JPH0437824A - マトリクス型表示装置 - Google Patents
マトリクス型表示装置Info
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- JPH0437824A JPH0437824A JP2146858A JP14685890A JPH0437824A JP H0437824 A JPH0437824 A JP H0437824A JP 2146858 A JP2146858 A JP 2146858A JP 14685890 A JP14685890 A JP 14685890A JP H0437824 A JPH0437824 A JP H0437824A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、バス配線の断線を修正する機能を有するマト
リクス型表示装置に関する。
リクス型表示装置に関する。
(従来の技術)
CRTに代わる画像表示装置として、液晶、EL発光体
、プラズマ発光体等を用いたマトリクス型表示装置が注
目されている。中でも液晶表示装置はtjN”lFt用
テレビ、ワードプロセッサ、パーソナルフンビコータ等
に広く用いられている。これらに用いられる表示装置に
は、より精細で大型のものが望まれている。
、プラズマ発光体等を用いたマトリクス型表示装置が注
目されている。中でも液晶表示装置はtjN”lFt用
テレビ、ワードプロセッサ、パーソナルフンビコータ等
に広く用いられている。これらに用いられる表示装置に
は、より精細で大型のものが望まれている。
マトリクス型表示装置を用いて精細な画像を表示するた
めには、マトリクスを構成する絵素の大きさを非常に小
さくし、しかも非常に多くの絵素数を用いる必要がある
。絵素数が増大すると、それに伴って走査線及び信号線
として機能するバス配線の数も多くなる。バス配線の数
が多くなるに従い、断線による不良が生じ易(なる。そ
のうえ、表示装置の大型化に伴ってバス配線の長さは長
くなり、断線の無いバス配線を作製することは益々困難
となっている。
めには、マトリクスを構成する絵素の大きさを非常に小
さくし、しかも非常に多くの絵素数を用いる必要がある
。絵素数が増大すると、それに伴って走査線及び信号線
として機能するバス配線の数も多くなる。バス配線の数
が多くなるに従い、断線による不良が生じ易(なる。そ
のうえ、表示装置の大型化に伴ってバス配線の長さは長
くなり、断線の無いバス配線を作製することは益々困難
となっている。
(発明が解決しようとする課題)
バス配線の断線を修正する機能を備えたマトリクス型表
示装置が開発されている。断線修正機能を備えた表示装
置に用いられる表示電極基板の一例を第1図に示す。こ
の表示電極基板は、透明基板上に形成された、一方向に
並行する多数のゲートバス配Is2と、ゲートバス配線
2に直交して設けられた多数のソースバス配線lとを有
する。ソースバス配線1は2組のソースバス配線1a及
び1bからなり、ソースバス配線1a及びlbはそれぞ
れ異なったドライバICに接続されている。
示装置が開発されている。断線修正機能を備えた表示装
置に用いられる表示電極基板の一例を第1図に示す。こ
の表示電極基板は、透明基板上に形成された、一方向に
並行する多数のゲートバス配Is2と、ゲートバス配線
2に直交して設けられた多数のソースバス配線lとを有
する。ソースバス配線1は2組のソースバス配線1a及
び1bからなり、ソースバス配線1a及びlbはそれぞ
れ異なったドライバICに接続されている。
ゲートバス配線2及びソースバス配線1は、絶縁膜を介
して非導通状態で交差している。
して非導通状態で交差している。
ゲートバス配線2及びソースバス配線1に囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてのT
P T (Thin Film Transisto
r)がそれぞれ設けられているが、第1図では簡単のた
め記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液
晶が封入され、マ) IJクス型液晶表示装置が構成さ
れる。
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてのT
P T (Thin Film Transisto
r)がそれぞれ設けられているが、第1図では簡単のた
め記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液
晶が封入され、マ) IJクス型液晶表示装置が構成さ
れる。
ソースバス配線1の両端部には、それぞれ予備配線3a
及び3bが絶縁膜を介して交差している。
及び3bが絶縁膜を介して交差している。
予備配線3a及び3bはゲートバス配線2とは交差する
ことなく、それぞれ基板外部の配線に接続されている。
ことなく、それぞれ基板外部の配線に接続されている。
即ち、予備配線3aの端部4a及び4cは回路基板上に
導かれた接続用配線に接続されている。同様に、予備配
線3bの端部4b及び4dも回路基板上に導かれた接続
用配線に接続されている。回路基板上では端部4aに接
続された接続用配線と、端部4dに接続された接続用配
線とが互いに接続可能に配されている。同様に、端部4
bに接続された接続用配線と、端部4Cに接続された接
続用配線とが互いに接続可能に配されている。
導かれた接続用配線に接続されている。同様に、予備配
線3bの端部4b及び4dも回路基板上に導かれた接続
用配線に接続されている。回路基板上では端部4aに接
続された接続用配線と、端部4dに接続された接続用配
線とが互いに接続可能に配されている。同様に、端部4
bに接続された接続用配線と、端部4Cに接続された接
続用配線とが互いに接続可能に配されている。
この基板のソースバス配線1に断線が生じた場合の修正
方法を以下に示す。第1図に示すようにソースバス配線
1bに断線部5が生じている場合には、不良ソースバス
配線1bと予備配線3aとが、交差部5aに於て電気的
に接続される。同様に、不良ソースバス配線1bと予備
配線3bとが、交差部5bに於て電気的に接続される。
方法を以下に示す。第1図に示すようにソースバス配線
1bに断線部5が生じている場合には、不良ソースバス
配線1bと予備配線3aとが、交差部5aに於て電気的
に接続される。同様に、不良ソースバス配線1bと予備
配線3bとが、交差部5bに於て電気的に接続される。
更に前述の回路基板上に於て、予備配線3a及び3bに
接続された2つの接続用配線が互いに電気的に接続され
る。このように3箇所で電気的接続を行うことにより、
不良ソースバス配線1bの断線部5の両端の部分が、回
路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される。
接続された2つの接続用配線が互いに電気的に接続され
る。このように3箇所で電気的接続を行うことにより、
不良ソースバス配線1bの断線部5の両端の部分が、回
路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される。
このようにして修正を行えば、修正後の不良ソースバス
配線の負荷容量及び電気抵抗を殆ど増大させることなく
断線部分を修正することができる。
配線の負荷容量及び電気抵抗を殆ど増大させることなく
断線部分を修正することができる。
従って、修正によってドライバIC8の負担が増大する
こともなく、不良ソースバス配線lb上の信号遅延も生
じない。
こともなく、不良ソースバス配線lb上の信号遅延も生
じない。
ところが、マトリクス型表示装置の大型化が進と、予備
配線の抵抗も無視できない問題となってくる。予備配線
の低抵抗化を図るため、2層構造の予備配線を用いるこ
とが考えられる。第5図に2層構造の予備配線を形成し
た表示電極基板を、透明基板側から見た平面図を示す。
配線の抵抗も無視できない問題となってくる。予備配線
の低抵抗化を図るため、2層構造の予備配線を用いるこ
とが考えられる。第5図に2層構造の予備配線を形成し
た表示電極基板を、透明基板側から見た平面図を示す。
第6図に第5図のvr−vX線に沿った断面図を示す。
透明基板16上の全面にベースコート膜17が形成され
、ベースコート膜17上に予備配線3aが形成されてい
る。予備配線3aは低抵抗金属層13a及び上層金属層
23aを有している。上層金属層23aには、この表示
電極基板の作製プロセスに於いて使用されるエッチャン
ト等に対する耐性の大きい金属が用いられる。低抵抗金
属層13aを上層金属層23aで覆うことにより、表示
電極基板の作製プロセスに於て低抵抗金属層13aがエ
ッチャント等によって損傷を受けるのを防止することが
できる。上層金属層23a上には絶縁膜18が形成され
、更にこの表示電極基板上の全面に、絶縁膜19が形成
されている。第5図に示すように、予備配線3aとソー
スバス配wa1との交差部には、絶縁膜22が挟み込ま
れている。第6図に示すように、絶縁膜22は絶縁膜1
9上に形成されている。従って、予備配線3aとソース
バス配線1とは、絶縁膜18.19及び22を挟んで交
差している。ソースバス配線lが形成された表示電極基
板上の全面には、保護膜20及び配向膜21が形成され
ている。
、ベースコート膜17上に予備配線3aが形成されてい
る。予備配線3aは低抵抗金属層13a及び上層金属層
23aを有している。上層金属層23aには、この表示
電極基板の作製プロセスに於いて使用されるエッチャン
ト等に対する耐性の大きい金属が用いられる。低抵抗金
属層13aを上層金属層23aで覆うことにより、表示
電極基板の作製プロセスに於て低抵抗金属層13aがエ
ッチャント等によって損傷を受けるのを防止することが
できる。上層金属層23a上には絶縁膜18が形成され
、更にこの表示電極基板上の全面に、絶縁膜19が形成
されている。第5図に示すように、予備配線3aとソー
スバス配wa1との交差部には、絶縁膜22が挟み込ま
れている。第6図に示すように、絶縁膜22は絶縁膜1
9上に形成されている。従って、予備配線3aとソース
バス配線1とは、絶縁膜18.19及び22を挟んで交
差している。ソースバス配線lが形成された表示電極基
板上の全面には、保護膜20及び配向膜21が形成され
ている。
このような2層構造の予備配線3aを有する表示電極基
板に於て、上述のように予備配線3aとソースバス配線
1と交差部にレーザ光照射を行うと、第7図に示すよう
に予備配線3aとソースバス配線1が溶融されると共に
、絶縁膜18.19及び22の絶縁破壊が起こり、予備
配線3aとソースバス配線1とが電気的に接続される。
板に於て、上述のように予備配線3aとソースバス配線
1と交差部にレーザ光照射を行うと、第7図に示すよう
に予備配線3aとソースバス配線1が溶融されると共に
、絶縁膜18.19及び22の絶縁破壊が起こり、予備
配線3aとソースバス配線1とが電気的に接続される。
ところが、低抵抗金属層13aの光吸収率が小さく反射
率が大きいため、低抵抗金属層13aを溶融させるため
には出力の大きなレーザ光を用いなければなければなら
ない。出力の大きなレーザ光を用いると、エネルギー損
失が大きくなるばかりでなく、溶融させる必要のない予
備配線3ax ソースバス配線1等の部分をも破損し
、修正による表示装置の歩留り向上が図れないという問
題が生じる。
率が大きいため、低抵抗金属層13aを溶融させるため
には出力の大きなレーザ光を用いなければなければなら
ない。出力の大きなレーザ光を用いると、エネルギー損
失が大きくなるばかりでなく、溶融させる必要のない予
備配線3ax ソースバス配線1等の部分をも破損し
、修正による表示装置の歩留り向上が図れないという問
題が生じる。
本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、バス配線の断線を修正し得て、低抵抗で、
しかも低出力のエネルギー照射によって溶融し得る予備
配線を有するマトリクス型表示装置を提供することであ
る。
明の目的は、バス配線の断線を修正し得て、低抵抗で、
しかも低出力のエネルギー照射によって溶融し得る予備
配線を有するマトリクス型表示装置を提供することであ
る。
(課題を解決するための手段)
本発明のマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配列
された絵素電極と、該絵素電極の間にそれぞれ一方向に
列をなして縦横に配線された走査線及び信号線と、該走
査線及び該信号線の列の少なくとも一方の列の少なくと
も一部の線の両端部のそれぞれに於て該一部の線と絶縁
膜を介して交差する予備配線と、を有する表示電極基板
を備え、該予備配線が少なくとも低抵抗金属層と低反射
率層との2層を有し、該一部の線の一方の端部と交差す
る該予備配線の少なくとも一方の端部に接続された接続
用配線と、該一部の線の他方の端部と交差する該予備配
線の少なくとも一方の端部に接続された接続用配線とが
、該表示電極基板の外部で互いに接続可能に配されてお
り、そのことによって上記目的が達成される。
された絵素電極と、該絵素電極の間にそれぞれ一方向に
列をなして縦横に配線された走査線及び信号線と、該走
査線及び該信号線の列の少なくとも一方の列の少なくと
も一部の線の両端部のそれぞれに於て該一部の線と絶縁
膜を介して交差する予備配線と、を有する表示電極基板
を備え、該予備配線が少なくとも低抵抗金属層と低反射
率層との2層を有し、該一部の線の一方の端部と交差す
る該予備配線の少なくとも一方の端部に接続された接続
用配線と、該一部の線の他方の端部と交差する該予備配
線の少なくとも一方の端部に接続された接続用配線とが
、該表示電極基板の外部で互いに接続可能に配されてお
り、そのことによって上記目的が達成される。
(作用)
本発明のマトリクス型表示装置では、表示電極基板上に
形成された走査線及び信号線から成るバス配線のうち、
少なくとも一方のバス配線の、少なくとも一部のバス配
線の両端部のそれぞれに於て、低抵抗金属層と、低反射
率層との2層を有する予備配線が絶縁膜を介して交差し
ている。該−部のバス配線の1本が断線した場合には、
断線した不良バス配線と、該不良バス配線の両端部で交
差する予備配線とが、レーザ光等のエネルギー照射によ
り、それぞれの交差部で接続される。該−部のバス配線
の一方の端部と交差する予備配線の少なくも一方の端部
に接続された接続用配線と、該一部のバス配線の他方の
端部と交差する予備配線の少なくとも一方の端部に接続
された接続用配線とが、表示電極基板の外部で互いに後
に接続される。
形成された走査線及び信号線から成るバス配線のうち、
少なくとも一方のバス配線の、少なくとも一部のバス配
線の両端部のそれぞれに於て、低抵抗金属層と、低反射
率層との2層を有する予備配線が絶縁膜を介して交差し
ている。該−部のバス配線の1本が断線した場合には、
断線した不良バス配線と、該不良バス配線の両端部で交
差する予備配線とが、レーザ光等のエネルギー照射によ
り、それぞれの交差部で接続される。該−部のバス配線
の一方の端部と交差する予備配線の少なくも一方の端部
に接続された接続用配線と、該一部のバス配線の他方の
端部と交差する予備配線の少なくとも一方の端部に接続
された接続用配線とが、表示電極基板の外部で互いに後
に接続される。
予備配線は低抵抗金属層と低反射率層との2層を有して
いる。低反射率層の存在により、低い出力のエネルギー
照射によっても、予備配線と該予備配線に交差する不良
バス配線とを接続することができる。また、低抵抗金属
層の存在により、予備配線の低抵抗化が図られている。
いる。低反射率層の存在により、低い出力のエネルギー
照射によっても、予備配線と該予備配線に交差する不良
バス配線とを接続することができる。また、低抵抗金属
層の存在により、予備配線の低抵抗化が図られている。
(実施例)
本発明の実施例について以下に説明する。本実施例のマ
トリクス型表示装置に用いられる表示電極基板の平面模
式図を第1図に示す。本実施例に用いられる表示電極基
板の概略平面図は、上記で説明したものと同様である。
トリクス型表示装置に用いられる表示電極基板の平面模
式図を第1図に示す。本実施例に用いられる表示電極基
板の概略平面図は、上記で説明したものと同様である。
本実施例は透過型の液晶表示装置である。透明基板上に
一方向に列をなすゲートバス配線2が設けられ、ゲート
バス配線2に直交してソースバス配線1が列をなして設
けられている。ソースバス配線lは2組のソースバス配
線1a及び1bからなり、ソースバス配線la及びlb
はそれぞれ異なったドライバIC(図示せず)に接続さ
れている。ゲートバス配線2及びソースバス配線lは、
それぞれ走査線及び信号線として機能している。ゲート
バス配置i12及びソースバス配線lは、絶縁膜を介し
て非導通状態で交差している。
一方向に列をなすゲートバス配線2が設けられ、ゲート
バス配線2に直交してソースバス配線1が列をなして設
けられている。ソースバス配線lは2組のソースバス配
線1a及び1bからなり、ソースバス配線la及びlb
はそれぞれ異なったドライバIC(図示せず)に接続さ
れている。ゲートバス配線2及びソースバス配線lは、
それぞれ走査線及び信号線として機能している。ゲート
バス配置i12及びソースバス配線lは、絶縁膜を介し
て非導通状態で交差している。
ゲートバス配線2及びソースバス配[1に囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてTP
Tがそれぞれ設けられているが、第1図では簡単のため
記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液晶
が封入され、マトリクス型液晶表示装置が構成される。
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてTP
Tがそれぞれ設けられているが、第1図では簡単のため
記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液晶
が封入され、マトリクス型液晶表示装置が構成される。
ソースバス配線lの両端部には、それぞれ予備配線3a
及び3bが、後述する3層の絶縁膜を介して交差してい
る。予備配線3a及び3bはゲートバス配線2とは交差
することなく、それぞれ基板外部の接続用配線に接続さ
れている。即ち、ソースバス配線1の一方の端部と交差
する予備配線3aの端部4a及び4cは、それぞれこの
表示電極基板の外部の例えば回路基板上に導かれた接続
用配線に接続されている。ソースバス配線lの他方の端
部と交差する予備配線3bの端部4b及び4dも、それ
ぞれ回路基板上に導かれた接続用配線に接続されている
。回路基板上では端部4aに接続された接続用配線と、
端部4dに接続された接続用配線とが互いに接続可能に
配されている。
及び3bが、後述する3層の絶縁膜を介して交差してい
る。予備配線3a及び3bはゲートバス配線2とは交差
することなく、それぞれ基板外部の接続用配線に接続さ
れている。即ち、ソースバス配線1の一方の端部と交差
する予備配線3aの端部4a及び4cは、それぞれこの
表示電極基板の外部の例えば回路基板上に導かれた接続
用配線に接続されている。ソースバス配線lの他方の端
部と交差する予備配線3bの端部4b及び4dも、それ
ぞれ回路基板上に導かれた接続用配線に接続されている
。回路基板上では端部4aに接続された接続用配線と、
端部4dに接続された接続用配線とが互いに接続可能に
配されている。
同様に、端部4bに接続された接続用配線と、端部4C
に接続された接続用配線とが回路基板上で互いに接続可
能に配されている。尚、本実施例に於て、端部4b及び
4Cには接続用配線を接続しない構成としてもよい。ま
た、端部4a及び4bに接続された接続用配線のみを回
路基板上で接続可能に配した構成、又は端部4C及び4
dに接続された接続用配線のみを回路基板上で接続可能
に配した構成とすることもできる。
に接続された接続用配線とが回路基板上で互いに接続可
能に配されている。尚、本実施例に於て、端部4b及び
4Cには接続用配線を接続しない構成としてもよい。ま
た、端部4a及び4bに接続された接続用配線のみを回
路基板上で接続可能に配した構成、又は端部4C及び4
dに接続された接続用配線のみを回路基板上で接続可能
に配した構成とすることもできる。
第2図に、本実施例の表示電極基板の予備配線3aとソ
ースバス配線1との交差部を、透明基板側から見た平面
図を示す。第3図に第2図の■−■線に沿った断面図を
示す。透明基板16上の全面に、T a 20g、A
J 206、Si3N4等からなるベーx:y−ト11
7が形成され、ベースコート膜17上に予備配線3aが
形成されている。予備配線3aは低反射率層33B、低
抵抗金属層13B及び上層金属層23aを有している。
ースバス配線1との交差部を、透明基板側から見た平面
図を示す。第3図に第2図の■−■線に沿った断面図を
示す。透明基板16上の全面に、T a 20g、A
J 206、Si3N4等からなるベーx:y−ト11
7が形成され、ベースコート膜17上に予備配線3aが
形成されている。予備配線3aは低反射率層33B、低
抵抗金属層13B及び上層金属層23aを有している。
低反射率層33aにはTa、 Mo、TI等の光の反
射率の低い金属が用いられる。低抵抗金属層13aには
A1、Au、Ag等の抵抗値の低い金属が用いられる。
射率の低い金属が用いられる。低抵抗金属層13aには
A1、Au、Ag等の抵抗値の低い金属が用いられる。
上層金属層23aには、この表示電極基板の作製プロセ
スに於いて使用されるエッチャント等に対する耐性の大
きい金属、例えば、TaSMo、TI、Ni等が用いら
れる。低抵抗金属層13aを上層金属層23aで覆うこ
とにより、表示電極基板の作製プロセスに於て低抵抗金
属層13aがエッチャント等によって損傷を受けるのを
防止することができる。
スに於いて使用されるエッチャント等に対する耐性の大
きい金属、例えば、TaSMo、TI、Ni等が用いら
れる。低抵抗金属層13aを上層金属層23aで覆うこ
とにより、表示電極基板の作製プロセスに於て低抵抗金
属層13aがエッチャント等によって損傷を受けるのを
防止することができる。
上層金111M123a上にはS INX% Ta2’
s等からなる絶縁膜18が形成され、更にこの表示電極
基板の全面に、S INx、Ta2ks等からなる絶縁
膜19が形成されている。第2図に示すように、予備配
置!3aとソースバス配線lとの交差部には、S i
81% T a20s等からなる絶縁膜22が挟まれて
いる。第3図に示すように、絶縁膜22は絶縁膜19上
に形成されている。従って、予備配線3aとソースバス
配線lとは、3層の絶縁11118.19及び22を挟
んで交差している。ソースバス配線lが形成された表示
電極基板上の全面には、保、JI[20及び配向膜21
が形成されている。
s等からなる絶縁膜18が形成され、更にこの表示電極
基板の全面に、S INx、Ta2ks等からなる絶縁
膜19が形成されている。第2図に示すように、予備配
置!3aとソースバス配線lとの交差部には、S i
81% T a20s等からなる絶縁膜22が挟まれて
いる。第3図に示すように、絶縁膜22は絶縁膜19上
に形成されている。従って、予備配線3aとソースバス
配線lとは、3層の絶縁11118.19及び22を挟
んで交差している。ソースバス配線lが形成された表示
電極基板上の全面には、保、JI[20及び配向膜21
が形成されている。
この基板のソースバス配線1に断線が生じた場合の修正
方法は、前述と同様である。第1図に示すようにソース
バス配線1bに断線部5が生じている場合には、不良ソ
ースバス配線1bと予備配線3aとが、交差部5aにレ
ーザ光を照射することによって電気的に接続される。同
様に、不1ソースバス配線1bと予備配線3bとが、交
差部5bにレーザ光を照射することによって電気的に接
続される。第4図にレーザ光照射後の交差部5aの不良
ソースバス配線1bに沿った断面図を示す。
方法は、前述と同様である。第1図に示すようにソース
バス配線1bに断線部5が生じている場合には、不良ソ
ースバス配線1bと予備配線3aとが、交差部5aにレ
ーザ光を照射することによって電気的に接続される。同
様に、不1ソースバス配線1bと予備配線3bとが、交
差部5bにレーザ光を照射することによって電気的に接
続される。第4図にレーザ光照射後の交差部5aの不良
ソースバス配線1bに沿った断面図を示す。
予備配線3a及びソースバス配線1bはレーザ光照射に
よって溶融され、それとと共に絶縁膜18.19及び2
2の破壊が起こる。溶融した予備配線3aとソースバス
配線1bとは互いに電気的に接続される。本実施例では
予備配置f13aは低反射率層33aを有しているので
、照射されたレーザ光は該低反射率層33aに効率よく
吸収される。従って、低出力のレーザ光によっても容易
に予備配線3aを溶融させることができる。
よって溶融され、それとと共に絶縁膜18.19及び2
2の破壊が起こる。溶融した予備配線3aとソースバス
配線1bとは互いに電気的に接続される。本実施例では
予備配置f13aは低反射率層33aを有しているので
、照射されたレーザ光は該低反射率層33aに効率よく
吸収される。従って、低出力のレーザ光によっても容易
に予備配線3aを溶融させることができる。
更に、前述の回路基板上に於て、予備配線3a及び3b
に接続された2つの接続用配線が互いに電気的に接続さ
れる。このように31f所で電気的接続を行うことによ
り、不良ソースバス配線1bの断線部5の両端の部分が
、回路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される
。
に接続された2つの接続用配線が互いに電気的に接続さ
れる。このように31f所で電気的接続を行うことによ
り、不良ソースバス配線1bの断線部5の両端の部分が
、回路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される
。
本実施例では予備配線3aは低抵抗金属層13aを有し
ているので、このようにして修正を行っても、修正後の
不良ソースバス配線の電気抵抗を殆ど増大させることな
く断線部分を修正することができる。
ているので、このようにして修正を行っても、修正後の
不良ソースバス配線の電気抵抗を殆ど増大させることな
く断線部分を修正することができる。
本実施例では予備配線3a及び3bは全てのソースハス
配線lと交差しているが、ソースバス配線1の一部にの
み交差する構成としてもよい。また、本実施例では予備
配線3a及び3bはソースハス配線1に交差して設けら
れているが、ゲートバス配線2に交差するように設けて
もよい。更に、ゲートバス配線2及びソースバス配線1
のそれぞれに交差する予備配線を設けた構成とすること
もできる。
配線lと交差しているが、ソースバス配線1の一部にの
み交差する構成としてもよい。また、本実施例では予備
配線3a及び3bはソースハス配線1に交差して設けら
れているが、ゲートバス配線2に交差するように設けて
もよい。更に、ゲートバス配線2及びソースバス配線1
のそれぞれに交差する予備配線を設けた構成とすること
もできる。
また、本実施例では透過型の液晶表示装置を示したが、
本発明は反射型の表示装置にも用いることができる。ま
た、本実施例ではTPTを用いたアクティブマトリクス
型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではない。本発明はM I M (Met
al−insulator−metal)素子、ダイオ
ード、バリスタ等のスイッチング素子を用いた広範囲の
表示装置にも適用することができる。更に、表示媒体と
して、薄膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体
等を用いた各種の表示装置に適用することができる。
本発明は反射型の表示装置にも用いることができる。ま
た、本実施例ではTPTを用いたアクティブマトリクス
型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではない。本発明はM I M (Met
al−insulator−metal)素子、ダイオ
ード、バリスタ等のスイッチング素子を用いた広範囲の
表示装置にも適用することができる。更に、表示媒体と
して、薄膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体
等を用いた各種の表示装置に適用することができる。
(発明の効果)
本発明のマトリクス型表示装置は、低抵抗で、しかも、
低出力のエネルギー照射によって溶融させることができ
る予備配線を有しているので、表示装置の大型化が進ん
でも抵抗値を増大させることなくバス配線の断線を容易
に修正することができる。従って、本発明によれば表示
装置の歩留りが向上し、コストダウンが可能となる。
低出力のエネルギー照射によって溶融させることができ
る予備配線を有しているので、表示装置の大型化が進ん
でも抵抗値を増大させることなくバス配線の断線を容易
に修正することができる。従って、本発明によれば表示
装置の歩留りが向上し、コストダウンが可能となる。
4、 の な! 8
第1図は本発明のマトリクス型表示装置に用いられる表
示電極基板の概略平面図、第2図は予備配線とソースバ
ス配線との交差部を透明基板側から見た平面図、第3図
は第2図のm−m線に沿った断面図、第4図はレーザ光
照射後の交差部の断面図、第5図はマトリクス型表示装
置の改良例に用いられる表示電極基板を透明基板側から
見た平面図、第6図は第5図のVl−Vl線に沿った交
差部の断面図、第7図は第6図の交差部にレーザ光照射
した後の断面図である。
示電極基板の概略平面図、第2図は予備配線とソースバ
ス配線との交差部を透明基板側から見た平面図、第3図
は第2図のm−m線に沿った断面図、第4図はレーザ光
照射後の交差部の断面図、第5図はマトリクス型表示装
置の改良例に用いられる表示電極基板を透明基板側から
見た平面図、第6図は第5図のVl−Vl線に沿った交
差部の断面図、第7図は第6図の交差部にレーザ光照射
した後の断面図である。
1、la・・・ソースバス配線、2・・・ゲートバス配
線、3a、3b・・・予備配線、5・・・断線部、5a
。
線、3a、3b・・・予備配線、5・・・断線部、5a
。
5b・・・交差部、13a・・・低抵抗金属層、16・
・・透明基板、17・・・ベースフート膜、18 19
22・・・絶縁膜、20・・・保護膜、21・・・配
向膜、23a・・・上層金属層、33a・・・低反射率
層。
・・透明基板、17・・・ベースフート膜、18 19
22・・・絶縁膜、20・・・保護膜、21・・・配
向膜、23a・・・上層金属層、33a・・・低反射率
層。
第1区
42区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、マトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極
の間にそれぞれ一方向に列をなして縦横に配線された走
査線及び信号線と、該走査線及び該信号線の列の少なく
とも一方の列の少なくとも一部の線の両端部のそれぞれ
に於て該一部の線と絶縁膜を介して交差する予備配線と
、を有する表示電極基板を備え、 該予備配線が少なくとも低抵抗金属層と低反射率層との
2層を有し、該一部の線の一方の端部と交差する該予備
配線の少なくとも一方の端部に接続された接続用配線と
、該一部の線の他方の端部と交差する該予備配線の少な
くとも一方の端部に接続された接続用配線とが、該表示
電極基板の外部で互いに接続可能に配されているマトリ
クス型表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2146858A JPH0437824A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | マトリクス型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2146858A JPH0437824A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | マトリクス型表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0437824A true JPH0437824A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15417154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2146858A Pending JPH0437824A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | マトリクス型表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0437824A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6023310A (en) * | 1997-02-06 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal display with repeating repair line pattern |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP2146858A patent/JPH0437824A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6023310A (en) * | 1997-02-06 | 2000-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal display with repeating repair line pattern |
US6078369A (en) * | 1997-02-06 | 2000-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating an active matrix liquid crystal display with repeating repair line pattern |
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