JPH04350929A - スパッタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子の製
造工程等において使用される、処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりスパッタ装置において、まず真
空容器内の残留ガス濃度を十分低減するために、バルブ
調整により排気コンダクタンスを最大にして真空容器内
を真空ポンプで真空引きして所定のベースプレッシャに
設定している。次に、排気コンダクタンスを小さくした
状態にてスパッタガス（例えばアルゴンガス）を所定の
ガス圧となるように真空容器内に導入し、ターゲット近
傍にてスパッタガスをプラズマ化し、このプラズマ中の
陽イオンが負電圧のターゲットに衝突する。この陽イオ
ンの衝突によりターゲット２から原子・分子等が放出さ
れ、放出された原子が対向する半導体ウエハの表面に達
し、この半導体ウエハの表面に薄膜が形成される。

【０００３】また、従来、スパッタリングとしては、上
述のようなスパッタガスに加えて反応ガスを使用するも
のが知られている。これは、真空容器内にスパッタガス
とともに反応ガスを導入し、この反応ガスの分子とスパ
ッタリング時にターゲットから放出される原子とを反応
させ、生成された反応化合物の薄膜を半導体ウエハ上に
形成するものである。

【０００４】例えば、ターゲットをチタン（Ｔｉ）で形
成し、反応ガスとして窒素（Ｎ２　）ガスを用いること
により、半導体ウエハ上に、チタンナイトライド薄膜を
形成することができる。

【０００５】さらに、このような従来のスパッタリング
装置を用いることにより、半導体ウエハ上に、ターゲッ
トから放出された原子・分子による薄膜と、ターゲット
から放出された原子・分子と反応ガスとの反応化合物に
よる薄膜とを、連続的に形成することも可能である。

【０００６】例えば、半導体ウエハ上に、チタン薄膜と
チタンナイトライド薄膜とを連続的に形成したい場合に
は、ターゲットとしてチタンで形成されたものを用い、
まず、アルゴンガス雰囲気下でスパッタリングを行なう
ことによりチタン薄膜を形成し、次に、アルゴンガスお
よび窒素ガスを導入してスパッタリングを行なうことに
よりチタンナイトライド薄膜の形成を行なえばよい。

【０００７】半導体ウエハ上へのチタン薄膜とチタンナ
イトライド薄膜の形成は、例えば半導体ウエハ上のシリ
コンコンタクトとアルミニウム配線とを結線する場合の
バリア層として行なわれる。シリコンコンタクトとアル
ミニウム配線とを結線する場合に、アルミニウム層をシ
リコン上に直接形成すると、アルミニウム層内にシリコ
ンが析出してしまい、十分な電気的接続が行われない場
合がある。かかる不都合を防止するために、まずシリコ
ンとチタンナイトライド薄膜との間の密着層としてチタ
ン薄膜を形成し、このチタン薄膜上にバリア層としての
チタンナイトライド薄膜を形成し、さらに、このチタン
ナイトライド薄膜上にアルミニウム層を形成するのであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハにチタン
薄膜およびチタンナイトライド薄膜を連続形成した後、
次の半導体ウエハにチタン薄膜を形成する場合には、真
空容器内に窒素ガスが残留していてはならないため、一
旦真空容器内をベースプレッシャまで真空引きした後、
再度アルゴンガスを導入する必要がある。

【０００９】しかしながら、上述のような従来のスパッ
タ装置では真空引きに要する時間が長く、このため、ガ
スの入れ換えに要する時間、ひいては、半導体ウエハ上
に薄膜を形成する工程に要する時間が、全体として長時
間になってしまうという課題があった。

【００１０】特に、近年、半導体素子の高集積度化等に
より、スパッタ装置によって形成される薄膜の特性の向
上や、形成精度の向上が要求されており、このため、よ
り低いガス圧下でスパッタリングを行なうことが要請さ
れる場合がある。例えば、上述のようにシリコンコンタ
クトとアルミニウム配線とを結線する場合のバリア層と
してチタン薄膜およびチタンナイトライド薄膜を形成す
る場合には、このバリア層の比抵抗を極力小さくするこ
とが要求されるが、チタンナイトライド薄膜の比抵抗は
薄膜形成時のガス圧に比例するので、チタンを窒化させ
ることができる範囲内で最小のガス圧となるように制御
することが望ましい。このように低いガス圧下でスパッ
タリングを行なう場合には、ガス導入前のベースプレッ
シャの真空度を非常に高くする必要があり、したがって
、真空引きに要する時間が益々長時間となってしまう。

【００１１】また、従来のスパッタ装置においては、ス
パッタ粒子の飛翔方向を規制するシールドリング以外の
広い範囲の箇所、すなわち真空容器の内壁にスパッタ材
料が付着してしまい、これに起因して、上述のようにし
て真空容器内を高真空状態まで真空引きしようとしても
、十分な真空度を得ることができない場合があった。

【００１２】通常、スパッタリングにより半導体ウエハ
上に薄膜を形成する場合には、ターゲットから放出され
た原子・分子等は、この半導体ウエハ上のみならず、真
空容器の内壁等にも付着する。このようにして真空容器
７０の内壁等に形成された膜は、一般に表面の凹凸が激
しく、真空容器内のガスを大量に吸収する。この膜に吸
収されたガスは、その後真空容器内を真空引きした際に
膜の表面から少量づつ流出し、残留ガスとなって、真空
容器内の真空度を低下させる。したがって、真空容器内
を高真空状態まで真空引きしようとすると、極端な長時
間を必要とするか、或いは、十分な真空度を得ることが
実質的に不可能となる。かかる場合には、上述のように
低いガス圧下でスパッタリングを行なうことができず、
したがって、充分な特性の薄膜を得ることができない場
合があった。

【００１３】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、真空容器内の処理ガスの入れ
換えを短時間で行なうことができ、且つ、被処理体とタ
ーゲット間の局所領域のガス圧のコントロールを容易と
し、充分に低いガス圧の処理ガスを用いてスパッタを行
なうことができるスパッタ装置を提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
容器内に被処理体とターゲットとを対向配置し、前記タ
ーゲットよりスパッタされた粒子をシールドリングによ
り飛翔方向を規制して前記被処理体に被着させるスパッ
タ装置において、前記シールドリングの外側に、少なく
とも前記被処理体と対向する領域を囲む閉鎖位置と、そ
の囲いを解除する開放位置とに亘って移動可能な筒状の
コンダクタンスリングを設け、前記シールドリング内の
排気コンダクタンスを可変としたことを特徴とする。

【００１５】請求項２の発明は、真空容器内に被処理体
とターゲットとを対向配置し、前記ターゲットよりスパ
ッタされた粒子をシールドリングにより飛翔方向を規制
して前記被処理体に被着させるスパッタ装置において、
前記シールドリングの一端を前記被処理体の近くまで延
在形成すると共に、前記シールドの側壁に開口を設け、
該開口に排気コンダクタンス可変手段を設けたことを特
徴とする。

【００１６】

【作用】請求項１の発明では、コンダクタンスリンング
を閉鎖位置に設定することで、シールドリング内の排気
コンダクタンスが小さく設定され、シールドリング内の
みで局所的に所望のガス圧を維持でき、一方シールドリ
ング外は真空ポンプによる高真空状態に維持することが
できる。したがって、このような状態で、スパッタを行
なうことにより、真空容器の内壁に膜が形成されること
を防止することができる。真空容器内をベースプレッシ
ャに設定する際には、コンダクタンスリングは開放位置
に設定され、シールドリング内の排気コンダクタンスは
最大となる。しかも、スパッタ処理中に真空容器内壁へ
の成膜が防止されるので、アウトガスの発生が少なく、
残留ガスが所定濃度以下となるベースプレッシャに設定
するまでの時間を大幅に短縮でき、スループットが向上
する。

【００１７】請求項２の発明では、同様な作用をシール
ドリング及びその側壁に設けたコンダクタンス可変手段
により実現できる。すなわち、ベースプレッシャ設定後
のガス導入時からスパッタ処理時に亘って排気コンダク
タンスを小さくし、ベースプレッシャ設定時に排気コン
ダクタンスを最大にすれば、同様にして局所的なガス圧
の設定とスループットの向上を図れる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例として、本発明
の処理装置をマグネトロン型スパッタリング装置に適用
した場合を例に採って説明する。

【００１９】図１は、かかるマグネトロン型スパッタ装
置の構成を概略的に示す断面図である。

【００２０】図において、真空容器１０内には、半導体
ウエハ１を載置した試料台１２と、図３に示すターゲッ
ト２をセットしたスパッタリングソース１４とが、対向
して配置されている。

【００２１】また、この試料台１２とスパッタリングソ
ース１４とが対向する領域を囲むように配置され、スパ
ッタされた粒子の飛翔方向を規制するための円筒型のシ
ールドリング１６が設けられている。このシールドリン
グ１６は、真空容器１０の上面１０ｂで支持されている
。また、このシールドリング１６の底面の、試料台１２
に載置された半導体ウエハ１を臨む部分には開口１６ａ
が設けられており、ターゲット２から放出された原子或
いは分子等が通過できるようになっている。

【００２２】シールドリング１６には、このシールドリ
ング１６内にスパッタガスを供給するためのスパッタガ
ス導入口１８と、反応ガスを供給するための反応ガス導
入口２０とが設けられている。また、スパッタガス導入
口１８は、バルブ１８ａおよびマスフローコントローラ
１８ｂを介して、スパッタガスのガスボンベ（図示せず
）に通じている。同様に、反応ガス導入口２０は、バル
ブ２０ａおよびマスフローコントローラ２０ｂを介して
、反応ガスのガスボンベ（図示せず）に通じている。 なお、本実施例では、スパッタガスとしてはアルゴンガ
スを、また、反応ガスとしては窒素ガスを使用すること
とする。

【００２３】さらに、この真空容器１０内には、試料台
１２とシールドリング１６の側壁の外側とを囲むように
、円筒型のコンダクタンスリング２２が設けられている
。このコンダクタンスリング２２は、支持アーム２４の
駆動によって上下に移動させることができるように構成
されている。また、この支持アーム２４は、ベローズ２
６を介して真空容器１０の外部に出ており、この支持ア
ーム２４を駆動させるための支持アーム駆動手段２８に
連結されている。したがって、この支持アーム駆動手段
２８を駆動させることによって、コンダクタンスリング
２２を上下に移動させることができる。

【００２４】真空容器１０は、側面に設けられた排気口
１０ａを介して、真空ポンプ（図示せず）に通じている
。かかる真空ポンプによって、真空容器１０内のガスの
真空引きが行なわれる。

【００２５】図１は、コンダクタンスリング２２を最も
下まで下降させた閉鎖状態を示している。この状態が、
シールドリング１６の排気コンダクタンスが最も小さい
状態である。このような状態で真空容器１０内の真空引
きを行なうと、シールドリング１６内のガスは、主とし
て、シールドリング１６の開口１６ａから流出し、さら
に、このシールドリング１６の側壁とコンダクタンスリ
ング２２との間の隙間２２ａを軸対称に通過して排気口
１０ａに達し、真空容器１０外へ排出される。

【００２６】このような構成によれば、シールドリング
１６の側壁とコンダクタンスリング２２との間の隙間２
２ａの幅及びオーバーラップ長さによって、排気コンダ
クタンスの最小値が決定される。したがって、装置の用
途や各種条件によって、この隙間２２ａ等の設計値を決
定すればよい。なお、本実施例のスパッタリング装置で
は、コンダクタンスリング２２の排気コンダクタンスが
最も高い状態であっても排気コンダクタンスを零にする
わけではないので、真空容器１０の上面１０ｂとシール
ドリング１６との接合部や、コンダクタンスリング２２
を最も下まで下降させたときの真空容器１０の上面１０
ｃとの接合部は、多少のガス漏れが生じても差支えない
。

【００２７】また、図２は、コンダクタンスリング２２
を上昇させた開放状態であり、シールドリング１６の排
気コンダクタンスが最も大きい状態を示している。この
ように、コンダクタンスリング２２を、このコンダクタ
ンスリング２２の下端がシールドリング１６の底部とほ
ぼ同じ高さとなるまで上昇させたときに、シールドリン
グ１６の排気コンダクタンスは最大となる。

【００２８】図３は、図１に示した試料台１２およびス
パッタリングソース１４の構成をより具体化して示す図
である。

【００２９】試料台１２はウエハ加熱機構１２ａを備え
ており、このウエハ加熱機構１２ａの上に半導体ウエハ
１が載置される。ウエハ加熱機構１２ａは、半導体ウエ
ハ１を加熱し、所定の温度で一定するように制御する。

【００３０】ターゲット２は、この半導体ウエハ１の上
方に配置され、保持部材３０によって保持されている。 このターゲット２を形成する材料は、半導体ウエハ１に
形成する薄膜の材料に応じて選択される。ターゲット２
の材料、すなわちスパッタリングによって半導体ウエハ
１に形成することができる薄膜材料としては、例えばア
ルミニウム，シリコン，タングステン，チタン，モリブ
デン，クロム，コバルト，ニッケル等、あるいはこれら
を素材とする合金がある。また、場合によっては焼結金
属等の熱伝導性の悪い材料も用いられる。ターゲットの
形状は、断面段付形状，円板状，円錘状，角板状，角錐
状等何れでもよい。このターゲット２は、給電部材３２
および冷却ブロックとしての前記保持部材３０を介して
、負の直流電圧が印加され、カソード電極として作用す
る。

【００３１】前記保持部材３０のさらに上方には、この
保持部材３０を支持し、かつ、後述するマグネット３４
を回転自在に支持するための基台３６が設けられている
。この基台３６の中央部には、中空筒状の円筒部３６ａ
が形成されている。そして、前記円筒部３６ａの周囲に
はベアリング３８が配置され、このベアリング３８によ
って回転円盤４０が回転自在に支持されている。そして
、この回転円盤４０の偏心した位置に前記マグネット３
４が固着されている。一方、前記基台３６の上面にはマ
グネット３４を回転させるためのモータ４２が固定され
、このモータ４２の出力軸には第１のギア４４が固着さ
れている。また、回転円盤４０と同心にて第２のギア４
６が固着され、この第１，第２のギア４４，４６が噛合
するようになっている。かかる構成により、前記マグネ
ット回転用モータ４２を駆動することで、この回転出力
は第１のギア４４，第２のギア４６を介して前記回転円
盤４０に伝達させることができ、これにより前記マグネ
ット３４を回転駆動させることができる。前記保持部材
３０は、ターゲット２を保持するとともに、ターゲット
２に負の直流電圧を印加するための電極としても作用す
る。さらに、保持したターゲット２の冷却を行うことが
できるように構成されている。このため、保持部材３０
には、複数の冷却ジャケット４８が配置されている。 そして、この冷却ジャケット４８内に冷却媒体例えば冷
却水を循環させることで、保持部材３０を冷却し、この
保持部材３０とターゲット２との間の熱交換によってプ
ラズマ発生時のターゲット２の昇温を抑制するようにな
っている。また、上記保持部材３０は前記基台３６の円
筒部３６ａに挿通され、この基台３６に絶縁して支持さ
れた給電部材３２の一端にネジ止め固定されることで、
ターゲット２への電圧印加を可能としている。

【００３２】なお、図３では図１及び図２中のシールド
リング１６に対応する構成として、前記ターゲット２の
周囲にシールド（防着板）５０を介して固定されたリン
グ状アノード電極５２として図示されている。

【００３３】次に、本実施例のマグネトロン型スパッタ
リング装置を用いて、半導体ウエハ１の表面にチタン薄
膜とチタンナイトライド薄膜とを連続的に形成する方法
について説明する。

【００３４】■まず、スパッタリング装置に、半導体ウ
エハ１およびチタン製のターゲット２を、それぞれセッ
トし、ウエハ加熱機構１２ａによる半導体ウエハ１の加
熱を開始する。また、コンダクタンスリング２２を、排
気コンダクタンスが最大となる状態、すなわち図２に示
したような状態にする。

【００３５】■次に、真空容器１０内の真空度を、真空
ポンプを用いて、例えば１０−１〜１０−３Ｔｏｒｒに
荒引きし、さらに、上記真空容器１０内の真空度が１０
−５〜１０−７Ｔｏｒｒ台になるように高真空引きする
。

【００３６】■続いて、コンダクタンスリング２２を下
降させて、排気コンダクタンスが最小となる状態、すな
わち図１に示したような状態にする。

【００３７】■スパッタガス導入口１８より、シールド
リング１６内にスパッタガス（本実施例ではＡｒガス）
を導入し、このシールドリング１６内のガス圧を所定の
値に設定する。ガス圧の設定値は、ターゲット２の形状
等の各種条件によって異なるが、通常は２〜３ｍＴｏｒ
ｒ程度である。

【００３８】なお、このとき、真空ポンプによる真空容
器１０の真空引きは、引き続き行なわれている。このた
め、シールドリング１６内のスパッタガスは、シールド
リング１６の側壁とコンダクタンスリング２２との間の
隙間２２ａから、一定の排気速度（例えば５０ｌ／ｓ程
度）で排気される。

【００３９】■その後、ターゲット２に給電部材３２お
よび保持部材３０を介して負電圧を印加する。これによ
り、シールドリング１６内のスパッタガスがプラズマ化
され、このプラズマ中の陽イオンがターゲットに衝突す
ることによりターゲット２から原子・分子等が放出され
、放出された原子が対向する半導体ウエハ１の表面に達
し、この半導体ウエハ１の表面にチタン薄膜が形成され
る。また、このとき、ターゲット２の裏面側に設けられ
たマグネット３４を回転させることにより、このプラズ
マを磁界によって閉込めたプラズマリングを形成するこ
とができ、スパッタリングの効率を向上させることがで
きる。

【００４０】■チタン薄膜の形成が終了すると、次に、
反応ガス導入口２０より、シールドリング１６内に反応
ガス（本実施例では窒素ガス）を導入する。このとき、
真空容器１０内に導入する窒素ガスは、通常、アルゴン
ガスの４０〜７０％であり、本実施例では窒素ガス圧力
が１．５ｍＴｏｒｒに設定される。

【００４１】■反応ガスの分圧が所望の値に達すると、
再びターゲット２に電圧を印加して、上記工程■で形成
したチタン薄膜上に、チタンナイトライド薄膜を形成す
る。

【００４２】■チタンナイトライド薄膜の形成が終了す
ると、スパッタガス導入口１８および反応ガス導入口２
０からのガスの供給を停止し、さらに、コンダクタンス
リング２２を上昇させて図２の位置に設定し、シールド
リング１６内のガスを、真空容器１０の外へ排気して所
定のベースプレッシャに設定する。

【００４３】上記動作を半導体ウエハ１の交換を行ない
ながら繰り返すことで、連続処理が実施される。

【００４４】このように、本実施例のマグネトロン型ス
パッタリング装置によれば、コンダクタンスリング２２
で排気コンダクタンスを制御しつつ、シールドリング１
６内で半導体ウエハへの薄膜形成を行なうこととしたの
で、真空容器１０の内壁に膜が形成されることを防止す
ることができ、しかも真空容器１０の内壁部分は常に高
真空度であるので、スパッタ処理後に容器内圧力をベー
スプレッシャに設定するまでの真空引き時間を大幅に短
縮できる。

【００４５】また、スパッタガスや反応ガスのプロセス
時のガス圧力はシールドリング１６内にのみで局所的に
達成されれば良いので、その制御が比較的容易であり、
残留ガス濃度が所定値以下となるベースプレッシャまで
の真空引き時間を短縮できる上記作用により、特にチタ
ンナイトライド膜のバリア性を向上するための低圧プロ
セス条件の設定が容易となる。

【００４６】さらに、コンダクタンスリング２２を上昇
させることにより、スパッタガスや反応ガスの排気を、
非常に短時間で行なうことができる。

【００４７】次に、本発明の第２の実施例について、マ
グネトロン型スパッタリング装置に適用した場合を例に
採って説明する。

【００４８】本実施例のマグネトロン型スパッタリング
装置は、シールドリング自体にガスを排気するための開
閉機構を設けることにより、排気コンダクタンスを制御
する構成とした点で、上述の第１の実施例と異なる。

【００４９】図４は、本実施例に係わるマグネトロン型
スパッタ装置の構成を概略的に示す断面図である。図に
おいて、図１と同じ符号を付した構成部は、それぞれ図
１の場合と同じものを示す。

【００５０】本実施例のスパッタリング装置で使用され
るシールドリング６０は、試料台１２に載置された半導
体ウエハ１の近くまで延在形成され、かつ、ウエハ１に
臨む部分に開口６０ａが設けられているとともに、側面
にも開口６０ｂが設けられている。さらに、この開口６
０ｂに対向して、この開口６０ｂを塞ぎあるいは開度を
可変するためのシールドシャッター板６２が設けられて
いる。このシールドシャッター板６２は、支持アーム６
４の駆動によって開口６０ｂと垂直な方向に移動させる
ことができるように構成されている。また、この支持ア
ーム６４は、ベローズ６６を介して真空容器１０の外部
に出ており、この支持アーム６４を駆動させるための支
持アーム駆動手段６８に連結されている。したがって、
この支持アーム駆動手段６８を駆動させることによって
、シールドシャッター板６２を移動させることができる
。

【００５１】このような構成によれば、開口６０ｂをシ
ールドシャッター板６２で完全にふさぐことにより、シ
ールドリング６０の排気コンダクタンスが最小にするこ
とができる。このような状態で真空容器１０内の真空引
きを行なうと、シールドリング６０内のガスは、主とし
て、シールドリング６０の開口６０ａを通過して排気口
１０ａに達し、真空容器１０外へ排出される。但し、こ
のとき、開口６０ａからのガスの流出があるので、排気
コンダクタンスが零になるわけではない。

【００５２】また、シールドシャッター板６２を開口６
０ｂから十分に離すことにより、シールドリング６０の
排気コンダクタンスが最大にすることができる。

【００５３】かかる構成によれば、上記第１の実施例の
マグネトロン型スパッタリング装置の場合と比較して構
造が簡単であり、また、可動部分も少ないので、可動部
分からの発塵も少ない状態で薄膜の形成を行なうことが
できる。

【００５４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のス
パッタ装置によれば、たとえ低圧プロセスを実施する際
でも所定のベースプレッシャに設定する時間が短縮され
、真空容器内の処理ガスの入れ換えを短時間で行なうこ
とができ、且つ、真空容器内のシールドリング内での局
所的なガス圧設定が可能となり、ガス圧設定の制御が容
易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係わるマグネトロン型
スパッタ装置の構成を概略的に示す断面図である。

【図２】図１に示したマグネトロン型スパッタ装置にお
ける排気コンダクタンスの制御を説明するための断面図
である。

【図３】図１に示した試料台およびスパッタリングソー
スの構成を示す図でである。

【図４】本発明の第２の実施例に係わるマグネトロン型
スパッタ装置の構成を概略的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０　　真空容器 １２　　試料台 １４　　スパッタリングソース １６　　シールドリング １８　　スパッタガス導入口 ２０　　反応ガス導入口 ２２　　コンダクタンスリング ２４　　支持アーム ２６　　ベローズ ２８　　支持アーム駆動手段　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ＴＥ０３４１０１

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　真空容器内に被処理体とターゲットと
   を対向配置し、前記ターゲットよりスパッタされた粒子
   をシールドリングにより飛翔方向を規制して前記被処理
   体に被着させるスパッタ装置において、前記シールドリ
   ングの外側に、少なくとも前記被処理体と対向する領域
   を囲む閉鎖位置と、その囲いを解除する開放位置とに亘
   って移動可能な筒状のコンダクタンスリングを設け、前
   記シールドリング内の排気コンダクタンスを可変とした
   ことを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】　　真空容器内に被処理体とターゲットと
   を対向配置し、前記ターゲットよりスパッタされた粒子
   をシールドリングにより飛翔方向を規制して前記被処理
   体に被着させるスパッタ装置において、前記シールドリ
   ングの一端を前記被処理体の近くまで延在形成すると共
   に、前記シールドの側壁に開口を設け、該開口に排気コ
   ンダクタンス可変手段を設けたことを特徴とするスパッ
   タ装置。