JPH0435106B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0435106B2 JPH0435106B2 JP59239292A JP23929284A JPH0435106B2 JP H0435106 B2 JPH0435106 B2 JP H0435106B2 JP 59239292 A JP59239292 A JP 59239292A JP 23929284 A JP23929284 A JP 23929284A JP H0435106 B2 JPH0435106 B2 JP H0435106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- mos transistor
- charge
- shift register
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/20—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/1506—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements
- H04N3/1512—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements for MOS image-sensors, e.g. MOS-CCD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低温構用の赤外線検出装置に係る。
1982年４月１日に刊行された雑誌“Electro−
nics Letters”第18巻、７号、285−287頁に所収
の論文“Electronically Scanned C.M.T.
detector array for the ８−14 micrometer
band”中には、添付の第１図について以下に説
明するような赤外領域用感光デバイスが開示され
ている。
nics Letters”第18巻、７号、285−287頁に所収
の論文“Electronically Scanned C.M.T.
detector array for the ８−14 micrometer
band”中には、添付の第１図について以下に説
明するような赤外領域用感光デバイスが開示され
ている。
該デバイスは、半導体基板上に集積されたＮ行
×Ｍ列の赤外検出器のアレーから構成されてい
る。第１図ではＭ＝Ｎ＝３とする。検出器D11，
D21，D31……D12，D22，D32……は、カドミウ
ム・水銀・テルル化物（C.M.T.）半導体基板上
に集積されたフオトダイオードであり、各フオト
ダイオードはMOSトランジスタT1に連結されて
いる。第１図中、各フオトダイオードのアノード
は接地に、カソードはMOSトランジスタT1に接
続されている。水平方向電極から成る第１のアレ
ーは、同一行の検出器に連結されたMOSトラン
ジスタT1を相互に接続している。鉛直方向の電
極から成る第２のアレーは、同一列の検出器に連
結されたMOSトランジスタT1のゲートを相互に
接続している。第１シフトレジスタは、第２のア
レーの各電極を逐次アドレスさせ得る。第２のア
レーの電極がアドレスされると、この電極に接続
された検出器、第１図の例では検出器D11，D12，
D13により受取られた赤外輻射に対応する電荷が
積分される。電荷の積分及び読出しは、積分器と
してキヤパシタC1，C2，C3と共に負入力及び出
力間に接続されておりかつ第１のアレーの各電極
に接続されている演算増幅器により行われる。マ
ルテプレクサは増幅器の出力を受取り、所定列の
検出器内で積分された電荷を読出すための信号列
Ｓに供給する。こうして次列の検出器D21，D22，
D23の電荷の積分が開始される。
×Ｍ列の赤外検出器のアレーから構成されてい
る。第１図ではＭ＝Ｎ＝３とする。検出器D11，
D21，D31……D12，D22，D32……は、カドミウ
ム・水銀・テルル化物（C.M.T.）半導体基板上
に集積されたフオトダイオードであり、各フオト
ダイオードはMOSトランジスタT1に連結されて
いる。第１図中、各フオトダイオードのアノード
は接地に、カソードはMOSトランジスタT1に接
続されている。水平方向電極から成る第１のアレ
ーは、同一行の検出器に連結されたMOSトラン
ジスタT1を相互に接続している。鉛直方向の電
極から成る第２のアレーは、同一列の検出器に連
結されたMOSトランジスタT1のゲートを相互に
接続している。第１シフトレジスタは、第２のア
レーの各電極を逐次アドレスさせ得る。第２のア
レーの電極がアドレスされると、この電極に接続
された検出器、第１図の例では検出器D11，D12，
D13により受取られた赤外輻射に対応する電荷が
積分される。電荷の積分及び読出しは、積分器と
してキヤパシタC1，C2，C3と共に負入力及び出
力間に接続されておりかつ第１のアレーの各電極
に接続されている演算増幅器により行われる。マ
ルテプレクサは増幅器の出力を受取り、所定列の
検出器内で積分された電荷を読出すための信号列
Ｓに供給する。こうして次列の検出器D21，D22，
D23の電荷の積分が開始される。
第１のMOSトランジスタT1及び第１シフトレ
ジスタは、赤外検出器を支持する基板に接続され
たシリコン半導体基板上に集積されている。第１
のMOSトランジスタT1及び第１のシフトレジス
タは、赤外検出器と同一の77°Kの低温槽に配置
されている。
ジスタは、赤外検出器を支持する基板に接続され
たシリコン半導体基板上に集積されている。第１
のMOSトランジスタT1及び第１のシフトレジス
タは、赤外検出器と同一の77°Kの低温槽に配置
されている。
ここに付随し、本発明によつて解決された問題
は、積分器として接続する演算増幅器を低温槽の
内側に配置できないという点である。該演算増幅
器は消費電力が大きく、従つて温度が高いので、
低温槽に配置すると問題が生じる。更に、消費量
が大きいため分離素子として構成しなければなら
ず、広いスペースが必要になる。
は、積分器として接続する演算増幅器を低温槽の
内側に配置できないという点である。該演算増幅
器は消費電力が大きく、従つて温度が高いので、
低温槽に配置すると問題が生じる。更に、消費量
が大きいため分離素子として構成しなければなら
ず、広いスペースが必要になる。
この結果、低温槽とデバイスの残部との間に多
数の結線を形成しなければならない。更に、低温
槽と演算増幅器との間の結線は、渦電流に敏感な
低レベルの信号を搬送する。
数の結線を形成しなければならない。更に、低温
槽と演算増幅器との間の結線は、渦電流に敏感な
低レベルの信号を搬送する。
本発明の目的は前述の問題点を解決できる低温
槽用の赤外線検出装置を提供することにある。
槽用の赤外線検出装置を提供することにある。
本発明によれば前記目的は、第１の半導体基板
上に集積されたＮ行×Ｍ列の赤外検出器のアレー
と、赤外検出器の各行毎に夫々設けられた複数の
第１電極と、赤外検出器の各列毎に夫々設けられ
た複数の第２電極と、一つの赤外検出器と該一つ
の赤外検出器と同一行の第１電極との間に夫々接
続された複数の第1MOSトランジスタと、各第２
電極と接続されており第２電極の配置順に各第２
電極を逐次アドレスする第１シフトレジスタと、
一つの第1MOSトランジスタのゲートを制御すべ
く一つの第1MOSトランジスタのゲート及び該一
つの第1MOSトランジスタと同一列の第２電極の
間に夫々接続された複数の第2MOSトランジスタ
と、一つの第１電極に第1MOSトランジスタと介
して接続された赤外検出器から逐次転送される電
荷を蓄積すべく基準電位と一つの第１電極との間
に夫々接続された複数のキヤパシタと、電荷を出
力する出力端子と、キヤパシタに蓄積された電荷
を出力端子へ転送すべく一つの第１電極と前記出
力端子との間に夫々接続された複数の第3MOSト
ランジスタと、各第2MOSトランジスタと各第
3MOSトランジスタの夫々のゲートと接続されて
おり、キヤパシタに蓄積された電荷を第１電極の
配置順にキヤパシタから逐次出力端子へ転送させ
る一方で、第１シフトレジスタが一つの第２電極
をアドレスしている場合には第１シフトレジスタ
によりアドレスされた一つの第２電極と同一列の
赤外検出器から転送された電荷を、電荷が前記出
力端子へ転送されていない対応するキヤパシタに
蓄積させるように各第2MOSトランジスタ及び各
第3MOSトランジスタの夫々のゲートをアドレス
する第２シフトレジスタとを含み、第１シフトレ
ジスタは一つの第２電極をアドレスしたときに電
荷が各キヤパシタから前記出力端子へ転送されて
のち、他の第２電極をアドレスするように構成さ
れており、第1MOSトランジスタ、第2MOSトラ
ンジスタ、第3MOSトランジスタ、第１シフトレ
ジスタ、第２シフトレジスタ及びキヤパシタの
夫々が第２の半導体基板上に集積されるように構
成されている低温槽用の赤外線検出装置によつて
達成される。
上に集積されたＮ行×Ｍ列の赤外検出器のアレー
と、赤外検出器の各行毎に夫々設けられた複数の
第１電極と、赤外検出器の各列毎に夫々設けられ
た複数の第２電極と、一つの赤外検出器と該一つ
の赤外検出器と同一行の第１電極との間に夫々接
続された複数の第1MOSトランジスタと、各第２
電極と接続されており第２電極の配置順に各第２
電極を逐次アドレスする第１シフトレジスタと、
一つの第1MOSトランジスタのゲートを制御すべ
く一つの第1MOSトランジスタのゲート及び該一
つの第1MOSトランジスタと同一列の第２電極の
間に夫々接続された複数の第2MOSトランジスタ
と、一つの第１電極に第1MOSトランジスタと介
して接続された赤外検出器から逐次転送される電
荷を蓄積すべく基準電位と一つの第１電極との間
に夫々接続された複数のキヤパシタと、電荷を出
力する出力端子と、キヤパシタに蓄積された電荷
を出力端子へ転送すべく一つの第１電極と前記出
力端子との間に夫々接続された複数の第3MOSト
ランジスタと、各第2MOSトランジスタと各第
3MOSトランジスタの夫々のゲートと接続されて
おり、キヤパシタに蓄積された電荷を第１電極の
配置順にキヤパシタから逐次出力端子へ転送させ
る一方で、第１シフトレジスタが一つの第２電極
をアドレスしている場合には第１シフトレジスタ
によりアドレスされた一つの第２電極と同一列の
赤外検出器から転送された電荷を、電荷が前記出
力端子へ転送されていない対応するキヤパシタに
蓄積させるように各第2MOSトランジスタ及び各
第3MOSトランジスタの夫々のゲートをアドレス
する第２シフトレジスタとを含み、第１シフトレ
ジスタは一つの第２電極をアドレスしたときに電
荷が各キヤパシタから前記出力端子へ転送されて
のち、他の第２電極をアドレスするように構成さ
れており、第1MOSトランジスタ、第2MOSトラ
ンジスタ、第3MOSトランジスタ、第１シフトレ
ジスタ、第２シフトレジスタ及びキヤパシタの
夫々が第２の半導体基板上に集積されるように構
成されている低温槽用の赤外線検出装置によつて
達成される。
本発明の装置においては、複数のキヤパシタは
夫々赤外検出器から逐次転送される電荷を蓄積
し、第２シフトレジスタはキヤパシタに蓄積され
た電荷を第１電極の配置順にキヤパシタから逐次
出力端子へ転送させる一方で、第１シフトレジス
タが一つの第２電極をアドレスしている場合には
第１シフトレジスタによりアドレスされた一つの
第２電極と同一列の赤外検出器から転送された電
荷を、電荷が前記出力端子へ転送されていない対
応するキヤパシタに蓄積させるように各第2MOS
トランジスタ及び各第3MOSトランジスタの夫々
のゲートをアドレスし、第１シフトレジスタは一
つの第２電極をアドレスしたときに電荷が各キヤ
パシタから出力端子へ転送されてのち、他の第２
電極をアドレスするように構成されているが故
に、増幅器を必要としないので増幅器の作動によ
る低温槽の内部温度の上昇がなく照射された赤外
線に応じた電荷を確実にかつ少ない消費電力で検
出し得る。
夫々赤外検出器から逐次転送される電荷を蓄積
し、第２シフトレジスタはキヤパシタに蓄積され
た電荷を第１電極の配置順にキヤパシタから逐次
出力端子へ転送させる一方で、第１シフトレジス
タが一つの第２電極をアドレスしている場合には
第１シフトレジスタによりアドレスされた一つの
第２電極と同一列の赤外検出器から転送された電
荷を、電荷が前記出力端子へ転送されていない対
応するキヤパシタに蓄積させるように各第2MOS
トランジスタ及び各第3MOSトランジスタの夫々
のゲートをアドレスし、第１シフトレジスタは一
つの第２電極をアドレスしたときに電荷が各キヤ
パシタから出力端子へ転送されてのち、他の第２
電極をアドレスするように構成されているが故
に、増幅器を必要としないので増幅器の作動によ
る低温槽の内部温度の上昇がなく照射された赤外
線に応じた電荷を確実にかつ少ない消費電力で検
出し得る。
本発明の実施例においては、第１の半導体基板
上に集束されたＮ行×Ｍ列の赤外検出器のアレー
と、一方が同一行の検出器、他方が同一列の検出
器に割当てられている２個の電極アレーと、各検
出器と第１のアレーの電極との間に接続された第
１のMOSトランジスタと、第２のアレーの電極
を順次アドレスする第１のシフトレジスタとを備
えており、第１のMOSトランジスタと第１のレ
ジスタとが第２の半導体基板上に集積されかつ検
出器と同一の低温槽に配置されている赤外領域用
感光デバイスに係り、該デバイスは更に、第１の
MOSトランジスタの各ゲートと第２のアレーの
電極との間に接続された第２のMOSトランジス
タと、第１のアレーの各電極と基準電位との間に
接続されており、この電極に接続された検出器に
よる電荷を逐次蓄積し、次いで読出すべく機能す
るキヤパシタと、第１のアレーの各電極と感光デ
バイスの出力との間に接続されており、各キヤパ
シタに蓄積された電荷を読出させる第３のMOS
トランジスタと、第１のレジスタが第２のアレー
の１個の電極をアドレスする間、第１のアレーの
電極に接続された第３のMOSトランジスタのゲ
ートと第１のアレーの別の電極に接続された第１
のMOSトランジスタのゲートを制御する第２の
MOSトランジスタのゲートとを順次アドレスし、
第１のアレーの電極に接続された検出器が読出さ
れる時、第２のアレーの各電極に接続された全検
出器を順次読出させかつ第１のアレーの他の電極
の各々に接続された検出器からの電荷を積分させ
る第２のシフトレジスタとを第２の半導体基板上
に集積しておりかつ低温槽内に配置している。
上に集束されたＮ行×Ｍ列の赤外検出器のアレー
と、一方が同一行の検出器、他方が同一列の検出
器に割当てられている２個の電極アレーと、各検
出器と第１のアレーの電極との間に接続された第
１のMOSトランジスタと、第２のアレーの電極
を順次アドレスする第１のシフトレジスタとを備
えており、第１のMOSトランジスタと第１のレ
ジスタとが第２の半導体基板上に集積されかつ検
出器と同一の低温槽に配置されている赤外領域用
感光デバイスに係り、該デバイスは更に、第１の
MOSトランジスタの各ゲートと第２のアレーの
電極との間に接続された第２のMOSトランジス
タと、第１のアレーの各電極と基準電位との間に
接続されており、この電極に接続された検出器に
よる電荷を逐次蓄積し、次いで読出すべく機能す
るキヤパシタと、第１のアレーの各電極と感光デ
バイスの出力との間に接続されており、各キヤパ
シタに蓄積された電荷を読出させる第３のMOS
トランジスタと、第１のレジスタが第２のアレー
の１個の電極をアドレスする間、第１のアレーの
電極に接続された第３のMOSトランジスタのゲ
ートと第１のアレーの別の電極に接続された第１
のMOSトランジスタのゲートを制御する第２の
MOSトランジスタのゲートとを順次アドレスし、
第１のアレーの電極に接続された検出器が読出さ
れる時、第２のアレーの各電極に接続された全検
出器を順次読出させかつ第１のアレーの他の電極
の各々に接続された検出器からの電荷を積分させ
る第２のシフトレジスタとを第２の半導体基板上
に集積しておりかつ低温槽内に配置している。
本発明の他の目的、特徴及び結果は、添付図面
を参考に非限定的な実施例に関する以下の記載か
ら明らかになろう。
を参考に非限定的な実施例に関する以下の記載か
ら明らかになろう。
なお各図面中、同一素子は同一の参照符号で示
したが、分り易いように各素子の寸法及び比率は
考慮していない。
したが、分り易いように各素子の寸法及び比率は
考慮していない。
第１図については既に詳細な説明の冒頭で述べ
た。
た。
第２図は、本発明の一実施例の線図である。
該デバイスは、２個のMOSトランジスタが各
検出器D11，D12，D13……に連結されているとい
う点において第１図のデバイスと特に異なつてお
り、第１のMOSトランジスタT1,11，T1,21……は
第１図と同様に各検出器と第１の電極アレーの水
平方向電極との間に接続されており、第２の
MOSトランジスタT2,11，T2,21……は各第１の
MOSトランジスタゲートと第２の電極アレーの
鉛直方向電極との間に接続されている。
検出器D11，D12，D13……に連結されているとい
う点において第１図のデバイスと特に異なつてお
り、第１のMOSトランジスタT1,11，T1,21……は
第１図と同様に各検出器と第１の電極アレーの水
平方向電極との間に接続されており、第２の
MOSトランジスタT2,11，T2,21……は各第１の
MOSトランジスタゲートと第２の電極アレーの
鉛直方向電極との間に接続されている。
第１図と同様に、第１のシフトレジスタは第２
のアレーの鉛直方向電極を順次アドレスする。
のアレーの鉛直方向電極を順次アドレスする。
第１図のデバイスと第２図のデバイスとの他の
差違は、第１のアレーの水平方向電極S1，S2，S3
に接続された電荷の積分及び読出し用手段を備え
ているという点である。
差違は、第１のアレーの水平方向電極S1，S2，S3
に接続された電荷の積分及び読出し用手段を備え
ているという点である。
第２図中、該手段は、第１のアレーの各水平方
向電極S1，S2，S3と第２の半導体基板の電位であ
り得、接地として図示されている基準電位との間
の接続されたキヤパシタC1，C2，C3……と、第
１のアレーの各水平方向電極S1，S2，S3と感光デ
バイスの出力Ｓとの間に接続された第３のMOS
トランジスタT31，T32，T33……と、第３の
MOSトランジスタのゲートと第１のアレーの電
極のうちで第３のMOSトランジスタが接続され
ていない電極に接続された第１のMOSトランジ
スタのゲートを制御する第２のMOSトランジス
タのゲートとを順次アドレスする第２のシフトレ
ジスタとから形成されている。
向電極S1，S2，S3と第２の半導体基板の電位であ
り得、接地として図示されている基準電位との間
の接続されたキヤパシタC1，C2，C3……と、第
１のアレーの各水平方向電極S1，S2，S3と感光デ
バイスの出力Ｓとの間に接続された第３のMOS
トランジスタT31，T32，T33……と、第３の
MOSトランジスタのゲートと第１のアレーの電
極のうちで第３のMOSトランジスタが接続され
ていない電極に接続された第１のMOSトランジ
スタのゲートを制御する第２のMOSトランジス
タのゲートとを順次アドレスする第２のシフトレ
ジスタとから形成されている。
以下の記載中、第１及び第２のシフトレジスタ
はｉ，ｉ＋１，ｉ＋２……段の電極を逐次アドレ
スし、第２のシフトレジスタは、第１のアレーの
ｉ＋１段の電極に接続された第３のMOSトラン
ジスタのゲートと、同時に、第１のアレーのｉ段
の電極に接続された第１のMOSトランジスタの
ゲートを制御する第２のMOSトランジスタのゲ
ートとをアドレスするものと仮定する。
はｉ，ｉ＋１，ｉ＋２……段の電極を逐次アドレ
スし、第２のシフトレジスタは、第１のアレーの
ｉ＋１段の電極に接続された第３のMOSトラン
ジスタのゲートと、同時に、第１のアレーのｉ段
の電極に接続された第１のMOSトランジスタの
ゲートを制御する第２のMOSトランジスタのゲ
ートとをアドレスするものと仮定する。
従つて、例えば第２図中、第２のレジスタの出
力Y2はトランジスタT32のゲートとトランジスタ
T2,11，T2,21，T2,31のゲートとに接続されている。
第２のレジスタの他の出力にも同様の結線が形成
されている。
力Y2はトランジスタT32のゲートとトランジスタ
T2,11，T2,21，T2,31のゲートとに接続されている。
第２のレジスタの他の出力にも同様の結線が形成
されている。
本発明の実施例は、当然のことながら行列状検
出器が別の順序でアドレスされるように変形され
得る。
出器が別の順序でアドレスされるように変形され
得る。
本発明の装置の大きな利点は、装置全体が低温
槽に配置され得、赤外検出器が第２の半導体基板
に接続された第１の半導体基板上に集積されてお
り、デバイスの残りの部分は第２の半導体基板上
に集積されているという点にある。低温槽は単一
の高レベル出力Ｓを有する。
槽に配置され得、赤外検出器が第２の半導体基板
に接続された第１の半導体基板上に集積されてお
り、デバイスの残りの部分は第２の半導体基板上
に集積されているという点にある。低温槽は単一
の高レベル出力Ｓを有する。
第２図のデバイスの動作は従来技術のデバイス
と異つている。
と異つている。
この動作を第３図ａからｆ及び第４図ａ，ｂ，
ｃに関して以下に説明する。
ｃに関して以下に説明する。
第３図ａからｆは、第１及び第２のシフトレジ
スタの出力X1，X2，X3，Y1，Y2，Y3における
電圧VX1，VX2，VX3及びVY1，VY2，VY3を示して
いる。
スタの出力X1，X2，X3，Y1，Y2，Y3における
電圧VX1，VX2，VX3及びVY1，VY2，VY3を示して
いる。
各電圧VX1，VX2，VX3は、VX1，VX2，VX3……
の順で高レベルに移行する。
の順で高レベルに移行する。
電圧VY1，VY2，VY3はそれぞれ電圧VX1，VX2，
VX3の１個が高レベルにある各周期毎に順に高レ
ベルに移行する。第３ａ乃至ｆ図中、電圧VX1，
VX2，VX3の１個と電圧VY1，VY2，VY3の１個と
は常に高レベルにある。
VX3の１個が高レベルにある各周期毎に順に高レ
ベルに移行する。第３ａ乃至ｆ図中、電圧VX1，
VX2，VX3の１個と電圧VY1，VY2，VY3の１個と
は常に高レベルにある。
時刻t1において、電圧VX1及びVY2は高レベルに
あり、他の電圧は低レベルにある。第２のMOS
トランジスタT2,11は導通し、第１のMOSトラン
ジスタT2,11を導通させる。検出器D11からの電荷
はキヤパシタC1に蓄積される。検出器D11からの
電荷の積分が開始すると同時に、第３のトランジ
スタT32は導通し、検出器D32から転送されてキ
ヤパシタC2に蓄積された電荷を読出す。
あり、他の電圧は低レベルにある。第２のMOS
トランジスタT2,11は導通し、第１のMOSトラン
ジスタT2,11を導通させる。検出器D11からの電荷
はキヤパシタC1に蓄積される。検出器D11からの
電荷の積分が開始すると同時に、第３のトランジ
スタT32は導通し、検出器D32から転送されてキ
ヤパシタC2に蓄積された電荷を読出す。
時刻t2において電圧VX1及びVY3は高レベルにあ
る。MOSトランジスタT2,11はゲートから低レベ
ル電圧VY2を受取り、遮断される。他方、トラン
ジスタT1,11は予めゲートに電荷が蓄積されてい
るため、導通し続ける。感光デバイス全体が冷却
された低温槽に配置されているので、トランジス
タT1,11……のゲートにおける電荷の保持が促進
される。検出器D11からの電荷は積分され続け
る。トランジスタT2,12及びT1,12は導通し、検出
器D12からの電荷をキヤパシタC2内で積分させ
る。トランジスタT32は遮断される。D32からの
電荷の読出しが終了する。トランジスタT33は導
通し、検出器D13から転送され、キヤパシタC3に
蓄積された電荷が読出される。
る。MOSトランジスタT2,11はゲートから低レベ
ル電圧VY2を受取り、遮断される。他方、トラン
ジスタT1,11は予めゲートに電荷が蓄積されてい
るため、導通し続ける。感光デバイス全体が冷却
された低温槽に配置されているので、トランジス
タT1,11……のゲートにおける電荷の保持が促進
される。検出器D11からの電荷は積分され続け
る。トランジスタT2,12及びT1,12は導通し、検出
器D12からの電荷をキヤパシタC2内で積分させ
る。トランジスタT32は遮断される。D32からの
電荷の読出しが終了する。トランジスタT33は導
通し、検出器D13から転送され、キヤパシタC3に
蓄積された電荷が読出される。
時刻t3では、電圧VX2及びVY1が高レベルにあ
る。トランジスタT2,11は遮断されるが、トラン
ジスタT1,11は導通し続ける。検出器D11からの電
荷は積分され続ける。検出器D12からの電荷の積
分についても同様である。MOSトランジスタT33
は遮断され、検出器D13からの電荷の読出しが終
了する。他方、トランジスタT31は導通し、検出
器D11から転送され、キヤパシタC1に蓄積された
電荷を読出す。トランジスタT2,23及びT1,23は導
通し、検出器D23からの電荷の積分がキヤパシタ
C3で開始する。
る。トランジスタT2,11は遮断されるが、トラン
ジスタT1,11は導通し続ける。検出器D11からの電
荷は積分され続ける。検出器D12からの電荷の積
分についても同様である。MOSトランジスタT33
は遮断され、検出器D13からの電荷の読出しが終
了する。他方、トランジスタT31は導通し、検出
器D11から転送され、キヤパシタC1に蓄積された
電荷を読出す。トランジスタT2,23及びT1,23は導
通し、検出器D23からの電荷の積分がキヤパシタ
C3で開始する。
時刻t4では、電圧VX2及びVY2が高レベルにあ
る。MOSトランジスタT31は遮断され、検出器
D11から転送され、キヤパシタC1に蓄積された電
荷の読出しが停止する。VX1が低レベルの間に電
圧VY2が高レベルに移行するのでトランジスタ
T2,11及びT1,11は遮断され、検出器D11からの電荷
の積分が停止する。検出器D12からの電荷の積分
が継続している間に該検出器からの電荷の読出し
が開始する。検出器D23からの電荷の積分が続け
られ、検出器D21からの電荷の積分が開始する。
る。MOSトランジスタT31は遮断され、検出器
D11から転送され、キヤパシタC1に蓄積された電
荷の読出しが停止する。VX1が低レベルの間に電
圧VY2が高レベルに移行するのでトランジスタ
T2,11及びT1,11は遮断され、検出器D11からの電荷
の積分が停止する。検出器D12からの電荷の積分
が継続している間に該検出器からの電荷の読出し
が開始する。検出器D23からの電荷の積分が続け
られ、検出器D21からの電荷の積分が開始する。
トランジスタT1,11及びT2,11を例に第２図のデ
バイスの基本的な動作を説明すると、電圧VX1及
びVY2が高レベルの時、MOSトランジスタT2,11
及びT1,11が導通しており、VX1が高レベルでかつ
VY2が低レベルの時、トランジスタT2,11が遮断さ
れかつゲートに蓄積された電荷によりトランジス
タT1,11が導通し続け、VX1が低レベルでかつVY2
が高レベルの時、トランジスタT2,11及びT1,11が
遮断される。
バイスの基本的な動作を説明すると、電圧VX1及
びVY2が高レベルの時、MOSトランジスタT2,11
及びT1,11が導通しており、VX1が高レベルでかつ
VY2が低レベルの時、トランジスタT2,11が遮断さ
れかつゲートに蓄積された電荷によりトランジス
タT1,11が導通し続け、VX1が低レベルでかつVY2
が高レベルの時、トランジスタT2,11及びT1,11が
遮断される。
第４図ａ，ｂ，ｃは、キヤパシタC1，C2及び
C3による検出器の積分及び読出しの経時変化を
示している。
C3による検出器の積分及び読出しの経時変化を
示している。
図から明らかなように、第２のアレーの各電極
に接続された検出器は逐次読出される。
に接続された検出器は逐次読出される。
従つて、検出器D13，D11，D12が読出され、次
にD23，D21，D22，D33，D31，D32、再びD13，
D11，D12……の順で読出される。
にD23，D21，D22，D33，D31，D32、再びD13，
D11，D12……の順で読出される。
水平方向電極に接続された電極が読出される
間、他の水平方向電極の各々に接続された検出器
からの電荷が積分される。従つて、D11が読出さ
れる間、D12及びD23からの電荷が積分される。
間、他の水平方向電極の各々に接続された検出器
からの電荷が積分される。従つて、D11が読出さ
れる間、D12及びD23からの電荷が積分される。
第１図のデバイスの場合と異り、検出器の積分
周期は経時的にずれている。
周期は経時的にずれている。
本発明のデバイスは利点は、検出器の行（又は
列）毎に１個のキヤパシタしか備えていないにも
拘らず電荷積分時間が向上するという点にある。
第４図から明らかなように、D11からの電荷の積
分は時刻t1からt4の間に行われるが、第１図のデ
バイスの場合、積分時間はt2−t1である。
列）毎に１個のキヤパシタしか備えていないにも
拘らず電荷積分時間が向上するという点にある。
第４図から明らかなように、D11からの電荷の積
分は時刻t1からt4の間に行われるが、第１図のデ
バイスの場合、積分時間はt2−t1である。
第５図ａは、例えばＰ型シリコンから形成され
ており、第２図のデバイスが集積される半導体基
板の横断面図である。
ており、第２図のデバイスが集積される半導体基
板の横断面図である。
同図はフオトダイオードD11に接続された素子
のレベルにおける断面図である。
のレベルにおける断面図である。
フオトダイオードD11は、接地として図示して
ある基準電位に接続されたアノードと、２個のダ
イオードd1及びd2と２個のゲートG1及びG2とか
ら形成された第１のMOSトランジスタT1,11に接
続されたカソードとを備えている。
ある基準電位に接続されたアノードと、２個のダ
イオードd1及びd2と２個のゲートG1及びG2とか
ら形成された第１のMOSトランジスタT1,11に接
続されたカソードとを備えている。
第１のゲートG1は定電位とされており、フオ
トダイオードをバイアスするべく機能する。
トダイオードをバイアスするべく機能する。
第２のゲートG2は第２のMOSトランジスタ
T2,11（第５図ａ）には図示せず）により制御され
る。
T2,11（第５図ａ）には図示せず）により制御され
る。
電極は、第１行の検出器D11，D21，D31の第１
のトランジスタのダイオードd2を相互に接続して
いる。
のトランジスタのダイオードd2を相互に接続して
いる。
電極S1は、第３のMOSトランジスタT31の一部
を構成しているダイオードd3で終端している。該
トランジスタは、定電位のゲートG3と第２のシ
フトレジスタの出力Y1に接続されたゲートG4と
の２個のゲートを備えている。更にMOSトラン
ジスタT3は、デバイスの出力Ｓに接続されたダ
イオードd4を備えている。
を構成しているダイオードd3で終端している。該
トランジスタは、定電位のゲートG3と第２のシ
フトレジスタの出力Y1に接続されたゲートG4と
の２個のゲートを備えている。更にMOSトラン
ジスタT3は、デバイスの出力Ｓに接続されたダ
イオードd4を備えている。
キヤパシタC1は、行検出器の全ダイオードd2の
キヤパシタとダイオードd3のキヤパシタとトラン
ジスタT31のゲートG3とから形成されている。
キヤパシタとダイオードd3のキヤパシタとトラン
ジスタT31のゲートG3とから形成されている。
第５図ｂ，ｃ及びｄは、半導体基板の表面電位
の経時変化を示している。
の経時変化を示している。
第５図ｂでは、時刻t1及びt2において検出器
D11による電荷がキヤパシタC1で積分される。
D11による電荷がキヤパシタC1で積分される。
第５図ｃでは、時刻t3においてキヤパシタC1に
蓄積された電荷がトランジスタT31により読出さ
れる。
蓄積された電荷がトランジスタT31により読出さ
れる。
第５図ｄでは、時刻t4においてキヤパシタC1が
検出器D21からの電荷を蓄積する。
検出器D21からの電荷を蓄積する。
赤外感知検出器は図例のようなフオトダイオー
ドであるか、又はゲート・絶縁体・半導体型検出
器のような他の型の赤外検出器であり得る。フオ
トダイオードの場合、赤外検出器は図例のように
第２の半導体基板上に形成されたダイオード又
は、本発明のデバイスの動作を変更することなく
第２の基板上に形成されたゲートに接続され得
る。例えばフオートダイオードは、第２のMOS
トランジスタに接続された少なくとも１個の他の
ゲートを有する第１のMOSトランジスタの所定
のゲートに接続され得る。
ドであるか、又はゲート・絶縁体・半導体型検出
器のような他の型の赤外検出器であり得る。フオ
トダイオードの場合、赤外検出器は図例のように
第２の半導体基板上に形成されたダイオード又
は、本発明のデバイスの動作を変更することなく
第２の基板上に形成されたゲートに接続され得
る。例えばフオートダイオードは、第２のMOS
トランジスタに接続された少なくとも１個の他の
ゲートを有する第１のMOSトランジスタの所定
のゲートに接続され得る。
同様に、光検出器及びデバイスの残りの部分は
各種の適切な半導体基板上に集積される。例えば
光検出器の場合、インジウム・アンチモン化物、
錫・鉛・テルル化物、カドミウム・水銀・テルル
化物等が使用される。デバイスの残りの部分は例
えばＰ又はＮ型シリコン半導体基板上に集積され
る。
各種の適切な半導体基板上に集積される。例えば
光検出器の場合、インジウム・アンチモン化物、
錫・鉛・テルル化物、カドミウム・水銀・テルル
化物等が使用される。デバイスの残りの部分は例
えばＰ又はＮ型シリコン半導体基板上に集積され
る。
更に、第１及び第２の電極アレーの電極の機能
は、当然のことながら容易に逆にすることがで
き、即ち第１のシフトレジスタを第１のアレーの
電極とキヤパシタとに接続し、第３のMOSトラ
ンジスタと第２のシフトレジスタとを第２のアレ
ーの電極に接続してもよい。
は、当然のことながら容易に逆にすることがで
き、即ち第１のシフトレジスタを第１のアレーの
電極とキヤパシタとに接続し、第３のMOSトラ
ンジスタと第２のシフトレジスタとを第２のアレ
ーの電極に接続してもよい。
上記記載ではトランジスタT31，T32，T33が導
通するように電圧VY1，VY2，VY3を高レベルに向
つて移行させる場合について説明したが、デバイ
スがＮ型基板上に集積される場合、当然のことな
がら導通を生ずるべく制御信号は低レベルに向つ
て移行させられる。
通するように電圧VY1，VY2，VY3を高レベルに向
つて移行させる場合について説明したが、デバイ
スがＮ型基板上に集積される場合、当然のことな
がら導通を生ずるべく制御信号は低レベルに向つ
て移行させられる。
第１図は従来技術の赤外領域用感光デバイスの
線図、第２図は本発明の一実施例の線図、第３図
ａからｆは本発明の実施例の波形図、第４図ａ，
ｂ，ｃは３行×３列の検出器を備える本発明の実
施例の積分及び読出し周期を示す線図、第５図ａ
からｄは本発明の一実施例の横断面図及び動作説
明図である。 D11，D21，D31，……D33……検出器、T1，
T1,11，……T33……MOSトランジスタ、C1，C2，
C3……キヤパシタ、d1，……d4……ダイオード、
G1，……G4……ゲート。
線図、第２図は本発明の一実施例の線図、第３図
ａからｆは本発明の実施例の波形図、第４図ａ，
ｂ，ｃは３行×３列の検出器を備える本発明の実
施例の積分及び読出し周期を示す線図、第５図ａ
からｄは本発明の一実施例の横断面図及び動作説
明図である。 D11，D21，D31，……D33……検出器、T1，
T1,11，……T33……MOSトランジスタ、C1，C2，
C3……キヤパシタ、d1，……d4……ダイオード、
G1，……G4……ゲート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の半導体基板上に集積されたＮ行×Ｍ列
の赤外検出器のアレーと、赤外検出器の各行毎に
夫々設けられた複数の第１電極と、赤外検出器の
各列毎に夫々設けられた複数の第２電極と、一つ
の赤外検出器と該一つの赤外検出器と同一行の第
１電極との間に夫々接続された複数の第1MOSト
ランジスタと、各第２電極と接続されており第２
電極の配置順に各第２電極を逐次アドレスする第
１シフトレジスタと、一つの第1MOSトランジス
タのゲートを制御すべく一つの第1MOSトランジ
スタのゲート及び該一つの第1MOSトランジスタ
と同一列の第２電極の間に夫々接続された複数の
第2MOSトランジスタと、一つの第１電極に第
1MOSトランジスタを介して接続された赤外検出
器から逐次転送される電荷を蓄積すべく基準電位
と一つの第１電極との間に夫々接続された複数の
キヤパシタと、電荷を出力する出力端子と、キヤ
パシタに蓄積された電荷を出力端子へ転送すべく
一つの第１電極と前記出力端子との間に夫々接続
された複数の第3MOSトランジスタと、各第
2MOSトランジスタと各第3MOSトランジスタの
夫々のゲートと接続されており、キヤパシタに蓄
積された電荷を第１電極の配置順にキヤパシタか
ら逐次出力端子へ転送させる一方で、第１シフト
レジスタが一つの第２電極をアドレスしている場
合には第１シフトレジスタによりアドレスされた
一つの第２電極と同一列の赤外検出器から転送さ
れた電荷を、電荷が前記出力端子へ転送されてい
ない対応するキヤパシタに蓄積させるように各第
2MOSトランジスタ及び各第3MOSトランジスタ
の夫々のゲートをアドレスする第２シフトレジス
タとを含み、第１シフトレジスタは一つの第２電
極をアドレスしたときに電荷が各キヤパシタから
前記出力端子へ転送されてのち、他の第２電極を
アドレスするように構成されており、第1MOSト
ランジスタ、第2MOSトランジスタ、第3MOSト
ランジスタ、第１シフトレジスタ、第２シフトレ
ジスタ及びキヤパシタの夫々が第２の半導体基板
上に集積されるように構成されている低温槽用の
赤外線検出装置。 ２ 赤外検出器がホトダイオードである特許請求
の範囲第１項に記載の赤外線検出装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8318125A FR2554999B1 (fr) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | Dispositif photosensible pour l'infrarouge |
| FR8318125 | 1983-11-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167578A JPS60167578A (ja) | 1985-08-30 |
| JPH0435106B2 true JPH0435106B2 (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=9294118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59239292A Granted JPS60167578A (ja) | 1983-11-15 | 1984-11-13 | 低温槽用の赤外線検出装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4609824A (ja) |
| EP (1) | EP0148654B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60167578A (ja) |
| DE (1) | DE3472876D1 (ja) |
| FR (1) | FR2554999B1 (ja) |
Families Citing this family (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3942200A1 (de) * | 1989-12-21 | 1991-06-27 | Philips Patentverwaltung | Anordnung zum auslesen einer sensormatrix |
| US5144422A (en) * | 1991-06-24 | 1992-09-01 | Hughes Aircraft Company | Optimal television imaging system for guided missile |
| FR2692423B1 (fr) * | 1992-06-16 | 1995-12-01 | Thomson Csf | Camera d'observation multistandard et systeme de surveillance utilisant une telle camera. |
| GB9226890D0 (en) * | 1992-12-23 | 1993-02-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An imaging device |
| GB9301405D0 (en) * | 1993-01-25 | 1993-03-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
| GB9314402D0 (en) * | 1993-07-12 | 1993-08-25 | Philips Electronics Uk Ltd | An imaging device |
| FR2731569B1 (fr) * | 1995-03-07 | 1997-04-25 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de recopie de tension a grande linearite |
| WO1997008753A1 (en) * | 1995-08-30 | 1997-03-06 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems | Bolometric focal plane array |
| US6515285B1 (en) | 1995-10-24 | 2003-02-04 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Method and apparatus for compensating a radiation sensor for ambient temperature variations |
| US6274869B1 (en) | 1996-06-28 | 2001-08-14 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Digital offset corrector |
| FR2751155B1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-09-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de lecture pour une mosaique de detecteurs electromagnetiques, et systeme de detection equipe d'un tel dispositif |
| US6249002B1 (en) | 1996-08-30 | 2001-06-19 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Bolometric focal plane array |
| FR2753785B1 (fr) * | 1996-09-25 | 1998-11-13 | Autodirecteur d'un corps volant | |
| FR2753796B1 (fr) * | 1996-09-25 | 1998-11-13 | Detecteur photosensible et mosaique de detecteurs photosensibles pour la detection d'eclats lumineux et applications | |
| US6791610B1 (en) | 1996-10-24 | 2004-09-14 | Lockheed Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Uncooled focal plane array sensor |
| JP3918248B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2007-05-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
| US6517203B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-02-11 | E-Vision, Llc | System, apparatus, and method for correcting vision using electro-active spectacles |
| US6733130B2 (en) | 1999-07-02 | 2004-05-11 | E-Vision, Llc | Method for refracting and dispensing electro-active spectacles |
| US6619799B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-09-16 | E-Vision, Llc | Optical lens system with electro-active lens having alterably different focal lengths |
| US6871951B2 (en) | 2000-06-23 | 2005-03-29 | E-Vision, Llc | Electro-optic lens with integrated components |
| US7023594B2 (en) | 2000-06-23 | 2006-04-04 | E-Vision, Llc | Electro-optic lens with integrated components |
| US6857741B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-02-22 | E-Vision, Llc | Electro-active multi-focal spectacle lens |
| US6491391B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-12-10 | E-Vision Llc | System, apparatus, and method for reducing birefringence |
| US6986579B2 (en) * | 1999-07-02 | 2006-01-17 | E-Vision, Llc | Method of manufacturing an electro-active lens |
| US6491394B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-12-10 | E-Vision, Llc | Method for refracting and dispensing electro-active spectacles |
| US7775660B2 (en) | 1999-07-02 | 2010-08-17 | E-Vision Llc | Electro-active ophthalmic lens having an optical power blending region |
| US6851805B2 (en) * | 1999-07-02 | 2005-02-08 | E-Vision, Llc | Stabilized electro-active contact lens |
| US7290876B2 (en) | 1999-07-02 | 2007-11-06 | E-Vision, Llc | Method and system for electro-active spectacle lens design |
| US7604349B2 (en) | 1999-07-02 | 2009-10-20 | E-Vision, Llc | Static progressive surface region in optical communication with a dynamic optic |
| US7290875B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-06 | Blum Ronald D | Electro-active spectacles and method of fabricating same |
| US7988286B2 (en) | 1999-07-02 | 2011-08-02 | E-Vision Llc | Static progressive surface region in optical communication with a dynamic optic |
| US7264354B2 (en) * | 1999-07-02 | 2007-09-04 | E-Vision, Llc | Method and apparatus for correcting vision using an electro-active phoropter |
| US7404636B2 (en) | 1999-07-02 | 2008-07-29 | E-Vision, Llc | Electro-active spectacle employing modal liquid crystal lenses |
| IL152425A (en) | 2000-05-01 | 2006-12-10 | Bae Systems Information | Methods and apparatus for compensating a radiation sensor for temperature variations of the sensor |
| JP2005505789A (ja) * | 2001-10-05 | 2005-02-24 | イー・ビジョン・エルエルシー | ハイブリッド電気活性レンズ |
| US7030378B2 (en) | 2003-08-05 | 2006-04-18 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. | Real-time radiation sensor calibration |
| KR20060061831A (ko) | 2003-08-15 | 2006-06-08 | 이-비젼 엘엘씨 | 향상된 전기 활성 렌즈 시스템 |
| EP1807728A4 (en) | 2004-11-02 | 2009-07-29 | E Vision Llc | ELECTROACTIVE GLASSES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US8778022B2 (en) | 2004-11-02 | 2014-07-15 | E-Vision Smart Optics Inc. | Electro-active intraocular lenses |
| US9801709B2 (en) | 2004-11-02 | 2017-10-31 | E-Vision Smart Optics, Inc. | Electro-active intraocular lenses |
| US8931896B2 (en) | 2004-11-02 | 2015-01-13 | E-Vision Smart Optics Inc. | Eyewear including a docking station |
| US7656569B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-02-02 | Searete Llc | Vision modification with reflected image |
| US8244342B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-08-14 | The Invention Science Fund I, Llc | Method and system for adaptive vision modification |
| US7344244B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-03-18 | Searete, Llc | Adjustable lens system with neural-based control |
| US7931373B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-26 | The Invention Science Fund I, Llc | Vision modification with reflected image |
| US7334892B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-02-26 | Searete Llc | Method and system for vision enhancement |
| US7594727B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-09-29 | Searete Llc | Vision modification with reflected image |
| US7470027B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-12-30 | Searete Llc | Temporal vision modification |
| US9155483B2 (en) | 2004-12-03 | 2015-10-13 | The Invention Science Fund I, Llc | Vision modification with reflected image |
| US7350919B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-04-01 | Searete Llc | Vision modification with reflected image |
| US7334894B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-02-26 | Searete, Llc | Temporal vision modification |
| US7390088B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-06-24 | Searete Llc | Adjustable lens system with neural-based control |
| US8104892B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-31 | The Invention Science Fund I, Llc | Vision modification with reflected image |
| US7486988B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-02-03 | Searete Llc | Method and system for adaptive vision modification |
| US20080273166A1 (en) | 2007-05-04 | 2008-11-06 | William Kokonaski | Electronic eyeglass frame |
| WO2008105780A2 (en) | 2006-05-24 | 2008-09-04 | Pixeloptics, Inc. | Optical rangefinder for an electro-active lens |
| EP2030073B1 (en) | 2006-06-23 | 2018-12-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Electronic adapter for electro-active spectacle lenses |
| WO2008057199A2 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Pixeloptics, Inc. | Universal endpiece for spectacle temples |
| AR064985A1 (es) | 2007-01-22 | 2009-05-06 | E Vision Llc | Lente electroactivo flexible |
| EP2115519A4 (en) | 2007-02-23 | 2012-12-05 | Pixeloptics Inc | DYNAMIC OPHTHALMIC OPENING |
| US20080273169A1 (en) | 2007-03-29 | 2008-11-06 | Blum Ronald D | Multifocal Lens Having a Progressive Optical Power Region and a Discontinuity |
| US7883207B2 (en) | 2007-12-14 | 2011-02-08 | Pixeloptics, Inc. | Refractive-diffractive multifocal lens |
| WO2008112037A1 (en) | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Pixeloptics, Inc. | Multifocal lens having a progressive optical power region and a discontinuity |
| US10613355B2 (en) | 2007-05-04 | 2020-04-07 | E-Vision, Llc | Moisture-resistant eye wear |
| US11061252B2 (en) | 2007-05-04 | 2021-07-13 | E-Vision, Llc | Hinge for electronic spectacles |
| US8317321B2 (en) | 2007-07-03 | 2012-11-27 | Pixeloptics, Inc. | Multifocal lens with a diffractive optical power region |
| KR20100114133A (ko) | 2008-03-18 | 2010-10-22 | 픽셀옵틱스, 인크. | 진보한 전기-활성 광학 장치 |
| US8154804B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-04-10 | E-Vision Smart Optics, Inc. | Electro-optic lenses for correction of higher order aberrations |
| EP2800993A2 (en) | 2012-01-06 | 2014-11-12 | HPO Assets LLC | Eyewear docking station and electronic module |
| US10599006B2 (en) | 2016-04-12 | 2020-03-24 | E-Vision Smart Optics, Inc. | Electro-active lenses with raised resistive bridges |
| ES2861520T3 (es) | 2016-04-12 | 2021-10-06 | E Vision Smart Optics Inc | Lentes electroactivas con puentes resistivos elevados |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492283A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-21 | Texas Instruments Inc | Ferroelectric video display device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2079093B (en) * | 1980-06-20 | 1984-07-04 | British Aerospace | Infra-red sensor array |
| DE3138294A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit |
-
1983
- 1983-11-15 FR FR8318125A patent/FR2554999B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-11-09 US US06/670,409 patent/US4609824A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-13 JP JP59239292A patent/JPS60167578A/ja active Granted
- 1984-11-13 EP EP84402302A patent/EP0148654B1/fr not_active Expired
- 1984-11-13 DE DE8484402302T patent/DE3472876D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492283A (en) * | 1977-12-19 | 1979-07-21 | Texas Instruments Inc | Ferroelectric video display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2554999B1 (fr) | 1986-01-17 |
| DE3472876D1 (en) | 1988-08-25 |
| EP0148654A1 (fr) | 1985-07-17 |
| US4609824A (en) | 1986-09-02 |
| FR2554999A1 (fr) | 1985-05-17 |
| EP0148654B1 (fr) | 1988-07-20 |
| JPS60167578A (ja) | 1985-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0435106B2 (ja) | ||
| JP2976242B2 (ja) | 集積回路とその集積回路を用いたカメラ並びに該集積回路技術を用いて作製されたイメージセンサへの副次的な入射光線を検出する方法 | |
| EP0275217B1 (en) | Photoelectric converting apparatus | |
| US6903768B1 (en) | Solid state image sensor device free of influence on optical black level by signal potential change of optical black pixels | |
| JP2977060B2 (ja) | 固体撮像装置及びその制御方法 | |
| US20050104003A1 (en) | Charge or particle sensing | |
| US6163023A (en) | Amplified photoelectric transducer amplified solid-state image sensor and method for driving amplified photoelectric transducer | |
| US8018515B2 (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP2844733B2 (ja) | 光受感ドット信号増幅を伴う光受感装置 | |
| US4587426A (en) | Photosensitive device for infrared radiation | |
| JP2833729B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4737832A (en) | Optical signal processor | |
| JPS61157184A (ja) | 光電変換装置 | |
| US4752829A (en) | Multipacket charge transfer image sensor and method | |
| US7800038B2 (en) | Photodetector device | |
| JP3167150B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPH1022489A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2519208B2 (ja) | カラ−固体撮像装置 | |
| JPS61157179A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH0523549B2 (ja) | ||
| JPH0562868B2 (ja) | ||
| JPH06225223A (ja) | 電荷積分型二次元アレイ光検出器と信号読み出し回路およびその駆動方法 | |
| JPS5845828B2 (ja) | ハンドウタイコウゾウケンシユツソウチ | |
| JPS63263774A (ja) | フオトトランジスタ | |
| JPH0658949B2 (ja) | 半導体撮像装置 |