JPH04354373A - 光電変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はファクシミリやスキャナ
等の画像入力部に用いられる光電変換素子にに係り、特
に光導電層に薄膜半導体を用いた薄膜タイプの素子にお
いて、高感度化を図るための構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ファクシミリやスキャナ等におけ
る画像入力部の小型化の要請を受けて、密着型イメ−ジ
センサの開発が活発に行われており、中でも光導電層に
薄膜半導体を用いた薄膜タイプの光電変換素子の開発が
数多く行われている。図９及び図１０には、この種の薄
型タイプの光電変換素子の一例が示されており、図９は
平面図を、図１０は図９のＥ−Ｅ線断面図をそれぞれ示
している。同図において、光電変換素子は、絶縁性基板
８０上に設けられた第１電極８１と、この第１電極８１
に対向して設けられた透光性の第２電極８２と、これら
第１及び第２電極間８１，８２に配された光導電層８３
とを有して成り、第１及び第２電極８１，８２並びに光
導電層８３の外周面には、透光性の絶縁層８４が形成さ
れている。更に、前述した第２電極８２は絶縁層８４に
形成されたコンタクト孔８５を介して、絶縁層８４の一
部を覆うように画素毎に絶縁層８４に接合された第３電
極８６に接続されている。そして、かかる構成の光電変
換素子は、第２電極８２の一方の平面８７を受光面とし
て光を受光し、その入射した光は透光性の絶縁層８４及
び第２電極８２を透過して光導電層８３に到達する結果
、光導電層８３内に生じる光電流に対応する信号が第３
電極８６から取り出されるようになっている。

【０００３】上述したような２つの電極間に光導電層を
配した構造は、一般にサンドイッチ構造と称されるもの
であるが、このサンドイッチ構造を有する素子、更には
、ここでの説明は省略するが、従来から周知のプレ−ナ
構造を有する素子において、高解像度化を図る場合、そ
の達成し得る解像度は、先に述べた受光面８７の面積を
如何に小さくできるかに左右される。すなわち、前述の
例で言えば、第１電極８１，光導電層８３及び第２電極
８２の最小の微細加工精度、具体的にはレジストのパタ
−ニングおよびエッチング精度によって定まってくるも
のである。現在、これらレジストのパタ−ニング及びエ
ッチング精度は、５乃至１０μｍ角程度であるために、
解像度としては、せいぜい６００乃至８００ＤＰＩ（４
２乃至３２μｍピッチ）程度が限界である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで、さらに高解像
度を得るための手段として、上述の例で言えば、光導電
層８３の端面８８を受光面とすることが考えられる。す
なわち、光導電層８３の膜の堆積方向に対し直交する方
向に臨む面を受光面とするものであるが、この光導電層
の膜の堆積方向の微細加工精度は、従来の受光面８７の
最小微細加工精度の略１／１０程度であるために、それ
だけ解像度を上げることができるものである。

【０００５】しかしながら、このように光導電層の膜の
堆積方向に沿う辺の長さを短くすることは上述の通り解
像度を向上させる半面、当然のことながら受光面そのも
のの面積を小さくすることとなり、その結果受光量の減
少による感度の低下を招くという問題を生じる。このた
め、ある程度の受光面積を確保しつつ、しかも解像度も
従来より向上させようとするならば、上述の光導電層の
膜の堆積方向に沿う辺の長さを上述した最小微細加工精
度まで短くせずに、従来より多少短い程度の適宜な値を
選定することを余儀なくされるが、実際これでは、解像
度及び感度のいずれも中途半端であり、従来と比較して
さほど改良のメリットがない。このように、上述の従来
素子においては、解像度と感度の向上は、相矛盾する要
求であるという問題があった。本発明は、一画素一受光
面の構造において、これまでより高い解像度でしかも十
分な受光量を得ようとするならば、上述のように受光面
の辺の長さの設定において、相矛盾した要求が生ずると
いう問題点があったことに鑑みてなされたもので、簡易
な構造で、解像度が高くしかも高感度の光電変換素子を
提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、本発明に係る光電変換素子は、対向電極間に光導電層
を配したものを、前記光導電層の膜の堆積方向に対し直
交する方向に複数設け、かつ前記光導電層の膜の堆積方
向に対し直交する方向に臨む面を受光面とし、前記光導
電層の膜の堆積方向に、前記対向電極間に光導電層を配
したものを、少なくとも２段にかつ各々の対向電極の一
つが互いに接触するように積層してなるものである。

【０００７】

【作用】したがって、一画素当たりの受光面積は、光導
電層の膜の堆積方向に電極を介して２段に積層された光
導電層の２つの端面、すなわち光導電層の膜の堆積方向
に対し直交する方向に臨む２つの面となり、一画素当た
りの光発生電荷が増えるため、受光感度が向上すること
となるものである。そして、この２つの受光面を形成す
る各々の光導電層はそれぞれ電極に挟まれており、しか
も電極が対向する方向は光導電層の膜の堆積方向であり
、この方向の微細加工精度は、光導電層の堆積精度によ
って定まることとなるが、その精度は従来の受光面すな
わち、光導電層の堆積方向に臨む面の微細加工精度に比
し高いため、その分だけ解像度が高くなり、結局、高解
像度で、かつ十分な受光量が得られる、すなわち、感度
の良い光電変換素子を提供することができることとなる
。

【０００８】

【実施例】以下、本発明に係る光電変換素子の第１の実
施例について図１乃至図３を参照しながら説明する。図
１は第１の実施例における光電変換素子の平面図を、図
２は、図１のＡ−Ａ線断面図を、図３は図１のＢ−Ｂ線
断面図を、それぞれ示している。本実施例の光電変換素
子は、ガラス等の部材から成る絶縁基板１の長手軸方向
（図１において紙面左右方）に複数の下部単位光電変換
素子ＰＤＬ　を並設すると共に、絶縁基板１の垂直方向
（図１において紙面上下方向）において下部単位光電変
換素子ＰＤＬ　に上部単位光電変換素子ＰＤＵ　を積層
して構成されているものである。

【０００９】下部単位光電変換素子ＰＤＬ　は、前記絶
縁基板１上に帯状に形成されたクロム（Ｃｒ）等の部材
から成る第１電極２と、この第１電極２の長手軸方向に
おいて離散的に設けられた光導電層３ａと、前述した第
１電極２に対向するように光導電層３ａ上に設けられ、
アルミ等の金属から成る第２電極４と、前述した絶縁基
板１，第１電極２、第２電極４及び光導電層３ａを覆う
ポリイミド等の絶縁性部材から成る第１絶縁層５と、こ
の第１絶縁層５を介して第２電極４に接続されている第
３電極６とから構成されているものである。ここで、前
述の光導電層３ａ、第２電極４及び第３電極６は、共に
その長手軸が第１電極２の短手軸方向に沿うように配設
されている。また、光導電層３ａは、膜の堆積方向が絶
縁基板１の垂直方向と一致するように第１及び第２電極
２，４間に形成されている。さらに、第１絶縁層５には
コンタクト孔７ａが穿設されており、このコンタクト孔
７ａを介して、第２電極４と第３電極６とが接続される
ようになっている。そして、この第３電極６は本光電変
換素子の信号を外部回路（図示せず）へ取り出すための
電極の役割りを果たしており、後述するように図示しな
い出力信号線が接続され、この線は外部回路である信号
読取回路（図示せず）に接続されるようになっている。

【００１０】そして、本実施例おいては、光導電層３ａ
の長手軸方向に現れる一方の端面（図３参照）を受光面
８ａとして、図１又は図３において白抜き矢印で示され
る入射光を、この受光面８ａで受光するようになってい
る。ここで、受光面８ａの横方向（図２において紙面左
右方向）の長さＬ１の加工精度は、この方向のパタ−ニ
ング等の処理（詳細は後述）が、フォトリソグラフィ−
およびエッチングにより行われることから、これらフォ
トリソグラフィ−及びエッチング精度によって略決定さ
れるものである。一方、受光面８ａの縦方向（図２にお
いて上下方向）は光導電層３ａの膜の堆積方向であり、
現在この方向の長さＬ２の加工精度は、Ｌ１の加工精度
の略１／１０程度の０．１乃至０．５μｍ程度の範囲で
可能であり、従来の受光面すなわち本実施例の図で言え
ば光電変換素子を図１に示される方向から臨む場合に、
光の受光に有効な平面の微細加工精度に比して、より微
細に加工されることとなる。また、本実施例の光電変換
素子においては、光の入射方向は既に述べたように光導
電層３ａの膜の堆積方向と直向方向であるために、光の
入射方向に沿う光導電層３ａの長さＬ３（図３参照）が
従来に比べ比較的長く確保できるようになっている。し
たがって、光導電層３ａに用いられる部材によって定ま
る同層３ａの光の吸収係数に応じて、十分な長さを確保
することができ、その結果、高感度の素子となる。

【００１１】ところで、電極間距離を小さくすることは
、受光面８ａの受光面積を減らし、受光量の減少に伴う
感度の低下を招くこととなる。このため、受光面８ａの
縦方向（図２において紙面上下方向）の長さを、先に述
べたように光導電層３ａの膜の堆積方向の最小微細加工
精度に相応する長さまで小さくせずに、例えば従来の半
分程度の長さにし、ある程度の受光面積を確保するよう
な妥協策が考えられるが、解像度にしても感度にしても
いずれも中途半端であり、満足できるものではない。 このため、本発明においては、上述の下部単位光電変換
素子ＰＤＬ　の上にさらに上部単位光電変換素子ＰＤＵ
　（詳細は次述）を積層する構成とし、個々の単位光電
変換素子ＰＤＵ，ＰＤＬ　においては、上述したような
受光面積の減少を考慮することなく、可能な限り光導電
層３ａ，３ｂの膜厚方向の長さを小さくして、高い解像
度を得るようにする一方、一つの受光面の面積が小さく
なる分、一画素当たり、２つの受光面８ａ，８ｂとして
、受光量を確保しているというものである。

【００１２】上部単位光電変換素子ＰＤＵ　も基本的に
は、上述した下部単位光電変換素子ＰＤＬ　と同様な構
成を有するもので、具体的には、平行して対向する第４
及び第５電極９，１０と、この第４及び第５電極９，１
０間に配される光導電層３ｂと、前述の第１絶縁層５と
第５電極１０間形成される第２絶縁層１１とから構成さ
れてなるものである。第４電極９は前述した第３電極６
に直接接合して、電気的に相互に導通状態となっている
。 また、光導電層３ｂは、電気的には、基本的に下部単位
光電変換素子ＰＤＬ　の光導電層３ａと同一のもので、
その膜の堆積方向が絶縁基板１に対して垂直方向となる
ように配設されている。

【００１３】本実施例の第５電極１０は、各上部単位光
電変換素子ＰＤＵに共通的に配されている。すなわち、
同電極１０は、略帯状に形成されて、その長手軸方向が
前述した第１電極２の長手軸方向と一致するように配さ
れると共に、第２絶縁層１１に穿設されたコンタクト孔
７ｂを介して光導電層３ｂに接触するようになっている
。また、上述の第４電極９、光導電層３ｂ及び第５電極
１０は、下部単位光電変換素子ＰＤＬ　と同様に、その
長手軸方向が第１電極２の短手軸方向に沿うように配設
されている。そして、この上部単位光電変換素子ＰＤＵ
　においても、下部単位光電変換素子ＰＤＬ　と同様に
、光導電層３ｂの一方の端面を受光面８ｂ（第３図参照
）としている。尚、この受光面８ｂの加工精度及び光の
入射方向に対して光導電層３ｂの長さを確保できる点に
ついては、先に下部単位光電変換素子ＰＤＬ　で述べた
のと同様であるので、ここでの説明は省略する。

【００１４】次に、本実施例における光電変換素子の製
造プロセスについて説明する。先ず、本実施例の絶縁基
板１は、ガラス部材を用いて成るものであるが、この部
材の具体例としては、例えば、コ−ニング７０５９が用
いられる。そして、この絶縁基板１上にクロム（Ｃｒ）
をスパッタ法により５００乃至１０００オングストロ−
ム程度の膜厚で全面に着膜し、その後、このクロムをフ
ォトリソ法により所定の形状（本実施例においては図１
及び図２の紙面左右方向に沿って帯状となる。）にパタ
−ニングを行うことによって、下部単位光電変換素子Ｐ
ＤＬ　の第１電極２が形成されることとなる。

【００１５】次いで、下部単位光電変換素子ＰＤＬ　の
光導電膜を、プラズマＣＶＤ法により第１電極２の一方
の面（絶縁基板１が接合する面と反対側の面）の全面に
着膜する。本実施例の光導電膜は、ｎ，ｉ，ｐ型の水素
化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の各膜を、こ
の順で次のようにして前記第１電極２上に堆積させてな
るものである。すなわち、先ず、ｎ層はシラン（ＳｉＨ
４　）ガス中にホスフィン（ＰＨ３　）ガスを１％ド−
ピングすることで、ｉ層はシラン（ＳｉＨ４　）ガスの
みを用いて、ｐ層はシラン（ＳｉＨ４　）ガス中にジボ
ラン（Ｂ２　Ｈ６　）ガスを１％ド−ピングすることで
、それぞれ作製される。尚、本実施例のプラズマＣＶＤ
法における着膜温度は２００乃至２５０℃とし、上記ｎ
，ｉ，ｐ各層の膜厚は、例えば、ｎ層及びｐ層について
は２００乃至１０００オングストロ−ム程度に、ｉ層に
ついては１乃至２０μｍ程度にそれぞれ設定されている
。

【００１６】光導電膜の形成に続いて、酸化インジウム
・スズ（ＩＴＯ）をスパッタ法または蒸着法により５０
０乃至１０００オングストロ−ム程度着膜し、所定の形
状即ち、本実施例においては、平面形状（図１に現れる
形状）が図１に示されるように長方形状で、その長手軸
方向が第１電極２短手軸方向に沿うようにパタ−ニング
され、第２電極４が形成されることとなる。次に、前述
の第２電極４に用いたと同じレジストパタ−ンを用いて
、先に形成した光導電膜をドライエッチングによりパタ
−ニングすることで、光導電層３ａが形成されることと
なる。このドライエッチングにおいては、サイドエッチ
ングにより第２電極４からひさし状に突き出た部分が生
じるが、この部分は、ドライエッチングに用いたと同一
のレジストパタ−ンを用いて、ウェットエッチングを施
すことにより除去する。

【００１７】次いで、ポリイミド（日立化成製ＰＩＸ−
１４００またはＰＩＸ−８８０３，東レ製フォトニ−ス
等）をロ−ルコ−トまたはスピンコ−トで１乃至５μｍ
程度の膜厚で塗布して第１絶縁層５を形成し、前述した
第２電極４が配された適宜な位置に、フォトリソグラフ
ィ法によりコンタクト孔７ａを形成する。

【００１８】最後に、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタ
法又は蒸着法により１乃至２μｍ程度着膜し、フォトリ
ソ法により所定の形状すなわち、本実施例においては、
平面形状（図１において現れる形状）が長方形状でかつ
その長手軸方向が第２電極４の長手軸方向に沿うように
、しかも第２電極４が配された位置に対応した位置（図
１参照）となるようにパタ−ニングされて、第３電極６
が形成され、下部単位光電変換素子ＰＤＬ　が完成する
。

【００１９】続いて、上述した下部単位光電変換素子Ｐ
ＤＬ　の上に次のようにして上部単位光電変換素子ＰＤ
Ｕ　を形成する。先ず、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ
）をスパッタ法又は蒸着法により５００乃至１０００オ
ングストロ−ム程度に前述した複数の下部単位光電変換
素子ＰＤＬ　上に着膜し、所定の形状、すなわち本実施
例においては、平面形状が矩形でしかも前述の第３電極
６よりやや小さめとなるようにパタ−ニングして、第４
電極９が作られる。

【００２０】そして、下部単位光電変換素子ＰＤＬ　と
同様に、プラズマＣＶＤ法により、光導電膜３ｂを形成
し、所定の形状にパタ−ニングすることにより光導電層
３ｂが形成される。尚、この光導電層３ｂは、第４電極
９側からｐ型，ｉ型，ｎ型の順で水素化アモルファス（
ａ−Ｓｉ：Ｈ）が堆積されてなる点において、下部単位
光電変換素子ＰＤＬ　の光導電層３ａと異なるものであ
る。次いで、第１絶縁層５と同様にしてポリイミド等の
絶縁材を１乃至５μｍ程度コ−ティングし、それに続い
てパタ−ニングを行なうことで第２絶縁層１１形成され
る。最後に、アルミニウム（Ａｌ）を第２電極４と同様
に着膜し、その後パタ−ニングして第５電極１０が形成
される。

【００２１】尚、本実施例の光電変換素子においては、
光導電層３ａ，３ｂをｉ型としてもよい。また、第３電
極６を形成する部材として、本実施例のアルミミウムに
代えて酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）或いはクロム（
Ｃｒ）等を用いてもよい。また、第４電極９を形成する
部材として、本実施例の酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ
）に代えて、アルミニウム或いはクロム（Ｃｒ）等を用
いてもよい。さらに、第１絶縁層５、第２絶縁層１１を
形成する部材として、本実施例のポリイミドに代えて、
窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）
或いはＳｉＮｘＯｙ等を、それぞれ用いてもよい。 さらには、第１乃至第５電極２，４，６，９，１０を形
成する部材としては、上述の部材の他に、タンタル（Ｔ
ａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タング
ステン（Ｗ）等の金属を，光導電層３ａ，３ｂを形成す
る部材としては、ａ−Ｓｉ化合物、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ或
いは有機半導体等を、それぞれ用いるようにしてもよい
。

【００２２】次に、図４には、上記構成における光電変
換素子と外部回路との電気的結線状態が示されており、
以下同図を参照しつつ、その内容について説明する。既
に述べたように、本実施例においては、上部単位光電変
換素子ＰＤＵ　と下部単位光電変換素子ＰＤＬ　とは、
第３電極６と第４電極９とが互いに接触しており、しか
も各々の光導電層３ａ，３ｂにおける膜の堆積順序は絶
縁基板１の上方向（図３において紙面上方向）に向かっ
て丁度逆であり、第２電極４及び第４電極９側には、共
にｐ層が形成されている。したがって、図４において、
先ず、上部単位光電変換素子ＰＤＵ　と下部単位光電変
換素子ＰＤＬ　とは、周知のように、電気回路的には、
それぞれ、ダイオ−ドとコンデンサとが並列接続された
ものに等価であるが、上述した構成から、上部及び下部
単位光電変換素子ＰＤＵ　，ＰＤＬはアノ−ド側で互い
に接続されている状態として表される。

【００２３】また、上部単位光電変換素子ＰＤＵ　同士
は、第５電極１０により、カソ−ド側で互いに接続され
ている状態と等価である。同じように、下部単位光電変
換素子ＰＤＬ　同士も、第１電極２が各下部単位光電変
換素子ＰＤＬ　に共通する構造であることにより、カソ
−ド側で互いに接続された状態に等価となる。そして、
各第３電極６又は第２電極４には出力信号線１２（図４
において点線で表示）が接続され、この出力信号線１２
を介して図示しない光電流読取回路の入力側に接続され
るようになっている。また、第１電極２及び第５電極１
０にも、それぞれ接続線１３ａ，１３ｂ（図４において
点線で表示）が接続されて、共にバイアス電源１４に接
続されるようになっている。したがって、上部単位光電
変換素子ＰＤＵと下部単位光電変換素子ＰＤＬ　の光電
流は同時に読み出されることなり、一画素当りについて
得られる信号出力は、上部単位光電変換素子ＰＤＵ　又
は下部単位光電変換素子ＰＤＬ　のいずれかを、直線上
に並設したものに比べ、一画素当りの得られる信号量は
略２倍となる。

【００２４】図５乃至図７には、第２の実施例が示され
ており、以下これらの図を参照しつつ本実施例について
するが、図１乃至図３に示された第１の実施例と同一の
構成要素には同一符号を付してその説明を省略し、以下
異なる点を中心に説明する。この実施例は、第１の実施
例における第１電極２、第３電極６及び第５電極１０の
形成状態が異なっているものである。すなわち、具体的
には、先ず、本実施例における第１の電極２ａ及び第５
電極１０ａは、第１の実施例とは異なり、上部単位光電
変換素子ＰＤＵ　及び下部単位光電変換素子ＰＤＬ　の
並設方向（図５及び図６において紙面左右方向）におい
て離散的に設けられている。また、本実施例の第３電極
６ａは、第１の実施例とは逆に、上部単位光電変換素子
ＰＤＵ　及び下部単位光電変換素子ＰＤＬ　の並設方向
（図５及び図６において紙面左右方向）に、略帯状にか
つ連続的に形成されており、隣接する複数の下部単位光
電変換素子ＰＤＬ　の第２電極４及び隣接する複数の上
部単位光電変換素子ＰＤＵ　の第４電極９に接合して、
電気的にこれらと導通状態になっている。

【００２５】かかる構成において、その製造プロセスは
基本的に、第１の実施例と同一であるが、光導電層３ｃ
は第１電極２ａ側からｐ型、ｉ型、ｎ型の順に、光導電
層３ｄは第４電極９側からｎ型、ｉ型、ｐ型の順に、そ
れぞれ光導電膜が形成されたものである点において、第
１の実施例と異なっているしたがって、本実施例の光電
変換素子の外部回路との接続状態を含んだ等価回路は、
図８に示されるように、上部単位光電変換素子ＰＤＵ　
と下部単位光電変換素子ＰＤＬ　とは、カソ−ド側で互
いに接続状態にあると等価であり、一方、それぞれのア
ノ−ド側は開放端になっている状態に等しい。そして、
本実施例の光電変換素子を駆動するに際は、先ず、第３
電極６ａに外部から接続線１３ｃ（図８において点線で
表示）が接続されて、この線１３ｃの他端はバイアス電
源１４に接続される。また、第１電極２ａ及び第５電極
１０ａは、同じく外部から出力信号線（図８において点
線で表示）１２がそれぞれ接続されて、共に図示しない
光電流読取回路の入力側に接続されるようになっている
。

【００２６】尚、上述の２つの実施例においては、光導
電層の膜の堆積方向に沿って下部及び上部単位光電変換
素子を２段に積層した例を示したが、これに限らず、例
えば３段に積層してもよい。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、対向電極間に光導電層
を配したものを、前記光導電層の膜の堆積方向において
少なくとも２段に、互いの対向電極の一つを接触させて
積層したので、単に一つの直線上に受光面を複数並設し
た従来のものに比べ、一画素当たり、２倍の受光面積が
確保でき、そのため略倍の出力信号が得られることとな
り、より感度の高い光電変換素子を提供することができ
る。また、本発明に係る光電変換素子においては、光導
電層の膜の堆積方向に対し直交する方向に臨む光導電層
の面を受光面としたので、この光導電層の膜の堆積方向
における微細加工の精度は、従来の受光面すなわち光導
電層の膜の堆積方向に臨む面における最小微細加工精度
の略１／１０程度であることから、その分だけ解像度が
向上した光電変換素子を提供することができるものであ
る。さらに、光導電層の膜の堆積方向に対し直交する方
向に臨む面を受光面したので、光電変換素子を基板上に
設ける場合、受光面はこの基板に垂直方向に沿うように
すると、基板に平行する方向でかつ光の入射方向に光導
電層を長くできるため、光の吸収効率を容易に向上する
ことができ、そのため、高感度の光電変換素子を提供す
ることができる等の顕著な効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明に係る光電変換素子の第１の実施例
における平面図である。

【図２】　　図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】　　図１のＢ−Ｂ線断面図である。

【図４】　　第１の実施例に示された光電変換素子と外
部回路との結線の一例を示す回路図である。

【図５】　　本発明に係る光電変換素子の第２の実施例
における平面図である。

【図６】　　図５のＣ−Ｃ線断面図である。

【図７】　　図５のＤ−Ｄ線断面図である。

【図８】　　第２の実施例に示された光電変換素子と外
部回路との結線の一例を示す回路図である。

【図９】　　従来の光電変換素子の一例を示す平面図で
ある。

【図１０】　　図９のＥ−Ｅ線断面図である。

【符号の説明】

１…絶縁基板、２，２ａ，…第１電極、３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄ…光導電層、４…第２電極、５…第１絶縁層、
６，６ａ…第３電極、８ａ，８ｂ…受光面、９…第４電
極、１０，１０ａ…第５電極、１１…第２絶縁層、ＰＤ
Ｕ　…上部単位光電変換素子、ＰＤＬ　…下部単位光電
変換素子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　対向電極間に光導電層を配したものを
   、前記光導電層の膜の堆積方向に対して直交する方向に
   複数設け、かつ前記光導電層の膜の堆積方向に対して直
   交する方向に臨む面を受光面とし、前記光導電層の膜の
   堆積方向に、前記対向電極間に光導電層を配したものを
   、少なくとも２段にかつ各々の対向電極の一つが互いに
   接触するように積層してなることを特徴とする光電変換
   素子。