JPH04372385A - ウェハー搬送ロボット - Google Patents
ウェハー搬送ロボットInfo
- Publication number
- JPH04372385A JPH04372385A JP17468891A JP17468891A JPH04372385A JP H04372385 A JPH04372385 A JP H04372385A JP 17468891 A JP17468891 A JP 17468891A JP 17468891 A JP17468891 A JP 17468891A JP H04372385 A JPH04372385 A JP H04372385A
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- wafer
- carrier robot
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Landscapes
- Manipulator (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェハー搬送ロボット、
特にクリーンルーム内で作動する半導体製造用ウェハー
搬送ロボットに関するものである。
特にクリーンルーム内で作動する半導体製造用ウェハー
搬送ロボットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２，図３において１はウェハー搬送ロ
ボット、２はその回転ドラム、３，４は夫々駆動モータ
を内蔵する互いに連結したアーム、５はアーム４の先端
に固定したフィンガーを示し、このフィンガー５の先端
にはウェハー保持部６が形成されている。
ボット、２はその回転ドラム、３，４は夫々駆動モータ
を内蔵する互いに連結したアーム、５はアーム４の先端
に固定したフィンガーを示し、このフィンガー５の先端
にはウェハー保持部６が形成されている。
【０００３】半導体産業の高集積化の牽引力となってい
るＤＲＡＭは、４Ｍビットの本格的な量産体制に入ろう
としている。このような半導体製造に用いるウェハーは
一般にクリーンルーム内で処理されているが、今後とも
、粒子・ガス・イオンなどの多岐の形態にわたる汚染物
質の制御は、一層厳しいものになって行くと考えられる
。これらの汚染物質のうち、粒子の沈着に関連する分野
では、多くの理論的・実験的研究がなされている。これ
らの研究の成果の１つとして、サブミクロン以下の粒子
沈着には、特に静電気力の寄与の大きいことが解明され
ている。
るＤＲＡＭは、４Ｍビットの本格的な量産体制に入ろう
としている。このような半導体製造に用いるウェハーは
一般にクリーンルーム内で処理されているが、今後とも
、粒子・ガス・イオンなどの多岐の形態にわたる汚染物
質の制御は、一層厳しいものになって行くと考えられる
。これらの汚染物質のうち、粒子の沈着に関連する分野
では、多くの理論的・実験的研究がなされている。これ
らの研究の成果の１つとして、サブミクロン以下の粒子
沈着には、特に静電気力の寄与の大きいことが解明され
ている。
【０００４】また、これらの微粒子の発生源としては、
クリーンルーム内の自動化の進展に伴い、クリーンルー
ム自身や人体から製造装置へと変化している。半導体製
造装置では、減圧下で動作するものが多く、反応ガスの
急激な圧力低下・断熱膨張によって粒子の成長が促進さ
れ、装置内壁に沈着する。ゲート開放時の圧力のアンバ
ランスなどから装置内のウェハーだけでなく、装置近傍
の搬送中のウェハーにまで粒子汚染の危険が及ぶことに
なる。
クリーンルーム内の自動化の進展に伴い、クリーンルー
ム自身や人体から製造装置へと変化している。半導体製
造装置では、減圧下で動作するものが多く、反応ガスの
急激な圧力低下・断熱膨張によって粒子の成長が促進さ
れ、装置内壁に沈着する。ゲート開放時の圧力のアンバ
ランスなどから装置内のウェハーだけでなく、装置近傍
の搬送中のウェハーにまで粒子汚染の危険が及ぶことに
なる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体製
造においてはクリーンルーム内をＵＬＰＡフィルターを
用いて清浄ならしめているが、半導体製造において特に
ウェハー搬送ロボット及びその駆動モータから発生し、
ウェハーに対し有害となる１μｍ〜０．１μｍ、特に０
．３μｍ程度の粒子沈着を抑える方法として有効なもの
は現在提案されていない。本発明は上記の要望を達成す
ることを目的とする。
造においてはクリーンルーム内をＵＬＰＡフィルターを
用いて清浄ならしめているが、半導体製造において特に
ウェハー搬送ロボット及びその駆動モータから発生し、
ウェハーに対し有害となる１μｍ〜０．１μｍ、特に０
．３μｍ程度の粒子沈着を抑える方法として有効なもの
は現在提案されていない。本発明は上記の要望を達成す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハー搬送ロ
ボットは半導体製造用ウェハーを載置するウェハー保持
部に加熱機構を設け、上記ウェハー保持部によって保持
されたウェハーを加熱してこれを雰囲気温度より高い温
度ならしめることを特徴とする。
ボットは半導体製造用ウェハーを載置するウェハー保持
部に加熱機構を設け、上記ウェハー保持部によって保持
されたウェハーを加熱してこれを雰囲気温度より高い温
度ならしめることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下図面によって本発明の実施例を説明する
。
。
【０００８】本発明者は種々実験，研究の結果ウェハー
を雰囲気温度より約１０℃以上に加熱すれば上記粒子の
沈着を抑え得ることを見出した。
を雰囲気温度より約１０℃以上に加熱すれば上記粒子の
沈着を抑え得ることを見出した。
【０００９】本発明は上記実験結果をもとにして成され
たものであって、本発明においては図１に示すようにウ
ェハー保持部６をアルミニウム等の金属板７と、この金
属板７に下面に取り付けたシリコンラバーヒーター等の
ヒーター８と、上記金属板７の上面に電気的絶縁板９を
介して載置した接地用金属板１０とにより構成せしめ、
上記接地用金属板１０上にウェハーを載せたときウェハ
ーを雰囲気温度より約１０℃以上、好ましくは２０℃〜
３０℃以上高く加熱できるようにすると共に、必要に応
じて接地用金属板１０を接地しウェハーの帯電を除去で
きるようにする。
たものであって、本発明においては図１に示すようにウ
ェハー保持部６をアルミニウム等の金属板７と、この金
属板７に下面に取り付けたシリコンラバーヒーター等の
ヒーター８と、上記金属板７の上面に電気的絶縁板９を
介して載置した接地用金属板１０とにより構成せしめ、
上記接地用金属板１０上にウェハーを載せたときウェハ
ーを雰囲気温度より約１０℃以上、好ましくは２０℃〜
３０℃以上高く加熱できるようにすると共に、必要に応
じて接地用金属板１０を接地しウェハーの帯電を除去で
きるようにする。
【００１０】尚本発明における粒子沈着阻止効果は下記
のような実験により確かめた。
のような実験により確かめた。
【００１１】Ａｒレーザー（出力４Ｗ）のシート状ビー
ムを、ウェハー表面上に約７．３°の角度で照射し、表
面近傍に到達した粒子の前方錯乱光により粒子を可視化
した。これらの可視化粒子の挙動をイメージインテンシ
ファイアを内蔵したカメラを通してＶＴＲに収録し、ウ
ェハー表面上の粒子沈着数及び分布を測定した。粒子濃
度は、発生ノズルの直下０．０１ｍの位置においてＫＣ
−０１Ａ（リオン製：吸引流量５×１０−４ｍ３ ／ｍ
ｉｎ．）でサンプリングを行い、後でウェハー面上の濃
度に換算した。
ムを、ウェハー表面上に約７．３°の角度で照射し、表
面近傍に到達した粒子の前方錯乱光により粒子を可視化
した。これらの可視化粒子の挙動をイメージインテンシ
ファイアを内蔵したカメラを通してＶＴＲに収録し、ウ
ェハー表面上の粒子沈着数及び分布を測定した。粒子濃
度は、発生ノズルの直下０．０１ｍの位置においてＫＣ
−０１Ａ（リオン製：吸引流量５×１０−４ｍ３ ／ｍ
ｉｎ．）でサンプリングを行い、後でウェハー面上の濃
度に換算した。
【００１２】尚上記レーザー可視化法による粒子の検出
限界は０．３μｍ程度であり、これより小さい粒子の沈
着阻止効果は確認できなかったが、蛍光粒子を用いた蛍
光分析を用いれば０．３μｍ以下の粒子沈着阻止効果も
明らかになるものと思われる。
限界は０．３μｍ程度であり、これより小さい粒子の沈
着阻止効果は確認できなかったが、蛍光粒子を用いた蛍
光分析を用いれば０．３μｍ以下の粒子沈着阻止効果も
明らかになるものと思われる。
【００１３】
【発明の効果】本発明のウェハー搬送ロボットは上記の
ような構成であるから、ヒーター８によってウェハーを
加熱することによってウェハー搬送ロボット及びその駆
動モータから発生し、ウェハーに対し有害となる１μｍ
〜０．１μｍ、特に０．３μｍ程度の粒子沈着を有効に
阻止し、必要に応じてウェハーに生じた帯電を除去して
粒子沈着阻止効果を向上できる大きな利益がある。
ような構成であるから、ヒーター８によってウェハーを
加熱することによってウェハー搬送ロボット及びその駆
動モータから発生し、ウェハーに対し有害となる１μｍ
〜０．１μｍ、特に０．３μｍ程度の粒子沈着を有効に
阻止し、必要に応じてウェハーに生じた帯電を除去して
粒子沈着阻止効果を向上できる大きな利益がある。
【図１】本発明のウェハー搬送ロボットのウェハー保持
部の詳細説明用断面図である。
部の詳細説明用断面図である。
【図２】ウェハー搬送ロボットの説明用正面図である。
【図３】ウェハー搬送ロボットのフィンガー部分の平面
図である。
図である。
１ ウェハー搬送ロボット
２ 回転ドラム
３ アーム
４ アーム
５ フィンガー
６ ウェハー保持部
７ 金属板
８ ヒーター
９ 絶縁板
１０ 接地用金属板
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造用ウェハーを載置するウェ
ハー保持部に加熱機構を設け、上記ウェハー保持部によ
って保持されたウェハーを加熱してこれを雰囲気温度よ
り高い温度ならしめることを特徴とするウェハー搬送ロ
ボット。 - 【請求項２】 上記ウェハー保持部の上面に接地用金
属板を設けたことを特徴とする請求項１記載のウェハー
搬送ロボット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174688A JPH0733174B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ウェハー搬送ロボット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174688A JPH0733174B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ウェハー搬送ロボット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372385A true JPH04372385A (ja) | 1992-12-25 |
| JPH0733174B2 JPH0733174B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15982948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3174688A Expired - Lifetime JPH0733174B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ウェハー搬送ロボット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733174B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005354025A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
| JP2009231845A (ja) * | 2004-12-30 | 2009-10-08 | Asml Netherlands Bv | 基板ハンドラ |
| US8411252B2 (en) | 2004-12-23 | 2013-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107755A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Tatsuo Matsuda | 電話の通話相手呼び出し装置 |
| JPS5939040A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | チツプ部品取外し装置 |
| JPS63133644A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ搬送フオ−ク |
| JPS63187631A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3174688A patent/JPH0733174B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107755A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Tatsuo Matsuda | 電話の通話相手呼び出し装置 |
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| JPS63133644A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ搬送フオ−ク |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005354025A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
| JP4623715B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構及び該基板搬送機構を備える基板搬送装置 |
| US8411252B2 (en) | 2004-12-23 | 2013-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
| JP2009231845A (ja) * | 2004-12-30 | 2009-10-08 | Asml Netherlands Bv | 基板ハンドラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733174B2 (ja) | 1995-04-12 |
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