JPH04343034A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
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- JPH04343034A JPH04343034A JP3142360A JP14236091A JPH04343034A JP H04343034 A JPH04343034 A JP H04343034A JP 3142360 A JP3142360 A JP 3142360A JP 14236091 A JP14236091 A JP 14236091A JP H04343034 A JPH04343034 A JP H04343034A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/124—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by semiconductor devices comprising at least one PN junction, e.g. transistors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/18—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying effective impedance of discharge tubes or semiconductor devices
- G01D5/183—Sensing rotation or linear movement using strain, force or pressure sensors
- G01D5/185—Sensing rotation or linear movement using strain, force or pressure sensors using piezoelectric sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体センサ、特に電界
効果トランジスタ（以下ＦＥＴと称する）で応力等の検
出を行なうようにした半導体センサに関するものである
。
効果トランジスタ（以下ＦＥＴと称する）で応力等の検
出を行なうようにした半導体センサに関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＦＥＴに応力を加えるとドレ
イン電流が変化することは知られている。従来の半導体
センサ１００は、図５に示すように、圧力、速度等の外
力を検出するＦＥＴ１０１と、このＦＥＴ１０１のドレ
イン電流ＩＤを入力として対応する電圧出力を発生する
電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１０２と、ＦＥＴ１０１
のゲートバイアス電圧ＶＧを印加するための抵抗Ｒ１、
Ｒ２、および電源ＶＤＤから構成している。ＦＥＴ１０
１のドレインＤは、電源ＶＤＤに接続され、そのゲート
Ｇは前記抵抗Ｒ１、Ｒ２で分圧されたゲートバイアス電
圧ＶＧが印加される。電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１
０２は、演算増幅器１０２ａと帰還抵抗１０２ｂから構
成している。ＦＥＴ１０１のソースＳは演算増幅器１０
２ａの反転入力端子１０２ｃへ接続されている。演算増
幅器１０２ａの非反転入力端子１０２ｄを接地して、各
入力端子１０２ｃ、１０２ｄ間の電位差がほぼ零である
ことを利用してＦＥＴ１０１を定電圧駆動する構成とし
ている。この従来の半導体センサでは、消費電力を減ら
すために、応力検出を行なわない待機時には、その電源
電圧ＶＤＤを遮断もしくは０Ｖにしている。
イン電流が変化することは知られている。従来の半導体
センサ１００は、図５に示すように、圧力、速度等の外
力を検出するＦＥＴ１０１と、このＦＥＴ１０１のドレ
イン電流ＩＤを入力として対応する電圧出力を発生する
電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１０２と、ＦＥＴ１０１
のゲートバイアス電圧ＶＧを印加するための抵抗Ｒ１、
Ｒ２、および電源ＶＤＤから構成している。ＦＥＴ１０
１のドレインＤは、電源ＶＤＤに接続され、そのゲート
Ｇは前記抵抗Ｒ１、Ｒ２で分圧されたゲートバイアス電
圧ＶＧが印加される。電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１
０２は、演算増幅器１０２ａと帰還抵抗１０２ｂから構
成している。ＦＥＴ１０１のソースＳは演算増幅器１０
２ａの反転入力端子１０２ｃへ接続されている。演算増
幅器１０２ａの非反転入力端子１０２ｄを接地して、各
入力端子１０２ｃ、１０２ｄ間の電位差がほぼ零である
ことを利用してＦＥＴ１０１を定電圧駆動する構成とし
ている。この従来の半導体センサでは、消費電力を減ら
すために、応力検出を行なわない待機時には、その電源
電圧ＶＤＤを遮断もしくは０Ｖにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、待機時にドレ
イン、ゲート、ソースの全端子を遮断もしくは０Ｖにし
てしまうと、応力検出を行なう測定時に、電源を印加し
てから安定な測定状態になるまでに時間（数秒から数分
、場合によっては数日）がかかってしまう。特に、立上
がり時に出力変化したり、ドレイン電流が数秒から数時
間に亘って増加（または減少）し続けるドリフト現象が
生じ、直ちに安定した動作に入らず、そのため消費電力
が増加してしまう。本発明は、ドリフト現象を抑制して
消費電力を減らすと共に立上がり時の出力変化を少なく
することができる半導体センサを得ることを目的とする
。
イン、ゲート、ソースの全端子を遮断もしくは０Ｖにし
てしまうと、応力検出を行なう測定時に、電源を印加し
てから安定な測定状態になるまでに時間（数秒から数分
、場合によっては数日）がかかってしまう。特に、立上
がり時に出力変化したり、ドレイン電流が数秒から数時
間に亘って増加（または減少）し続けるドリフト現象が
生じ、直ちに安定した動作に入らず、そのため消費電力
が増加してしまう。本発明は、ドリフト現象を抑制して
消費電力を減らすと共に立上がり時の出力変化を少なく
することができる半導体センサを得ることを目的とする
。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ところで、このドレイン
電流のドリフト原因は、動作時にドレイン−ソース間の
電流が変化することによって生じるのではなく、ドレイ
ン、ゲート、ソースの各端子に印加される電圧の変化に
よって生じることは、既に実験により確かめられている
。本発明は、この事実に鑑みてなされたもので、上記目
的を達成するため、本発明に係る半導体センサは、半導
体センサを用いて応力検出を行なわない待機状態におい
ては、ドレイン−ソース間またはゲート−ソース間に印
加する電圧変化を小さく抑え、ドレイン電流を大きく減
少するようにして消費電力を抑制するようにした。
電流のドリフト原因は、動作時にドレイン−ソース間の
電流が変化することによって生じるのではなく、ドレイ
ン、ゲート、ソースの各端子に印加される電圧の変化に
よって生じることは、既に実験により確かめられている
。本発明は、この事実に鑑みてなされたもので、上記目
的を達成するため、本発明に係る半導体センサは、半導
体センサを用いて応力検出を行なわない待機状態におい
ては、ドレイン−ソース間またはゲート−ソース間に印
加する電圧変化を小さく抑え、ドレイン電流を大きく減
少するようにして消費電力を抑制するようにした。
【０００５】
【作用】本発明に係る半導体センサによれば、待機時に
おけるドレイン、ゲート、ソースの各端子電圧を動作（
測定）時の電圧とそれ程変えないでドレイン電流を大き
く減少させる。
おけるドレイン、ゲート、ソースの各端子電圧を動作（
測定）時の電圧とそれ程変えないでドレイン電流を大き
く減少させる。
【０００６】
【実施例】以下、添付図面に基づいて本発明の実施例を
説明する。なお、以下の実施例では、従来例で説明した
構成については、その説明を省略する。図１は、本発明
の第１実施例に係る半導体センサの回路構成図、図２は
その回路構成におけるドレイン、ゲート、ソースの各端
子電圧を示すタイムチャートである。この半導体センサ
１は、ＦＥＴ２のゲートＧへ印加するゲートバイアス電
圧を制御回路４からの指示によりスイッチ回路５をオン
・オフして制御するよう構成したものである。電流−電
圧（Ｉ−Ｖ）変換回路３の出力３ｅが入力される制御回
路４は待機状態であるか動作状態であるかを指示し、そ
の出力でスイッチ回路５をオン・オフすることにより抵
抗Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３で構成される抵抗の分圧比を
変えてＦＥＴ２のゲートＧへ印加するゲートバイアス電
圧を直接制御してドレイン電流を制御するよう構成して
いる。なお、３ａは演算増幅器、３ｂは帰還抵抗を示す
。
説明する。なお、以下の実施例では、従来例で説明した
構成については、その説明を省略する。図１は、本発明
の第１実施例に係る半導体センサの回路構成図、図２は
その回路構成におけるドレイン、ゲート、ソースの各端
子電圧を示すタイムチャートである。この半導体センサ
１は、ＦＥＴ２のゲートＧへ印加するゲートバイアス電
圧を制御回路４からの指示によりスイッチ回路５をオン
・オフして制御するよう構成したものである。電流−電
圧（Ｉ−Ｖ）変換回路３の出力３ｅが入力される制御回
路４は待機状態であるか動作状態であるかを指示し、そ
の出力でスイッチ回路５をオン・オフすることにより抵
抗Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３で構成される抵抗の分圧比を
変えてＦＥＴ２のゲートＧへ印加するゲートバイアス電
圧を直接制御してドレイン電流を制御するよう構成して
いる。なお、３ａは演算増幅器、３ｂは帰還抵抗を示す
。
【０００７】この第１の実施例は、待機時にはドレイン
−ソース間電圧を動作時と同じ電圧（この実施例では２
Ｖ）にしておき、制御回路４からの指示によりスイッチ
回路５をオンとして、抵抗Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３で構
成される抵抗の分圧比を変えることによりゲート電位を
下げて（この実施例においては０．１Ｖ）ゲート−ソー
スカットオフ電圧（以下閾値（ＶＴＨ）と称する）に近
い電圧とするとドレイン電流は、ほとんど流れなくなる
（閾値（ＶＴＨ）以下の電圧とすればドレイン電流は、
流れなくなる）。すなわち、ドレイン電位およびソース
電位は変わらず、ゲート電位も僅かしか変わらない（電
圧変化は非常に小さい）ので、測定状態になってゲート
電位が０．１Ｖ増加したとき、ドレイン電流は急激に増
加するが、その後の電流のドリフトは非常に小さく、す
ぐに安定状態となる。
−ソース間電圧を動作時と同じ電圧（この実施例では２
Ｖ）にしておき、制御回路４からの指示によりスイッチ
回路５をオンとして、抵抗Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３で構
成される抵抗の分圧比を変えることによりゲート電位を
下げて（この実施例においては０．１Ｖ）ゲート−ソー
スカットオフ電圧（以下閾値（ＶＴＨ）と称する）に近
い電圧とするとドレイン電流は、ほとんど流れなくなる
（閾値（ＶＴＨ）以下の電圧とすればドレイン電流は、
流れなくなる）。すなわち、ドレイン電位およびソース
電位は変わらず、ゲート電位も僅かしか変わらない（電
圧変化は非常に小さい）ので、測定状態になってゲート
電位が０．１Ｖ増加したとき、ドレイン電流は急激に増
加するが、その後の電流のドリフトは非常に小さく、す
ぐに安定状態となる。
【０００８】図３は、本発明の第２実施例に係る半導体
センサの回路構成図、図４はその回路構成におけるドレ
イン、ゲート、ソースの各端子電圧を示すタイムチャー
トであり、第１実施例と同じ構成部分には同一符号を付
する。この半導体センサ１１は、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）
変換回路１３内の演算増幅器３の非反転入力端子３ｄに
印加する電圧を電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１３の出
力３ｅが入力される制御回路４からの指示によりスイッ
チ回路６をオン・オフして制御するよう構成したもので
ある。抵抗Ｒ１およびＲ２の分圧によってＦＥＴ２のゲ
ートＧに与えられる電圧を固定電圧とし、ＦＥＴ２のソ
ース電圧ＶＳを、待機状態であるか動作状態であるかを
指示する制御回路４の出力でスイッチ回路６をオン・オ
フして、ＦＥＴ２のゲート−ソース間電圧を制御してド
レイン電流を制御するよう構成したものである。
センサの回路構成図、図４はその回路構成におけるドレ
イン、ゲート、ソースの各端子電圧を示すタイムチャー
トであり、第１実施例と同じ構成部分には同一符号を付
する。この半導体センサ１１は、電流−電圧（Ｉ−Ｖ）
変換回路１３内の演算増幅器３の非反転入力端子３ｄに
印加する電圧を電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路１３の出
力３ｅが入力される制御回路４からの指示によりスイッ
チ回路６をオン・オフして制御するよう構成したもので
ある。抵抗Ｒ１およびＲ２の分圧によってＦＥＴ２のゲ
ートＧに与えられる電圧を固定電圧とし、ＦＥＴ２のソ
ース電圧ＶＳを、待機状態であるか動作状態であるかを
指示する制御回路４の出力でスイッチ回路６をオン・オ
フして、ＦＥＴ２のゲート−ソース間電圧を制御してド
レイン電流を制御するよう構成したものである。
【０００９】この第２の実施例は、待機時においてはゲ
ート電圧は動作時と同じ電圧（この実施例では−１Ｖ）
にしておき、制御回路４からの指示によりスイッチ回路
６をオンとして、演算増幅器３の非反転入力端子３ｄに
印加する電位を上げて（この実施例においては０．１Ｖ
）ゲート−ソースカットオフ電圧（以下閾値（ＶＴＨ）
と称する）に近い電圧とするとドレイン電流は、ほとん
ど流れなくなる（閾値（ＶＴＨ）以下の電圧とすればド
レイン電流は、流れなくなる）。すなわち、ドレイン電
位およびゲート電位は変わらず、ソース電位も僅かしか
変わらない（電圧変化は非常に小さい）ので、測定状態
になってソース電位が０．１Ｖ減少したとき、ドレイン
電流は急激に増加するが、第１実施例と同様、その後の
電流のドリフトは非常に小さく、すぐに安定となる。
ート電圧は動作時と同じ電圧（この実施例では−１Ｖ）
にしておき、制御回路４からの指示によりスイッチ回路
６をオンとして、演算増幅器３の非反転入力端子３ｄに
印加する電位を上げて（この実施例においては０．１Ｖ
）ゲート−ソースカットオフ電圧（以下閾値（ＶＴＨ）
と称する）に近い電圧とするとドレイン電流は、ほとん
ど流れなくなる（閾値（ＶＴＨ）以下の電圧とすればド
レイン電流は、流れなくなる）。すなわち、ドレイン電
位およびゲート電位は変わらず、ソース電位も僅かしか
変わらない（電圧変化は非常に小さい）ので、測定状態
になってソース電位が０．１Ｖ減少したとき、ドレイン
電流は急激に増加するが、第１実施例と同様、その後の
電流のドリフトは非常に小さく、すぐに安定となる。
【００１０】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る半
導体センサによれば、半導体センサを用いて応力検出を
行なわない待機状態において、ドレイン電流の減少は大
きいがドレイン−ソース間またはゲート−ソース間に印
加する電圧の変化は小さく抑えたので、ドレイン電流の
ドリフト現象を極めて小さく抑えることができ、従って
消費電力を減らすことができる。なお、ソース−ゲート
間の電圧を変えないで、ドレイン電位をソース電位と同
じにしてしまう方法も考えられるが、前述の実施例と比
較すると電圧変化が大きいことから、その効果は劣る。
導体センサによれば、半導体センサを用いて応力検出を
行なわない待機状態において、ドレイン電流の減少は大
きいがドレイン−ソース間またはゲート−ソース間に印
加する電圧の変化は小さく抑えたので、ドレイン電流の
ドリフト現象を極めて小さく抑えることができ、従って
消費電力を減らすことができる。なお、ソース−ゲート
間の電圧を変えないで、ドレイン電位をソース電位と同
じにしてしまう方法も考えられるが、前述の実施例と比
較すると電圧変化が大きいことから、その効果は劣る。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体センサの回路
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る半導体センサの回路
構成におけるドレイン、ゲート、ソースの各端子電圧を
示すタイムチャートである。
構成におけるドレイン、ゲート、ソースの各端子電圧を
示すタイムチャートである。
【図３】本発明の第２実施例に係る半導体センサの回路
構成図である。
構成図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る半導体センサの回路
構成におけるドレイン、ゲート、ソースの各端子電圧を
示すタイムチャートである。
構成におけるドレイン、ゲート、ソースの各端子電圧を
示すタイムチャートである。
【図５】従来の実施例に係る半導体センサの回路構成図
である。
である。
１、１１…半導体センサ、２…ＦＥＴ（電界効果トラン
ジスタ）、３、１３…電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路、
３ａ…演算増幅器、３ｂ…帰還抵抗、４…制御回路、５
、６…スイッチ回路、、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３…抵抗。
ジスタ）、３、１３…電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換回路、
３ａ…演算増幅器、３ｂ…帰還抵抗、４…制御回路、５
、６…スイッチ回路、、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３…抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に電界効果トランジスタ
を形成し、この電界効果トランジスタで応力検出を行な
うようにした半導体センサにおいて、半導体センサを用
いて応力検出を行なわない待機状態においては、ドレイ
ン−ソース間またはゲート−ソース間に印加する電圧を
変化させてドレイン電流を減少させるようにしたことを
特徴とする半導体センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142360A JP2587147B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体センサ |
| DE69204098T DE69204098T2 (de) | 1991-05-17 | 1992-05-15 | Halbleitersensor für mechanische Spannungen. |
| US07/883,752 US5381696A (en) | 1991-05-17 | 1992-05-15 | Semiconductor stress sensor |
| EP92108233A EP0513815B1 (en) | 1991-05-17 | 1992-05-15 | Semiconductor stress sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142360A JP2587147B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343034A true JPH04343034A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2587147B2 JP2587147B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=15313573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142360A Expired - Fee Related JP2587147B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5381696A (ja) |
| EP (1) | EP0513815B1 (ja) |
| JP (1) | JP2587147B2 (ja) |
| DE (1) | DE69204098T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08511092A (ja) * | 1993-05-05 | 1996-11-19 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | マスクを通じてまた選択的にこのマスクを閉じて全面的な層を析出するための方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL116536A0 (en) * | 1995-12-24 | 1996-03-31 | Harunian Dan | Direct integration of sensing mechanisms with single crystal based micro-electric-mechanics systems |
| DE19812486A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-23 | Bosch Gmbh Robert | Auswerteschaltung für elektronische Signalgeber |
| US9952095B1 (en) | 2014-09-29 | 2018-04-24 | Apple Inc. | Methods and systems for modulation and demodulation of optical signals |
| US9747488B2 (en) * | 2014-09-30 | 2017-08-29 | Apple Inc. | Active sensing element for acoustic imaging systems |
| US10133904B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Fully-addressable sensor array for acoustic imaging systems |
| US9824254B1 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-21 | Apple Inc. | Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers |
| US9607203B1 (en) | 2014-09-30 | 2017-03-28 | Apple Inc. | Biometric sensing device with discrete ultrasonic transducers |
| US9904836B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-02-27 | Apple Inc. | Reducing edge effects within segmented acoustic imaging systems |
| US9984271B1 (en) | 2014-09-30 | 2018-05-29 | Apple Inc. | Ultrasonic fingerprint sensor in display bezel |
| US9979955B1 (en) | 2014-09-30 | 2018-05-22 | Apple Inc. | Calibration methods for near-field acoustic imaging systems |
| US11048902B2 (en) | 2015-08-20 | 2021-06-29 | Appple Inc. | Acoustic imaging system architecture |
| US10275633B1 (en) | 2015-09-29 | 2019-04-30 | Apple Inc. | Acoustic imaging system for spatial demodulation of acoustic waves |
| US10802651B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-10-13 | Apple Inc. | Ultrasonic touch detection through display |
| US11950512B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-04-02 | Apple Inc. | Thin-film acoustic imaging system for imaging through an exterior surface of an electronic device housing |
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