JPH04352423A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04352423A JPH04352423A JP12635891A JP12635891A JPH04352423A JP H04352423 A JPH04352423 A JP H04352423A JP 12635891 A JP12635891 A JP 12635891A JP 12635891 A JP12635891 A JP 12635891A JP H04352423 A JPH04352423 A JP H04352423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- protection sheet
- sheet film
- grinding protection
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、半導体ウェハ実装基板面の背面（以後、裏面と
呼称）の研削の前処理である研削保護シート膜の形成に
関する。
に関し、半導体ウェハ実装基板面の背面（以後、裏面と
呼称）の研削の前処理である研削保護シート膜の形成に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハ実装基板面に研削保
護シートを張り付ける場合、図２に示すように、半導体
ウェハ４（図２（ａ））を、研削保護シート張り合わせ
ローラ１と研削保護シート張り合わせローラ２の噛み合
わせ部分に、裏面に粘着材が着いた研削保護シート３と
重ね合わせて送り込み半導体ウェハ４の実装基板面に研
削保護シートを張り合わせる（図２（ｂ））。次に、半
導体ウェハ４に密着した研削保護シートー３のはみ出し
た部分を半導体ウェハ４の周辺に沿って縁取り用カッタ
ー５でカッティングを行い（図２（ｃ））、図２（ｄ）
に示すように、半導体ウェハ４に研削保護シート膜３が
形成される。
護シートを張り付ける場合、図２に示すように、半導体
ウェハ４（図２（ａ））を、研削保護シート張り合わせ
ローラ１と研削保護シート張り合わせローラ２の噛み合
わせ部分に、裏面に粘着材が着いた研削保護シート３と
重ね合わせて送り込み半導体ウェハ４の実装基板面に研
削保護シートを張り合わせる（図２（ｂ））。次に、半
導体ウェハ４に密着した研削保護シートー３のはみ出し
た部分を半導体ウェハ４の周辺に沿って縁取り用カッタ
ー５でカッティングを行い（図２（ｃ））、図２（ｄ）
に示すように、半導体ウェハ４に研削保護シート膜３が
形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の技術の
一般的な弊害としては研削保護シート膜形成の一連の動
作を大気中で行うために、半導体ウェハ実装基板面と研
削保護シートを張り合わせた段階で半導体ウェハ実装基
板面と研削保護シートとの密着面に空気及び大気中に浮
遊するゴミが封入されるという危険性がある。実際の半
導体装置の製造ラインに於いて前述した従来の技術で研
削保護シート膜の形成を行った結果、半導体ウェハ約５
０枚に一枚の割合で、半導体ウェハ実装基板面と研削保
護シートとの密着面に空気及び微粒のゴミが封入されて
いることが確認された。この空気及びゴミが封入した半
導体ウェハの裏面を研削すると、半導体ウェハは１００
％に近い確率で割れる。そのため、空気またはゴミが封
入された時は研削保護シートをはがし再び一連の動作で
研削保護シート膜を形成するという手間をかけている。
一般的な弊害としては研削保護シート膜形成の一連の動
作を大気中で行うために、半導体ウェハ実装基板面と研
削保護シートを張り合わせた段階で半導体ウェハ実装基
板面と研削保護シートとの密着面に空気及び大気中に浮
遊するゴミが封入されるという危険性がある。実際の半
導体装置の製造ラインに於いて前述した従来の技術で研
削保護シート膜の形成を行った結果、半導体ウェハ約５
０枚に一枚の割合で、半導体ウェハ実装基板面と研削保
護シートとの密着面に空気及び微粒のゴミが封入されて
いることが確認された。この空気及びゴミが封入した半
導体ウェハの裏面を研削すると、半導体ウェハは１００
％に近い確率で割れる。そのため、空気またはゴミが封
入された時は研削保護シートをはがし再び一連の動作で
研削保護シート膜を形成するという手間をかけている。
【０００４】そこで、本発明の目的は前記問題点を解消
した半導体装置の製造方法を提供することにある。
した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、研削保護シート膜の形成に於いて、半導体ウ
ェハ実装基板面と研削保護シートとの張り合わせ動作及
び研削保護シートのカッティング動作など研削保護シー
ト膜形成の一連の動作を真空チャンバー内で行う。この
様な措置を施すことによって半導体ウェハ実装基板面と
研削保護シート膜との密着面に空気が封入するという危
険性はなくなる。また、ゴミが封入する事による不良も
低減する。
造方法は、研削保護シート膜の形成に於いて、半導体ウ
ェハ実装基板面と研削保護シートとの張り合わせ動作及
び研削保護シートのカッティング動作など研削保護シー
ト膜形成の一連の動作を真空チャンバー内で行う。この
様な措置を施すことによって半導体ウェハ実装基板面と
研削保護シート膜との密着面に空気が封入するという危
険性はなくなる。また、ゴミが封入する事による不良も
低減する。
【０００６】
【実施例】添付図面を参照しながら本発明の実施例を具
体的に説明する。図１は、本発明の実施例の概略図であ
る。図１に示すように、図１（ｂ）の研削保護シート張
り合わせローラ１，２による研削保護シート張り合わせ
工程、および図１（ｃ）の縁取り用カッター５による研
削保護シート膜縁取り工程を真空チャンバー内に収め、
真空ポンプ７で真空チャンバー６を真空状態に保てる様
にしている。図１（ａ）は、半導体ウェハのローダ部、
図１（ｄ）は半導体ウェハのアンローダ部をあらわす。 図１（ａ）から図１（ｂ）、および図１（ｃ）から図１
（ｄ）の状態にウェハを移動するときだけは真空チャン
バー６を一時的に大気開放にする。
体的に説明する。図１は、本発明の実施例の概略図であ
る。図１に示すように、図１（ｂ）の研削保護シート張
り合わせローラ１，２による研削保護シート張り合わせ
工程、および図１（ｃ）の縁取り用カッター５による研
削保護シート膜縁取り工程を真空チャンバー内に収め、
真空ポンプ７で真空チャンバー６を真空状態に保てる様
にしている。図１（ａ）は、半導体ウェハのローダ部、
図１（ｄ）は半導体ウェハのアンローダ部をあらわす。 図１（ａ）から図１（ｂ）、および図１（ｃ）から図１
（ｄ）の状態にウェハを移動するときだけは真空チャン
バー６を一時的に大気開放にする。
【０００７】図１（ｂ）の研削保護シート張り合わせ工
程および図１（ｃ）の研削保護シート膜縁取り工程を真
空中で行うことによって、半導体ウェハ実装基板面と研
削保護シート膜との密着面に空気が封入する危険性はな
くなりゴミが封入する事による研削工程での不良も低減
する。
程および図１（ｃ）の研削保護シート膜縁取り工程を真
空中で行うことによって、半導体ウェハ実装基板面と研
削保護シート膜との密着面に空気が封入する危険性はな
くなりゴミが封入する事による研削工程での不良も低減
する。
【０００８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は研削保護
シート膜形成機に於いて半導体ウェハ実装基板面と研削
保護シートとの張り合わせ動作及び研削保護シートのカ
ッティング動作など研削保護シート膜形成の一連の主要
動作を真空チャンバー内の真空奮囲中で行う事によって
、半導体ウェハ実装基板面と研削保護シートとの密着面
に空気が封入するという危険性はなくなった。また、大
気中に浮遊するゴミが封入するという不良も低減できる
。不良率は１，０００枚に１枚程度なった。
シート膜形成機に於いて半導体ウェハ実装基板面と研削
保護シートとの張り合わせ動作及び研削保護シートのカ
ッティング動作など研削保護シート膜形成の一連の主要
動作を真空チャンバー内の真空奮囲中で行う事によって
、半導体ウェハ実装基板面と研削保護シートとの密着面
に空気が封入するという危険性はなくなった。また、大
気中に浮遊するゴミが封入するという不良も低減できる
。不良率は１，０００枚に１枚程度なった。
【０００９】半導体ウェハ実装基板面と研削保護シート
膜との密着面に空気及びゴミが封入すると次工程の研削
工程で、高い確立でもってウェハ割れを発生させる。そ
れ故、半導体装置製造の実ラインに於いては、研削保護
シート膜の形成時に、空気、ゴミ封入の不良が生じた場
合、不良発生ウェハの研削保護シート膜をはがして、半
導体実装基板面上の粘着剤の残りを洗浄してから、再度
、研削保護シート膜を形成しなければならない。また、
研削保護シート膜形成後の外観チェックで、空気、ゴミ
封入等の不良を確認されないまま次工程である裏面研削
工程へ送られ、ウェハ割れを起こす事も多々ある。
膜との密着面に空気及びゴミが封入すると次工程の研削
工程で、高い確立でもってウェハ割れを発生させる。そ
れ故、半導体装置製造の実ラインに於いては、研削保護
シート膜の形成時に、空気、ゴミ封入の不良が生じた場
合、不良発生ウェハの研削保護シート膜をはがして、半
導体実装基板面上の粘着剤の残りを洗浄してから、再度
、研削保護シート膜を形成しなければならない。また、
研削保護シート膜形成後の外観チェックで、空気、ゴミ
封入等の不良を確認されないまま次工程である裏面研削
工程へ送られ、ウェハ割れを起こす事も多々ある。
【００１０】以上、２点の現状の問題点を本発明は解決
し、研削保護シート膜作成工程の工期短縮と研削工程で
の歩留り向上に効果を有する。研削工程での不良率は０
．４％から０．１％に激減している。
し、研削保護シート膜作成工程の工期短縮と研削工程で
の歩留り向上に効果を有する。研削工程での不良率は０
．４％から０．１％に激減している。
【図１】本発明の一実施例の概略図である。
【図２】従来の代表的な研削保護シート膜作成機の概略
図である。
図である。
【符号の説明】
１ 研削保護シート張り合わせローラ２
研削保護シート張り合わせローラ３ 研削保護シ
ート ４ 半導体ウェハ ５ 縁取り用カッター ６ 真空チャンバー ７ 真空ポンプ
研削保護シート張り合わせローラ３ 研削保護シ
ート ４ 半導体ウェハ ５ 縁取り用カッター ６ 真空チャンバー ７ 真空ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバー内で研削保護膜である
研削保護シートを半導体ウェハ実装基板面に張り付ける
事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12635891A JPH04352423A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12635891A JPH04352423A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352423A true JPH04352423A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=14933208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12635891A Pending JPH04352423A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04352423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510334A (ja) * | 2000-09-27 | 2004-04-02 | ストラスバウ | チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法 |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP12635891A patent/JPH04352423A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510334A (ja) * | 2000-09-27 | 2004-04-02 | ストラスバウ | チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000725 |