JPH04352326A - Fine processing device - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、真空排気の可能なチャ
ンバを有する微細加工装置に係り、特にパーティクルを
嫌う被処理基板を収容したチャンバを真空状態から標準
気圧状態に戻すためのガス供給装置に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a microfabrication device having a chamber that can be evacuated, and in particular, a gas supply device for returning a chamber containing a substrate to be processed, which is averse to particles, from a vacuum state to a standard pressure state. Regarding.
【０００２】0002
【従来の技術】ＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、ス
パッタ装置等の半導体製造装置では、一般に真空状態の
下でプロセスを行う。このように半導体製造プロセスで
真空を利用するのは、真空状態下ではプラズマ放電、イ
オンビーム等の生成が可能で、堆積やエッチング等の加
工を促進・均一化できるためである。2. Description of the Related Art Semiconductor manufacturing equipment such as CVD equipment, dry etching equipment, and sputtering equipment generally performs processes under vacuum conditions. The reason why vacuum is used in semiconductor manufacturing processes in this way is that plasma discharge, ion beams, etc. can be generated in a vacuum state, and processes such as deposition and etching can be promoted and made uniform.
【０００３】最近の自動化半導体製造装置は、ウエハ搬
送のためのロードロック室を有し、反応チャンバ内部の
真空を破壊することなくプロセスを継続できるようにし
ている。ロードロック室は、カセットチャンバと反応チ
ャンバとの間でウエハを搬送するためのハンドアームを
室内に設け、各チャンバとはゲートバルブを介して連結
される。カセットチャンバにウエハカセットがロードさ
れると、カセットチャンバおよびロードロック室はそれ
ぞれ真空排気される。そして、真空状態の下で１カセッ
ト分の全ウエハについて所定のプロセスが終了すると、
カセットチャンバが真空状態から大気圧状態に戻され、
カセットチャンバからウエハカセットがアンロードされ
る。[0003] Modern automated semiconductor manufacturing equipment has a load lock chamber for wafer transfer, allowing the process to continue without breaking the vacuum inside the reaction chamber. The load lock chamber is provided with a hand arm for transporting a wafer between the cassette chamber and the reaction chamber, and is connected to each chamber via a gate valve. Once the cassette chamber is loaded with a wafer cassette, the cassette chamber and load lock chamber are each evacuated. Then, when the predetermined process is completed for all the wafers in one cassette under vacuum conditions,
The cassette chamber is returned from a vacuum state to an atmospheric pressure state,
A wafer cassette is unloaded from the cassette chamber.
【０００４】図４は、カセットチャンバを真空状態から
大気圧状態に戻すための従来の装置を示す。この従来装
置において、１００はカセットチャンバ、１０２はウエ
ハカセット、１０４はウエハ、１０６はタンク、１０８
，１１０は電磁弁、１１２は流量制御弁、１１４はフィ
ルタである。FIG. 4 shows a conventional apparatus for returning a cassette chamber from a vacuum condition to an atmospheric pressure condition. In this conventional apparatus, 100 is a cassette chamber, 102 is a wafer cassette, 104 is a wafer, 106 is a tank, and 108
, 110 is a solenoid valve, 112 is a flow control valve, and 114 is a filter.
【０００５】この装置では、カセットチャンバ１００に
供給すべきガスとして、たとえば２２８０Ｔｏｒｒ（３
ｋｇｆ／ｃｍ２ ）程度に加圧したＮ２ （窒素）ガス
を使用し、電磁弁１０８、流量制御弁１１２を設けた第
１のベント１１６と電磁弁１１０を設けた第２のベント
１１８とを切り替えて２段階の給気を行う。In this device, the gas to be supplied to the cassette chamber 100 is, for example, 2280 Torr (3
Using N2 (nitrogen) gas pressurized to about kgf/cm2), a first vent 116 provided with a solenoid valve 108 and a flow control valve 112 and a second vent 118 provided with a solenoid valve 110 are switched. Perform two-stage air supply.
【０００６】先ず電磁弁１１０をオフのまま電磁弁１０
８をオンにして、タンク１０６からのＮ２ ガスを第１
のベント１１６を介してカセットチャンバ１００に供給
する。そうして、所定時間、たとえば１分間が経過する
と、電磁弁１０８をオフにすると同時に電磁弁１１０を
オンにし、今度は第２のベント１１８を介してＮ２ ガ
スをカセットチャンバ１００に供給する。そして、カセ
ットチャンバ１００内の気圧が大気圧に達すると、圧力
センサ（図示せず）でこれを検出し、電磁弁１１０をオ
フにしてＮ２ ガスの供給を停止する。First, the solenoid valve 110 is turned off with the solenoid valve 110 turned off.
8 to turn on the N2 gas from tank 106.
into the cassette chamber 100 through a vent 116 . Then, after a predetermined period of time, for example one minute, has elapsed, the solenoid valve 108 is turned off and at the same time the solenoid valve 110 is turned on, and N2 gas is supplied to the cassette chamber 100 via the second vent 118. When the pressure inside the cassette chamber 100 reaches atmospheric pressure, this is detected by a pressure sensor (not shown), and the electromagnetic valve 110 is turned off to stop the supply of N2 gas.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来装
置では、真空状態のカセットチャンバ１００に対し、最
初の数分間は第１のベント１１６により流量制御弁１１
２で流量を制限してＮ２ガスを供給し、その後は第２の
ベント１１８により全開流量のＮ２ ガスを供給してい
た。As described above, in the conventional device, the first vent 116 closes the flow rate control valve 11 for the first few minutes of the cassette chamber 100 in a vacuum state.
2, N2 gas was supplied with the flow rate restricted, and then the second vent 118 was used to supply N2 gas at a fully open flow rate.
【０００８】しかし、そのような段階的なベント切替に
よっても、カセットチャンバ１００内ではＮ２ ガスの
乱流が生じてパーティクルが舞い上がり、その舞い上が
ったパーティクルがウエハカセット１０２上のウエハ１
０４に付着するという不具合が起こった。このようなパ
ーティクルの付着によってウエハ１０４の歩留りは大幅
に低下する。However, even with such stepwise vent switching, a turbulent flow of N2 gas occurs in the cassette chamber 100, causing particles to fly up, and the flying particles to the wafer 1 on the wafer cassette 102.
There was a problem that it stuck to 04. Due to the attachment of such particles, the yield of wafers 104 is significantly reduced.
【０００９】特に、最近の半導体製造装置においては、
ターボモレキュラポンプ等の使用により、ロードロック
室やカセットチャンバ等の室内をも高い真空度（たとえ
ば１×１０−３ ｍＴｏｒｒ程度）に真空排気している
が、そのような高真空状態から大気圧状態に戻す場合は
、上記のようなパーティクルの舞い上がりが一層激しく
、歩留りへの影響もより甚大であった。In particular, in recent semiconductor manufacturing equipment,
By using turbo molecular pumps, etc., rooms such as load lock chambers and cassette chambers are evacuated to a high degree of vacuum (e.g., about 1 x 10-3 mTorr). When returning to the original state, the above-mentioned particles were thrown up even more violently, and the impact on the yield was even more severe.
【００１０】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、パーティクルを嫌う被処理基板を収容するチャ
ンバを真空状態から標準気圧状態に戻す際に、チャンバ
内にパーティクルが舞い上がらないようにしてガスを供
給するようにした微細加工装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of such problems, and is designed to prevent particles from flying up inside the chamber when returning the chamber containing the substrate to be processed, which does not like particles, from a vacuum state to a standard pressure state. An object of the present invention is to provide a microfabrication device that supplies gas.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の微細加工装置は、被処理基板を収容する
真空状態のチャンバ内に所定圧力のガスを初めは第１の
ベントを介して、次に第２のベントを介して段階的に供
給して前記チャンバを真空状態から予め設定した気圧状
態に戻すようにした微細加工装置において、前記第１の
ベントに所定の二次側圧力に設定可能な減圧弁を設ける
構成とした。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the microfabrication apparatus of the present invention initially introduces gas at a predetermined pressure into a vacuum chamber containing a substrate to be processed through a first vent. In the microfabrication apparatus, a predetermined secondary side is supplied to the first vent, and then the second vent is supplied in stages to return the chamber from a vacuum state to a preset atmospheric pressure state. The system is equipped with a pressure reducing valve that can set the pressure.
【００１２】0012
【作用】この種のチャンバを真空状態から標準気圧状態
に戻す場合、ガスの供給開始直後の急激な気圧変化が最
もパーティクルを舞い上げやすい。本発明では、ガス供
給開始直後は第１のベントに設けた減圧弁によりガス圧
を設定値以下に制御しながらしずかに立ち上げるので、
チャンバ内で乱流の発生するおそれが少なく、パーティ
クルの舞い上がりを防止することができる。[Operation] When returning this type of chamber from a vacuum state to a standard pressure state, particles are most likely to be thrown up by a sudden change in pressure immediately after the start of gas supply. In the present invention, immediately after the start of gas supply, the gas pressure is controlled to be below the set value using the pressure reducing valve installed in the first vent, and the gas pressure is gradually increased.
There is less risk of turbulence occurring within the chamber, and particles can be prevented from flying up.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図１〜図３を参照して本発明の実施例
を説明する。図１は本発明を半導体製造装置のカセット
チャンバに適用した一実施例の構成を示す回路図、図２
は実施例の作用を説明するためのカセットチャンバ内の
気圧の時間特性を示す図、図３は実施例に係る半導体製
造装置の全体構成を示す平面図である。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment in which the present invention is applied to a cassette chamber of a semiconductor manufacturing device, and FIG.
3 is a diagram showing the temporal characteristics of the atmospheric pressure in the cassette chamber for explaining the operation of the embodiment, and FIG. 3 is a plan view showing the overall configuration of the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment.
【００１４】先ず、図３において、この半導体製造装置
は、たとえばシリコンウエハ上に高融点金属層を形成す
る装置で、ドライエッチングのプロセスを行うための第
１の反応チャンバ１０およびＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のプロセスを行
うための第２の反応チャンバ１２と、ウエハ搬送を行う
ためのロードロック室１４と、ウエハカセットをロード
／アンロードするための一対のカセットチャンバ１６，
１８とから構成される。First, in FIG. 3, this semiconductor manufacturing apparatus is an apparatus for forming a high melting point metal layer on a silicon wafer, for example, and includes a first reaction chamber 10 for performing a dry etching process and a CVD (Chemical
a second reaction chamber 12 for carrying out a vapor deposition process, a load lock chamber 14 for carrying wafers, and a pair of cassette chambers 16 for loading/unloading wafer cassettes.
It consists of 18.
【００１５】ロードロック室１４は、両反応チャンバ１
０，１２および両カセットチャンバ１６，１８とそれぞ
れゲートバルブ２０，２２，２４，２６を介して連結さ
れ、室内には、ウエハを各チャンバ１０，１２，１６，
１８間で搬入または搬出するための伸縮回転自在のハン
ドアーム２８が設けられている。The load lock chamber 14 has both reaction chambers 1
0, 12 and both cassette chambers 16, 18 via gate valves 20, 22, 24, 26, respectively.
A telescopic and rotatable hand arm 28 is provided for loading or unloading between 18 and 18.
【００１６】両カセットチャンバ１６，１８には、この
半導体製造装置で処理を受けるべきシリコンウエハ２８
を、たとえば２５枚装填したウエハカセット３０，３０
がロードされる。このローディングの後、両カセットチ
ャンバ１６，１８は、それぞれゲートバルブ２４，２６
が閉じてロードロック室１４とは遮断された状態で、ロ
ータリポンプ（図示せず）により、たとえば０．２Ｔｏ
ｒｒ程度まで真空排気される。次に、ゲートバルブ２４
，２６が開いて両カセットチャンバ１６，１８とロード
ロック室１４が連絡した状態の下で、ターボモレキュラ
ポンプ（図示せず）によってロードロック室１４と両カ
セットチャンバ１６，１８が、たとえば１×１０−３
ｍＴｏｒｒ程度まで真空排気される。両反応チャンバ１
０，１２もそれぞれ別個のターボモレキュラポンプ（図
示せず）によって所定の真空度まで真空排気される。Both cassette chambers 16 and 18 contain silicon wafers 28 to be processed in this semiconductor manufacturing apparatus.
For example, a wafer cassette 30, 30 loaded with 25 wafers.
is loaded. After this loading, both cassette chambers 16, 18 are connected to gate valves 24, 26, respectively.
is closed and disconnected from the load lock chamber 14, and a rotary pump (not shown) is used to generate, for example, 0.2To
It is evacuated to about rr. Next, the gate valve 24
, 26 are opened so that both the cassette chambers 16, 18 and the load-lock chamber 14 are in communication, the load-lock chamber 14 and both the cassette chambers 16, 18 are pumped, for example, by a turbo molecular pump (not shown). 10-3
It is evacuated to about mTorr. Both reaction chambers 1
0 and 12 are also evacuated to a predetermined degree of vacuum by separate turbo molecular pumps (not shown).
【００１７】かかる真空状態の下で、ロードロック室１
４のハンドアーム２８は、カセットチャンバ１６，１８
内のウエハカセット３０からウエハ２８を１枚ずつ取り
出してはそれを第１または第２の反応チャンバ１０，１
２に搬入し、エッチングプロセスの終了したウエハ２８
を第１のチャンバ１０から搬出してそれをＣＶＤプロセ
スのために第２のチャンバ１２に搬入し、ＣＶＤプロセ
スの終了したウエハ２８を第２のチャンバ１２から搬出
してカセットチャンバ１６，１８内のウエハカセット３
０に戻すというウエハ搬送作業を行う。Under such a vacuum condition, the load lock chamber 1
The hand arm 28 of No. 4 is connected to the cassette chambers 16, 18.
The wafers 28 are taken out one by one from the wafer cassette 30 in the chamber and transferred to the first or second reaction chamber 10,1.
The wafer 28 that has been carried into the wafer 2 and has undergone the etching process.
is carried out from the first chamber 10 and carried into the second chamber 12 for the CVD process, and the wafer 28 that has undergone the CVD process is carried out from the second chamber 12 and placed in the cassette chambers 16 and 18. Wafer cassette 3
A wafer transfer operation is performed to return the data to zero.
【００１８】プロセスの終了したウエハ２８が全部ウエ
ハカセット３０に揃うと、そのウエハカセット３０をア
ンロードするため、ゲートバルブ２４，２６が閉じてロ
ードロック室１４とは遮断された状態で、カセットチャ
ンバ１６，１８は、後述する本実施例のガス供給装置に
より中性ガスを供給され、真空状態から大気圧状態に戻
される。この際、本実施例によれば、カセットチャンバ
１６，１８に供給される中性ガスの圧力が所定圧力値を
超えないように緩やかに立ち上げられるので、パーティ
クルの舞い上がるおそれが少ない。When all the processed wafers 28 are placed in the wafer cassette 30, in order to unload the wafer cassette 30, the gate valves 24 and 26 are closed and the load lock chamber 14 is cut off, and the cassette chamber is unloaded. 16 and 18 are supplied with neutral gas by a gas supply device of this embodiment, which will be described later, and returned from a vacuum state to an atmospheric pressure state. At this time, according to this embodiment, the pressure of the neutral gas supplied to the cassette chambers 16 and 18 is raised slowly so as not to exceed a predetermined pressure value, so there is little risk of particles flying up.
【００１９】さて、図１に、カセットチャンバ１６に対
する本実施例のガス供給装置の構成を示す。カセットチ
ャンバ１８に対しても、これと同一のガス供給装置が設
けられてよい。Now, FIG. 1 shows the configuration of the gas supply device of this embodiment for the cassette chamber 16. A similar gas supply device may also be provided for the cassette chamber 18.
【００２０】図１において、供給ガスは、たとえば２２
８０Ｔｏｒｒ（３ｋｇｆ／ｃｍ２ ）程度に加圧された
Ｎ２ ガスで、フィルタ付きのタンク４０にいったん蓄
積された後、第１のベント４２もしくは第２のベント４
４のいずれかのベントを通ってカセットチャンバ１６内
に供給されるようになっている。第１のベント４２には
、第１のレギュレータ（減圧弁）４６、流量制御弁４８
および第１の電磁弁５０が直列に設けられる。一方、第
２のベント４４には、第２のレギュレータ５２および第
２の電磁弁５４が直列に設けられる。両ベント４２，４
４とカセットチャンバ１６との間には、流量制御弁５６
とフィルタ５８が直列に設けられる。In FIG. 1, the supply gas is, for example, 22
N2 gas pressurized to about 80 Torr (3 kgf/cm2) is stored in the tank 40 with a filter, and then the first vent 42 or the second vent 4
4 into the cassette chamber 16. The first vent 42 includes a first regulator (pressure reducing valve) 46 and a flow control valve 48.
and a first solenoid valve 50 are provided in series. On the other hand, the second vent 44 is provided with a second regulator 52 and a second solenoid valve 54 in series. Both vents 42, 4
4 and the cassette chamber 16 is a flow control valve 56.
and a filter 58 are provided in series.
【００２１】第１のベント４２に設けられる第１のレギ
ュレータ４６の二次側圧力は、たとえば１００Ｔｏｒｒ
に設定され、第２のベント４４に設けられる第２のレギ
ュレータ５２の二次側圧力は、たとえば９１２Ｔｏｒｒ
に設定される。両電磁弁５０，５４のオン・オフは制御
部６０によって制御される。制御部６０は、圧力センサ
６２を介してカセットチャンバ１６内の気圧値を監視す
る機能をも有している。なお、６４はカセットチャンバ
１６を真空排気するためのロータリポンプ、６６はこの
ロータリポンプ６４を駆動するための電動モータである
。また、本実施例では、カセットチャンバ１６の室内上
部に円盤形のバッファプレート６８を配設し、チャンバ
１６内に供給されたＮ２ ガスをいったんバッファプレ
ート６８の上面に当て、バッファプレート６８の外周縁
よりＮ２ ガスを下方のウエハカセット３０側へ降り注
ぐようにしている。The secondary pressure of the first regulator 46 provided in the first vent 42 is, for example, 100 Torr.
The secondary pressure of the second regulator 52 provided in the second vent 44 is set to 912 Torr, for example.
is set to The on/off state of both electromagnetic valves 50 and 54 is controlled by a control section 60. The control unit 60 also has a function of monitoring the atmospheric pressure value within the cassette chamber 16 via the pressure sensor 62. Note that 64 is a rotary pump for evacuating the cassette chamber 16, and 66 is an electric motor for driving this rotary pump 64. Further, in this embodiment, a disk-shaped buffer plate 68 is disposed in the upper part of the interior of the cassette chamber 16, and the N2 gas supplied into the chamber 16 is once applied to the upper surface of the buffer plate 68, and the outer peripheral edge of the buffer plate 68 is The N2 gas is made to fall more downward toward the wafer cassette 30 side.
【００２２】次に、図２につきカセットチャンバ１６を
真空状態から大気圧状態まで戻すための本ガス供給装置
の動作を説明する。先ず、制御部６０は、第２の電磁弁
５４をオフにしたまま第１の電磁弁５０をオンにし、第
１のベント４２をアクティブにする。これにより、タン
ク４０からのＮ２ ガスは第１のベント４２に送られ、
そこで第１のレギュレータ４６により１００Ｔｏｒｒに
減圧される。この１００Ｔｏｒｒに減圧されたＮ２ ガ
スが、流量制御弁４８、電磁弁５０、流量制御弁５６，
フィルタ５８を通ってカセットチャンバ１６内に供給さ
れる。このような第１のベント４２による給気は、所定
の立ち上げ期間、たとえば１分間だけ行われる。Next, referring to FIG. 2, the operation of the present gas supply apparatus for returning the cassette chamber 16 from a vacuum state to an atmospheric pressure state will be explained. First, the control unit 60 turns on the first solenoid valve 50 while keeping the second solenoid valve 54 off, and activates the first vent 42 . As a result, N2 gas from the tank 40 is sent to the first vent 42,
Then, the first regulator 46 reduces the pressure to 100 Torr. This N2 gas whose pressure has been reduced to 100 Torr is supplied to the flow control valve 48, the solenoid valve 50, the flow control valve 56,
It is fed into the cassette chamber 16 through a filter 58 . Air supply through the first vent 42 is performed for a predetermined start-up period, for example, for one minute.
【００２３】その結果、図２の実線ＳＬで示すように、
チャンバ１６内の気圧は、立ち上げ期間途中に初期値（
１×１０−３ ｍＴｏｒｒ）から第１のレギュレータ４
６の設定圧力１００Ｔｏｒｒまでゆっくりと立ち上がり
、この設定圧力１００Ｔｏｒｒに達してもその圧力値に
保持される。As a result, as shown by the solid line SL in FIG.
The atmospheric pressure inside the chamber 16 changes to the initial value (
1 x 10-3 mTorr) to the first regulator 4
The pressure rises slowly to the set pressure of 100 Torr in No. 6, and even when this set pressure of 100 Torr is reached, the pressure is maintained at that pressure value.
【００２４】時刻ｔａ で立ち上げ期間が終了すると、
制御部６０は、第１の電磁弁５０をオフにすると同時に
第２の電磁弁５４をオンにし、今度は第２のベント４４
をアクティブにする。これにより、タンク４０からのＮ
２ ガスは第２のベント４４に送られ、そこで第２のレ
ギュレータ５２により９１２Ｔｏｒｒに減圧される。そ
して、この９１２Ｔｏｒｒに減圧されたＮ２ ガスが、
電磁弁５４、流量制御弁５６およびフィルタ５８を通っ
てカセットチャンバ１６内に供給される。このような第
２のベント４４による給気は最大で所定時間ｔｂ まで
、たとえば４分間行われる。[0024] When the start-up period ends at time ta,
The control unit 60 turns off the first solenoid valve 50 and simultaneously turns on the second solenoid valve 54, and in turn turns on the second solenoid valve 54.
Activate. As a result, N from the tank 40
2 gas is sent to second vent 44 where it is reduced in pressure to 912 Torr by second regulator 52. Then, this N2 gas whose pressure was reduced to 912 Torr was
It is supplied into the cassette chamber 16 through a solenoid valve 54, a flow control valve 56 and a filter 58. Air supply through the second vent 44 is continued for a maximum of a predetermined time tb, for example, for 4 minutes.
【００２５】この結果、図２の実線ＳＬで示すように、
カセットチャンバ１６内の気圧は、１００Ｔｏｒｒから
９１２Ｔｏｒｒに向かって比較的急速度で上昇する。そ
して、チャンバ１６内の気圧が７６０Ｔｏｒｒに達する
と、圧力センサ６２がその大気圧状態を検出し、制御部
６０がそのセンサ出力信号に応動して第２の電磁弁５４
をオフにして、Ｎ２ ガスの供給を止める。As a result, as shown by the solid line SL in FIG.
The air pressure within the cassette chamber 16 increases relatively rapidly from 100 Torr to 912 Torr. When the atmospheric pressure inside the chamber 16 reaches 760 Torr, the pressure sensor 62 detects the atmospheric pressure state, and the control unit 60 responds to the sensor output signal to control the second electromagnetic valve 54.
Turn off the N2 gas supply.
【００２６】なお、図２において、鎖線ＭＬは従来装置
による場合のカセットチャンバ内の気圧の時間特性を示
す。従来方式によれば、ガス供給開始直後は流量制御弁
によって流量を制限しつつＮ２ ガスを供給するが、本
実施例のようなガス圧の制御を行わないので、カセット
チャンバ１６内の気圧は急激に立ち上がる。In FIG. 2, a dashed line ML indicates the time characteristic of the air pressure inside the cassette chamber in the case of the conventional apparatus. According to the conventional method, immediately after the start of gas supply, N2 gas is supplied while restricting the flow rate using a flow rate control valve. However, since the gas pressure is not controlled as in this embodiment, the atmospheric pressure inside the cassette chamber 16 suddenly increases. stand up.
【００２７】上記のように、本実施例では、第１および
第２のベント４２，４４にそれぞれ第１および第２のレ
ギュレータ４６，５２を設け、第１のレギュレータ４６
の二次側圧力を真空状態（たとえば１×１０−３ ｍＴ
ｏｒｒｒ）よりはいくらか高い程度の圧力（たとえば１
００Ｔｏｒｒ）に設定し、第２のレギュレータ５２の二
次側圧力を大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）よりも高い圧力（
たとえば９１２Ｔｏｒｒ）に設定する。そして、立ち上
げ期間中は第１のベント４２をアクティブにして第１の
レギュレータ４６の設定圧力（１００Ｔｏｒｒ）までゆ
っくり立ち上げてその設定圧力を超えないようにし、立
ち上げ期間後は第２のベント４４に切り替えて第２のレ
ギュレータ５２の設定圧力（９１２Ｔｏｒｒ）に向けて
比較的速い速度でチャンバ１６内の気圧を上げていく。As described above, in this embodiment, the first and second vents 42 and 44 are provided with the first and second regulators 46 and 52, respectively, and the first regulator 46
The secondary pressure of
orrr) at some higher order of pressure (e.g. 1
00 Torr), and set the secondary side pressure of the second regulator 52 to a pressure higher than atmospheric pressure (760 Torr).
For example, set it to 912 Torr). During the start-up period, the first vent 42 is activated to slowly raise the pressure to the set pressure (100 Torr) of the first regulator 46 so as not to exceed the set pressure, and after the start-up period, the second vent 42 is activated. 44, and the air pressure in the chamber 16 is increased at a relatively high speed toward the set pressure of the second regulator 52 (912 Torr).
【００２８】このような本実施例の段階的給気によれば
、立ち上げ期間においてカセットチャンバ１６内の気圧
が真空状態から緩やかに、かつ設定圧力までしか上昇し
ないため、チャンバ１６内で乱流の発生するおそれが少
なく、パーティクルの舞い上がりを防止することができ
る。また、本実施例では、カセットチャンバ１６内にバ
ッファプレート６８を設けることによって、乱流の発生
防止、パーティクル舞い上がりの防止効果を一層高めて
いる。本実施例によれば、たとえば６インチのシリコン
ウエハにつき、０．３μｍ以上のパーティクルが従来は
５０個以上付着していたのを、１０個以下に減らすこと
が可能である。According to the stepwise air supply of this embodiment, the air pressure inside the cassette chamber 16 rises slowly from the vacuum state only up to the set pressure during the start-up period, so that turbulent flow occurs inside the chamber 16. There is less risk of generation of particles, and flying up of particles can be prevented. Furthermore, in this embodiment, by providing a buffer plate 68 within the cassette chamber 16, the effects of preventing the generation of turbulence and the flying up of particles are further enhanced. According to this embodiment, for example, the number of particles of 0.3 μm or more attached to a 6-inch silicon wafer, which conventionally was 50 or more, can be reduced to 10 or less.
【００２９】なお、上述した実施例では、Ｎ２ ガスを
供給してチャンバ内の気圧を上げたが他の中性ガスを供
給してもよい。また、第２のベント４４に第２のレギュ
レータ５２を設けたが、元のガス圧が上記実施例の値（
２２８０Ｔｏｒｒ） よりも低い値、たとえば１５２０
Ｔｏｒｒ（２ｋｇｆ／ｃｍ２ ）程度の場合には、この
第２のレギュレータ５２を省くことも可能である。[0029] In the above-described embodiment, N2 gas was supplied to increase the pressure inside the chamber, but other neutral gases may be supplied. Further, although the second regulator 52 was provided in the second vent 44, the original gas pressure was the value of the above embodiment (
2280Torr), for example 1520
In the case of approximately Torr (2 kgf/cm2), it is also possible to omit this second regulator 52.
【００３０】また、上記実施例は、プラズマエッチング
およびＣＶＤのプロセスを行う半導体製造装置のカセッ
トチャンバに係るものであったが、本発明はこれに限定
されるものでなく、たとえば被処理基板としては液晶テ
レビに用いられるＬＣＤ基板やアモルファスＳｉ 等で
もよく、そのようなパーティクルを嫌う１つまたは複数
の被処理基板を収容したまま真空状態から標準気圧状態
に戻す必要のある任意のチャンバに適用可能である。Furthermore, although the above embodiments relate to a cassette chamber of a semiconductor manufacturing apparatus that performs plasma etching and CVD processes, the present invention is not limited to this, and for example, a substrate to be processed may be used. It may be an LCD substrate used in liquid crystal televisions, amorphous Si, etc., and can be applied to any chamber that needs to return from a vacuum state to a standard pressure state while accommodating one or more processing target substrates that do not like such particles. be.
【００３１】[0031]
【発明の効果】上述したように、本発明の微細加工装置
によれば、被処理基板を収容するチャンバを真空状態か
ら標準気圧状態に戻す際に、ガス供給開始直後は減圧弁
によりガス圧を制御されたガスをチャンバに供給するよ
うにしたので、チャンバ内における乱流の発生を防止し
、パーティクルの舞い上がりを防止することができる。
したがって、被処理基板へのパーティクルの付着を少な
くし、歩留りを向上することができる。As described above, according to the microfabrication apparatus of the present invention, when returning the chamber containing the substrate to be processed from the vacuum state to the standard pressure state, the gas pressure is reduced by the pressure reducing valve immediately after the start of gas supply. Since the controlled gas is supplied to the chamber, it is possible to prevent turbulence from occurring within the chamber and prevent particles from flying up. Therefore, it is possible to reduce adhesion of particles to the substrate to be processed and improve yield.
【図１】本発明を半導体製造装置のカセットチャンバに
適用した一実施例の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment in which the present invention is applied to a cassette chamber of a semiconductor manufacturing device.
【図２】実施例の作用を説明するためのカセットチャン
バ内の気圧の時間特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the time characteristics of the air pressure inside the cassette chamber to explain the operation of the embodiment.
【図３】実施例に係る半導体製造装置の全体構成を示す
平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the overall configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an example.
【図４】カセットチャンバを真空状態から大気圧状態に
戻すための従来の装置を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a conventional apparatus for returning a cassette chamber from a vacuum state to an atmospheric pressure state.
１４ ロードロック室 １６ カセットチャンバ １８ カセットチャンバ ２８ シリコンウエハ ３０ ウエハカセット ４２ 第１のベント ４４ 第２のベント ４６ 第１のレギュレータ ５０ 第１の電磁弁 ５２ 第２のレギュレータ ５４ 第２の電磁弁 ６０ 制御部 ６８ バッファプレート 14 Load lock room 16 Cassette chamber 18 Cassette chamber 28 Silicon wafer 30 Wafer cassette 42 First vent 44 Second vent 46 First regulator 50 First solenoid valve 52 Second regulator 54 Second solenoid valve 60 Control section 68 Buffer plate
Claims (1)
ンバ内に所定圧力のガスを初めは第１のベントを介して
、次に第２のベントを介して段階的に供給して前記チャ
ンバを真空状態から予め設定した気圧状態に戻すように
した微細加工装置において、前記第１のベントに所定の
二次側圧力に設定可能な減圧弁を設けたことを特徴とす
る微細加工装置。1. Gas at a predetermined pressure is supplied stepwise into a vacuum chamber containing a substrate to be processed, first through a first vent and then through a second vent. A microfabrication device configured to return a pressure state from a vacuum state to a preset atmospheric pressure state, wherein the first vent is provided with a pressure reducing valve that can be set to a predetermined secondary side pressure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15384491A JPH04352326A (en) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | Fine processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15384491A JPH04352326A (en) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | Fine processing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352326A true JPH04352326A (en) | 1992-12-07 |
Family
ID=15571337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15384491A Pending JPH04352326A (en) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | Fine processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04352326A (en) |
Cited By (6)
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-
1991
- 1991-05-29 JP JP15384491A patent/JPH04352326A/en active Pending
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