JPH0434349A - 蛍光x線分析装置 - Google Patents
蛍光x線分析装置Info
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- JPH0434349A JPH0434349A JP13996190A JP13996190A JPH0434349A JP H0434349 A JPH0434349 A JP H0434349A JP 13996190 A JP13996190 A JP 13996190A JP 13996190 A JP13996190 A JP 13996190A JP H0434349 A JPH0434349 A JP H0434349A
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- rays
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Links
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 title description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005461 Bremsstrahlung Effects 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は蛍光X線分析装置に関し、特に微量試料の分析
に通した分析装置に関するものである。
に通した分析装置に関するものである。
[従来の技術]
従来、蛍光X線分析装置には蛍光X線の励起源としてX
線管球が用いられている。X線管球で用いられるターゲ
ット物貢には種々のものがあり、それぞれ連続X線と特
性X線を放射する。これらは分析の目的により使い分け
られている6例えば定性分析で広範囲の元素をニア析す
る場合には、タングステンの連MX線のようで広範囲エ
ネルギで大きな強度を持つものが遺している。一方ある
特定の元素を感度良く測定したい場合には、この元素を
最も効率良く励起する特性X線を有するターゲットを選
ぶ必要がある。この場合、分析元素よりも原子番号が2
大きな元素の特性X線が最も効率が良い事が知られてい
る。
線管球が用いられている。X線管球で用いられるターゲ
ット物貢には種々のものがあり、それぞれ連続X線と特
性X線を放射する。これらは分析の目的により使い分け
られている6例えば定性分析で広範囲の元素をニア析す
る場合には、タングステンの連MX線のようで広範囲エ
ネルギで大きな強度を持つものが遺している。一方ある
特定の元素を感度良く測定したい場合には、この元素を
最も効率良く励起する特性X線を有するターゲットを選
ぶ必要がある。この場合、分析元素よりも原子番号が2
大きな元素の特性X線が最も効率が良い事が知られてい
る。
蛍光X線分析法で微量試料を分析する際には試料支持体
による一次XIaの散乱および発生電子の制動輻射がバ
ックグラウンドの主な原因となる。
による一次XIaの散乱および発生電子の制動輻射がバ
ックグラウンドの主な原因となる。
分析したい元素の特性X線の領域で一次X線の連続X線
強度が大きな場合は信号/バックグラウンド比が小さく
なり、検出限界が大きくなる。
強度が大きな場合は信号/バックグラウンド比が小さく
なり、検出限界が大きくなる。
そこで従来の装置ではX線管球と試料との間にフィルタ
を入れ、X線管球からの連続X線をカットし信号/バッ
クグラウンド比を向上させている。
を入れ、X線管球からの連続X線をカットし信号/バッ
クグラウンド比を向上させている。
一方、−次X線をさらに単色化するために二次ターゲッ
ト(または二次蛍光体と呼ばれる)を用いる場合がある
。X線管球からの一次X線を二次ターゲットに照射し、
ここから発生する蛍光X線を試料に照射するもので、バ
ックグラウンドの低いスペクトルが得られ、特に微量含
有元素の分析に効果がある。
ト(または二次蛍光体と呼ばれる)を用いる場合がある
。X線管球からの一次X線を二次ターゲットに照射し、
ここから発生する蛍光X線を試料に照射するもので、バ
ックグラウンドの低いスペクトルが得られ、特に微量含
有元素の分析に効果がある。
この場合二次ターゲットは試料から離して置かれている
。
。
[発明が解決しようとするil!!!]しかしながら、
従来の二次ターゲットを用いる方法では二次ターゲット
から試料まで距葭があり二次ターゲットで発生したX線
は発散するので試料に入射するX線強度が低下していた
。したがって、試料で励起される蛍光xw!強度が小さ
くなり測定に要する時間が長いという欠点があった。
従来の二次ターゲットを用いる方法では二次ターゲット
から試料まで距葭があり二次ターゲットで発生したX線
は発散するので試料に入射するX線強度が低下していた
。したがって、試料で励起される蛍光xw!強度が小さ
くなり測定に要する時間が長いという欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、試料で励起される蛍光X線強度を高め測定時間の短
縮を図フた蛍光X線分析装置の提供を目的とする。
て、試料で励起される蛍光X線強度を高め測定時間の短
縮を図フた蛍光X線分析装置の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段および作用]前記目的を達
成するため本発明は試料中の分析元素を選択的に励起す
るような特性X線を放射する元素を含むX線ターゲット
と試料支持体とを一体化することにより、試料中の分析
元素を効率的に励起し、微量試料に対して高感度な元素
分析を可能とする。
成するため本発明は試料中の分析元素を選択的に励起す
るような特性X線を放射する元素を含むX線ターゲット
と試料支持体とを一体化することにより、試料中の分析
元素を効率的に励起し、微量試料に対して高感度な元素
分析を可能とする。
すなわち試料に対し、X線ターゲットを直接接触させる
か、または間に薄板を介して数mm以下の距離で配置し
、別のX線管等から得られるX線等を用いてX線ターゲ
ットを励起し、その特性X線でX線ターゲットに近接し
た位置にある試料を励起する。
か、または間に薄板を介して数mm以下の距離で配置し
、別のX線管等から得られるX線等を用いてX線ターゲ
ットを励起し、その特性X線でX線ターゲットに近接し
た位置にある試料を励起する。
[実施例]
第1図は本発明の341の実施例の概略構成を示す図で
ある。
ある。
分析すべき試料1はX線ターゲット2の上に直接置かれ
る。したがって、X線ターゲット2は試料支持体を兼ね
る。
る。したがって、X線ターゲット2は試料支持体を兼ね
る。
X線ターゲット2は試料1中の分析元素を選択的に励起
するために適当な特性X線を放射する元素を含んでいる
。−例をあげると試料中の分析元素が鉄である場合X線
ターゲット2の材買はニッケルが最適である。
するために適当な特性X線を放射する元素を含んでいる
。−例をあげると試料中の分析元素が鉄である場合X線
ターゲット2の材買はニッケルが最適である。
X線源3からの一次X線4は試料1およびX線ターゲッ
ト2へ照射される。
ト2へ照射される。
X@ターゲット2から放射された特性X線5は試料1中
の分析元素を選択的に励起する。
の分析元素を選択的に励起する。
試料1で発生した蛍光X線6は検出器7により検知され
る。
る。
検出器フはエネルギ分散型X線分析装置であって、例え
ば半導体検出器でマルチチャンネルアナライザに接続さ
れX線のエネルギを弁別することができる。
ば半導体検出器でマルチチャンネルアナライザに接続さ
れX線のエネルギを弁別することができる。
検出器フからの信号は信号処理装置8へ送られて記録さ
れ、解析される。
れ、解析される。
なお、−次X@4に代えて電子線またはイオンビームを
用いてもよい。
用いてもよい。
第2図は本発明の′s2の実施例の概略構成を示す。
X線ターゲット2の表面から測った蛍光X線6の取り出
し角がX線ターゲット2から放射される特性X線5の全
反射臨界角以下となる位置にスリット9、検出器7を配
置する。
し角がX線ターゲット2から放射される特性X線5の全
反射臨界角以下となる位置にスリット9、検出器7を配
置する。
X線ターゲット2の表面は十分に平滑な平面であり、X
線ターゲット2の内部で発生した特性X線5はX線ター
ゲット2表面における屈折の効果のため全反射臨界角以
下には放出されないので、検出器7へ到達することはで
きないが、試料1を通過ずる際にこれを励起することは
できる。
線ターゲット2の内部で発生した特性X線5はX線ター
ゲット2表面における屈折の効果のため全反射臨界角以
下には放出されないので、検出器7へ到達することはで
きないが、試料1を通過ずる際にこれを励起することは
できる。
その結果試料1で発生した蛍光X線6は検出器7の方向
へも放射される。したがって、信号/バックグラウンド
比のきわめて大台な測定を行なうことができる。
へも放射される。したがって、信号/バックグラウンド
比のきわめて大台な測定を行なうことができる。
X線源3、検出器フ、信号処理装置8自体の構成、作用
効果については前記第1の実施例と同様である。
効果については前記第1の実施例と同様である。
′s3図は本発明の第3の実施例の概略構成を示す。
試料支持体は、X線ターゲット2と試料支持板10とか
ら構成されている。
ら構成されている。
XM!ターゲット2の表面は試料支持板10に対して傾
斜している。試料支持板10はX@ターゲット2で発生
した特性X線が十分透過できるような厚さと材質を持フ
ている。蛍光X線6の取り出し方向がX線ターゲット2
の表面と平行になるように、スリット9、検出器7を配
置する。
斜している。試料支持板10はX@ターゲット2で発生
した特性X線が十分透過できるような厚さと材質を持フ
ている。蛍光X線6の取り出し方向がX線ターゲット2
の表面と平行になるように、スリット9、検出器7を配
置する。
このような構成によりX線ターゲット2で発生した特性
X線5は検出器7へ到達することができない。一方、試
料1で発生した蛍光X線6は、比較的大きな取り出し角
で検出される。したがって、信号/バックグラウンド比
のきわめて大きな測定を行なうことができる。
X線5は検出器7へ到達することができない。一方、試
料1で発生した蛍光X線6は、比較的大きな取り出し角
で検出される。したがって、信号/バックグラウンド比
のきわめて大きな測定を行なうことができる。
その他の構成、作用効果については前記第1の実施例と
同様である。
同様である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明は、試料中の分析元素を選
択的に励起する特性X線を放射する元素を含むX線ター
ゲットを試料支持体として用いることにより、試料中の
分析元素の蛍光X線励起を効率的に行ない、微量試料の
元素分析を短時間で行なうことができ、また試料支持体
を交換するだけで、分析元素に応じて常に最適なX線タ
ーゲットを選択することができる。さらに通常の二次タ
ーゲット付き蛍光X線分析装置に比べ装置全体を小型化
することができる。したがって、微量試料の元素分析に
適した蛍光X線分析装置が得られる。
択的に励起する特性X線を放射する元素を含むX線ター
ゲットを試料支持体として用いることにより、試料中の
分析元素の蛍光X線励起を効率的に行ない、微量試料の
元素分析を短時間で行なうことができ、また試料支持体
を交換するだけで、分析元素に応じて常に最適なX線タ
ーゲットを選択することができる。さらに通常の二次タ
ーゲット付き蛍光X線分析装置に比べ装置全体を小型化
することができる。したがって、微量試料の元素分析に
適した蛍光X線分析装置が得られる。
第1図は本発明の第1の実施例の概略構成図、第2図は
′s2の実施例の概略構成図、′s3図は第3の実施例
の概略構成図である。 1:試料、 2:X@ツタ−ット、 3:X線源、 4ニ一次X線、 5:特性X線、 6:蛍光X線、 7:X線検出器、 8:信号処理装置、 9ニスリツト、 10:試料支持板。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第 図
′s2の実施例の概略構成図、′s3図は第3の実施例
の概略構成図である。 1:試料、 2:X@ツタ−ット、 3:X線源、 4ニ一次X線、 5:特性X線、 6:蛍光X線、 7:X線検出器、 8:信号処理装置、 9ニスリツト、 10:試料支持板。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第 図
Claims (4)
- (1)試料中の分析元素の蛍光X線を励起させるための
特性X線を放射する物質を含むX線ターゲットと、該X
線ターゲットを照射して前記特性X線を励起するターゲ
ット照射手段と、前記試料中で励起され外部に発散する
前記蛍光X線の検出手段とを具備し、前記試料は実質上
前記X線ターゲット上に支持したことを特徴とする蛍光
X線分析装置。 - (2)前記X線ターゲットの試料支持側表面は全反射臨
界角を持つように平滑平面とし、該平面に対する前記蛍
光X線の検出手段の検出方向は前記特性X線に対する臨
界角以下としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の蛍光X線分析装置。 - (3)前記X線ターゲット表面は試料底面に対し傾斜し
、両者間に楔形の微小隙間を設けて試料をX線ターゲッ
ト上に支持したことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の蛍光X線分析装置。 - (4)前記蛍光X線の検出手段の検出方向は前記X線タ
ーゲットの傾斜表面と平行であることを特徴とする特許
請求の範囲第3項記載の蛍光X線分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13996190A JPH0434349A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 蛍光x線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13996190A JPH0434349A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 蛍光x線分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0434349A true JPH0434349A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15257703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13996190A Pending JPH0434349A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 蛍光x線分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0434349A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007225469A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sii Nanotechnology Inc | 蛍光x線分析装置 |
KR101109050B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-02-29 | 주식회사 아이에스피 | 형광엑스선을 이용한 비접촉식 두께 측정장치 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP13996190A patent/JPH0434349A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007225469A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sii Nanotechnology Inc | 蛍光x線分析装置 |
KR101109050B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2012-02-29 | 주식회사 아이에스피 | 형광엑스선을 이용한 비접촉식 두께 측정장치 |
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