JPH0435463B2 - - Google Patents
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- JPH0435463B2 JPH0435463B2 JP57104585A JP10458582A JPH0435463B2 JP H0435463 B2 JPH0435463 B2 JP H0435463B2 JP 57104585 A JP57104585 A JP 57104585A JP 10458582 A JP10458582 A JP 10458582A JP H0435463 B2 JPH0435463 B2 JP H0435463B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学活性なシス−1,3−ジベンジル
−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾ
リジン−4−カルボン酸の製造方法に関する。
−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾ
リジン−4−カルボン酸の製造方法に関する。
光学活性なシス−1,3−ジベンジル−5−エ
トキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−
4−カルボン酸(以下ハーフエステル体と略称す
る)はビチオン及びその他医薬品の重要な中間体
である。
トキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−
4−カルボン酸(以下ハーフエステル体と略称す
る)はビチオン及びその他医薬品の重要な中間体
である。
従来光学分割により、光学活性なハーフエステ
ル体を得るという方法は全く知られていない。
ル体を得るという方法は全く知られていない。
一般にラセミ体を光学分割し、光学活性体を取
得する方法に於て、当該ラセミ体の過飽和溶液に
一方の光学活性体を接種して、接種したと同種の
光学活性体を分離取得するといういわゆる優先晶
出法の原理は周知である。しかしこの方法が有利
に適用できるのは、一般に当該ラセミ混合物を形
成する場合に限られ、ラセミ化合物の場合には適
用できないと言われている。しかしいかなる化合
物がラセミ混合物を形成するか或いは優先晶出法
が適用できるかは不明であり、しかもその規則性
もない。即ち、この光学分割法を適用しうるラセ
ミ混合物を形成しうる場合はむしろ特殊な場合で
ある。従つてこの様な条件を満足する化合物を見
出すには非常な努力を払わねばならない。しか
も、光学分割しようとする化合物が、そのままの
形で優先晶出できる場合はきわめてまれである。
得する方法に於て、当該ラセミ体の過飽和溶液に
一方の光学活性体を接種して、接種したと同種の
光学活性体を分離取得するといういわゆる優先晶
出法の原理は周知である。しかしこの方法が有利
に適用できるのは、一般に当該ラセミ混合物を形
成する場合に限られ、ラセミ化合物の場合には適
用できないと言われている。しかしいかなる化合
物がラセミ混合物を形成するか或いは優先晶出法
が適用できるかは不明であり、しかもその規則性
もない。即ち、この光学分割法を適用しうるラセ
ミ混合物を形成しうる場合はむしろ特殊な場合で
ある。従つてこの様な条件を満足する化合物を見
出すには非常な努力を払わねばならない。しか
も、光学分割しようとする化合物が、そのままの
形で優先晶出できる場合はきわめてまれである。
本発明者等は(4S,5R)−1,3−ジベンジル
−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾ
リジン−4−カルボン酸〔以下(4S,5R)−ハー
フエステル体と称す〕と(4R,5S)−1,3−ジ
ベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソ
イミダゾリジン−4−カルボン酸〔以下(4R,
5S)−ハーフエステル体と称す〕の混合物の種々
の方法による光学分割法を鋭意検討した結果、該
ハーフエステル体がラセミ混合物を形成し、その
ままの形で優先晶出法による光学分割が可能とな
る条件を満足することを見出し、本発明方法を完
成した。
−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾ
リジン−4−カルボン酸〔以下(4S,5R)−ハー
フエステル体と称す〕と(4R,5S)−1,3−ジ
ベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソ
イミダゾリジン−4−カルボン酸〔以下(4R,
5S)−ハーフエステル体と称す〕の混合物の種々
の方法による光学分割法を鋭意検討した結果、該
ハーフエステル体がラセミ混合物を形成し、その
ままの形で優先晶出法による光学分割が可能とな
る条件を満足することを見出し、本発明方法を完
成した。
即ち、本発明方法によれば、(4S,5R)−およ
び(4R,5S)−ハーフエステル体が混在する過飽
和溶液に光学活性なハーフエステル体の結晶を存
在せしめ、該光学活性と同種の光学活性なハーフ
エステル体を優先的に晶出せしめこれを採取する
ことにより光学活性なハーフエステル体を得るこ
とができるものであり、接種する光学活性なハー
フエステル体の配位により、4R,5S配位及び4S,
5R配位の光学活性なハーフエステル体をいずれ
も任意に得ることができる。
び(4R,5S)−ハーフエステル体が混在する過飽
和溶液に光学活性なハーフエステル体の結晶を存
在せしめ、該光学活性と同種の光学活性なハーフ
エステル体を優先的に晶出せしめこれを採取する
ことにより光学活性なハーフエステル体を得るこ
とができるものであり、接種する光学活性なハー
フエステル体の配位により、4R,5S配位及び4S,
5R配位の光学活性なハーフエステル体をいずれ
も任意に得ることができる。
本発明方法により得ることができる光学活性な
ハーフエステル体からは還元、閉環反応によりビ
オチン製造上の重要中間体として知られている光
学活性なシス−1,3−ジベンジルヘキサヒドロ
−1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,
4−ジオン(以下ラクトン体と略称する)を製造
する事ができる。
ハーフエステル体からは還元、閉環反応によりビ
オチン製造上の重要中間体として知られている光
学活性なシス−1,3−ジベンジルヘキサヒドロ
−1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,
4−ジオン(以下ラクトン体と略称する)を製造
する事ができる。
この還元、閉環反応においては、光学活性なハ
ーフエステル体のエトキシカルボニル基あるいは
カルボキシル基の一方だけを選択的に還元した
後、酸処理により閉環した光学活性なラクトン体
を得る事ができる。
ーフエステル体のエトキシカルボニル基あるいは
カルボキシル基の一方だけを選択的に還元した
後、酸処理により閉環した光学活性なラクトン体
を得る事ができる。
光学活性なハーフエステル体のエトキシカルボ
ニル基を選択的に還元する場合には、水素化ホウ
素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤
を用いて還元反応を行なえば良く、カルボキシル
基を選択的に還元する場合にはジボラン等の還元
剤を用いて還元反応を行なうか、あるいはカルボ
キシル基をN−ヒドロキシコハク酸イミド、p−
ニトロフエノール、イソブチルクロロホルメイト
等により対応する活性エステル基とした後水素化
ホウ素ナトリウム等の還元剤を用い還元反応を行
なえば良い。還元反応後、反応液を塩酸、硫酸等
の酸により中性または酸性とする事により光学活
性なラクトン体を得ることができる。
ニル基を選択的に還元する場合には、水素化ホウ
素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤
を用いて還元反応を行なえば良く、カルボキシル
基を選択的に還元する場合にはジボラン等の還元
剤を用いて還元反応を行なうか、あるいはカルボ
キシル基をN−ヒドロキシコハク酸イミド、p−
ニトロフエノール、イソブチルクロロホルメイト
等により対応する活性エステル基とした後水素化
ホウ素ナトリウム等の還元剤を用い還元反応を行
なえば良い。還元反応後、反応液を塩酸、硫酸等
の酸により中性または酸性とする事により光学活
性なラクトン体を得ることができる。
光学活性なハーフエステル体から光学活性なラ
クトン体の製造においては光学活性なハーフエス
テル体のエトキシカルボニル基を還元し、閉環さ
せた場合と、カルボキシル基を還元し、閉環した
場合とでは得られる光学活性なラクトン体の配位
は互に逆のものとなる。
クトン体の製造においては光学活性なハーフエス
テル体のエトキシカルボニル基を還元し、閉環さ
せた場合と、カルボキシル基を還元し、閉環した
場合とでは得られる光学活性なラクトン体の配位
は互に逆のものとなる。
従つて、本発明方法により得られる4S,5R配
位及び4R,5S配位の光学活性なハーフエステル
体いずれからも、天然型ビチオン製造上の重要中
間体である4aS,6aR配位をもつ光学活性なラク
トン体に導びくことができる。即ち、本発明方法
によつて得る事ができる2種の光学活性なハーフ
エステル体はきずれも天然ビオチンの製造上の中
間体として用いる事ができるものである。
位及び4R,5S配位の光学活性なハーフエステル
体いずれからも、天然型ビチオン製造上の重要中
間体である4aS,6aR配位をもつ光学活性なラク
トン体に導びくことができる。即ち、本発明方法
によつて得る事ができる2種の光学活性なハーフ
エステル体はきずれも天然ビオチンの製造上の中
間体として用いる事ができるものである。
この事は、一般的光学分割操作においては、得
られる2種の光学異性体の一方だけが利用され、
他方はラセミ化し再度光学分割操作に付されてい
ることと比べると大きな特徴であり、工業的な価
値の大きいものである。
られる2種の光学異性体の一方だけが利用され、
他方はラセミ化し再度光学分割操作に付されてい
ることと比べると大きな特徴であり、工業的な価
値の大きいものである。
本発明方法は以下に具体的に説明する。(4S,
5R)−および(4R,5S)−ハーフエステル体とが
混在する過飽和溶液の調製方法としては、該ハー
フエステル体を適当な溶媒に加熱溶解したのち、
冷却する方法、溶液を濃縮する方法、或いはこの
該ハーフエステル体の溶解度を減少させるような
溶媒を添加する方法など一般の過飽和溶液の調製
に常用させる方法を用いる事ができる。
5R)−および(4R,5S)−ハーフエステル体とが
混在する過飽和溶液の調製方法としては、該ハー
フエステル体を適当な溶媒に加熱溶解したのち、
冷却する方法、溶液を濃縮する方法、或いはこの
該ハーフエステル体の溶解度を減少させるような
溶媒を添加する方法など一般の過飽和溶液の調製
に常用させる方法を用いる事ができる。
溶媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール等のアルコール系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒及び
これらと水との混合溶媒、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒またはアセト
ニトル等のニトリル系溶媒を用いる事ができる
が、光学分割を効率的に行なう上ではキシレン、
トルエンが好ましい。
プロピルアルコール等のアルコール系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒及び
これらと水との混合溶媒、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒またはアセト
ニトル等のニトリル系溶媒を用いる事ができる
が、光学分割を効率的に行なう上ではキシレン、
トルエンが好ましい。
本発明に於ける(4S,5R)−および(4R,5S)
−ハーフエステル体とが混在する過飽和溶液の溶
質が光学的に純粋なラセミ体である時には、分割
に際し外部より種晶を接種する必要があるが、溶
質が光学的に不純な時、即ち、一方の光学活性体
がより多く存在する場合にあつては、その活性体
が自然起晶し、これが種晶を接種したと同様の作
用するので、非ずしも外部よりの接種を必要とし
ない。本発明方法では、この様に自然起晶し外部
からの接種と同様に作用する場合であつても接種
したと称することとする。
−ハーフエステル体とが混在する過飽和溶液の溶
質が光学的に純粋なラセミ体である時には、分割
に際し外部より種晶を接種する必要があるが、溶
質が光学的に不純な時、即ち、一方の光学活性体
がより多く存在する場合にあつては、その活性体
が自然起晶し、これが種晶を接種したと同様の作
用するので、非ずしも外部よりの接種を必要とし
ない。本発明方法では、この様に自然起晶し外部
からの接種と同様に作用する場合であつても接種
したと称することとする。
接種量は特に制限はなく、多ければ多い程分割
が容易になりかつ促進されるが、通常分割溶液中
のハーフエステル体の1〜10重量%程度の接種量
を用れば十分である。目的とする光学活性体が他
方に比べ過剰に存在する場合において、自然起晶
を待たずに接種する場合には、その接種量は更に
少量で良い。接種する光学活性体はその使用目的
からして高純度であることが望ましい。
が容易になりかつ促進されるが、通常分割溶液中
のハーフエステル体の1〜10重量%程度の接種量
を用れば十分である。目的とする光学活性体が他
方に比べ過剰に存在する場合において、自然起晶
を待たずに接種する場合には、その接種量は更に
少量で良い。接種する光学活性体はその使用目的
からして高純度であることが望ましい。
本発明方法においては過飽和溶液より一方の光
学活性体のみを晶出させるいわゆる片側分割のみ
ならず、平行又は直列に連結した2個の分割塔、
或いは区〓を有する分割槽のそれぞれに相反する
光学活性なハーフエステル体の一方を接種し、こ
れに(4S,5R)−および(4R,5S)−ハーフエス
テル体とが混在する過飽和溶液を接種させること
により2種類の光学活性なハーフエステル体を同
時に取得することもできる。
学活性体のみを晶出させるいわゆる片側分割のみ
ならず、平行又は直列に連結した2個の分割塔、
或いは区〓を有する分割槽のそれぞれに相反する
光学活性なハーフエステル体の一方を接種し、こ
れに(4S,5R)−および(4R,5S)−ハーフエス
テル体とが混在する過飽和溶液を接種させること
により2種類の光学活性なハーフエステル体を同
時に取得することもできる。
又、本発明方法を実施するに当り、(4S,5R)
−および(4R,5S)−ハーフエステル体とが混在
する過飽和溶液に、ジメチルアニリン、ジメチル
ベンジルアミン、トリエチルアミン等の有機塩
基、あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
等の無機塩基をハーフエステル体に対し0.05〜
0.6モル倍添加し、過飽和溶液の安定性を増すこ
ともできるが、特に必須の条件ではない。
−および(4R,5S)−ハーフエステル体とが混在
する過飽和溶液に、ジメチルアニリン、ジメチル
ベンジルアミン、トリエチルアミン等の有機塩
基、あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
等の無機塩基をハーフエステル体に対し0.05〜
0.6モル倍添加し、過飽和溶液の安定性を増すこ
ともできるが、特に必須の条件ではない。
本発明方法で原料として用いるシス−1,3−
ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキ
ソイミダゾリジン−4−カルボン酸(ラセミ−ハ
ーフエステル体)は文献未記載の新規化合物であ
り、シス−1,3−ジベンジル−ヘキサヒドロ−
1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,4,
6−トリオンとエチルアルコールから合成するこ
とができる。
ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキ
ソイミダゾリジン−4−カルボン酸(ラセミ−ハ
ーフエステル体)は文献未記載の新規化合物であ
り、シス−1,3−ジベンジル−ヘキサヒドロ−
1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,4,
6−トリオンとエチルアルコールから合成するこ
とができる。
又、本発明方法により製造することができる光
学活性なシス−1,3−ジベンジル−5−エトキ
シカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−
カルボン酸(光学活性なハーフエステル体)も文
献未記載の新規化合物であり、本発明方法で種晶
として用いた光学活性なハーフエステル体はラセ
ミ−ハーフエステル体をエフエドリン又は2−ア
ミノ−1,1−ジフエニルプロパノールから選ら
ばれる光学活性なアミンを光学分割剤として用
い、光学分割操作を行つて得たものである。
学活性なシス−1,3−ジベンジル−5−エトキ
シカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−
カルボン酸(光学活性なハーフエステル体)も文
献未記載の新規化合物であり、本発明方法で種晶
として用いた光学活性なハーフエステル体はラセ
ミ−ハーフエステル体をエフエドリン又は2−ア
ミノ−1,1−ジフエニルプロパノールから選ら
ばれる光学活性なアミンを光学分割剤として用
い、光学分割操作を行つて得たものである。
以下に参考例および実施例を挙げ本発明方法を
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。
参考例 1
シス−1,3−ジベンジル−ヘキサヒドロ−
1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,4,
6−トリオン70.0gに99.5%エタノール16.6g、
ベンゼン1000mlを加え、2時間加熱・還流した。
その後、ベンゼン約600mlを常圧にて留去し、こ
れにn−ヘキサン200mlを加え、室温にて一夜撹
拌した。析出した結晶を過後、減圧乾燥し、
76.2gのラセミ−シス−1,3−ジベンジル−5
−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジ
ン−4−カルボン酸を得た。このものはトルエン
にて再結晶し、融点110〜111℃を示した。
1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,4,
6−トリオン70.0gに99.5%エタノール16.6g、
ベンゼン1000mlを加え、2時間加熱・還流した。
その後、ベンゼン約600mlを常圧にて留去し、こ
れにn−ヘキサン200mlを加え、室温にて一夜撹
拌した。析出した結晶を過後、減圧乾燥し、
76.2gのラセミ−シス−1,3−ジベンジル−5
−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジ
ン−4−カルボン酸を得た。このものはトルエン
にて再結晶し、融点110〜111℃を示した。
参考例 2
ラセミ−シス−1,3−ジベンジル−5−エ
トキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン
−4−カルボン酸764mgを95%エタノール4ml
に溶解し、これに−エフエドリン310mgを加
え均一な溶液とした後、0℃〜5℃にて一夜放
置した。析出晶を取し(4R,5S)シス−1,
3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2
−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸・
−エフエドリン塩339mg、mp163−167℃、〔α〕
20 D−11.6゜(c=1.0,CH3OH)を得た。
トキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン
−4−カルボン酸764mgを95%エタノール4ml
に溶解し、これに−エフエドリン310mgを加
え均一な溶液とした後、0℃〜5℃にて一夜放
置した。析出晶を取し(4R,5S)シス−1,
3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2
−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸・
−エフエドリン塩339mg、mp163−167℃、〔α〕
20 D−11.6゜(c=1.0,CH3OH)を得た。
上記塩を200mgに3%塩酸水20mlを加え塩を
分解した後、酢酸エチルにて抽出し、(4R,
5S)シス−1,3−ジベンジル−5−エトキ
シカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸138mg、 mp 133−135℃、〔α〕20 365+21.6゜(c=1.0,
DMF)を得た。
分解した後、酢酸エチルにて抽出し、(4R,
5S)シス−1,3−ジベンジル−5−エトキ
シカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸138mg、 mp 133−135℃、〔α〕20 365+21.6゜(c=1.0,
DMF)を得た。
ラセミ−シス−1,3−ジベンジル−5−エ
トキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン
−4−カルボン酸19.1gをイソプロピルアルコ
ール200mlに溶解し、S−2−アミノ−1,1
−ジフエニルプロパノール11.4gを加え均一な
溶液とした後、室温にて一夜放置し、析出晶を
取し、塩21.1g、mp135〜144℃を得た。こ
の塩20.0gをメタノール500mlから再結晶して、
(4S,5R)−シス−1,3−ジベンジル−5−
エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジ
ン−4−カルボン酸・S−2−アミノ−1,1
−ジフエニルプロパノール塩7.3g、mp150−
151℃、〔α〕20 D+20.9゜(c=1.0,CH3OH)を得
た。この塩6.0gに3%塩酸水300mlを加えた
後、酢酸エチルに抽出し(4S,5R)−シス−
1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル
−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン
酸、3.9g、mp133−135℃、〔α〕25 365−20.7゜(c
=1,DMF)を得た。
トキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン
−4−カルボン酸19.1gをイソプロピルアルコ
ール200mlに溶解し、S−2−アミノ−1,1
−ジフエニルプロパノール11.4gを加え均一な
溶液とした後、室温にて一夜放置し、析出晶を
取し、塩21.1g、mp135〜144℃を得た。こ
の塩20.0gをメタノール500mlから再結晶して、
(4S,5R)−シス−1,3−ジベンジル−5−
エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジ
ン−4−カルボン酸・S−2−アミノ−1,1
−ジフエニルプロパノール塩7.3g、mp150−
151℃、〔α〕20 D+20.9゜(c=1.0,CH3OH)を得
た。この塩6.0gに3%塩酸水300mlを加えた
後、酢酸エチルに抽出し(4S,5R)−シス−
1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル
−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン
酸、3.9g、mp133−135℃、〔α〕25 365−20.7゜(c
=1,DMF)を得た。
これをベンゼンから再結晶するとmp137.5−
138.5℃、〔α〕20 365−21.8゜(c=1,DMF)であ
つた。
138.5℃、〔α〕20 365−21.8゜(c=1,DMF)であ
つた。
上記光学分割母液及びメタノール再結晶母液
を合せ減圧下濃縮し、3%塩酸水800mlを加え
た後、酢酸エチルにて抽出し、減圧下酢酸エチ
ルを留去した残渣をイソプロピルアルコール
200mlに溶解した。この溶液にR−2−アミノ
−1,1−ジフエニルプロパノール8.4gを加
え均一な溶液とした後、室温にて6時間放置し
て析出晶15.0gを得た後、メタノール400mlか
ら再結晶して、(4R,5S)−シス−1,3−ジ
ベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキ
ソイミダゾリジン−4−カルボン酸・R−2−
アミノ−1,1−ジフエニルプロパノール塩
8.2g、mp−150〜151℃,〔α〕20 D−21.0(c=
1.0,CH3OH)を得た。
を合せ減圧下濃縮し、3%塩酸水800mlを加え
た後、酢酸エチルにて抽出し、減圧下酢酸エチ
ルを留去した残渣をイソプロピルアルコール
200mlに溶解した。この溶液にR−2−アミノ
−1,1−ジフエニルプロパノール8.4gを加
え均一な溶液とした後、室温にて6時間放置し
て析出晶15.0gを得た後、メタノール400mlか
ら再結晶して、(4R,5S)−シス−1,3−ジ
ベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキ
ソイミダゾリジン−4−カルボン酸・R−2−
アミノ−1,1−ジフエニルプロパノール塩
8.2g、mp−150〜151℃,〔α〕20 D−21.0(c=
1.0,CH3OH)を得た。
この塩6.0gを塩酸水にて分解し、酢酸エチ
ルにて抽出し、(4R,5S)−シス−1,3−ジ
ベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキ
ソイミダゾリジン−4−カルボン酸3.7g、
mp134〜136℃、〔α〕20 365+21.0゜(c=1,
DMF)を得た。
ルにて抽出し、(4R,5S)−シス−1,3−ジ
ベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキ
ソイミダゾリジン−4−カルボン酸3.7g、
mp134〜136℃、〔α〕20 365+21.0゜(c=1,
DMF)を得た。
実施例 1
ラセミ−シス−1,3−ジベンジル−5−エト
キシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸(以下 ラセミ−ハーフエステル体
と略称する)10.00gにトルエン100mlを加え、加
温・溶解した。
キシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸(以下 ラセミ−ハーフエステル体
と略称する)10.00gにトルエン100mlを加え、加
温・溶解した。
この溶液を徐々に冷却し、42℃となつたところ
で(4S,5R)−1,3−ジベンジル−5−エトキ
シカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−
カルボン酸0.50gを接種し、39〜41℃にて2時
間、保温・撹拌した。析出した結晶を過し、乾
燥した。(4S,5R)−1,3−ジベンジル−5−
エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン
−4−カルボン酸1.57gが得られた。
で(4S,5R)−1,3−ジベンジル−5−エトキ
シカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−
カルボン酸0.50gを接種し、39〜41℃にて2時
間、保温・撹拌した。析出した結晶を過し、乾
燥した。(4S,5R)−1,3−ジベンジル−5−
エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン
−4−カルボン酸1.57gが得られた。
融点 135〜137℃
〔α〕20 365−20.5゜(c=2,DMF)
光学純度 94%
液にラセミ−ハーフエステル2.00g加え、加
温、溶解した。この溶液を徐々に冷却し、42℃と
なつたところで(4R,5S)−1,3−ジベンジル
−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾ
リジン−4−カルボン酸0.50gを接種し39〜41℃
にて2時間保温・撹拌した。
温、溶解した。この溶液を徐々に冷却し、42℃と
なつたところで(4R,5S)−1,3−ジベンジル
−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾ
リジン−4−カルボン酸0.50gを接種し39〜41℃
にて2時間保温・撹拌した。
析出した結晶を過し、乾燥した。(4R,5S)
−1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル
−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸
2.23gが得られた。
−1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル
−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸
2.23gが得られた。
融点 135.5〜137.5℃
〔α〕20 365+20.9゜(c=2,DMF)
光学純度 96%
参考例 3
水素化硼素リチウム43mgとテトラヒドロフラン
3mlの混合物に4mlのテトラヒドロフラン中に実
施例1で得た(4S,5R)−1,3−ジベンジル−
5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリ
ジン−4−カルボン酸249mgを溶解した溶液を室
温にて滴下した。次にこの反応液を2時間還流し
たのち、テトラヒドロフランを溜去した。残渣に
冷却下メタノール4mlを徐々に加え、次に濃塩酸
0.5gを加えた。この混合物を1時間還流し、次
に減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
ト精製し150mgの(4aS,6aR)−1,3−ジベン
ジルヘキサヒドロ−1H−フロ〔3,4−d〕イ
ミダゾール−2,4−ジオンを得た。
3mlの混合物に4mlのテトラヒドロフラン中に実
施例1で得た(4S,5R)−1,3−ジベンジル−
5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリ
ジン−4−カルボン酸249mgを溶解した溶液を室
温にて滴下した。次にこの反応液を2時間還流し
たのち、テトラヒドロフランを溜去した。残渣に
冷却下メタノール4mlを徐々に加え、次に濃塩酸
0.5gを加えた。この混合物を1時間還流し、次
に減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
ト精製し150mgの(4aS,6aR)−1,3−ジベン
ジルヘキサヒドロ−1H−フロ〔3,4−d〕イ
ミダゾール−2,4−ジオンを得た。
融点 114〜116℃
〔α〕20 D+58.1゜(c=1,CHCl3)
参考例 4
実施例1で得た(4R,5S)−1,3−ジベンジ
ル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダ
ゾリジン−4−カルボン酸382mgとテトラヒドロ
フラン5mlの溶液に−20℃で水素化硼素ナトリウ
ム47mgを少量ずつ加えた。これに三弗化硼素−エ
ーテル錯体220mgを滴下し、同温度で1時間撹拌
後、室温で3時間撹拌した。この反応液を氷水10
ml中に注入し、室温にて1時間撹拌後、炭酸カリ
ウム水溶液にてPH9としたのち酢酸エチル10mlに
て2回抽出した。有機層を飽和食塩水にて洗浄
し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、減圧濃縮
した。残渣をシリカゲルカラムクロマト精製し、
(4aS,6aR)−1,3−ジベンジルヘキサヒドロ
−1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,
4−ジオン208mgを得た。
ル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダ
ゾリジン−4−カルボン酸382mgとテトラヒドロ
フラン5mlの溶液に−20℃で水素化硼素ナトリウ
ム47mgを少量ずつ加えた。これに三弗化硼素−エ
ーテル錯体220mgを滴下し、同温度で1時間撹拌
後、室温で3時間撹拌した。この反応液を氷水10
ml中に注入し、室温にて1時間撹拌後、炭酸カリ
ウム水溶液にてPH9としたのち酢酸エチル10mlに
て2回抽出した。有機層を飽和食塩水にて洗浄
し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、減圧濃縮
した。残渣をシリカゲルカラムクロマト精製し、
(4aS,6aR)−1,3−ジベンジルヘキサヒドロ
−1H−フロ〔3,4−d〕イミダゾール−2,
4−ジオン208mgを得た。
融点 114〜117℃
〔α〕20 D+58.9゜(c=1,CHCl3)
実施例 2
ラセミ−シス−1,3−ジベンジル−5−エト
キシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸2.50gにキシレン25mlを加え、加
温、溶解した。この溶液を徐々に冷却し、60℃と
なつたところで、(4S,5R)−1,3−ジベンジ
ル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダ
ゾリジン−4−カルボン酸0.25gを接種し、55〜
57℃にて2時間保温・撹拌した。析出した結晶を
過し、乾燥した。(4S,5R)−1,3−ジベン
ジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミ
ダゾリジン−4−カルボン酸0.72gが得られた。
キシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸2.50gにキシレン25mlを加え、加
温、溶解した。この溶液を徐々に冷却し、60℃と
なつたところで、(4S,5R)−1,3−ジベンジ
ル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダ
ゾリジン−4−カルボン酸0.25gを接種し、55〜
57℃にて2時間保温・撹拌した。析出した結晶を
過し、乾燥した。(4S,5R)−1,3−ジベン
ジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミ
ダゾリジン−4−カルボン酸0.72gが得られた。
融点 117〜120℃
〔α〕20 365−13.5゜(c=2,DMF)
光学純度 62%
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (4S,5R)−1,3−ジベンジル−5−エト
キシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4
−カルボン酸〔以下(4S,5R)−ハーフエステル
体と称する〕と(4R,5S)−1,3−ジベンジル
−5−エトキシカルボニル−2−オキソ−イミダ
ゾリジン−4−カルボン酸〔以下(4R,5S)−ハ
ーフエステル体と称する〕とが混在する過飽和溶
液に光学活性な(4S,5R)−ハーフエステル体ま
たは(4R,5S)−ハーフエステル体の結晶を存在
せしめ、該光学活性体と同種の光学活性なハーフ
エステル体を該過飽和溶液より優先的に晶出させ
ることを特徴とする光学活性な(4S,5R)−ハー
フエステル体または(4S,5S)−ハーフエステル
体の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10458582A JPS58222068A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光学活性なシス−1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸の製造方法 |
DE8686112335T DE3382001D1 (de) | 1982-04-16 | 1983-04-15 | Verfahren zur herstellung optisch aktiver halbester. |
DE8383103665T DE3372365D1 (en) | 1982-04-16 | 1983-04-15 | Method of obtaining optically active half esters |
EP83103665A EP0092194B1 (en) | 1982-04-16 | 1983-04-15 | Method of obtaining optically active half esters |
EP86112335A EP0220435B1 (en) | 1982-04-16 | 1983-04-15 | A method for preparing optically active half esters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10458582A JPS58222068A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光学活性なシス−1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58222068A JPS58222068A (ja) | 1983-12-23 |
JPH0435463B2 true JPH0435463B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14384508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10458582A Granted JPS58222068A (ja) | 1982-04-16 | 1982-06-16 | 光学活性なシス−1,3−ジベンジル−5−エトキシカルボニル−2−オキソイミダゾリジン−4−カルボン酸の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58222068A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57198098A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Sagami Chem Res Center | Preparation of optically active monoester monocarboxylic acid |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP10458582A patent/JPS58222068A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57198098A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Sagami Chem Res Center | Preparation of optically active monoester monocarboxylic acid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58222068A (ja) | 1983-12-23 |
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