JPH04330638A - Production of magnetic disk - Google Patents
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃｒ合金下地膜やＣｒ
又はＣｒ合金中間膜を設け、その上に金属磁性薄膜を磁
性層として設けてなる磁気ディスクの製造方法に関する
ものである。[Industrial Application Field] The present invention is applicable to Cr alloy base films and Cr alloy base films.
Alternatively, the present invention relates to a method of manufacturing a magnetic disk in which a Cr alloy intermediate film is provided and a metal magnetic thin film is provided thereon as a magnetic layer.
【０００２】0002
【従来の技術】いわゆるハードディスクの如き磁気ディ
スクにおいて、Ｃｒ等からなる下地膜や磁性層とされる
金属磁性薄膜をスパッタ法によって成膜する装置として
は、大きく分けて次の２種類がある。すなわち、基板を
１枚づつ順に円形ターゲットに静止対向させて膜形成を
行うもの（枚葉型）、及び多数の基板をトレイの上に載
せ、矩形ターゲットに対してこれを相対移動しながら膜
形成を行うもの（いわゆるトレイ搬送型）である。ここ
で、量産性を考えると、後者の方が圧倒的に有利であり
、工業的規模で生産する場合には前記トレイ搬送型装置
を採用することが多い。2. Description of the Related Art In a magnetic disk such as a so-called hard disk, there are roughly two types of apparatuses for forming a metal magnetic thin film, which is used as an underlayer or magnetic layer made of Cr or the like, by sputtering. In other words, there are two methods in which film formation is performed by placing the substrates one by one in a stationary position facing a circular target (single-wafer type), and a method in which film formation is performed by placing a large number of substrates on a tray and moving them relative to a rectangular target (single-wafer type). (so-called tray conveyance type). Here, considering mass production, the latter is overwhelmingly advantageous, and when producing on an industrial scale, the tray conveyance type device is often adopted.
【０００３】0003
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特にＣ
ｒ等からなる下地膜を成膜する際に、前記トレイ搬送型
スパッタ装置により基板をターゲットの前を移動させな
がら膜形成を行うと、上記ターゲットと基板の位置が刻
々と変化するために、得られる磁気ディスクに基板面内
で一軸磁気異方性の発生が見られる。したがって、記録
方向で見た時に磁気ディスク内で異方性分布が発生して
しまい、例えばデジタル記録を行った場合、再生信号の
エンベロープに２周期のモジュレーション（うねり）が
発生する。このような再生エンベロープにモジュレーシ
ョンが存在していると、良好な磁気特性を確保すること
ができず、特に高記録密度化においては不利である。こ
のモジュレーションを解消する技術としては、従来より
テクスチャリングやスパッタ条件をコントロールするこ
とが行われている。しかしながら、ＣｏＮｉＣｒ等を金
属磁性材料とする場合にはこれら技術である程度の効果
が得られているが、特にＣｏＣｒＴａを金属磁性材料と
する場合にはこれだけでは不十分であることがわかって
きた。そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであって、記録方向に均一に異方性を付与す
ることが可能とされ、良好な磁気特性を確保することが
可能な磁気ディスクの製造方法を提供することを目的と
する。[Problem to be solved by the invention] However, in particular, C
When forming a base film consisting of R or the like, if the film is formed while moving the substrate in front of the target using the tray transport type sputtering device, the positions of the target and the substrate change every moment, resulting in a loss of yield. The occurrence of uniaxial magnetic anisotropy within the plane of the substrate is observed in the magnetic disk. Therefore, an anisotropic distribution occurs within the magnetic disk when viewed in the recording direction, and for example, when digital recording is performed, two-cycle modulation (undulation) occurs in the envelope of the reproduced signal. If such modulation exists in the reproduction envelope, good magnetic properties cannot be ensured, which is particularly disadvantageous when increasing recording density. Conventional techniques for eliminating this modulation include texturing and controlling sputtering conditions. However, although these techniques have been effective to some extent when CoNiCr or the like is used as a metal magnetic material, it has been found that these techniques alone are insufficient, especially when CoCrTa is used as a metal magnetic material. Therefore, the present invention has been proposed in view of the conventional situation, and is a magnetic disk capable of imparting anisotropy uniformly in the recording direction and ensuring good magnetic properties. The purpose is to provide a manufacturing method for.
【０００４】0004
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスクの
製造方法は、上述の目的を達成するために提案されたも
のである。即ち、本願第１の発明は、ターゲットに対し
て円板状の基板を相対移動させながらスパッタ法により
Ｃｒ合金下地膜を成膜し、このＣｒ合金下地膜上に磁性
層である金属磁性薄膜を成膜する磁気ディスクの製造方
法において、前記Ｃｒ合金下地膜を成膜するに際し、前
記ターゲットと基板の間に複数の板状マスクを板面が基
板面に対して非平行となるように配置することを特徴と
するものである。また、本願第２の発明は、ターゲット
に対して円板状の基板を相対移動させながらスパッタ法
により複数の金属磁性薄膜をＣｒ又はＣｒ合金中間膜を
介して積層形成する磁気ディスクの製造方法において、
前記Ｃｒ又はＣｒ合金中間膜を成膜する際に、前記ター
ゲットと基板の間に複数の板状マスクを板面が基板面に
対して非平行となるように配置することを特徴とするも
のである。本発明において、上記Ｃｒ合金下地膜、或い
はＣｒ又はＣｒ合金中間膜を成膜するには、図１に示す
ように、所定のターゲット１に対して円板状の基板２を
対向させながら相対移動させ、次々に基板２を供給しな
がらスパッタリングを行う。このとき、ターゲット１の
前方〔すなわちターゲット１と基板２の間〕に， いわ
ゆるブラインド状の板状マスク３を配置し、ターゲット
１からのスパッタ粒子の入射方向が規制されるようにし
てスパッタする。これにより、均一な異方性を付与する
ことができ、モジュレーションの発生を防止することが
できる。[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a magnetic disk according to the present invention has been proposed to achieve the above-mentioned object. That is, in the first invention of the present application, a Cr alloy base film is formed by sputtering while a disk-shaped substrate is moved relative to a target, and a metal magnetic thin film as a magnetic layer is formed on the Cr alloy base film. In the method for manufacturing a magnetic disk, a plurality of plate-shaped masks are arranged between the target and the substrate so that the plate surfaces are non-parallel to the substrate surface when forming the Cr alloy base film. It is characterized by this. Further, a second invention of the present application provides a method for manufacturing a magnetic disk in which a plurality of metal magnetic thin films are laminated via a Cr or Cr alloy intermediate film by a sputtering method while a disk-shaped substrate is moved relative to a target. ,
When forming the Cr or Cr alloy intermediate film, a plurality of plate-shaped masks are arranged between the target and the substrate so that the plate surfaces are non-parallel to the substrate surface. be. In the present invention, in order to form the Cr alloy base film or the Cr or Cr alloy intermediate film, as shown in FIG. Then, sputtering is performed while supplying substrates 2 one after another. At this time, a so-called blind plate mask 3 is placed in front of the target 1 (that is, between the target 1 and the substrate 2), and sputtering is performed so that the incident direction of sputtered particles from the target 1 is regulated. Thereby, uniform anisotropy can be imparted and modulation can be prevented from occurring.
【０００５】ここで、前記板状マスク３は、基板２の移
動方向に沿って略平行に配列するようにしてもよいし、
基板２の移動方向に対して略直交， あるいは斜めとな
るように配置してもよい。さらには、格子状に配列して
もよい。これらは、一軸磁気異方性の発生状況に応じて
装置により適性なものを選べばよい。また、板状マスク
３の板面は、基板２の主面に対して非平行であればよい
が、通常はマスク３の板面が基板２面に対して略垂直と
なるように設置される。板状マスク３のサイズは、装置
の種類やターゲットの大きさ， 形状等によって適宜選
定する必要があるが、例えばマスク３の幅ｗは概ね５〜
４０ｍｍの範囲で、各マスク３間の間隔ｄは概ね５〜４
０ｍｍの範囲で選ばれる。上記ターゲット１としては、
Ｃｒ、或いはＣｒ合金が使用される。特に、Ｃｒ合金を
用いた場合、得られる磁気ディスクの保磁力が著しく増
大し、磁気特性の向上を図る上で有効である。このＣｒ
合金ターゲットは、その組成がＣｒ１００−Ｘ ＭＸ
（但し、ｘは置換量を原子％で表し、Ｍは添加元素を表
す。）で表され、添加元素ＭとしてＳｉ、Ｇｄ、Ｔａ、
Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｃｕ、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃ等の少なくとも１種が添加される
。[0005] Here, the plate-shaped masks 3 may be arranged substantially parallel to the moving direction of the substrate 2;
They may be arranged substantially perpendicularly or obliquely to the moving direction of the substrate 2. Furthermore, they may be arranged in a grid. These may be selected depending on the apparatus depending on the situation in which uniaxial magnetic anisotropy occurs. Further, the plate surface of the plate-shaped mask 3 only needs to be non-parallel to the main surface of the substrate 2, but it is usually installed so that the plate surface of the mask 3 is approximately perpendicular to the substrate 2 surface. . The size of the plate-shaped mask 3 needs to be selected appropriately depending on the type of device, the size and shape of the target, etc., but for example, the width w of the mask 3 is approximately 5 to 5.
Within the range of 40 mm, the distance d between each mask 3 is approximately 5 to 4
Selected within the range of 0mm. As target 1 above,
Cr or Cr alloy is used. In particular, when a Cr alloy is used, the coercive force of the resulting magnetic disk increases significantly, which is effective in improving magnetic properties. This Cr
The alloy target has a composition of Cr100-X MX
(However, x represents the substitution amount in atomic %, M represents the additive element.), and the additive element M is Si, Gd, Ta,
W, Nb, Ti, V, Zr, Mo, Zn, Ce, Cu,
At least one of Ni, Co, Al, C, etc. is added.
【０００６】本願第１の発明により製造される磁気ディ
スクの構成としては、図２に示すように、表面にＮｉ−
Ｐメッキ膜２２が形成された基板２１上にＣｒ合金下地
膜２３が形成され、このＣｒ合金下地膜２３上に金属磁
性薄膜２４、保護膜２５が順次積層された構造が考えら
れる。また、本願第２の発明により製造される磁気ディ
スクでは、図３に示すように、上記表面にＮｉ−Ｐメッ
キ膜２２が形成された基板２１上に下地膜２３を形成し
、この下地膜２３上に第１の金属磁性薄膜２４ａ及び第
２の金属磁性薄膜２４ｂをＣｒ又はＣｒ合金中間膜２６
を介して積層し、更に上記第２の金属磁性薄膜２４ｂ上
に保護膜２５を形成して、磁性層２７が第１の金属磁性
薄膜２４ａ及び第２の金属磁性薄膜２４ｂからなる多層
構造とすることができる。ここで、上記下地膜２３とし
ては、上記第１の発明におけるＣｒ合金下地膜２３と同
様なＣｒ合金膜が用いられることが望ましい。このよう
な磁気ディスクとしては、面内磁気ディスク及び垂直磁
気ディスクのいずれでもよく、したがって上記金属磁性
薄膜としては、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の他Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等、面
内磁性膜，垂直磁性膜を形成し得る強磁性金属材料がい
ずれも使用可能であるが、特に金属磁性薄膜がＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ膜である場合に効果が大きい。これら金属磁性
薄膜を成膜する際には、上記Ｃｒ合金下地膜、或いはＣ
ｒ又はＣｒ合金中間膜の場合と同様に前記板状マスクを
配置してスパッタリングを行ってもよい。As shown in FIG. 2, the structure of the magnetic disk manufactured according to the first invention of the present application is as shown in FIG.
A conceivable structure is that a Cr alloy base film 23 is formed on a substrate 21 on which a P plating film 22 is formed, and a metal magnetic thin film 24 and a protective film 25 are sequentially laminated on this Cr alloy base film 23. Further, in the magnetic disk manufactured according to the second invention of the present application, as shown in FIG. A first metal magnetic thin film 24a and a second metal magnetic thin film 24b are placed on top of a Cr or Cr alloy intermediate film 26.
A protective film 25 is further formed on the second metal magnetic thin film 24b, so that the magnetic layer 27 has a multilayer structure consisting of the first metal magnetic thin film 24a and the second metal magnetic thin film 24b. be able to. Here, as the base film 23, it is desirable to use a Cr alloy film similar to the Cr alloy base film 23 in the first invention. Such a magnetic disk may be either a longitudinal magnetic disk or a perpendicular magnetic disk. Therefore, the metal magnetic thin film may be made of Co-Ni, Co-Ni-Cr, etc.
Any ferromagnetic metal material that can form an in-plane magnetic film or a perpendicular magnetic film, such as o-Cr, Co-Cr-Ta, Co-Cr-Nb, can be used, but in particular, a metal magnetic thin film such as Co-C
The effect is great when it is an r-Ta film. When forming these metal magnetic thin films, the above-mentioned Cr alloy base film or C
Sputtering may be performed by arranging the plate mask as in the case of the r or Cr alloy interlayer film.
【０００７】[0007]
【作用】Ｃｒ、或いはＣｒ合金からなるターゲットに対
して基板を相対移動させながらスパッタを行うと、上記
ターゲットと上記基板の位置が刻々と変化するために、
得られる磁気ディスクには基板面内で一軸磁気異方性が
発生する。これに対して、Ｃｒ、或いはＣｒ合金からな
るターゲットと基板の間に板状マスクを設置すると、ス
パッタ粒子の入射方向が規制され、磁気ディスクにおけ
る記録方向（円周方向）に均一に異方性が付与される。[Operation] When sputtering is performed while moving the substrate relative to a target made of Cr or Cr alloy, the positions of the target and the substrate change every moment.
Uniaxial magnetic anisotropy occurs within the substrate plane in the resulting magnetic disk. On the other hand, if a plate mask is installed between the target made of Cr or Cr alloy and the substrate, the incident direction of the sputtered particles is regulated, and the anisotropy is uniformly distributed in the recording direction (circumferential direction) on the magnetic disk. will be granted.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて
説明する。本実施例は、表面にニッケル−リンメッキを
施したＡｌ基板上に下地層として膜厚約５００ÅのＣｒ
層、磁性層として膜厚約７００ÅのＣｏＣｒＴａ層を順
次積層した磁気ディスクの製造方法の例である。Ｃｒ層
のスパッタリングに際し、板状マスク３３は、図４に示
すように、細長い矩形状の枠体であるシールディングボ
ックス３１に取り付け、ターゲット上に配置した。前記
シールディングボックス３１は、幅方向両側縁に沿って
立ち上がり壁３１ａが設けられ、中央の開口部３２を横
切って前記板状マスク３３が平行に差し渡されている。
本実験例では、かかるシールディングボックス３１を複
数並べて配置したので、前記板状マスク３３と前記立ち
上がり壁３１ａによって格子状にマスクが配列された形
となっている。なお、板状マスク３３の幅ｗは２０ｍｍ
，マスク３３間の間隔ｄは２０ｍｍとし、基板に対して
垂直になるようにシールディングボックス３１に取り付
けた。シールディングボックス３１の開口部３２の開口
幅は１０５ｍｍである。また、板状マスク３３の配列方
向は、基板の移動方向に対して１１°傾けた。EXAMPLES The present invention will be explained below based on specific experimental results. In this example, a Cr film with a thickness of about 500 Å is used as an underlayer on an Al substrate whose surface is plated with nickel-phosphorus.
This is an example of a method for manufacturing a magnetic disk in which CoCrTa layers each having a thickness of about 700 Å are sequentially laminated as a magnetic layer. When sputtering the Cr layer, the plate mask 33 was attached to a shielding box 31, which is an elongated rectangular frame, and placed on the target, as shown in FIG. The shielding box 31 has rising walls 31a along both sides in the width direction, and the plate-shaped mask 33 extends in parallel across the central opening 32. In this experimental example, a plurality of such shielding boxes 31 are arranged side by side, so that the masks are arranged in a grid pattern by the plate-shaped masks 33 and the rising walls 31a. Note that the width w of the plate mask 33 is 20 mm.
, the distance d between the masks 33 was 20 mm, and they were attached to the shielding box 31 so as to be perpendicular to the substrate. The opening width of the opening 32 of the shielding box 31 is 105 mm. Further, the arrangement direction of the plate-shaped masks 33 was inclined by 11 degrees with respect to the movement direction of the substrate.
【０００９】このようにして作成した磁気ディスク（実
施例）の磁気特性並びに再生エンベロープを測定した。
なお、比較のために、前述の板状マスク３３を配置しな
いでスパッタリングを行った磁気ディスク（比較例）に
ついても測定を行った。磁気特性は、磁気ディスクの円
周方向の０°の位置と９０°の位置について、基板の周
方向と径方向でのヒステリシス曲線（Ｍ−Ｈループ）を
測定した。なお、磁気ディスクの円周方向での位置は、
基板の移動方向と直交する方向を０°及び１８０°、基
板の移動方向と一致する方向を９０°及び２７０°と決
めた。測定には振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用い、印
加磁場５０００Ｏｅで測定した。図５及び図６は、実施
例の磁気ディスクのＭ−Ｈループであり、図５は０°の
位置のＭ−Ｈループ、図６は９０°の位置のＭ−Ｈルー
プである。なお、図中曲線Ｃは周方向で測定したときの
特性を表し、曲線Ｒは径方向で測定したときの特性を表
す。Ｃｒ層のスパッタ時にマスクを設けると、基板の位
置による特性の相違はほとんど無く、磁気ディスクの円
周方向のいずれの場所でも均一な磁気特性が得られるこ
とがわかる。The magnetic properties and reproduction envelope of the magnetic disk (Example) thus prepared were measured. For comparison, measurements were also performed on a magnetic disk (comparative example) on which sputtering was performed without disposing the plate-shaped mask 33 described above. For the magnetic properties, hysteresis curves (MH loops) in the circumferential direction and radial direction of the substrate were measured at 0° and 90° positions in the circumferential direction of the magnetic disk. The position of the magnetic disk in the circumferential direction is
The directions perpendicular to the direction of movement of the substrate were determined to be 0° and 180°, and the directions coincident with the direction of movement of the substrate were determined to be 90° and 270°. The measurement was performed using a vibrating sample magnetometer (VSM) with an applied magnetic field of 5000 Oe. 5 and 6 show the M-H loop of the magnetic disk of the embodiment, FIG. 5 shows the M-H loop at the 0° position, and FIG. 6 shows the M-H loop at the 90° position. In addition, the curve C in the figure represents the characteristic when measured in the circumferential direction, and the curve R represents the characteristic when measured in the radial direction. It can be seen that when a mask is provided during sputtering of the Cr layer, there is almost no difference in characteristics depending on the position of the substrate, and uniform magnetic characteristics can be obtained at any location in the circumferential direction of the magnetic disk.
【００１０】一方、図７及び図８は、比較例の磁気ディ
スクのＭ−Ｈループであり、図７は０°の位置のＭ−Ｈ
ループ、図８は９０°の位置のＭ−Ｈループである。こ
の比較例においては、０°の位置の特性と９０°の位置
の特性とが大きく異なり、特に９０°位置では記録方向
である周方向で測定した特性の低下が見られる。そこで
、作成した磁気ディスクに一定のレベルの信号を記録し
、再生出力のエンベロープを調べた。結果を図９（比較
例）及び図１０（実施例）に示す。その結果、スパッタ
粒子が低角度で入射された比較例の磁気ディスクでは、
１周期に２回の山谷（モジュレーション）を有する出力
波形となった。このようなモジュレーションが存在する
と、高密度記録を行う際に特性上支障をきたし、高密度
化には非常に不利となる。これに対して、実施例の磁気
ディスクでは、上述のモジュレーショが抑えられており
、良好な再生エンベロープ波形を示すことが明らかとな
った。On the other hand, FIGS. 7 and 8 show the M-H loop of a magnetic disk of a comparative example, and FIG. 7 shows the M-H loop at the 0° position.
Loop, FIG. 8 is the M-H loop at 90° position. In this comparative example, the characteristics at the 0° position and the characteristics at the 90° position are significantly different, and in particular, at the 90° position, a decrease in the characteristics measured in the circumferential direction, which is the recording direction, is observed. Therefore, we recorded a signal at a certain level on the created magnetic disk and examined the envelope of the playback output. The results are shown in FIG. 9 (comparative example) and FIG. 10 (example). As a result, in the comparative example magnetic disk in which the sputtered particles were incident at a low angle,
The output waveform had two peaks and valleys (modulation) in one cycle. If such modulation exists, it will cause problems in terms of characteristics when performing high-density recording, and will be very disadvantageous to high-density recording. On the other hand, it was revealed that the above-mentioned modulation was suppressed in the magnetic disk of the example, and a good reproduction envelope waveform was exhibited.
【００１１】次に、下地層を成膜する際に、各種添加元
素を含有するＣｒ合金ターゲットを用いた場合について
検討した。即ち、表面にニッケル−リンメッキを施した
Ａｌ基板上に上述のスパッタリングと同様にして膜厚約
５００ÅのＣｒＸ下地層（ＸはＣｅ、Ｇｄ、Ｃｕ、Ｓｉ
）を形成し、このＣｒＸ層上に磁性層として膜厚約５０
０ÅのＣｏＮｉＣｒ層を形成した。そして、得られた磁
気ディスクの保磁力を調べ、この結果を図１１に示す。
図１１より、各種添加元素を含有するＣｒ合金下地層を
形成した磁気ディスクでは、何れも非常に高い保磁力を
確保することができた。特に、添加元素としてＣｅ、Ｇ
ｄを加えた場合には、１５００Ｏｅに近い高保磁力を示
す組成が存在することが判った。[0011] Next, the case where a Cr alloy target containing various additive elements was used when forming the underlayer was investigated. That is, a CrX underlayer (X is Ce, Gd, Cu, Si,
) is formed on this CrX layer, and a film thickness of about 50 mm is formed as a magnetic layer on this CrX layer.
A CoNiCr layer of 0 Å was formed. Then, the coercive force of the obtained magnetic disk was examined, and the results are shown in FIG. As can be seen from FIG. 11, the magnetic disks on which the Cr alloy underlayer containing various additive elements was formed were able to secure extremely high coercive force. In particular, Ce, G as additive elements
It has been found that when d is added, there is a composition exhibiting a high coercive force close to 1500 Oe.
【００１２】0012
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、Ｃｒ合金下地膜のスパッタの際にターゲ
ットと基板の間にマスクを配置しているので、ディスク
の記録方向に均一に異方性を付与することができ、再生
エンベロープのモジュレーションを解消することができ
る。したがって、ノイズの分布を改善することができ、
また高角形比によって周波数特性も改善することができ
ることから、電磁変換特性に優れた磁気ディスクを製造
することが可能である。なお、製造に際しては、工程が
増えることはなく、スパッタ条件を変更する必要もない
。[Effects of the Invention] As is clear from the above explanation, in the present invention, since a mask is placed between the target and the substrate during sputtering of the Cr alloy base film, the Cr alloy base film can be sputtered uniformly in the recording direction of the disk. Anisotropy can be imparted and modulation of the playback envelope can be eliminated. Therefore, the distribution of noise can be improved,
Furthermore, since the frequency characteristics can also be improved due to the high squareness ratio, it is possible to manufacture a magnetic disk with excellent electromagnetic conversion characteristics. Note that during manufacturing, there is no need to increase the number of steps and there is no need to change sputtering conditions.
【図１】本発明の磁気ディスクの製造方法を説明する概
略的な斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating a method of manufacturing a magnetic disk according to the present invention.
【図２】本願第１の発明により製造される磁気ディスク
の構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of a magnetic disk manufactured according to the first invention of the present application.
【図３】本願第２の発明により製造される磁気ディスク
の構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of a magnetic disk manufactured according to the second invention of the present application.
【図４】本発明の磁気ディスクの製造方法において使用
したマスクの構造を示す要部分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of essential parts showing the structure of a mask used in the method of manufacturing a magnetic disk of the present invention.
【図５】本発明を適用した磁気ディスクの０°の位置の
Ｍ−Ｈループを示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing an M-H loop at a 0° position of a magnetic disk to which the present invention is applied.
【図６】本発明を適用した磁気ディスクの９０°の位置
のＭ−Ｈループを示す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing an M-H loop at a 90° position of a magnetic disk to which the present invention is applied.
【図７】下地層を成膜する際に、板状マスクを配置しな
いでスパッタリングを行った磁気ディスクの０°の位置
のＭ−Ｈループを示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing an M-H loop at a 0° position of a magnetic disk in which sputtering was performed without disposing a plate mask when forming an underlayer.
【図８】下地層を成膜する際に、板状マスクを配置しな
いでスパッタリングを行った磁気ディスクの９０°の位
置のＭ−Ｈループを示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing an M-H loop at a 90° position of a magnetic disk in which sputtering was performed without disposing a plate mask when forming an underlayer.
【図９】下地層を成膜する際に、板状マスクを配置しな
いでスパッタリングを行った磁気ディスクのの再生エン
ベロープ波形を示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing a reproduction envelope waveform of a magnetic disk in which sputtering was performed without disposing a plate-like mask when forming an underlayer.
【図１０】本発明を適用した磁気ディスクの再生エンベ
ロープ波形を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing a reproduction envelope waveform of a magnetic disk to which the present invention is applied.
【図１１】Ｃｒ合金下地層に含有される添加元素の組成
比と磁気ディスクの保磁力の関係を示す特性図である。FIG. 11 is a characteristic diagram showing the relationship between the composition ratio of additive elements contained in the Cr alloy underlayer and the coercive force of the magnetic disk.
１・・・ターゲット ２・・・基板 ３・・・板状マスク 1...Target 2... Board 3...Plate mask
Claims (2)
対移動させながらスパッタ法によりＣｒ合金下地膜を成
膜し、このＣｒ合金下地膜上に磁性層である金属磁性薄
膜を成膜する磁気ディスクの製造方法において、前記Ｃ
ｒ合金下地膜を成膜するに際し、前記ターゲットと基板
の間に複数の板状マスクを板面が基板面に対して非平行
となるように配置することを特徴とする磁気ディスクの
製造方法。1. A magnetic method in which a Cr alloy base film is formed by sputtering while a disk-shaped substrate is moved relative to a target, and a metal magnetic thin film as a magnetic layer is formed on the Cr alloy base film. In the disc manufacturing method, the C
A method for manufacturing a magnetic disk, which comprises arranging a plurality of plate-shaped masks between the target and the substrate so that the plate surfaces are non-parallel to the substrate surface when forming the r-alloy base film.
対移動させながらスパッタ法により複数の金属磁性薄膜
をＣｒ又はＣｒ合金中間膜を介して積層形成する磁気デ
ィスクの製造方法において、前記Ｃｒ又はＣｒ合金中間
膜を成膜する際に、前記ターゲットと基板の間に複数の
板状マスクを板面が基板面に対して非平行となるように
配置することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。2. A method for manufacturing a magnetic disk, in which a plurality of metal magnetic thin films are laminated via a Cr or Cr alloy intermediate film by a sputtering method while a disk-shaped substrate is moved relative to a target, wherein the Cr or A method for manufacturing a magnetic disk, characterized in that, when forming a Cr alloy intermediate film, a plurality of plate-shaped masks are arranged between the target and the substrate so that the plate surfaces are non-parallel to the substrate surface. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12691491A JPH04330638A (en) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Production of magnetic disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12691491A JPH04330638A (en) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Production of magnetic disk |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330638A true JPH04330638A (en) | 1992-11-18 |
Family
ID=14947019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12691491A Withdrawn JPH04330638A (en) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Production of magnetic disk |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04330638A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009061608A (en) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Kobe Steel Ltd | Resin-coated metallic plate having excellent roll formability |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP12691491A patent/JPH04330638A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009061608A (en) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Kobe Steel Ltd | Resin-coated metallic plate having excellent roll formability |
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