JPH04356974A - フォトカプラ及び半導体リレー - Google Patents
フォトカプラ及び半導体リレーInfo
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- JPH04356974A JPH04356974A JP3138306A JP13830691A JPH04356974A JP H04356974 A JPH04356974 A JP H04356974A JP 3138306 A JP3138306 A JP 3138306A JP 13830691 A JP13830691 A JP 13830691A JP H04356974 A JPH04356974 A JP H04356974A
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- semiconductor relay
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトカプラ及び半導
体リレーに関する。具体的にいうと、本発明は、発光素
子から出力された光信号をフォトダイオードやフォトト
ランジスタ等の光起電力素子で電気信号に変換するフォ
トカプラに関する。また、そのフォトカプラを利用した
半導体リレーに関する。
体リレーに関する。具体的にいうと、本発明は、発光素
子から出力された光信号をフォトダイオードやフォトト
ランジスタ等の光起電力素子で電気信号に変換するフォ
トカプラに関する。また、そのフォトカプラを利用した
半導体リレーに関する。
【0002】
【従来の技術】(半導体リレーについて)図8は半導体
リレーの電気回路図を示す。破線1で囲まれた部分は発
光ダイオード(LED)のような発光素子2とフォトダ
イオードやフォトトランジスタ等の光起電力素子3とか
らなるフォトカプラ、4は駆動回路、5a,5bは負荷
回路に接続されるMOS型トランジスタである。
リレーの電気回路図を示す。破線1で囲まれた部分は発
光ダイオード(LED)のような発光素子2とフォトダ
イオードやフォトトランジスタ等の光起電力素子3とか
らなるフォトカプラ、4は駆動回路、5a,5bは負荷
回路に接続されるMOS型トランジスタである。
【0003】しかして、1次側入力端子6a,6bに電
流が流れると発光素子2が発光し、光起電力素子3の両
端で起電圧が発生し、駆動回路4を通してMOS型トラ
ンジスタ5a,5bを駆動する。このMOS型トランジ
スタ5a,5bのオン、オフによって出力端子7a,7
b間に接続された負荷が開閉される。また、1次側入力
端子6a,6bと出力端子7a,7bとは、破線1で囲
んだ部分の回路によっって電気的に絶縁されている。
流が流れると発光素子2が発光し、光起電力素子3の両
端で起電圧が発生し、駆動回路4を通してMOS型トラ
ンジスタ5a,5bを駆動する。このMOS型トランジ
スタ5a,5bのオン、オフによって出力端子7a,7
b間に接続された負荷が開閉される。また、1次側入力
端子6a,6bと出力端子7a,7bとは、破線1で囲
んだ部分の回路によっって電気的に絶縁されている。
【0004】(従来例のフォトカプラについて)図9は
図8の半導体リレーの破線1で囲んだ部分の回路を構成
する従来例のフォトカプラ11を示す。このフォトカプ
ラ11は、例えばデュアルインラインパッケージ(DI
P)型となっており、一対のリードフレーム12,13
の端部が上下に対向しており、下方のリードフレーム1
3の上面には発光素子2が実装され、上方のリードフレ
ーム12の下面には光起電力素子3が実装されており、
発光素子2及び光起電力素子3はそれぞれ所定のリード
フレームにワイヤーボンディングされている。さらに、
発光素子2と光起電力素子3との間には光を透過する絶
縁樹脂14を充填し、全体を黒色エポキシ樹脂等のパッ
ケ−ジ15でモールドしてある。
図8の半導体リレーの破線1で囲んだ部分の回路を構成
する従来例のフォトカプラ11を示す。このフォトカプ
ラ11は、例えばデュアルインラインパッケージ(DI
P)型となっており、一対のリードフレーム12,13
の端部が上下に対向しており、下方のリードフレーム1
3の上面には発光素子2が実装され、上方のリードフレ
ーム12の下面には光起電力素子3が実装されており、
発光素子2及び光起電力素子3はそれぞれ所定のリード
フレームにワイヤーボンディングされている。さらに、
発光素子2と光起電力素子3との間には光を透過する絶
縁樹脂14を充填し、全体を黒色エポキシ樹脂等のパッ
ケ−ジ15でモールドしてある。
【0005】しかしながら、上記のように従来のフォト
カプラ11は、立体的に構成されているため、形状が大
きく、特に厚みが大きいという欠点があった。
カプラ11は、立体的に構成されているため、形状が大
きく、特に厚みが大きいという欠点があった。
【0006】また、このようなフォトカプラ11は、発
光素子2と光起電力素子3の相互の位置関係を一定に保
つように組み立てないと、光起電力素子3への光の照射
量のばらつきが増大していた。
光素子2と光起電力素子3の相互の位置関係を一定に保
つように組み立てないと、光起電力素子3への光の照射
量のばらつきが増大していた。
【0007】(従来例の半導体リレーについて)従来の
半導体リレーは、図9のような形状の大きなフォトカプ
ラ11を用い、このフォトカプラ11と駆動回路4とM
OS型トランジスタ5a,5bとを組み合わせ、配線回
路基板等に実装することによって製作されているので、
実装スペースが大きくなり、小型の半導体リレーを製作
できないという問題があった。
半導体リレーは、図9のような形状の大きなフォトカプ
ラ11を用い、このフォトカプラ11と駆動回路4とM
OS型トランジスタ5a,5bとを組み合わせ、配線回
路基板等に実装することによって製作されているので、
実装スペースが大きくなり、小型の半導体リレーを製作
できないという問題があった。
【0008】また、半導体リレーの別な従来例を図10
(a)(b)に示す。これは、図9のような構造のフォ
トカプラのパッケージ15内で駆動回路4(図10には
表れていない。)及びMOS型トランジスタ5a,5b
をリードフレーム22,23等に取り付け、図8で表し
たような回路全体を一体にパッケージしたものである。
(a)(b)に示す。これは、図9のような構造のフォ
トカプラのパッケージ15内で駆動回路4(図10には
表れていない。)及びMOS型トランジスタ5a,5b
をリードフレーム22,23等に取り付け、図8で表し
たような回路全体を一体にパッケージしたものである。
【0009】しかしながら、このような一体型の半導体
リレー21にあっては、異なる仕様の半導体リレーを作
製する際には、図8に示す回路全体の実装を最初から設
計する必要がある。特に、各仕様の半導体リレーの設計
時及び生産時においては、半導体リレーの作製時に最も
問題となる発光素子と光起電力素子の相互の位置関係に
も注意を払う必要が生じ、設計効率及び生産歩留りが低
いという問題があった。また、図9のようなフォトカプ
ラ11を本体として半導体リレー21が構成されている
ため、半導体リレーを十分に小型化することができなか
った。
リレー21にあっては、異なる仕様の半導体リレーを作
製する際には、図8に示す回路全体の実装を最初から設
計する必要がある。特に、各仕様の半導体リレーの設計
時及び生産時においては、半導体リレーの作製時に最も
問題となる発光素子と光起電力素子の相互の位置関係に
も注意を払う必要が生じ、設計効率及び生産歩留りが低
いという問題があった。また、図9のようなフォトカプ
ラ11を本体として半導体リレー21が構成されている
ため、半導体リレーを十分に小型化することができなか
った。
【0010】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その第1の目的とするところは、薄型
のコンパクトなフォトカプラを提供することにある。ま
た、第2の目的とするところは、半導体リレーを小型化
すると共に、共用性の高い部分を一体化することにより
、設計効率及び生産歩留りを向上させることにある。
れたものであり、その第1の目的とするところは、薄型
のコンパクトなフォトカプラを提供することにある。ま
た、第2の目的とするところは、半導体リレーを小型化
すると共に、共用性の高い部分を一体化することにより
、設計効率及び生産歩留りを向上させることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトカプラは
、発光素子と光起電力素子を同一平面上に配置し、この
発光素子と光起電力素子を透光性樹脂によって封止し、
発光素子から出射された光信号が前記透光性樹脂の界面
で反射され光起電力素子に入射させられるようにしたこ
とを特徴としている。
、発光素子と光起電力素子を同一平面上に配置し、この
発光素子と光起電力素子を透光性樹脂によって封止し、
発光素子から出射された光信号が前記透光性樹脂の界面
で反射され光起電力素子に入射させられるようにしたこ
とを特徴としている。
【0012】また、本発明の半導体リレーは、発光素子
、光起電力素子及び駆動回路を同一面状体上に配置し、
この発光素子と光起電力素子を透光性樹脂によって封止
し、発光素子から出射された光信号が前記透光性樹脂の
界面で反射され光起電力素子に入射させられるようにし
たフォトカプラモジュールと、フォトカプラモジュール
によって駆動される負荷回路用トランジスタとから構成
されている。
、光起電力素子及び駆動回路を同一面状体上に配置し、
この発光素子と光起電力素子を透光性樹脂によって封止
し、発光素子から出射された光信号が前記透光性樹脂の
界面で反射され光起電力素子に入射させられるようにし
たフォトカプラモジュールと、フォトカプラモジュール
によって駆動される負荷回路用トランジスタとから構成
されている。
【0013】
【作用】本発明のフォトカプラは、発光素子と光起電力
素子が同一平面上に配置されているので、フォトカプラ
を面状に構成でき、薄型化してコンパクトに構成するこ
とができる。
素子が同一平面上に配置されているので、フォトカプラ
を面状に構成でき、薄型化してコンパクトに構成するこ
とができる。
【0014】また、本発明の半導体リレーにおいても、
発光素子と光起電力素子と駆動回路を同一面状体上に設
けているので、フォトカプラモジュールを薄型化でき、
半導体リレーを小型化することができる。
発光素子と光起電力素子と駆動回路を同一面状体上に設
けているので、フォトカプラモジュールを薄型化でき、
半導体リレーを小型化することができる。
【0015】また、発光素子と光起電力素子と駆動回路
を一体化してフォトカプラモジュールを構成しているの
で、フォトカプラモジュールを仕様の異なる半導体リレ
ーに対しても共用化させることができ、フォトカプラモ
ジュールの特性及び品質を半導体リレー全体とは別に管
理することができる。しかも、フォトカプラモジュール
を一体化し、フォトカプラモジュールと負荷回路用のト
ランジスタとを別々に構成しているので、フォトカプラ
モジュールとトランジスタ部分の実装を別々の工程で行
うことができる。したがって、半導体リレーの設計効率
の向上と生産歩留りの向上を図ることができる。
を一体化してフォトカプラモジュールを構成しているの
で、フォトカプラモジュールを仕様の異なる半導体リレ
ーに対しても共用化させることができ、フォトカプラモ
ジュールの特性及び品質を半導体リレー全体とは別に管
理することができる。しかも、フォトカプラモジュール
を一体化し、フォトカプラモジュールと負荷回路用のト
ランジスタとを別々に構成しているので、フォトカプラ
モジュールとトランジスタ部分の実装を別々の工程で行
うことができる。したがって、半導体リレーの設計効率
の向上と生産歩留りの向上を図ることができる。
【0016】
【実施例】図1及び図2は本発明の一実施例によるフォ
トカプラ31の断面図及び平面図を示す。配線回路基板
やテープ、シート等の基材32の表面には、複数本の配
線パターン電極33a,33b,33c,33dが形成
されており、リ−ドフレーム33aの端部にLED等の
発光素子2が実装され、発光素子22とリードフレーム
33bはワイヤー34によってボンディングされている
。
トカプラ31の断面図及び平面図を示す。配線回路基板
やテープ、シート等の基材32の表面には、複数本の配
線パターン電極33a,33b,33c,33dが形成
されており、リ−ドフレーム33aの端部にLED等の
発光素子2が実装され、発光素子22とリードフレーム
33bはワイヤー34によってボンディングされている
。
【0017】また、基材表面の発光素子2の近傍には、
フォトダイオードやフォトトランジスタ等の光起電力素
子3が実装されており、光起電力素子3とリードフレー
ム33c,33dはワイヤー35によってボンディング
されている。
フォトダイオードやフォトトランジスタ等の光起電力素
子3が実装されており、光起電力素子3とリードフレー
ム33c,33dはワイヤー35によってボンディング
されている。
【0018】基材32の表面に実装された発光素子2と
光起電力素子3とは、透光性樹脂36によって封止され
ており、光起電力素子3は透光性樹脂36内のほぼ中央
部に配置され、発光素子2は透光性樹脂36内の端部に
配置されている。透光性樹脂36としては、光を透過さ
せ、絶縁性を有し、空気よりも屈折率の大きな樹脂、例
えば光学用シリコン樹脂や白色シリコン樹脂などを用い
ることができ、透光性樹脂36は基材32の表面にポッ
ティング等によって供給された時の表面張力によって楕
円半球状ないし半球状に成形されている。
光起電力素子3とは、透光性樹脂36によって封止され
ており、光起電力素子3は透光性樹脂36内のほぼ中央
部に配置され、発光素子2は透光性樹脂36内の端部に
配置されている。透光性樹脂36としては、光を透過さ
せ、絶縁性を有し、空気よりも屈折率の大きな樹脂、例
えば光学用シリコン樹脂や白色シリコン樹脂などを用い
ることができ、透光性樹脂36は基材32の表面にポッ
ティング等によって供給された時の表面張力によって楕
円半球状ないし半球状に成形されている。
【0019】しかして、上記構造により図8の破線1で
囲まれた部分の回路が構成されており、配線パターン電
極33a,33bから発光素子2に電流を流して発光素
子2を発光させると、発光素子2から放射された光は透
光性樹脂36と空気の界面で反射(好ましくは、全反射
)され、光起電力素子3で受光され、光起電力素子3の
両端に起電力が発生する。
囲まれた部分の回路が構成されており、配線パターン電
極33a,33bから発光素子2に電流を流して発光素
子2を発光させると、発光素子2から放射された光は透
光性樹脂36と空気の界面で反射(好ましくは、全反射
)され、光起電力素子3で受光され、光起電力素子3の
両端に起電力が発生する。
【0020】図3及び図4は本発明の別な実施例による
フォトカプラ37の平面図及び断面図である。本実施例
にあっては、基材としてTAB(Tape Autom
ated Bonding)実装用テープ38を用い、
TAB実装技術により図1及び図2のフォトカプラ31
と同様な構造の複数個のフォトカプラ37をテープ38
の表面に設け、テープ38に沿って一定間隔毎にフォト
カプラ37を配置してある。ただし、この実施例のフォ
トカプラ37においては、光起電力素子3と駆動回路4
とが一体化されており、1個のチップとしてテープ38
の上に実装されている。したがって、このフォトカプラ
37は、図8の破線8で囲まれた部分の回路を構成して
いる。なお、駆動回路4は、光起電力素子3と一体化せ
ず、光起電力素子3とは別にテープ38に実装してもよ
い。
フォトカプラ37の平面図及び断面図である。本実施例
にあっては、基材としてTAB(Tape Autom
ated Bonding)実装用テープ38を用い、
TAB実装技術により図1及び図2のフォトカプラ31
と同様な構造の複数個のフォトカプラ37をテープ38
の表面に設け、テープ38に沿って一定間隔毎にフォト
カプラ37を配置してある。ただし、この実施例のフォ
トカプラ37においては、光起電力素子3と駆動回路4
とが一体化されており、1個のチップとしてテープ38
の上に実装されている。したがって、このフォトカプラ
37は、図8の破線8で囲まれた部分の回路を構成して
いる。なお、駆動回路4は、光起電力素子3と一体化せ
ず、光起電力素子3とは別にテープ38に実装してもよ
い。
【0021】図5は、複数個のフォトカプラ37を実装
された図3のようなTAB実装用テープ38から切り離
した1個のフォトカプラ37を示す。
された図3のようなTAB実装用テープ38から切り離
した1個のフォトカプラ37を示す。
【0022】この実施例にあっては、TAB実装技術を
用いて面状構成のフォトカプラ37を形成しているので
、フォトカプラをより小型かつ薄型のモジュールとする
ことができる。さらに、TAB用マウント装置などを用
いて半導体リレーその他の回路に効率よく実装させるこ
とができる。
用いて面状構成のフォトカプラ37を形成しているので
、フォトカプラをより小型かつ薄型のモジュールとする
ことができる。さらに、TAB用マウント装置などを用
いて半導体リレーその他の回路に効率よく実装させるこ
とができる。
【0023】図6及び図7は本発明による半導体リレー
の一実施例を示す平面図及び断面図である。この半導体
リレー40は、図8の破線8で囲まれた部分の回路を一
体に構成されたフォトカプラモジュール39と、MOS
型トランジスタ5a,5bとを基板41の上に実装し、
基板41の表面に形成された配線パターン電極42やボ
ンディング用ワイヤ43等によってフォトカプラモジュ
ール39とMOS型トランジスタ5a,5bとを図8の
回路のように結線したものである。ここで用いられてい
るフォトカプラモジュール39は、TAB実装技術によ
って製作された図5のフォトカプラ37であり、TAB
用マウント装置などを用いて基板41上に実装され、配
線パターン電極42等と接続される。
の一実施例を示す平面図及び断面図である。この半導体
リレー40は、図8の破線8で囲まれた部分の回路を一
体に構成されたフォトカプラモジュール39と、MOS
型トランジスタ5a,5bとを基板41の上に実装し、
基板41の表面に形成された配線パターン電極42やボ
ンディング用ワイヤ43等によってフォトカプラモジュ
ール39とMOS型トランジスタ5a,5bとを図8の
回路のように結線したものである。ここで用いられてい
るフォトカプラモジュール39は、TAB実装技術によ
って製作された図5のフォトカプラ37であり、TAB
用マウント装置などを用いて基板41上に実装され、配
線パターン電極42等と接続される。
【0024】図8のような半導体リレーについては、異
なる仕様の半導体リレーを作成するためには、破線8で
囲まれたフォトカプラモジュールの部分の回路は共通で
よく、MOS型トランジスタ5a,5bの種類を選択し
て実装すればよい。従って、上記のように図8の破線で
囲まれた部分をフォトカプラモジュール39として一体
化し、これとMOS型トランジスタ5a,5bとを組合
せることにより半導体リレー40を構成すれば、フォト
カプラモジュール39を共通部品化でき、異なる仕様の
半導体リレーを製作する場合には組み合わせるMOS型
トランジスタ5a,5b(MOS型以外のタイプのトラ
ンジスタでもよい。)の種類を変更するだけでよく、実
装設計及び製造を容易にすることができる。また、フォ
トカプラモジュール39を共通部品化することにより、
半導体リレーのコストを安価にすることができる。さら
に、フォトカプラモジュール39の品質管理はフォトカ
プラモジュール39の製造工程で行なえ、半導体リレー
の品質管理はフォトカプラモジュール39の品質管理と
切り離して行なえ、品質管理を容易にでき、生産歩留り
を向上させることができる。
なる仕様の半導体リレーを作成するためには、破線8で
囲まれたフォトカプラモジュールの部分の回路は共通で
よく、MOS型トランジスタ5a,5bの種類を選択し
て実装すればよい。従って、上記のように図8の破線で
囲まれた部分をフォトカプラモジュール39として一体
化し、これとMOS型トランジスタ5a,5bとを組合
せることにより半導体リレー40を構成すれば、フォト
カプラモジュール39を共通部品化でき、異なる仕様の
半導体リレーを製作する場合には組み合わせるMOS型
トランジスタ5a,5b(MOS型以外のタイプのトラ
ンジスタでもよい。)の種類を変更するだけでよく、実
装設計及び製造を容易にすることができる。また、フォ
トカプラモジュール39を共通部品化することにより、
半導体リレーのコストを安価にすることができる。さら
に、フォトカプラモジュール39の品質管理はフォトカ
プラモジュール39の製造工程で行なえ、半導体リレー
の品質管理はフォトカプラモジュール39の品質管理と
切り離して行なえ、品質管理を容易にでき、生産歩留り
を向上させることができる。
【0025】また、TAB実装技術により面状に構成さ
れたフォトカプラモジュール39を用いて半導体リレー
40を構成しているので、半導体リレーの小型化が実現
できるようになる。
れたフォトカプラモジュール39を用いて半導体リレー
40を構成しているので、半導体リレーの小型化が実現
できるようになる。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、フォトカプラを面状に
構成でき、薄型化してコンパクトに構成することができ
る。
構成でき、薄型化してコンパクトに構成することができ
る。
【0027】また、本発明の半導体リレーについても、
フォトカプラモジュールを薄型化でき、半導体リレーを
小型化することができる。
フォトカプラモジュールを薄型化でき、半導体リレーを
小型化することができる。
【0028】さらに、発光素子と光起電力素子と駆動回
路を一体化してフォトカプラモジュールを構成している
ので、フォトカプラモジュールを仕様の異なる半導体リ
レーに対しても共用化させることができ、フォトカプラ
モジュールの特性及び品質を半導体リレー全体とは別に
管理することができる。しかも、フォトカプラモジュー
ルを一体化し、フォトカプラモジュールと負荷回路用の
トランジスタとを別々に構成しているので、フォトカプ
ラモジュールとトランジスタ部分の実装を別々の工程で
行うことができる。したがって、半導体リレーの設計効
率の向上と生産歩留りの向上を図ることができる。
路を一体化してフォトカプラモジュールを構成している
ので、フォトカプラモジュールを仕様の異なる半導体リ
レーに対しても共用化させることができ、フォトカプラ
モジュールの特性及び品質を半導体リレー全体とは別に
管理することができる。しかも、フォトカプラモジュー
ルを一体化し、フォトカプラモジュールと負荷回路用の
トランジスタとを別々に構成しているので、フォトカプ
ラモジュールとトランジスタ部分の実装を別々の工程で
行うことができる。したがって、半導体リレーの設計効
率の向上と生産歩留りの向上を図ることができる。
【図1】本発明の一実施例によるフォトカプラの断面図
である。
である。
【図2】同上の実施例の平面図である。
【図3】本発明の別な実施例によるフォトカプラであっ
て、テープ上に形成された複数個のフォトカプラを示す
平面図である。
て、テープ上に形成された複数個のフォトカプラを示す
平面図である。
【図4】図3のX−X線断面図である。
【図5】図3のテープから切り出された1個のフォトカ
プラ(フォトカプラモジュール)を示す平面図である。
プラ(フォトカプラモジュール)を示す平面図である。
【図6】図5のフォトカプラモジュールを用いて構成さ
れた半導体リレーを示す平面図である。
れた半導体リレーを示す平面図である。
【図7】同上の断面図である。
【図8】半導体リレーの電気回路図である。
【図9】従来例のフォトカプラを示す断面図である。
【図10】(a)(b)は従来例の半導体リレーを示す
断面図である。
断面図である。
2 発光素子
3 光起電力素子
4 駆動回路
5a,5b MOS型トランジスタ
31 フォトカプラ
36 透光性樹脂
37 フォトカプラ
38 TAB実装用テープ
39 フォトカプラモジュール
40 半導体リレー
Claims (2)
- 【請求項1】 発光素子と光起電力素子を同一平面上
に配置し、この発光素子と光起電力素子を透光性樹脂に
よって封止し、発光素子から出射された光信号が前記透
光性樹脂の界面で反射され光起電力素子に入射させられ
るようにしたことを特徴とするフォトカプラ。 - 【請求項2】 発光素子、光起電力素子及び駆動回路
を同一面状体上に配置し、この発光素子と光起電力素子
を透光性樹脂によって封止し、発光素子から出射された
光信号が前記透光性樹脂の界面で反射され光起電力素子
に入射させられるようにしたフォトカプラモジュールと
、フォトカプラモジュールによって駆動される負荷回路
用トランジスタとからなる半導体リレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3138306A JPH04356974A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | フォトカプラ及び半導体リレー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3138306A JPH04356974A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | フォトカプラ及び半導体リレー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04356974A true JPH04356974A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15218796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3138306A Pending JPH04356974A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | フォトカプラ及び半導体リレー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04356974A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005502205A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-20 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | 表面実装可能な光結合素子パッケージ |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3138306A patent/JPH04356974A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005502205A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-20 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | 表面実装可能な光結合素子パッケージ |
JP2011124602A (ja) * | 2001-08-31 | 2011-06-23 | Fairchild Semiconductor Corp | 表面実装可能な光結合素子パッケージ |
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