JPH04370919A - フォトレジスト現像装置 - Google Patents
フォトレジスト現像装置Info
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- JPH04370919A JPH04370919A JP17463991A JP17463991A JPH04370919A JP H04370919 A JPH04370919 A JP H04370919A JP 17463991 A JP17463991 A JP 17463991A JP 17463991 A JP17463991 A JP 17463991A JP H04370919 A JPH04370919 A JP H04370919A
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- Japan
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- temperature
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- board
- wiring board
- multilayer wiring
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はフォトレジスト現像装置に関し、
特にセラミック基板の表面にフォトレジストを現像する
フォトレジスト現像装置に関する。
特にセラミック基板の表面にフォトレジストを現像する
フォトレジスト現像装置に関する。
【０００２】
【従来技術】多層配線基板の信号線は幅が約３０μｍ、
厚さが約１０μｍと集積回路のものよりも幅および厚さ
ともに大きいため、メッキ法によって形成されている。 このメッキ法によってメッキを行う前に、多層配線基板
にフォトレジストを塗布してから露光し、その後に現像
することによって信号線部分だけを露出し、その部分に
メッキを形成する。
厚さが約１０μｍと集積回路のものよりも幅および厚さ
ともに大きいため、メッキ法によって形成されている。 このメッキ法によってメッキを行う前に、多層配線基板
にフォトレジストを塗布してから露光し、その後に現像
することによって信号線部分だけを露出し、その部分に
メッキを形成する。
【０００３】これらの工程の中で、現像工程は露光され
ることによって現像液に可溶となったフォトレジストを
現像液に溶出させる工程であり、現像温度によって現像
性が大きく左右される。
ることによって現像液に可溶となったフォトレジストを
現像液に溶出させる工程であり、現像温度によって現像
性が大きく左右される。
【０００４】しかしながら、従来のフォトレジスト現像
装置においては、多層配線基板に滴下される現像液の温
度が厳密にコントロールされているのに対して、多層配
線基板自体の温度はコントロールされていない。そのた
め、多層配線基板自体の温度と現像液の温度とが異なる
場合には、現像のコントロールが困難となり、同じ現像
時間で現像したとしても現像前の多層配線基板自体の温
度によって現像性が異なってくるという欠点がある。
装置においては、多層配線基板に滴下される現像液の温
度が厳密にコントロールされているのに対して、多層配
線基板自体の温度はコントロールされていない。そのた
め、多層配線基板自体の温度と現像液の温度とが異なる
場合には、現像のコントロールが困難となり、同じ現像
時間で現像したとしても現像前の多層配線基板自体の温
度によって現像性が異なってくるという欠点がある。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記のような従来のものの欠点
を除去すべくなされたもので、現像時間に対する現像性
を常に一定とすることができるフォトレジスト現像装置
の提供を目的とする。
を除去すべくなされたもので、現像時間に対する現像性
を常に一定とすることができるフォトレジスト現像装置
の提供を目的とする。
【０００６】
【発明の構成】本発明によるフォトレジスト現像装置は
、フォトレジストが塗布された後に露光された被現像物
体に現像液を滴下して現像を行うフォトレジスト現像装
置であって、前記被現像物体に前記現像液を滴下する前
に前記被現像物体の温度を前記現像液の温度と略同一と
する手段を設けたことを特徴とする。
、フォトレジストが塗布された後に露光された被現像物
体に現像液を滴下して現像を行うフォトレジスト現像装
置であって、前記被現像物体に前記現像液を滴下する前
に前記被現像物体の温度を前記現像液の温度と略同一と
する手段を設けたことを特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、フォトレジスト現像装置１はセラミッ
ク基板を用いた多層配線基板３を製造するために、セラ
ミック基板の表面に塗布されたフォトレジストを現像す
るためのものである。この多層配線基板３はセラミック
基板上に蒸着法またはスパッタ法によって金属薄膜が形
成される。この金属薄膜の上に例えば回転塗布方法によ
ってフォトレジストが塗布されてからオーブン（図示せ
ず）によって乾燥され、露光装置（図示せず）によって
所望の部分だけが露光された状態となっている。
る。図において、フォトレジスト現像装置１はセラミッ
ク基板を用いた多層配線基板３を製造するために、セラ
ミック基板の表面に塗布されたフォトレジストを現像す
るためのものである。この多層配線基板３はセラミック
基板上に蒸着法またはスパッタ法によって金属薄膜が形
成される。この金属薄膜の上に例えば回転塗布方法によ
ってフォトレジストが塗布されてからオーブン（図示せ
ず）によって乾燥され、露光装置（図示せず）によって
所望の部分だけが露光された状態となっている。
【０００９】この状態の多層配線基板３がフォトレジス
ト現像装置１のロード部２にセットされると、搬送用ア
ーム４はロード部２から多層配線基板３を取出して温度
制御用板５にセットする。温度制御用板５内には水など
の媒体を流すために配管６が通っており、その水などの
媒体は温度制御部７によって現像液と同一温度となるよ
うに制御されている。
ト現像装置１のロード部２にセットされると、搬送用ア
ーム４はロード部２から多層配線基板３を取出して温度
制御用板５にセットする。温度制御用板５内には水など
の媒体を流すために配管６が通っており、その水などの
媒体は温度制御部７によって現像液と同一温度となるよ
うに制御されている。
【００１０】多層配線基板３を温度制御用板５に載置す
る場合、多層配線基板３の裏面全体が温度制御用板５に
接触するコンタクト方式でも、あるいは多層配線基板３
と温度制御用板５との間に若干のギャップを設けるプロ
キシミティ方式でもよい。本実施例ではコンタクト方式
を用いている。
る場合、多層配線基板３の裏面全体が温度制御用板５に
接触するコンタクト方式でも、あるいは多層配線基板３
と温度制御用板５との間に若干のギャップを設けるプロ
キシミティ方式でもよい。本実施例ではコンタクト方式
を用いている。
【００１１】多層配線基板３は温度制御用板５によって
現像液と同一温度とされると、搬送用アーム４によって
現像部に移動される。現像部における多層配線基板３の
現像方法としてはディップ方式やスプレー方式、および
パドル方式があるが、本実施例ではパドル方式を用いて
いる。
現像液と同一温度とされると、搬送用アーム４によって
現像部に移動される。現像部における多層配線基板３の
現像方法としてはディップ方式やスプレー方式、および
パドル方式があるが、本実施例ではパドル方式を用いて
いる。
【００１２】現像部に移動した多層配線基板３は回転機
構部８に固定され、その後に温度制御部７で温度制御さ
れた現像液が現像液滴下ノズル９から多層配線基板３に
一定量滴下される。現像液および配管６を流れる媒体の
温度制御は、同一の温度制御部７によって行ってもよい
し、各々異なる温度制御部で行ってもよい。
構部８に固定され、その後に温度制御部７で温度制御さ
れた現像液が現像液滴下ノズル９から多層配線基板３に
一定量滴下される。現像液および配管６を流れる媒体の
温度制御は、同一の温度制御部７によって行ってもよい
し、各々異なる温度制御部で行ってもよい。
【００１３】現像液が一定量滴下された多層配線基板３
は一定時間静止され、その現像液による現像が行われる
。この後に、多層配線基板３は回転機構部８によって回
転され、表面上に付着した現像液が取り除かれる。上記
の現像液の滴下および現像液の除去は一回または複数回
行われる。
は一定時間静止され、その現像液による現像が行われる
。この後に、多層配線基板３は回転機構部８によって回
転され、表面上に付着した現像液が取り除かれる。上記
の現像液の滴下および現像液の除去は一回または複数回
行われる。
【００１４】多層配線基板３の表面上に付着した現像液
が除去されると同時に、リンス液がリンス液ノズル１０
から多層配線基板３に滴下され、多層配線基板３の表面
のリンスが行われる。このリンス完了後、多層配線基板
３は搬送用アーム４によってアンロード部１１に移動さ
れる。
が除去されると同時に、リンス液がリンス液ノズル１０
から多層配線基板３に滴下され、多層配線基板３の表面
のリンスが行われる。このリンス完了後、多層配線基板
３は搬送用アーム４によってアンロード部１１に移動さ
れる。
【００１５】このように、温度制御部７によって温度制
御された温度制御用板５上で多層配線基板３を現像液と
同一温度とした後に回転機構部８に固定し、この多層配
線基板３上に温度制御部７で温度制御された現像液を現
像液滴下ノズル９から滴下するようにすることによって
、多層配線基板３を現像液と同一温度にコントロールし
ながら現像することができるので、現像時間に対する現
像性を常に一定とすることができる。
御された温度制御用板５上で多層配線基板３を現像液と
同一温度とした後に回転機構部８に固定し、この多層配
線基板３上に温度制御部７で温度制御された現像液を現
像液滴下ノズル９から滴下するようにすることによって
、多層配線基板３を現像液と同一温度にコントロールし
ながら現像することができるので、現像時間に対する現
像性を常に一定とすることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ォトレジストが塗布された後に露光された被現像物体の
温度を現像液の温度と略同一とするようにすることによ
って、現像時間に対する現像性を常に一定とすることが
できるという効果がある。
ォトレジストが塗布された後に露光された被現像物体の
温度を現像液の温度と略同一とするようにすることによ
って、現像時間に対する現像性を常に一定とすることが
できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
１ フォトレジスト現像装置
５ 温度制御用板
６ 配管
７ 温度制御部
８ 回転機構部
９ 現像液滴下ノズル
Claims (1)
- 【請求項１】 フォトレジストが塗布された後に露光
された被現像物体に現像液を滴下して現像を行うフォト
レジスト現像装置であって、前記被現像物体に前記現像
液を滴下する前に前記被現像物体の温度を前記現像液の
温度と略同一とする手段を設けたことを特徴とするフォ
トレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463991A JPH04370919A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | フォトレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463991A JPH04370919A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | フォトレジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370919A true JPH04370919A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15982111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17463991A Pending JPH04370919A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | フォトレジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04370919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011151326A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP17463991A patent/JPH04370919A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011151326A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム |
| TWI495963B (zh) * | 2010-01-25 | 2015-08-11 | Tokyo Electron Ltd | Imaging processing methods, programs, computer memory media and imaging processing system |
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