JPH04347901A - 帯域阻止フィルタおよびその阻止帯域調整方法 - Google Patents
帯域阻止フィルタおよびその阻止帯域調整方法Info
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- JPH04347901A JPH04347901A JP9689891A JP9689891A JPH04347901A JP H04347901 A JPH04347901 A JP H04347901A JP 9689891 A JP9689891 A JP 9689891A JP 9689891 A JP9689891 A JP 9689891A JP H04347901 A JPH04347901 A JP H04347901A
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体共振器を用いて構
成される高周波回路装置における帯域阻止フィルタおよ
びその阻止帯域調整方法に関するものである。
成される高周波回路装置における帯域阻止フィルタおよ
びその阻止帯域調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の誘電体共振器を用いた帯
域阻止フィルタとしては、図６に示される構造のものが
ある。同図（ａ）に示される誘電体共振器１は、基板２
上に形成されたマイクロストリップライン３と電磁界的
に結合し、帯域阻止フィルタとして作用する。この帯域
阻止フィルタは同図（ｂ）に示される接地されたシール
ドケース４に収納され、このシールドケース４と同電位
に設定されたネジ５によって阻止帯域が調整される。つ
まり、ネジ５を回転させてネジ５と誘電体共振器１との
距離を変化させることにより、共振周波数は微調整され
る。この帯域阻止フィルタは同図（ｃ）に示される等価
回路に表され、抵抗Ｒ，インダクタンスＬおよびコンデ
ンサＣの並列共振回路として等価的に表現される。微調
整が行われた後、シールドケース４内の気密性を保つた
め、ネジ５がナットで固定され、さらにネジ５上が樹脂
で覆われてシールドケース４が封止される。
域阻止フィルタとしては、図６に示される構造のものが
ある。同図（ａ）に示される誘電体共振器１は、基板２
上に形成されたマイクロストリップライン３と電磁界的
に結合し、帯域阻止フィルタとして作用する。この帯域
阻止フィルタは同図（ｂ）に示される接地されたシール
ドケース４に収納され、このシールドケース４と同電位
に設定されたネジ５によって阻止帯域が調整される。つ
まり、ネジ５を回転させてネジ５と誘電体共振器１との
距離を変化させることにより、共振周波数は微調整され
る。この帯域阻止フィルタは同図（ｃ）に示される等価
回路に表され、抵抗Ｒ，インダクタンスＬおよびコンデ
ンサＣの並列共振回路として等価的に表現される。微調
整が行われた後、シールドケース４内の気密性を保つた
め、ネジ５がナットで固定され、さらにネジ５上が樹脂
で覆われてシールドケース４が封止される。
【０００３】このような帯域阻止フィルタは、フィルタ
そのものとしても供給されており、また、ＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）やバイポーラ・トランジスタ等の半
導体素子とこのフィルタとが組み合わされて構成された
発振回路としても供給されている。
そのものとしても供給されており、また、ＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）やバイポーラ・トランジスタ等の半
導体素子とこのフィルタとが組み合わされて構成された
発振回路としても供給されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の帯域素子フィルタにおいては、阻止帯域を調整する
ネジ５部を上記のように封止してシールドケース４内の
気密性を保っていたが、このような封止構造は耐湿性に
乏しい。このため、シールドケース４内の配線や半導体
素子の劣化を招いていた。
来の帯域素子フィルタにおいては、阻止帯域を調整する
ネジ５部を上記のように封止してシールドケース４内の
気密性を保っていたが、このような封止構造は耐湿性に
乏しい。このため、シールドケース４内の配線や半導体
素子の劣化を招いていた。
【０００５】このような欠点を解消するため、調整用ネ
ジが設けられていないリッドを基板２上に接着し、帯域
阻止フィルタを封止する構造が考えられる。このような
封止構造によれば高い気密性が得られ、素子の劣化とい
った問題は生じなくなる。しかし、リッドを基板２に接
着した後には、阻止帯域の調整を行うことが出来なくな
ってしまう。このため、阻止帯域周波数の誤差として１
ＭＨｚ程度の精度が要求される場合には、帯域阻止フィ
ルタの製造歩留まりが低下していた。
ジが設けられていないリッドを基板２上に接着し、帯域
阻止フィルタを封止する構造が考えられる。このような
封止構造によれば高い気密性が得られ、素子の劣化とい
った問題は生じなくなる。しかし、リッドを基板２に接
着した後には、阻止帯域の調整を行うことが出来なくな
ってしまう。このため、阻止帯域周波数の誤差として１
ＭＨｚ程度の精度が要求される場合には、帯域阻止フィ
ルタの製造歩留まりが低下していた。
【０００６】本発明はこのような課題を解消するために
なされたもので、気密性を高く維持しつつ、阻止帯域周
波数の調整を行うことのできる帯域阻止フィルタの構造
および帯域阻止フィルタの阻止帯域調整方法を提供する
ことを目的とする。
なされたもので、気密性を高く維持しつつ、阻止帯域周
波数の調整を行うことのできる帯域阻止フィルタの構造
および帯域阻止フィルタの阻止帯域調整方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロスト
リップラインに電磁界的に結合する誘電体共振器を用い
て構成された帯域阻止フィルタを気密的に封止される容
器内に設け、マイクロストリップラインの一端に接続さ
れる終端抵抗をこの容器外に設け、終端抵抗の抵抗値を
調整して帯域阻止フィルタの阻止帯域周波数を調整する
ものである。
リップラインに電磁界的に結合する誘電体共振器を用い
て構成された帯域阻止フィルタを気密的に封止される容
器内に設け、マイクロストリップラインの一端に接続さ
れる終端抵抗をこの容器外に設け、終端抵抗の抵抗値を
調整して帯域阻止フィルタの阻止帯域周波数を調整する
ものである。
【０００８】また、マイクロストリップラインに電磁界
的に結合する誘電体共振器を用いて構成された帯域阻止
フィルタと、この帯域阻止フィルタを気密的に封止して
収納する容器と、マイクロストリップラインの一端に接
続される容器外に設けられた終端抵抗とを備えて構成さ
れたものである。
的に結合する誘電体共振器を用いて構成された帯域阻止
フィルタと、この帯域阻止フィルタを気密的に封止して
収納する容器と、マイクロストリップラインの一端に接
続される容器外に設けられた終端抵抗とを備えて構成さ
れたものである。
【０００９】
【作用】気密的に封止される容器内に設けられた帯域阻
止フィルタの共振周波数は、容器外に設けられた終端抵
抗の抵抗値変化に伴って変化する。
止フィルタの共振周波数は、容器外に設けられた終端抵
抗の抵抗値変化に伴って変化する。
【００１０】
【実施例】図２は本発明の一実施例による帯域阻止フィ
ルタを用いて構成された高周波発振回路の回路構成図で
ある。
ルタを用いて構成された高周波発振回路の回路構成図で
ある。
【００１１】ＦＥＴＱ１のゲートにはマイクロストリッ
プライン１１が接続されており、このマイクロストリッ
プライン１１には誘電体共振器１２が電磁界的に結合し
ている。これらマイクロストリップライン１１および誘
電体共振器１２は帯域阻止フィルタを構成しており、マ
イクロストリップライン１１の他端には一端が接地され
た第１の終端抵抗１３が接続されている。また、ＦＥＴ
Ｑ１のソースは接地され、ドレインは出力インピーダン
スを整合するマッチング回路（Ｏｕｔｐｕｔ Ｍａｔｃ
ｈ）１４に接続されている。さらに、このマッチング回
路１４の出力端には第２の終端抵抗１５が接続されてい
る。
プライン１１が接続されており、このマイクロストリッ
プライン１１には誘電体共振器１２が電磁界的に結合し
ている。これらマイクロストリップライン１１および誘
電体共振器１２は帯域阻止フィルタを構成しており、マ
イクロストリップライン１１の他端には一端が接地され
た第１の終端抵抗１３が接続されている。また、ＦＥＴ
Ｑ１のソースは接地され、ドレインは出力インピーダン
スを整合するマッチング回路（Ｏｕｔｐｕｔ Ｍａｔｃ
ｈ）１４に接続されている。さらに、このマッチング回
路１４の出力端には第２の終端抵抗１５が接続されてい
る。
【００１２】図１は上記回路構成の発振回路が容器内に
収納された状態を示す斜視図である。アルミナ基板２１
上には図２に示された発振回路が実装されており、この
実装部を覆う形でメタルリッド２２が基板２１に接着さ
れている。この接着はシール用メタル２３を用いて行わ
れ、メタルリッド２２内は気密的に十分に封止されてい
る。また、帯域阻止フィルタを構成するマイクロストリ
ップライン１１の端部は容器外に引き伸ばされ、終端抵
抗１３は容器外の基板２１上に厚膜または薄膜により形
成されている。この終端抵抗１３はグランドパターン２
４によって接地されている。
収納された状態を示す斜視図である。アルミナ基板２１
上には図２に示された発振回路が実装されており、この
実装部を覆う形でメタルリッド２２が基板２１に接着さ
れている。この接着はシール用メタル２３を用いて行わ
れ、メタルリッド２２内は気密的に十分に封止されてい
る。また、帯域阻止フィルタを構成するマイクロストリ
ップライン１１の端部は容器外に引き伸ばされ、終端抵
抗１３は容器外の基板２１上に厚膜または薄膜により形
成されている。この終端抵抗１３はグランドパターン２
４によって接地されている。
【００１３】図３はリッド２２内に実装されたマイクロ
ストリップライン１１および誘電体共振器１２によって
構成される帯域阻止フィルタの等価回路図である。帯域
阻止フィルタは、抵抗Ｒ，インダクタンスＬおよびコン
デンサＣの並列共振回路にマイクロストリップライン１
１ａ，１１ｂが直列に接続された回路構成と等価になる
。ここで、抵抗Ｒの抵抗値は６２５［Ω］、インダクタ
ンスＬの誘導分は５．２［ｐＨ］、コンデンサＣの容量
は４３［ｐＦ］に等価である。また、各マイクロストリ
ップライン１１ａ，１１ｂの膜厚は１０［μｍ］、線路
幅は６３５［μｍ］であり、マイクロストリップライン
１１ａの線路長は２．６８［ｍｍ］、マイクロストリッ
プライン１１ｂの線路長は６［ｍｍ］と等価的に表され
る。終端抵抗１３の抵抗値Ｚ０ は通常５０Ωに設定さ
れるが、本実施例では２００［Ω］に設定されている。
ストリップライン１１および誘電体共振器１２によって
構成される帯域阻止フィルタの等価回路図である。帯域
阻止フィルタは、抵抗Ｒ，インダクタンスＬおよびコン
デンサＣの並列共振回路にマイクロストリップライン１
１ａ，１１ｂが直列に接続された回路構成と等価になる
。ここで、抵抗Ｒの抵抗値は６２５［Ω］、インダクタ
ンスＬの誘導分は５．２［ｐＨ］、コンデンサＣの容量
は４３［ｐＦ］に等価である。また、各マイクロストリ
ップライン１１ａ，１１ｂの膜厚は１０［μｍ］、線路
幅は６３５［μｍ］であり、マイクロストリップライン
１１ａの線路長は２．６８［ｍｍ］、マイクロストリッ
プライン１１ｂの線路長は６［ｍｍ］と等価的に表され
る。終端抵抗１３の抵抗値Ｚ０ は通常５０Ωに設定さ
れるが、本実施例では２００［Ω］に設定されている。
【００１４】このような構成において、容器外に露出し
た終端抵抗１３をレーザ等でトリミングし、終端抵抗１
３の一部材料を気化させて終端抵抗１３の抵抗値を変化
させる。終端抵抗１３の抵抗値変化に伴う、帯域阻止フ
ィルタの阻止帯域周波数とＦＥＴＱ１の入力反射係数で
あるＳパラメータＳ１１との関係は図４のグラフに示さ
れる。同グラフの横軸は阻止帯域周波数［ＧＨｚ］、縦
軸はＳ１１パラメータ［ｄＢ］を表している。曲線３１
，３２，３３，３４は、終端抵抗１３の抵抗値がそれぞ
れ２００［Ω］，１００［Ω］，５０［Ω］，２５［Ω
］の場合における特性を示している。終端抵抗１３の抵
抗値が２００［Ω］の場合には、曲線３１から阻止帯域
周波数の中心点Ａは１０．６４７１［ＧＨｚ］になり、
１００［Ω］の場合には、曲線３２から阻止帯域周波数
の中心点Ｂは１０．６４５［ＧＨｚ］になる。また、５
０［Ω］の場合には曲線３３から阻止帯域周波数の中心
点Ｃは１０．６４３４［ＧＨｚ］になり、２５［Ω］の
場合には曲線３４から阻止帯域周波数の中心点Ｄは１０
．６４１７［ＧＨｚ］になる。
た終端抵抗１３をレーザ等でトリミングし、終端抵抗１
３の一部材料を気化させて終端抵抗１３の抵抗値を変化
させる。終端抵抗１３の抵抗値変化に伴う、帯域阻止フ
ィルタの阻止帯域周波数とＦＥＴＱ１の入力反射係数で
あるＳパラメータＳ１１との関係は図４のグラフに示さ
れる。同グラフの横軸は阻止帯域周波数［ＧＨｚ］、縦
軸はＳ１１パラメータ［ｄＢ］を表している。曲線３１
，３２，３３，３４は、終端抵抗１３の抵抗値がそれぞ
れ２００［Ω］，１００［Ω］，５０［Ω］，２５［Ω
］の場合における特性を示している。終端抵抗１３の抵
抗値が２００［Ω］の場合には、曲線３１から阻止帯域
周波数の中心点Ａは１０．６４７１［ＧＨｚ］になり、
１００［Ω］の場合には、曲線３２から阻止帯域周波数
の中心点Ｂは１０．６４５［ＧＨｚ］になる。また、５
０［Ω］の場合には曲線３３から阻止帯域周波数の中心
点Ｃは１０．６４３４［ＧＨｚ］になり、２５［Ω］の
場合には曲線３４から阻止帯域周波数の中心点Ｄは１０
．６４１７［ＧＨｚ］になる。
【００１５】図４のグラフに示される関係に基づき、発
振回路に要求される発振周波数条件を満たすように終端
抵抗１３をトリミングし、帯域阻止フィルタの阻止帯域
を適宜調整する。本実施例では終端抵抗１３の抵抗値が
２５［Ω］になるまでトリミングを行い、阻止帯域中心
周波数を１０．６４１７［ＧＨｚ］，パラメータＳ１１
を−１．４２４９［ｄＢ］に設定した。調整後、リッド
２２の外に形成された基板２１上の各パターンを樹脂モ
ールドし、露出した回路素子を保護する。
振回路に要求される発振周波数条件を満たすように終端
抵抗１３をトリミングし、帯域阻止フィルタの阻止帯域
を適宜調整する。本実施例では終端抵抗１３の抵抗値が
２５［Ω］になるまでトリミングを行い、阻止帯域中心
周波数を１０．６４１７［ＧＨｚ］，パラメータＳ１１
を−１．４２４９［ｄＢ］に設定した。調整後、リッド
２２の外に形成された基板２１上の各パターンを樹脂モ
ールドし、露出した回路素子を保護する。
【００１６】本実施例によれば、帯域阻止フィルタを用
いた発振回路はリッド２２内において気密的に十分封止
される。しかも、リッド２２外にある終端抵抗１３をト
リミングすることにより、これらを封止した状態で帯域
阻止フィルタの阻止帯域周波数を調整することが可能に
なる。
いた発振回路はリッド２２内において気密的に十分封止
される。しかも、リッド２２外にある終端抵抗１３をト
リミングすることにより、これらを封止した状態で帯域
阻止フィルタの阻止帯域周波数を調整することが可能に
なる。
【００１７】図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は帯域阻止フ
ィルタを用いて構成される高周波発振回路の他の構成例
を示す図である。各図の１１ａ〜ｃはマイクロストリッ
プライン、１２ａ〜ｃは誘電体共振器、１３ａ〜ｃは終
端抵抗である。これら構成の発振回路においても、発振
回路をリッドによって封止し、終端抵抗１３ａ〜ｃを容
器外に設けてトリミングすることにより、上記実施例と
同様な効果を奏する。
ィルタを用いて構成される高周波発振回路の他の構成例
を示す図である。各図の１１ａ〜ｃはマイクロストリッ
プライン、１２ａ〜ｃは誘電体共振器、１３ａ〜ｃは終
端抵抗である。これら構成の発振回路においても、発振
回路をリッドによって封止し、終端抵抗１３ａ〜ｃを容
器外に設けてトリミングすることにより、上記実施例と
同様な効果を奏する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、気
密的に封止される容器内に設けられた帯域阻止フィルタ
の共振周波数は、容器外に設けられた終端抵抗の抵抗値
変化に伴って変化する。
密的に封止される容器内に設けられた帯域阻止フィルタ
の共振周波数は、容器外に設けられた終端抵抗の抵抗値
変化に伴って変化する。
【００１９】このため、気密性を高く維持しつつ、阻止
帯域周波数の調整を行うことのできる帯域阻止フィルタ
の構造および帯域阻止フィルタの阻止帯域調整方法を提
供することが可能になった。
帯域周波数の調整を行うことのできる帯域阻止フィルタ
の構造および帯域阻止フィルタの阻止帯域調整方法を提
供することが可能になった。
【図１】本発明の一実施例による帯域阻止フィルタを用
いた高周波発振回路装置の構造を示す斜視図である。
いた高周波発振回路装置の構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示された装置に実装された発振回路の構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図３】誘電体共振器を用いて構成された本実施例によ
る帯域阻止フィルタの等価回路図である。
る帯域阻止フィルタの等価回路図である。
【図４】本実施例による帯域阻止フィルタの阻止帯域周
波数とパラメータＳ１１との関係が終端抵抗の抵抗値変
化から受ける影響を示すグラフである。
波数とパラメータＳ１１との関係が終端抵抗の抵抗値変
化から受ける影響を示すグラフである。
【図５】高周波発振回路の他の構成例を示す回路図であ
る。
る。
【図６】従来の帯域阻止フィルタの構成を示す図である
。
。
１１…マイクロストリップライン
１２…誘電体共振器
１３…終端抵抗
２１…アルミナ基板
２２…メタルリッド
２３…シール用メタル
２４…グランドパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロストリップラインに電磁界的
に結合する誘電体共振器を用いて構成された帯域阻止フ
ィルタを気密的に封止される容器内に設け、前記マイク
ロストリップラインの一端に接続される終端抵抗を前記
容器外に設け、前記終端抵抗の抵抗値を調整して前記帯
域阻止フィルタの阻止帯域周波数を調整することを特徴
とする帯域阻止フィルタの阻止帯域調整方法。 - 【請求項２】 マイクロストリップラインに電磁界的
に結合する誘電体共振器を用いて構成された帯域阻止フ
ィルタと、この帯域阻止フィルタを気密的に封止して収
納する容器と、前記マイクロストリップラインの一端に
接続される前記容器外に設けられた終端抵抗とを備えて
構成された帯域阻止フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9689891A JPH04347901A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 帯域阻止フィルタおよびその阻止帯域調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9689891A JPH04347901A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 帯域阻止フィルタおよびその阻止帯域調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04347901A true JPH04347901A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14177196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9689891A Pending JPH04347901A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 帯域阻止フィルタおよびその阻止帯域調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04347901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281471A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Ivoclar Vivadent Ag | 半導体光放射線源ならびに光硬化装置 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9689891A patent/JPH04347901A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281471A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Ivoclar Vivadent Ag | 半導体光放射線源ならびに光硬化装置 |
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