた第１隔壁、 （１３ｂ）は容器（２）に取り付けら
れた第２隔壁であり、第１隔壁（１３ａ）と第２隔壁（
１３ｂ）の間には極わずかな隙間があり、ラビリンス（
迷路）状になっている。（１４）は塵埃排気管であり、
隔壁（１３ａ）および（１３ｂ）で覆われた空間を容器
（２）内のそれ以外の空間のガス圧よりも低圧に保つよ
うになっており１点線図は電極が上昇した状態を示す、
即ち、この実施例は可動部側を排気している場合で１発
生した塵埃が内部に留まることなく外部へ排出できるの
で、プラズマ処理室に浮遊する塵埃を低減するのにさら
に効果的である。
次に動作について説明する。被処理体（６）は搬送系（
図示しない）により容器（２）の中に搬送され、下部電
極（４）の所定の位置に配置される。そして電極可動機
構（９）により可動部の下部電極（４）および絶縁体（
５）を所定の電極間距離までＬ昇または下降させる９次
に導入管（７）より排気を行い、容器（２）内を所定の
ガス圧に保つ０次に高周波電源（１２）より容器（２）
内に高周波電力を印加する。これにより上部電極（３）
と下部電極（４）の間にプラズマが発生し、被処理体（
６）のプラズマ処理例えばエツチングが行われる。上記
一連の動作において、下部電極（４）および絶縁体（５
）が最も下に下降したとき第１隔壁（１３ａ）は容器（
２）に接触しない高さで、同様に第２隔壁（１３ｂ）は
絶縁体（５）に接触しない高さでラビリンス状を保つの
である。また、下部型！（４）および絶縁体（５）が最
も上昇したときに第１隔壁（１３ａ）と第２隔壁（１３
ｂ）は重なりあってラビリンスを形成する高さである。
図示しない）により容器（２）の中に搬送され、下部電
極（４）の所定の位置に配置される。そして電極可動機
構（９）により可動部の下部電極（４）および絶縁体（
５）を所定の電極間距離までＬ昇または下降させる９次
に導入管（７）より排気を行い、容器（２）内を所定の
ガス圧に保つ０次に高周波電源（１２）より容器（２）
内に高周波電力を印加する。これにより上部電極（３）
と下部電極（４）の間にプラズマが発生し、被処理体（
６）のプラズマ処理例えばエツチングが行われる。上記
一連の動作において、下部電極（４）および絶縁体（５
）が最も下に下降したとき第１隔壁（１３ａ）は容器（
２）に接触しない高さで、同様に第２隔壁（１３ｂ）は
絶縁体（５）に接触しない高さでラビリンス状を保つの
である。また、下部型！（４）および絶縁体（５）が最
も上昇したときに第１隔壁（１３ａ）と第２隔壁（１３
ｂ）は重なりあってラビリンスを形成する高さである。
下部電極（４）および絶縁体（５）が昇降する際にベロ
ーズ（１５０）の部分から塵埃が発生するが、塵埃排気
管（１４）から排出されるため隔壁（１３ａ）、 （１
３ｂ）から容器（２）内に侵入する塵埃はほとんど無く
なる。従って、容器（２）内に浮遊する塵埃は低減し被
処理体（６）の品質および歩留りが向上する。
ーズ（１５０）の部分から塵埃が発生するが、塵埃排気
管（１４）から排出されるため隔壁（１３ａ）、 （１
３ｂ）から容器（２）内に侵入する塵埃はほとんど無く
なる。従って、容器（２）内に浮遊する塵埃は低減し被
処理体（６）の品質および歩留りが向上する。
第２図はこの発明の他の実施例の半導体処理装置を示す
構成図であり、点線図は電極が上昇した状態を示し、保
持部の真空シール（１５）を用い、隔壁として２対の第
１．第２隔壁でラビリンス構造を形成している。またこ
れ以上に隔壁数を増してもよい。
構成図であり、点線図は電極が上昇した状態を示し、保
持部の真空シール（１５）を用い、隔壁として２対の第
１．第２隔壁でラビリンス構造を形成している。またこ
れ以上に隔壁数を増してもよい。
第３図および第４図は各々この発明の他の実施例の半導
体処理装置を示す構成図、およびこの発明のさらに他の
実施例の半導体処理装置を示す構成図で、点線図は電極
が上昇した状態を示し、上記と異なるラビリンス構造を
有する隔壁の例を示す。
体処理装置を示す構成図、およびこの発明のさらに他の
実施例の半導体処理装置を示す構成図で、点線図は電極
が上昇した状態を示し、上記と異なるラビリンス構造を
有する隔壁の例を示す。
なお、上記実施例において、上部電極が昇降する場合も
同様の効果を示す。
同様の効果を示す。
また、この発明を平行平板型のプラズマ処理装置だけで
なく、可動部を有する装置であれば、ＥＣＲ型のエツチ
ング、ＣＶＤ、スパッタ装置等地の半導体処理装置に適
用しても同様の効果を示す。
なく、可動部を有する装置であれば、ＥＣＲ型のエツチ
ング、ＣＶＤ、スパッタ装置等地の半導体処理装置に適
用しても同様の効果を示す。
［発明の効果］
以上説明した通り、この発明は、一対の電極の内の少な
くとも一方の電極を可動させる電極可動機構により、上
記電極間の間隔を変化させながら、上記電極間に発生す
るプラズマにより上記＠極に載置した半導体を処理する
ものにおいて、］二記＠極可動機構による可動部の動き
に追従して可動部を包囲するラビリンス状の隔壁を備え
たものを用いることにより、被処理体の品質および歩留
りを向上させる半導体処理装置を得ることができる。
くとも一方の電極を可動させる電極可動機構により、上
記電極間の間隔を変化させながら、上記電極間に発生す
るプラズマにより上記＠極に載置した半導体を処理する
ものにおいて、］二記＠極可動機構による可動部の動き
に追従して可動部を包囲するラビリンス状の隔壁を備え
たものを用いることにより、被処理体の品質および歩留
りを向上させる半導体処理装置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の半導体処理装置の構成図
、第２図および第３図は各々この発明の他の実施例の半
導体処理装置の構成図、第４図はこの発明のさらに他の
実施例の半導体処理装置を示す構成図、第５図および第
６図は従来の平行平板型のプラズマ処理装置の構成図で
ある。 図において、（３）は上部電極、（４）は下部電極、（
５）は絶縁体、（６）は半導体、（９）は電極可動機構
、 （１３）は隔壁、 （４５）は可動部、（１２）は
高周波電源である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
、第２図および第３図は各々この発明の他の実施例の半
導体処理装置の構成図、第４図はこの発明のさらに他の
実施例の半導体処理装置を示す構成図、第５図および第
６図は従来の平行平板型のプラズマ処理装置の構成図で
ある。 図において、（３）は上部電極、（４）は下部電極、（
５）は絶縁体、（６）は半導体、（９）は電極可動機構
、 （１３）は隔壁、 （４５）は可動部、（１２）は
高周波電源である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 一対の電極の内の少なくとも一方の電極を可動させる
電極可動機構により、上記電極間の間隔を変化させなが
ら、上記電極間に発生するプラズマにより上記電極に載
置した半導体を処理するものにおいて、上記電極可動機
構による可動部の動きに追従して可動部を包囲するラビ
リンス状の隔壁を備えた半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602190A JPH043927A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602190A JPH043927A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043927A true JPH043927A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14422999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10602190A Pending JPH043927A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043927A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2002359203A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 成膜装置、プラズマｃｖｄ装置、成膜方法及びスパッタ装置 |
| US6524428B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| JP2011511474A (ja) * | 2008-02-08 | 2011-04-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 軸直角変位ベローズおよび非接触粒子シールを備えたギャップ調整可能な容量結合ｒｆプラズマリアクタ |
| JP2015043420A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-03-05 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | マルチポート弁アセンブリを備えるプラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10602190A patent/JPH043927A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6524428B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6544379B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6610170B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6610171B2 (en) | 1993-09-16 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6676805B2 (en) | 1993-09-16 | 2004-01-13 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6899789B2 (en) | 1993-09-16 | 2005-05-31 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6485604B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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| US8552334B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-10-08 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled RF plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
| US8735765B2 (en) | 2008-02-08 | 2014-05-27 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled RF plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
| JP2015043420A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-03-05 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | マルチポート弁アセンブリを備えるプラズマ処理装置 |
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