JPH04346409A - 積層セラミックコンデンサ及びチップヒューズ - Google Patents
積層セラミックコンデンサ及びチップヒューズInfo
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- JPH04346409A JPH04346409A JP11970391A JP11970391A JPH04346409A JP H04346409 A JPH04346409 A JP H04346409A JP 11970391 A JP11970391 A JP 11970391A JP 11970391 A JP11970391 A JP 11970391A JP H04346409 A JPH04346409 A JP H04346409A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、積層セラミックコン
デンサのうち、ヒューズ機能を有するコンデンサに関す
る。
デンサのうち、ヒューズ機能を有するコンデンサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】小型で大容量の積層セラミックコンデン
サを指向すると、誘電体層などを薄層化する必要がある
。しかし、層間を薄くすると、今度は対向電極間のショ
ートによる焼損事故の危険性が増加することになる。 そこで、コンデンサの対向電極間がショートしても周辺
機器に大電流が流れないよう、コンデンサにいわゆるヒ
ューズ機能が必要となる。かかる要請に基づき、従来よ
り種々のヒューズ機能付きコンデンサが提案されており
、図７から図１０はこれらのコンデンサを図示したもの
である。
サを指向すると、誘電体層などを薄層化する必要がある
。しかし、層間を薄くすると、今度は対向電極間のショ
ートによる焼損事故の危険性が増加することになる。 そこで、コンデンサの対向電極間がショートしても周辺
機器に大電流が流れないよう、コンデンサにいわゆるヒ
ューズ機能が必要となる。かかる要請に基づき、従来よ
り種々のヒューズ機能付きコンデンサが提案されており
、図７から図１０はこれらのコンデンサを図示したもの
である。
【０００３】図７は、外部端子にヒューズを設けたコン
デンサを示したものであり、誘電体５１と、内部電極５
２と、外部電極５３とで構成されるコンデンサにおいて
、外部電極５３の表面部に熱により溶断する部材５４を
接続したものである（特願昭５９─１６９６４８）。 図８のコンデンサは、片側の内部電極５５の取り出し部
を細くし、幅の狭い外部端子５６を形成し、同じように
形成している他の端子５７との間に溶断性ヒューズ５８
を取り付けている（特願昭６０─１１５０２６）。
デンサを示したものであり、誘電体５１と、内部電極５
２と、外部電極５３とで構成されるコンデンサにおいて
、外部電極５３の表面部に熱により溶断する部材５４を
接続したものである（特願昭５９─１６９６４８）。 図８のコンデンサは、片側の内部電極５５の取り出し部
を細くし、幅の狭い外部端子５６を形成し、同じように
形成している他の端子５７との間に溶断性ヒューズ５８
を取り付けている（特願昭６０─１１５０２６）。
【０００４】図９のコンデンサは、通常２か所に形成す
る外部端子５９の間に他の外部端子６０を設け、両端子
間にヒューズ６１を付けている（特願昭５９─１６９６
４７）。図１０のコンデンサは、内部電極６２と外部電
極６３の接合部分に溶断性ヒューズ６４を形成している
（特願昭６２─１２６３３）。
る外部端子５９の間に他の外部端子６０を設け、両端子
間にヒューズ６１を付けている（特願昭５９─１６９６
４７）。図１０のコンデンサは、内部電極６２と外部電
極６３の接合部分に溶断性ヒューズ６４を形成している
（特願昭６２─１２６３３）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のコンデ
ンサは、それぞれ熱により溶断するヒューズを用いてい
るが、全て実質的には実用性が乏しいと考えられる。す
なわち、図７の場合は、ヒューズ部５４の全体が一体的
に溶断して電流を遮断することが事実上あり得ないので
実用性がない。
ンサは、それぞれ熱により溶断するヒューズを用いてい
るが、全て実質的には実用性が乏しいと考えられる。す
なわち、図７の場合は、ヒューズ部５４の全体が一体的
に溶断して電流を遮断することが事実上あり得ないので
実用性がない。
【０００６】また、図８図９の構成のコンデンサでは小
型化が図れず、むりに小型化すれば他の部品との接触の
おそれが生じる。特に、そのコンデンサがチップ型素子
の場合なら、その大きさから考えて図８図９のものは実
現が不可能となる。さらに、図１０のコンデンサにつき
検討すると、内部電極と外部電極は、最低でも１１５０
度程度の温度で焼結するのであるから、（通常のヒュー
ズなら、この温度で溶けてしまい）この構成では実用性
のあるヒューズが作れないと考えられる。
型化が図れず、むりに小型化すれば他の部品との接触の
おそれが生じる。特に、そのコンデンサがチップ型素子
の場合なら、その大きさから考えて図８図９のものは実
現が不可能となる。さらに、図１０のコンデンサにつき
検討すると、内部電極と外部電極は、最低でも１１５０
度程度の温度で焼結するのであるから、（通常のヒュー
ズなら、この温度で溶けてしまい）この構成では実用性
のあるヒューズが作れないと考えられる。
【０００７】本発明はかかる問題点を解決するため、ヒ
ューズ機能を有する小型の積層セラミックコンデンサで
あって、ヒューズ機能部分に溶断性がないものを提供す
ることを目的とする。また過電流を制限して他の回路素
子の焼損などを防止する機能を有した、回路素子を提供
することを目的とする。
ューズ機能を有する小型の積層セラミックコンデンサで
あって、ヒューズ機能部分に溶断性がないものを提供す
ることを目的とする。また過電流を制限して他の回路素
子の焼損などを防止する機能を有した、回路素子を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１のヒューズ機能付き積層セラミックコンデ
ンサは、誘電体セラミック層と、その誘電体セラミック
層の間に複数形成される内部電極層と、この内部電極層
に接続される外部電極とからなる積層セラミックコンデ
ンサにおいて、温度上昇に対して急激に抵抗値を増加さ
せる正特性感温抵抗素子を、内部電極層と外部電極間に
形成する構成にした。
め、請求項１のヒューズ機能付き積層セラミックコンデ
ンサは、誘電体セラミック層と、その誘電体セラミック
層の間に複数形成される内部電極層と、この内部電極層
に接続される外部電極とからなる積層セラミックコンデ
ンサにおいて、温度上昇に対して急激に抵抗値を増加さ
せる正特性感温抵抗素子を、内部電極層と外部電極間に
形成する構成にした。
【０００９】また、請求項２のチップヒューズ素子は、
正特性感温抵抗素子を用いたヒューズ素子であって、予
め設定された電流値を越えると、自らの抵抗値を急激に
増加させ、このことで自らの電流値を所定の値に制限す
る素子により構成した。
正特性感温抵抗素子を用いたヒューズ素子であって、予
め設定された電流値を越えると、自らの抵抗値を急激に
増加させ、このことで自らの電流値を所定の値に制限す
る素子により構成した。
【００１０】
【作用】請求項１に係るコンデンサが常温で動作してい
る場合（誘電体セラミックが絶縁体として正常に作用し
ている場合）は、正特性感温抵抗素子の抵抗値等が小さ
いのでコンデンサ素子としての特性に影響を与えない。 ところが、この正特性感温抵抗素子は、その温度が上昇
すると急激に抵抗値が増加する特性のものを使用してい
る。そのため、例えばコンデンサの絶縁劣化などのため
外部両端子間が短絡状態になると、この正特性感温抵抗
素子での電力損失によって、その温度が増加して抵抗値
が急激に増加することになる。すると、この絶縁劣化と
なったコンデンサの短絡電流は、正特性感温抵抗素子の
抵抗値で制限されることになり他の回路素子が焼損する
等の事故を防止する。尚、Ｐ．Ｃ．Ｔセラミックはキュ
リー点を境にして電気比抵抗が立ち上がるのであるが、
このキュリー点はＰ．Ｃ．Ｔセラミックの製法により任
意に設定出来るので、本願発明に係るコンデンサのヒュ
ーズ機能は任意の特性に設定出来る。
る場合（誘電体セラミックが絶縁体として正常に作用し
ている場合）は、正特性感温抵抗素子の抵抗値等が小さ
いのでコンデンサ素子としての特性に影響を与えない。 ところが、この正特性感温抵抗素子は、その温度が上昇
すると急激に抵抗値が増加する特性のものを使用してい
る。そのため、例えばコンデンサの絶縁劣化などのため
外部両端子間が短絡状態になると、この正特性感温抵抗
素子での電力損失によって、その温度が増加して抵抗値
が急激に増加することになる。すると、この絶縁劣化と
なったコンデンサの短絡電流は、正特性感温抵抗素子の
抵抗値で制限されることになり他の回路素子が焼損する
等の事故を防止する。尚、Ｐ．Ｃ．Ｔセラミックはキュ
リー点を境にして電気比抵抗が立ち上がるのであるが、
このキュリー点はＰ．Ｃ．Ｔセラミックの製法により任
意に設定出来るので、本願発明に係るコンデンサのヒュ
ーズ機能は任意の特性に設定出来る。
【００１１】また、請求項２に係るチップヒューズ素子
も請求項１の場合と同じ特性の正特性感温抵抗素子を用
いている。従って、常温では、このチップヒューズ素子
が低抵抗の素子として動作するが、（他の回路素子等の
短絡のため、）回路に大電流が流れると、チップヒュー
ズ素子の温度が高まり、急激にその抵抗値が増加する。 そのため、チップヒューズ素子及び他の回路素子の電流
値が制限されることになり、結局これらの素子の焼損な
ども防止される。
も請求項１の場合と同じ特性の正特性感温抵抗素子を用
いている。従って、常温では、このチップヒューズ素子
が低抵抗の素子として動作するが、（他の回路素子等の
短絡のため、）回路に大電流が流れると、チップヒュー
ズ素子の温度が高まり、急激にその抵抗値が増加する。 そのため、チップヒューズ素子及び他の回路素子の電流
値が制限されることになり、結局これらの素子の焼損な
ども防止される。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるヒューズ機能
付き積層セラミックコンデンサの全体図を示したもので
ある。図２は図１のコンデンサのＡ−Ａ断面図である。 図３は図２の一部、すなわち、外部電極の付近を拡大し
た断面図である。図２に則してこのコンデンサの構成を
説明すると、このコンデンサは、複数の誘電体セラミッ
ク層１の間に３層の内部電極層２を設け、この内部電極
層２を外部電極３と接続している。そして、この両外部
端子間の静電容量を利用している。ところで、外部電極
３は、詳細には図３の構成になっており、内部電極層は
、右側でＰ．Ｔ．Ｃセラミック部４と接続され、そのＰ
．Ｔ．Ｃセラミック部４はＡｇまたはＡｇ／Ｐｄ電極５
と接続され、これがＮｉメッキ６で覆われている。そし
て、Ｎｉメッキ６の表面はＳｎ又はハンダメッキ７がさ
れている。一方、このコンデンサの左側はＰ．Ｔ．Ｃセ
ラミック部を設けないで、内部電極２とＡｇまたはＡｇ
／Ｐｄ電極５とを接続している。
付き積層セラミックコンデンサの全体図を示したもので
ある。図２は図１のコンデンサのＡ−Ａ断面図である。 図３は図２の一部、すなわち、外部電極の付近を拡大し
た断面図である。図２に則してこのコンデンサの構成を
説明すると、このコンデンサは、複数の誘電体セラミッ
ク層１の間に３層の内部電極層２を設け、この内部電極
層２を外部電極３と接続している。そして、この両外部
端子間の静電容量を利用している。ところで、外部電極
３は、詳細には図３の構成になっており、内部電極層は
、右側でＰ．Ｔ．Ｃセラミック部４と接続され、そのＰ
．Ｔ．Ｃセラミック部４はＡｇまたはＡｇ／Ｐｄ電極５
と接続され、これがＮｉメッキ６で覆われている。そし
て、Ｎｉメッキ６の表面はＳｎ又はハンダメッキ７がさ
れている。一方、このコンデンサの左側はＰ．Ｔ．Ｃセ
ラミック部を設けないで、内部電極２とＡｇまたはＡｇ
／Ｐｄ電極５とを接続している。
【００１３】図４は本発明の別の一実施例を示したもの
であり、図３のコンデンサとは製法が一部異なるものを
示している。その構成を説明すると、複数の誘電体セラ
ミック層１の間に３層の内部電極層２を設け、この内部
電極層２を外部電極部と接続している。この点は図３の
コンデンサと同じであるが、外部電極部は異なっている
。すなわち、左の外部電極は薄膜電極８で構成されるが
、右側では内部電極層２が、まず第一の薄膜電極８−１
と接続され、その薄膜電極８−１は第二の薄膜電極８−
２とハンダ部９により接合される。そして、第二の薄膜
電極８−２と第三の薄膜電極８−３との間にＰ．Ｔ．Ｃ
セラミック部４が設けられている。
であり、図３のコンデンサとは製法が一部異なるものを
示している。その構成を説明すると、複数の誘電体セラ
ミック層１の間に３層の内部電極層２を設け、この内部
電極層２を外部電極部と接続している。この点は図３の
コンデンサと同じであるが、外部電極部は異なっている
。すなわち、左の外部電極は薄膜電極８で構成されるが
、右側では内部電極層２が、まず第一の薄膜電極８−１
と接続され、その薄膜電極８−１は第二の薄膜電極８−
２とハンダ部９により接合される。そして、第二の薄膜
電極８−２と第三の薄膜電極８−３との間にＰ．Ｔ．Ｃ
セラミック部４が設けられている。
【００１４】図５は本発明の更に別の一実施例を示した
ものであり、図３のコンデンサとは製法が一部異なるも
のを示している。その構成を説明すると、複数の誘電体
セラミック層１の間に３層の内部電極層２を設け、この
内部電極層２を外部電極部と接続している。この点は図
３のコンデンサと同じであるが、外部電極部は図３のも
のと異なっいる。すなわち、左の外部電極はＡｇまたは
Ａｇ／Ｐｄによる電極５で構成されているが、右側では
内部電極層２が、まずＡｇまたはＡｇ／Ｐｄによる電極
５と接続され、その電極と第一の薄膜電極８−１とはハ
ンダ部９により接合される。そして、この第一の薄膜電
極８−１と第二の薄膜電極８−２との間にＰ．Ｃ．Ｔセ
ラミック部４が設けられている。
ものであり、図３のコンデンサとは製法が一部異なるも
のを示している。その構成を説明すると、複数の誘電体
セラミック層１の間に３層の内部電極層２を設け、この
内部電極層２を外部電極部と接続している。この点は図
３のコンデンサと同じであるが、外部電極部は図３のも
のと異なっいる。すなわち、左の外部電極はＡｇまたは
Ａｇ／Ｐｄによる電極５で構成されているが、右側では
内部電極層２が、まずＡｇまたはＡｇ／Ｐｄによる電極
５と接続され、その電極と第一の薄膜電極８−１とはハ
ンダ部９により接合される。そして、この第一の薄膜電
極８−１と第二の薄膜電極８−２との間にＰ．Ｃ．Ｔセ
ラミック部４が設けられている。
【００１５】次に、以上の各コンデンサについて製造方
法を説明する。まず、ＢａＴｉＯ３ 等の誘電体セラミ
ック、ＣｅＯ２ やＺｒＯ２ 等のデプレッサ、シフタ
ー及びＭｎＯ２ 等の鉱化剤と有機結合材としてのエチ
ルセルロース、溶媒などからなるスラリーより１５μｍ
から４０μｍのセラミックシートを成形、乾燥させて誘
電体シートを作成する。この誘電体シートは一定の大き
さに切断して内部Ｉｎｋを印刷して少なくとも３枚以上
重ねて（図６のａ参照）加熱、加圧により一体化した後
に切断する（図６のｂ参照）。尚、ここまでの工程は図
３から図５のコンデンサの全てに共通である。
法を説明する。まず、ＢａＴｉＯ３ 等の誘電体セラミ
ック、ＣｅＯ２ やＺｒＯ２ 等のデプレッサ、シフタ
ー及びＭｎＯ２ 等の鉱化剤と有機結合材としてのエチ
ルセルロース、溶媒などからなるスラリーより１５μｍ
から４０μｍのセラミックシートを成形、乾燥させて誘
電体シートを作成する。この誘電体シートは一定の大き
さに切断して内部Ｉｎｋを印刷して少なくとも３枚以上
重ねて（図６のａ参照）加熱、加圧により一体化した後
に切断する（図６のｂ参照）。尚、ここまでの工程は図
３から図５のコンデンサの全てに共通である。
【００１６】以上の工程の後、図３のコンデンサの場合
は、対向している内部電極の出ている側（図３の右側）
に、Ｐ．Ｔ．Ｃセラミックペースト部をディップなどで
形成する。そして、脱バインダー焼成を経て焼結素子を
作成して、その後既知の方法によりＡｇまたはＡｇ／Ｐ
ｄペーストを塗り重ね焼き付ける。さらに、ハンダとの
濡れ性を良くするためＮｉメッキ、ハンダメッキを施工
する。尚、一度素体のみで焼成してからＰ．Ｃ．Ｔペー
ストを焼き付け、前記と同様に既知の方法により外部電
極を形成することもできる。
は、対向している内部電極の出ている側（図３の右側）
に、Ｐ．Ｔ．Ｃセラミックペースト部をディップなどで
形成する。そして、脱バインダー焼成を経て焼結素子を
作成して、その後既知の方法によりＡｇまたはＡｇ／Ｐ
ｄペーストを塗り重ね焼き付ける。さらに、ハンダとの
濡れ性を良くするためＮｉメッキ、ハンダメッキを施工
する。尚、一度素体のみで焼成してからＰ．Ｃ．Ｔペー
ストを焼き付け、前記と同様に既知の方法により外部電
極を形成することもできる。
【００１７】また図４のコンデンサの場合は、上記した
共通の製造工程（図６のａとｂ）により作成した積層セ
ラミックコンデンサ素体に、既知の方法で外部電極を形
成する。そして、それとは別にＰ．Ｃ．Ｔ薄板の両面に
ＡｇまたはＡｇ／Ｐｄなどを焼き付けたものを作成し、
これを前記の外部電極の片側（図４では右側）にハンダ
接合する。
共通の製造工程（図６のａとｂ）により作成した積層セ
ラミックコンデンサ素体に、既知の方法で外部電極を形
成する。そして、それとは別にＰ．Ｃ．Ｔ薄板の両面に
ＡｇまたはＡｇ／Ｐｄなどを焼き付けたものを作成し、
これを前記の外部電極の片側（図４では右側）にハンダ
接合する。
【００１８】さらに図５のコンデンサの場合は、上記し
た共通の製造工程（図６のａとｂ）により積層セラミッ
クコンデンサ素体を作成し、この両側に薄膜電極を形成
する。そして、それとは別にＰ．Ｃ．Ｔ薄板の両面にＡ
ｇまたはＡｇ／Ｐｄなどを焼き付けたものを作成し、こ
れを前記の薄膜電極に接合する。次に、このようにして
製造するヒューズ機能付き積層セラミックコンデンサの
材料を改めて記述しておく。まず、誘電体セラミックは
、ＢａＴｉＯ３ などの既知のセラミックである。内部
電極材は、ＰｄまたはＡｇ／Ｐｄ粉末と有機結合剤と有
機溶剤とからなるＩｎｋである。また外部電極材のうち
ペストは、ＡｇまたはＡｇ／Ｐｄおよびガラスフリット
と有機結合剤と有機溶剤とからなるペストであり、薄膜
電極材は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇなどの多層からなる
電極材である。さらに本願発明の特徴部分であり、Ｐ．
Ｃ．Ｔ薄板などと既述したものは、Ｐ．Ｃ．Ｔセラミッ
ク粉体と有機結合剤と有機溶剤とからなるペストまたは
焼結した薄板である。
た共通の製造工程（図６のａとｂ）により積層セラミッ
クコンデンサ素体を作成し、この両側に薄膜電極を形成
する。そして、それとは別にＰ．Ｃ．Ｔ薄板の両面にＡ
ｇまたはＡｇ／Ｐｄなどを焼き付けたものを作成し、こ
れを前記の薄膜電極に接合する。次に、このようにして
製造するヒューズ機能付き積層セラミックコンデンサの
材料を改めて記述しておく。まず、誘電体セラミックは
、ＢａＴｉＯ３ などの既知のセラミックである。内部
電極材は、ＰｄまたはＡｇ／Ｐｄ粉末と有機結合剤と有
機溶剤とからなるＩｎｋである。また外部電極材のうち
ペストは、ＡｇまたはＡｇ／Ｐｄおよびガラスフリット
と有機結合剤と有機溶剤とからなるペストであり、薄膜
電極材は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇなどの多層からなる
電極材である。さらに本願発明の特徴部分であり、Ｐ．
Ｃ．Ｔ薄板などと既述したものは、Ｐ．Ｃ．Ｔセラミッ
ク粉体と有機結合剤と有機溶剤とからなるペストまたは
焼結した薄板である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本願発明に係る積層
セラミックコンデンサは、溶断性のない材料によってヒ
ュズ機能を実現し、コンデンサ及び周辺素子の焼損事故
を防止している。従って、図７や図１０に示す従来技術
の問題、すなわち、実用性に欠けるという問題がない。 また、Ｐ．Ｃ．Ｔ薄板を用いてヒューズ機能を実現して
いるのでコンデンサが大型化することがなく、また特別
な外部端子を必要としないので他の部品との不要な接触
も生じない。尚、製造工程において説明したように、本
発明に係るコンデンサは、既知の技術と既存の設備で製
造することが可能であり、従ってコスト的にも実用性を
損なわない。
セラミックコンデンサは、溶断性のない材料によってヒ
ュズ機能を実現し、コンデンサ及び周辺素子の焼損事故
を防止している。従って、図７や図１０に示す従来技術
の問題、すなわち、実用性に欠けるという問題がない。 また、Ｐ．Ｃ．Ｔ薄板を用いてヒューズ機能を実現して
いるのでコンデンサが大型化することがなく、また特別
な外部端子を必要としないので他の部品との不要な接触
も生じない。尚、製造工程において説明したように、本
発明に係るコンデンサは、既知の技術と既存の設備で製
造することが可能であり、従ってコスト的にも実用性を
損なわない。
【図１】本発明の一実施例のコンデンサの全体図である
。
。
【図２】図１のコンデンサの断面図である。
【図３】図２の断面図をさらに詳細に示す図面である。
【図４】本発明の別の実施例であるコンデンサの断面図
である。
である。
【図５】本発明の更に別の実施例であるコンデンサの断
面図である。
面図である。
【図６】本発明に係るコンデンサの製造過程を示す図面
である。
である。
【図７】一従来例のコンデンサの断面図である。
【図８】別の従来例のコンデンサの外観図てある。
【図９】更に別の従来例のコンデンサの外観図である。
【図１０】更に別の従来例のコンデンサの外観図である
。
。
１ 誘電体セラミック
２ 内部電極
３ 外部電極
４ Ｐ．Ｃ．Ｔセラミック
５ ＡｇまたはＡｇ／Ｐｄによる電極６ Ｎｉメッ
キ ７ Ｓｎ又はハンダメッキ
キ ７ Ｓｎ又はハンダメッキ
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体セラミック層と、その誘電体セラミ
ック層の間に複数形成される内部電極層と、この内部電
極層に接続される外部電極とからなる積層セラミックコ
ンデンサにおいて、過電流に対して大抵抗値を示す正特
性感温抵抗素子を、内部電極層と外部電極間に形成した
ことを特徴とするヒューズ機能付き積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項２】正特性感温抵抗素子を用いたヒューズ素子
であって、予め設定された電流値を越えると、自らの抵
抗値を急激に増加させ、このことで自らの電流値を所定
の値に制限するチップヒューズ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11970391A JPH04346409A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 積層セラミックコンデンサ及びチップヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11970391A JPH04346409A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 積層セラミックコンデンサ及びチップヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346409A true JPH04346409A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14767996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11970391A Pending JPH04346409A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 積層セラミックコンデンサ及びチップヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346409A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000022631A1 (fr) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistance a puce ctp et procede de fabrication correspondant |
| WO2000024010A1 (fr) * | 1998-10-16 | 2000-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistance a puce ctp |
| US6481094B1 (en) * | 1998-07-08 | 2002-11-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing chip PTC thermistor |
| US6782604B2 (en) * | 1997-07-07 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a chip PTC thermistor |
| CN106206017A (zh) * | 2015-05-27 | 2016-12-07 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP11970391A patent/JPH04346409A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6782604B2 (en) * | 1997-07-07 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a chip PTC thermistor |
| US7183892B2 (en) | 1997-07-07 | 2007-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip PTC thermistor and method for manufacturing the same |
| US6481094B1 (en) * | 1998-07-08 | 2002-11-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing chip PTC thermistor |
| WO2000022631A1 (fr) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistance a puce ctp et procede de fabrication correspondant |
| US6348852B1 (en) | 1998-10-13 | 2002-02-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip PTC thermistor and method of manufacturing the same |
| WO2000024010A1 (fr) * | 1998-10-16 | 2000-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistance a puce ctp |
| US6593844B1 (en) | 1998-10-16 | 2003-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | PTC chip thermistor |
| CN106206017A (zh) * | 2015-05-27 | 2016-12-07 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| US9881742B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-01-30 | Tdk Corporation | Electronic component |
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