JPS6228095Y2 - - Google Patents
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- JPS6228095Y2 JPS6228095Y2 JP13613480U JP13613480U JPS6228095Y2 JP S6228095 Y2 JPS6228095 Y2 JP S6228095Y2 JP 13613480 U JP13613480 U JP 13613480U JP 13613480 U JP13613480 U JP 13613480U JP S6228095 Y2 JPS6228095 Y2 JP S6228095Y2
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、周囲の温度環境、熱的環境の変化
に対して安定な特性を示す弾性表面波装置に関す
るものである。
に対して安定な特性を示す弾性表面波装置に関す
るものである。
弾性表面波装置としては、たとえば弾性表面波
フイルタ、弾性表面波共振器あるいは弾性表面波
遅延線などがある。このような弾性表面波装置に
は、圧電効果を有するセラミツク材料を用いるの
が一般的である。このような圧電セラミツク材料
としては、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系あ
るいはチタン酸ジルコン酸鉛系などがある。
フイルタ、弾性表面波共振器あるいは弾性表面波
遅延線などがある。このような弾性表面波装置に
は、圧電効果を有するセラミツク材料を用いるの
が一般的である。このような圧電セラミツク材料
としては、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系あ
るいはチタン酸ジルコン酸鉛系などがある。
最近では、これら弾性表面波装置として高信頼
性のものが要求され、外部環境、特に温度環境や
熱的環境に対して安定した特性が要求されてい
る。
性のものが要求され、外部環境、特に温度環境や
熱的環境に対して安定した特性が要求されてい
る。
しかしながら、従来では、厳しい温度環境や熱
的環境においたとき、たとえば高温放置試験や熱
衝撃試験などの特殊試験と呼ばれる試験を行う
と、その圧電特性が低下するという現象がしばし
ば見られる。そのために、従来より種々の改良案
が試みられているが、いまだにこれといつた最善
のものが見いだされていないのが現状である。
的環境においたとき、たとえば高温放置試験や熱
衝撃試験などの特殊試験と呼ばれる試験を行う
と、その圧電特性が低下するという現象がしばし
ば見られる。そのために、従来より種々の改良案
が試みられているが、いまだにこれといつた最善
のものが見いだされていないのが現状である。
つまり、弾性表面波装置等に用いられる強誘電
性基板としては、(1)温度変化によつても周波数や
挿入損失などが変化しないこと、(2)電気機械結合
係数が大きいことなどが重要な特性として要求さ
れている。たとえば、チタン酸ジルコン酸鉛系の
セラミツクス主成分に対して、種々の添加物を加
え、材料それ自体によつて特性の改善を図ること
が行われている。しかしながら、添加物を加える
場合には、先の(1)の特性は満足できても、逆に(2)
の特性が低下するということがある。また、この
他に焼成条件を種々検討することにより、(1)の特
性についての改善も試みられているが、やはり(2)
の特性にばらつきが生じたり、それが低下したり
するという欠点が見られ、しかもその焼成条件の
コントロールも難しい面があり、工業的な生産に
は適したものではない。
性基板としては、(1)温度変化によつても周波数や
挿入損失などが変化しないこと、(2)電気機械結合
係数が大きいことなどが重要な特性として要求さ
れている。たとえば、チタン酸ジルコン酸鉛系の
セラミツクス主成分に対して、種々の添加物を加
え、材料それ自体によつて特性の改善を図ること
が行われている。しかしながら、添加物を加える
場合には、先の(1)の特性は満足できても、逆に(2)
の特性が低下するということがある。また、この
他に焼成条件を種々検討することにより、(1)の特
性についての改善も試みられているが、やはり(2)
の特性にばらつきが生じたり、それが低下したり
するという欠点が見られ、しかもその焼成条件の
コントロールも難しい面があり、工業的な生産に
は適したものではない。
ところで、リードレスタイプの弾性表面波装置
として第1図に示すようなものがある。図におい
て、1は弾性表面波装置ユニツトである。ユニツ
ト1は、たとえばチタン酸ジルコン酸鉛系の強誘
電性セラミツク基板11を含む。そして、この基
板11の一方主表面には入力側のインタデイジタ
ル電極12と出力側のインタデイジタル電極13
とが導電材料によつて形成され、さらに両者の間
には必要に応じシールド電極14が形成されてい
る。強誘電性セラミツク基板11の他方主表面上
には、必要に応じアース電極15が形成されてい
る。入力側のインタデイジタル電極12の1対の
櫛歯電極には、それぞれ、個別的に、引出電極1
6aおよび16bが接続される。また、出力側の
インタデイジタル電極の1対の櫛歯電極には、そ
れぞれ、個別的に引出電極17aおよび17bが
電気的に接続されている。さらに、シールド電極
14には、引出電極16bが電気的に接続され
る。このとき、基板11の裏面に形成されたアー
ス電極15は、導電性ペーストあるいは抵抗性ペ
ーヌト(図示せず)によつてシールド電極14す
なわち引出電極16bに電気的に接続されること
もある。このような弾性表面波装置ユニツト1
は、弾性表面波装置を構成するユニツトとして知
られている。
として第1図に示すようなものがある。図におい
て、1は弾性表面波装置ユニツトである。ユニツ
ト1は、たとえばチタン酸ジルコン酸鉛系の強誘
電性セラミツク基板11を含む。そして、この基
板11の一方主表面には入力側のインタデイジタ
ル電極12と出力側のインタデイジタル電極13
とが導電材料によつて形成され、さらに両者の間
には必要に応じシールド電極14が形成されてい
る。強誘電性セラミツク基板11の他方主表面上
には、必要に応じアース電極15が形成されてい
る。入力側のインタデイジタル電極12の1対の
櫛歯電極には、それぞれ、個別的に、引出電極1
6aおよび16bが接続される。また、出力側の
インタデイジタル電極の1対の櫛歯電極には、そ
れぞれ、個別的に引出電極17aおよび17bが
電気的に接続されている。さらに、シールド電極
14には、引出電極16bが電気的に接続され
る。このとき、基板11の裏面に形成されたアー
ス電極15は、導電性ペーストあるいは抵抗性ペ
ーヌト(図示せず)によつてシールド電極14す
なわち引出電極16bに電気的に接続されること
もある。このような弾性表面波装置ユニツト1
は、弾性表面波装置を構成するユニツトとして知
られている。
一方、2は絶縁ベースで引出電極16a,16
b,17a,17bに対応する4つの引出端子電
極21a,21b,22a,22bが一例として
メタライズ方法により設けてある。基板11の裏
面側が絶縁性接着剤(図示せず)にて絶縁ベース
2に接着される。ボンデングワイヤ(図示せず)
にて、引出電極16aと引出端子電極21a、引
出電極16bと引出端子電極21b、引出電極1
7aと引出端子電極22a、引出電極17bと引
出端子電極22bがそれぞれ接続される。3は図
における下面が開口したキヤツプで、引出端子電
極21a,21b,22a,22bを部分的に露
出したまま弾性表面波装置ユニツト1を覆うよう
に絶縁ベース2に固定されるものである。
b,17a,17bに対応する4つの引出端子電
極21a,21b,22a,22bが一例として
メタライズ方法により設けてある。基板11の裏
面側が絶縁性接着剤(図示せず)にて絶縁ベース
2に接着される。ボンデングワイヤ(図示せず)
にて、引出電極16aと引出端子電極21a、引
出電極16bと引出端子電極21b、引出電極1
7aと引出端子電極22a、引出電極17bと引
出端子電極22bがそれぞれ接続される。3は図
における下面が開口したキヤツプで、引出端子電
極21a,21b,22a,22bを部分的に露
出したまま弾性表面波装置ユニツト1を覆うよう
に絶縁ベース2に固定されるものである。
この考案の目的はこのような構造を最大限利用
して厳しい温度環境や熱的環境に対して特性の変
化の少ない弾性表面波装置を提供することであ
る。
して厳しい温度環境や熱的環境に対して特性の変
化の少ない弾性表面波装置を提供することであ
る。
この考案は、要約すれば、分極処理を施した強
誘電性セラミツク基板の一方表面にインタデジタ
ル電極を設ける一方、半導体板もしくは抵抗体板
上に引出端子電極を設け、導電性もしくは抵抗分
を有する接着剤で強誘電性セラミツク基板の他方
表面を半導体もしくは抵抗体板上に接着するとと
もに、セラミツク基板の一方表面に設けた電極と
引出端子電極とを導通することにより、強誘電性
セラミツク基板の温度変化によつて正および負電
荷が蓄積された部分間にこの蓄積電荷の放電回路
を構成した弾性表面波装置である。
誘電性セラミツク基板の一方表面にインタデジタ
ル電極を設ける一方、半導体板もしくは抵抗体板
上に引出端子電極を設け、導電性もしくは抵抗分
を有する接着剤で強誘電性セラミツク基板の他方
表面を半導体もしくは抵抗体板上に接着するとと
もに、セラミツク基板の一方表面に設けた電極と
引出端子電極とを導通することにより、強誘電性
セラミツク基板の温度変化によつて正および負電
荷が蓄積された部分間にこの蓄積電荷の放電回路
を構成した弾性表面波装置である。
この考案の上述の目的およびその他の目的と特
徴は図面を参照して行う以下の詳細な説明から一
層明らかとなろう。
徴は図面を参照して行う以下の詳細な説明から一
層明らかとなろう。
第2図は、この考案の一実施例を示す分解斜視
図である。第2図において第1図と同一部分には
同一番号を付して説明を省略する。
図である。第2図において第1図と同一部分には
同一番号を付して説明を省略する。
4は半導性もしくは抵抗分を有するセラミツク
ス樹脂からなるベースで、ベース4には、図に示
すように、各引出端子電極21a,21b,22
a,22bに達しない範囲内23に、たとえば後
述するような条件を満たすよう導電性接着剤24
を塗布して、基板11の裏面側を半導体性もしく
は抵抗体ベース4に接着する。導電性接着剤24
に代えて抵抗性接着剤を用いてもよい。このとき
は各引出端子電極21a,21b,22a,22
bに達する範囲にまで塗布してもよい。そして従
来と同様各引出電極16a,16b,17a,1
7bがそれぞれボンデングワイヤにて引出端子電
極21a,21b,22a,22bに接続され
る。したがつて、第3図に図解するように基板1
1の表面側、つまりインタデジタル電極12,1
3、引出電極16a,16b,17a,17b、
場合によつてはシールド電極14が設けられてい
る面が、ボンデングワイヤ、半導体もしくは抵抗
体ベース4、導電性もしくは抵抗性接着剤24を
介して、基板11の裏面側と接続されることにな
る。このような回路を考えた場合、強誘電性セラ
ミツク基板11の、熱衝撃による電荷が発生する
面間の抵抗値をR1とし、この面間に外部接続さ
れた上記回路の総抵抗値をR2とすると、実験の
結果R2<R1とすると熱衝撃による電荷がすみや
かに上記回路を通じて放電してしまい、周囲の温
度環境、熱的環境の変化に対し満足できる安定性
を示した。
ス樹脂からなるベースで、ベース4には、図に示
すように、各引出端子電極21a,21b,22
a,22bに達しない範囲内23に、たとえば後
述するような条件を満たすよう導電性接着剤24
を塗布して、基板11の裏面側を半導体性もしく
は抵抗体ベース4に接着する。導電性接着剤24
に代えて抵抗性接着剤を用いてもよい。このとき
は各引出端子電極21a,21b,22a,22
bに達する範囲にまで塗布してもよい。そして従
来と同様各引出電極16a,16b,17a,1
7bがそれぞれボンデングワイヤにて引出端子電
極21a,21b,22a,22bに接続され
る。したがつて、第3図に図解するように基板1
1の表面側、つまりインタデジタル電極12,1
3、引出電極16a,16b,17a,17b、
場合によつてはシールド電極14が設けられてい
る面が、ボンデングワイヤ、半導体もしくは抵抗
体ベース4、導電性もしくは抵抗性接着剤24を
介して、基板11の裏面側と接続されることにな
る。このような回路を考えた場合、強誘電性セラ
ミツク基板11の、熱衝撃による電荷が発生する
面間の抵抗値をR1とし、この面間に外部接続さ
れた上記回路の総抵抗値をR2とすると、実験の
結果R2<R1とすると熱衝撃による電荷がすみや
かに上記回路を通じて放電してしまい、周囲の温
度環境、熱的環境の変化に対し満足できる安定性
を示した。
このような構成をとると、熱衝撃試験に対し、
挿入損失や中心周波数が変化しなくなるが、この
ように、安定した特性が得られるのは、次のよう
な理由によるものと推察される。
挿入損失や中心周波数が変化しなくなるが、この
ように、安定した特性が得られるのは、次のよう
な理由によるものと推察される。
すなわち、チタン酸バリウム系、チタン酸ジル
コン酸鉛系、チタン酸鉛系など強誘電性セラミツ
クから成る弾性表面波装置においては、周囲温度
が変化したとき、分極方向と交差する面に自発分
極の変化によるパイロ(焦電)効果が生まれて、
その面上に電荷が発生する。そして、この電荷は
分極処理時の直流電界方向とは逆向きの、分極を
とるような反電界として働き、その結果基板の圧
電特性が劣化するものと考えられる。しかしなが
ら、上述の実施例のように、基板の両面を、ケー
シングの一部をなすベース自体の半導性もしくは
抵抗分を利用したり、これに加えるに接着剤の抵
抗分も利用して、これらを電気的接続すると、パ
イロ効果により発生した電荷は、この抵抗分を介
して放電され、その結果反電界が生じず、基板の
圧電特性の劣化を防止することができるのであろ
う。したがつて、上記したようにこのときに用い
られる抵抗分としては、基板それ自体の抵抗値よ
りも低い抵抗値を有するものとする必要があろ
う。
コン酸鉛系、チタン酸鉛系など強誘電性セラミツ
クから成る弾性表面波装置においては、周囲温度
が変化したとき、分極方向と交差する面に自発分
極の変化によるパイロ(焦電)効果が生まれて、
その面上に電荷が発生する。そして、この電荷は
分極処理時の直流電界方向とは逆向きの、分極を
とるような反電界として働き、その結果基板の圧
電特性が劣化するものと考えられる。しかしなが
ら、上述の実施例のように、基板の両面を、ケー
シングの一部をなすベース自体の半導性もしくは
抵抗分を利用したり、これに加えるに接着剤の抵
抗分も利用して、これらを電気的接続すると、パ
イロ効果により発生した電荷は、この抵抗分を介
して放電され、その結果反電界が生じず、基板の
圧電特性の劣化を防止することができるのであろ
う。したがつて、上記したようにこのときに用い
られる抵抗分としては、基板それ自体の抵抗値よ
りも低い抵抗値を有するものとする必要があろ
う。
なお、上述の実施例では、基板11の表面上に
形成する電極として、導電部材で形成した例を示
したが、これはたとえば抵抗体ペーストのような
抵抗膜ないし半導電膜あるいは抵抗体の蒸着、ス
パツタリングで形成してもよい。このときには、
上記した基板の両面に接続される回路の抵抗値
を、電極の抵抗値との関係で選ぶ必要があろう。
半導体もしくは抵抗体ベース4の材料としては、
半導体セラミツク材料や抵抗性樹脂などがあげら
れる。またキヤツプ3の材料としては、セラミツ
ク材料たとえばアルミナ、ホルステライトなどで
も良いし、絶縁性樹脂、たとえばエポキシ樹脂で
も良いし、前述のベース4の材料と同じでもよ
い。なお、アース電極15のない弾性表面波装置
ユニツト1の代りにアース電極15のある弾性表
面波装置ユニツト1を用いてもよいが、アース電
極15によつて引出端子電極21a,21b,2
2a,22b間の不必要な電気的短絡が起きない
よう気をつけねばならない。また、導電性もしく
は抵抗性接着剤24にて弾性表面波装置ユニツト
1の裏面と接続される引出端子電極は、たとえば
1つだけでもよく、必ずしも4つとも接続される
必要はない。さらにシールド電極14が独立電極
のときは、半導体もしくは抵抗体ベース4にシー
ルド電極引出電極を設け、これとシールド電極1
4とをワイヤボンデングしただけでもよいし、上
記先行実施例と組合せてもよい。
形成する電極として、導電部材で形成した例を示
したが、これはたとえば抵抗体ペーストのような
抵抗膜ないし半導電膜あるいは抵抗体の蒸着、ス
パツタリングで形成してもよい。このときには、
上記した基板の両面に接続される回路の抵抗値
を、電極の抵抗値との関係で選ぶ必要があろう。
半導体もしくは抵抗体ベース4の材料としては、
半導体セラミツク材料や抵抗性樹脂などがあげら
れる。またキヤツプ3の材料としては、セラミツ
ク材料たとえばアルミナ、ホルステライトなどで
も良いし、絶縁性樹脂、たとえばエポキシ樹脂で
も良いし、前述のベース4の材料と同じでもよ
い。なお、アース電極15のない弾性表面波装置
ユニツト1の代りにアース電極15のある弾性表
面波装置ユニツト1を用いてもよいが、アース電
極15によつて引出端子電極21a,21b,2
2a,22b間の不必要な電気的短絡が起きない
よう気をつけねばならない。また、導電性もしく
は抵抗性接着剤24にて弾性表面波装置ユニツト
1の裏面と接続される引出端子電極は、たとえば
1つだけでもよく、必ずしも4つとも接続される
必要はない。さらにシールド電極14が独立電極
のときは、半導体もしくは抵抗体ベース4にシー
ルド電極引出電極を設け、これとシールド電極1
4とをワイヤボンデングしただけでもよいし、上
記先行実施例と組合せてもよい。
以上のように、この考案によれば、従来ケーシ
ングの一部をなすベースとして半導性もしくは抵
抗性を示すものを用い、かつ従来の絶縁性接着剤
に代えて、導電性もしくは一定の抵抗値を有する
抵抗性接着剤にて弾性表面波装置ユニツトを半導
体もしくは抵抗性ベースに接着するという簡単な
対策で、環境試験の中でも特に酷しい熱衝撃試験
を行なつても弾性表面波装置の各種特性の劣化が
ほとんどなくなり、高安定性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。また、そのような弾性
表面波装置が、良品率良くしかも何等の追加の工
程もなく、効率的に生産できる。
ングの一部をなすベースとして半導性もしくは抵
抗性を示すものを用い、かつ従来の絶縁性接着剤
に代えて、導電性もしくは一定の抵抗値を有する
抵抗性接着剤にて弾性表面波装置ユニツトを半導
体もしくは抵抗性ベースに接着するという簡単な
対策で、環境試験の中でも特に酷しい熱衝撃試験
を行なつても弾性表面波装置の各種特性の劣化が
ほとんどなくなり、高安定性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。また、そのような弾性
表面波装置が、良品率良くしかも何等の追加の工
程もなく、効率的に生産できる。
第1図は従来の弾性表面波装置の分解斜視図、
第2図はこの考案の一実施例弾性表面波装置の分
解斜視図、第3図はこの考案の一実施例弾性表面
波装置の原理図である。 図において、1は弾性表面波装置ユニツト、1
1は強誘電性基板、12,13はインタデイジタ
ル電極、14はシールド電極、15はアース電
極、16a,16b,17a,17bは引出電
極、21a,21b,22a,22bは引出端子
電極、24は導電性もしくは抵抗性接着剤、4は
ベース。
第2図はこの考案の一実施例弾性表面波装置の分
解斜視図、第3図はこの考案の一実施例弾性表面
波装置の原理図である。 図において、1は弾性表面波装置ユニツト、1
1は強誘電性基板、12,13はインタデイジタ
ル電極、14はシールド電極、15はアース電
極、16a,16b,17a,17bは引出電
極、21a,21b,22a,22bは引出端子
電極、24は導電性もしくは抵抗性接着剤、4は
ベース。
Claims (1)
- 分極処理を施した強誘電性セラミツク基板の一
方表面にインダデジタル電極を設ける一方、半導
体板もしくは抵抗体板上に引出端子電極を設け、
導電性もしくは抵抗分を有する接着剤で強誘電性
セラミツク基板の他方表面を半導体もしくは抵抗
体板上に接着するとともに、セラミツク基板の一
方表面に設けた電極と引出端子電極とを導通する
ことにより、強誘電性セラミツク基板の温度変化
によつて正および負電荷が蓄積された部分間にこ
の蓄積電荷の放電回路を構成した弾性表面波装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13613480U JPS6228095Y2 (ja) | 1980-09-24 | 1980-09-24 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13613480U JPS6228095Y2 (ja) | 1980-09-24 | 1980-09-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5757630U JPS5757630U (ja) | 1982-04-05 |
JPS6228095Y2 true JPS6228095Y2 (ja) | 1987-07-18 |
Family
ID=29496257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13613480U Expired JPS6228095Y2 (ja) | 1980-09-24 | 1980-09-24 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6228095Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995024075A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Seiko Epson Corporation | Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication |
-
1980
- 1980-09-24 JP JP13613480U patent/JPS6228095Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995024075A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Seiko Epson Corporation | Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5757630U (ja) | 1982-04-05 |
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