JPH04325990A - メモリーモジュール - Google Patents
メモリーモジュールInfo
- Publication number
- JPH04325990A JPH04325990A JP3096595A JP9659591A JPH04325990A JP H04325990 A JPH04325990 A JP H04325990A JP 3096595 A JP3096595 A JP 3096595A JP 9659591 A JP9659591 A JP 9659591A JP H04325990 A JPH04325990 A JP H04325990A
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- JP
- Japan
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- word length
- memory module
- bits
- basic
- data bus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】[発明の目的]
【0002】
【産業上の利用分野】本発明はメモリーモジュールに係
り、特にOA機器用ないしは電子楽器用に適するデータ
バスの語長切り替え可能なメモリーモジュールに関する
。
り、特にOA機器用ないしは電子楽器用に適するデータ
バスの語長切り替え可能なメモリーモジュールに関する
。
【0003】
【従来の技術】半導体メモリー素子、たとえばROM、
RAMなどの複数個を所定の配線基板に搭載・実装して
成るメモリーモジュールは、OA機器、電子楽器など各
種の分野で広く実用に供されている。しかして、この種
のメモリーモジュールにおいては、その用途に応じてデ
ータバスの語長を固定語長で設計・製造している。たた
とえば、1MビットのPROMを4ケ用い4Mビットの
PROMモジュールを設計する場合、4MビットのMR
OMとの互換制をもたせるため、通常8ビットデータバ
ス(固定語長)で設計している。
RAMなどの複数個を所定の配線基板に搭載・実装して
成るメモリーモジュールは、OA機器、電子楽器など各
種の分野で広く実用に供されている。しかして、この種
のメモリーモジュールにおいては、その用途に応じてデ
ータバスの語長を固定語長で設計・製造している。たた
とえば、1MビットのPROMを4ケ用い4Mビットの
PROMモジュールを設計する場合、4MビットのMR
OMとの互換制をもたせるため、通常8ビットデータバ
ス(固定語長)で設計している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、LSI技術の
進歩に伴い、たとえばCPUのデータバスが4ビット→
8ビット→16ビット→32ビットなどのシリーズ化が
進んで来ると、CPUに接続されるメモリーモジュール
の語長も、前記CPUに対応して変更する必要がある。 つまり、CPUに接続されるメモリーモジュールの種類
が増大することになる。また、語長が数バイト必要な場
合は、複数個の固定語長の半導体メモリー素子を並べて
、所要の語長を実現せざるを得ない。
進歩に伴い、たとえばCPUのデータバスが4ビット→
8ビット→16ビット→32ビットなどのシリーズ化が
進んで来ると、CPUに接続されるメモリーモジュール
の語長も、前記CPUに対応して変更する必要がある。 つまり、CPUに接続されるメモリーモジュールの種類
が増大することになる。また、語長が数バイト必要な場
合は、複数個の固定語長の半導体メモリー素子を並べて
、所要の語長を実現せざるを得ない。
【0005】上記構成の場合は、実際に必要とするアド
レス空間が、前記使用するメモリーモジュールのアクセ
ス可能なアドレス空間の1/2 であっても、全体シス
テム語長を実現するため、システム語長/メモリーモジ
ュール(固定語長)=X個の半導体メモリー素子を必要
とすることになる。換言すると、個々の半導体メモリー
素子は、そのメモリー容量の半分が使われずいわば遊び
状態を生じ、利用効率の面でも問題がある。また、前記
遊び状態を生じるにも拘らず半導体メモリー素子を実装
することは、システムを成す回路基板の実装領域の利用
効率を低減することになり、結果的に高密度実装ないし
メモリーモジュールの軽薄短小化が損なわれるという問
題がある。
レス空間が、前記使用するメモリーモジュールのアクセ
ス可能なアドレス空間の1/2 であっても、全体シス
テム語長を実現するため、システム語長/メモリーモジ
ュール(固定語長)=X個の半導体メモリー素子を必要
とすることになる。換言すると、個々の半導体メモリー
素子は、そのメモリー容量の半分が使われずいわば遊び
状態を生じ、利用効率の面でも問題がある。また、前記
遊び状態を生じるにも拘らず半導体メモリー素子を実装
することは、システムを成す回路基板の実装領域の利用
効率を低減することになり、結果的に高密度実装ないし
メモリーモジュールの軽薄短小化が損なわれるという問
題がある。
【0006】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、基本ないし固定語長(nビット)を必要に応じて任
意にnビット、2nビット…として使用可能にし、デー
タバスアドレス空間の有効利用を図ったメモリーモジュ
ールの提供を目的とする。
で、基本ないし固定語長(nビット)を必要に応じて任
意にnビット、2nビット…として使用可能にし、デー
タバスアドレス空間の有効利用を図ったメモリーモジュ
ールの提供を目的とする。
【0007】[発明の構成]
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係るメモリーモ
ジュールは、外部接続端子および内部接続回路を有する
配線基板の所定箇所に複数個の半導体メモリー素子を搭
載・実装して成るメモリーモジュールにおいて、前記外
部接続端子および内部接続回路の少なくともいずれかが
接続切り替え可能に構成されていることを特徴とする。
ジュールは、外部接続端子および内部接続回路を有する
配線基板の所定箇所に複数個の半導体メモリー素子を搭
載・実装して成るメモリーモジュールにおいて、前記外
部接続端子および内部接続回路の少なくともいずれかが
接続切り替え可能に構成されていることを特徴とする。
【0009】すなわち、本発明は外部信号の論理レベル
切り替え、もしくは内部接続をハードウエア的に切り替
えて、データバスの語長を基本語長(固定語長)、基本
語長(固定語長)×2などの倍語長を実現することを骨
子としている。
切り替え、もしくは内部接続をハードウエア的に切り替
えて、データバスの語長を基本語長(固定語長)、基本
語長(固定語長)×2などの倍語長を実現することを骨
子としている。
【0010】
【作用】本発明に係るメモリーモジュールによれば、デ
ータバスの語長を必要に応じて任意に選択・設定し得る
。つまり、用途ないしシステムの形態にマッチしたメモ
リーモジュールとして機能するため、幅広い応用の展開
が可能となる。
ータバスの語長を必要に応じて任意に選択・設定し得る
。つまり、用途ないしシステムの形態にマッチしたメモ
リーモジュールとして機能するため、幅広い応用の展開
が可能となる。
【0011】
【実施例】以下図1〜図3を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【0012】図1は本発明に係るメモリーモジュールの
一構成例で、4MビットのEPROMを2個用いて構成
された8Mビット容量の42ピンDIPタイプのメモリ
ーモジュールの回路図である。図1において、1は外部
端子、2a,2b はそれぞれ4MビットのEPROM
、3は内部接続回路、4は外部端子切り替え部、5は前
記外部端子切り替え部4を制御する論理素子、6a,6
b はそれぞれ内部接続切り替え部で、前記外部端子切
り替え部4もしくは内部接続切り替え部6a,6b に
て8ビットバス/16ビットバスの切り替えが行われる
回路構成となっている。
一構成例で、4MビットのEPROMを2個用いて構成
された8Mビット容量の42ピンDIPタイプのメモリ
ーモジュールの回路図である。図1において、1は外部
端子、2a,2b はそれぞれ4MビットのEPROM
、3は内部接続回路、4は外部端子切り替え部、5は前
記外部端子切り替え部4を制御する論理素子、6a,6
b はそれぞれ内部接続切り替え部で、前記外部端子切
り替え部4もしくは内部接続切り替え部6a,6b に
て8ビットバス/16ビットバスの切り替えが行われる
回路構成となっている。
【0013】前記8ビットバス/16ビットバスの切り
替えについて、さらに詳述するとたとえば8ビットバス
に切り替え設定する場合は、外部端子切り替え部4の接
続をB−C,E−F に、内部接続切り替え部6aの接
続を25−22 に、また内部接続切り替え部6bの接
続を(データ8、9、…の順に)1−2,4−5,…1
9−20 にそれぞれ接続すると、8ビットバスのメモ
リーモジュールとして機能する。一方、倍語長つまり1
6ビットバスに切り替え設定する場合は、外部端子切り
替え部4の接続をA−C,D−F に、内部接続切り替
え部6aの接続を24(23)−22 に、また内部接
続切り替え部6bの接続を(データ8、9、…の順に)
1−3,4−6,…19−21 にそれぞれ接続すると
、16ビットバスのメモリーモジュールとして機能する
。
替えについて、さらに詳述するとたとえば8ビットバス
に切り替え設定する場合は、外部端子切り替え部4の接
続をB−C,E−F に、内部接続切り替え部6aの接
続を25−22 に、また内部接続切り替え部6bの接
続を(データ8、9、…の順に)1−2,4−5,…1
9−20 にそれぞれ接続すると、8ビットバスのメモ
リーモジュールとして機能する。一方、倍語長つまり1
6ビットバスに切り替え設定する場合は、外部端子切り
替え部4の接続をA−C,D−F に、内部接続切り替
え部6aの接続を24(23)−22 に、また内部接
続切り替え部6bの接続を(データ8、9、…の順に)
1−3,4−6,…19−21 にそれぞれ接続すると
、16ビットバスのメモリーモジュールとして機能する
。
【0014】前記接続の切り替えをハードウエア的に行
う場合、その接続はたとえば半田付けでもよいが、これ
ら半導体メモリー素子などを実装した回路基板面のパッ
ドを予めワイヤボンディング可能に形成しておけば、ボ
ンディンクマシンによって一括的に処理することもでき
る。
う場合、その接続はたとえば半田付けでもよいが、これ
ら半導体メモリー素子などを実装した回路基板面のパッ
ドを予めワイヤボンディング可能に形成しておけば、ボ
ンディンクマシンによって一括的に処理することもでき
る。
【0015】次に前記8ビットバス/16ビットバスな
どの切り替えを、外部信号によって行う場合について説
明する。この場合、論理素子(論理回路)5によって、
いわゆる論理回路処理を行えば電気的に任意にデータバ
ス長の切り替えが達成される。すなわち、図2に論理回
路例を示すように、外部端子切り替え部4の接続端子A
,B,C,D,E,F に対してゲートG1,G2,G
3,G4 が用意される。
どの切り替えを、外部信号によって行う場合について説
明する。この場合、論理素子(論理回路)5によって、
いわゆる論理回路処理を行えば電気的に任意にデータバ
ス長の切り替えが達成される。すなわち、図2に論理回
路例を示すように、外部端子切り替え部4の接続端子A
,B,C,D,E,F に対してゲートG1,G2,G
3,G4 が用意される。
【0016】しかして、たとえば8ビットバスに切り替
え設定する場合は、外部端子切り替え部4の端子を論理
“0”に設定するとゲートG1,G2 はOFF とな
り、端子 Cへは端子 Bからの信号が、また端子 F
へは端子 Eからの信号がそれぞれ選択的に伝達される
。つまり、上記ハードウエア的に接続した場合と同様な
挙動を呈する。
え設定する場合は、外部端子切り替え部4の端子を論理
“0”に設定するとゲートG1,G2 はOFF とな
り、端子 Cへは端子 Bからの信号が、また端子 F
へは端子 Eからの信号がそれぞれ選択的に伝達される
。つまり、上記ハードウエア的に接続した場合と同様な
挙動を呈する。
【0017】一方、16ビットバスに切り替え設定する
場合は、外部端子切り替え部4の端子を論理“0”に設
定するとゲートG3,G4 はOFFとなり、端子 C
へは端子 Aからの信号が、また端子 Fへは端子 D
からの信号がそれぞれ選択的に伝達される。
場合は、外部端子切り替え部4の端子を論理“0”に設
定するとゲートG3,G4 はOFFとなり、端子 C
へは端子 Aからの信号が、また端子 Fへは端子 D
からの信号がそれぞれ選択的に伝達される。
【0018】また、内部接続切り替え部6bにおいても
、図3にデータ8の論理回路例を示すように、論理ゲー
トG5,G6 を用意しておけば、外部端子切り替え部
4の端子が論理“0”のときG6がOFF となり、端
子1−2 間が信号伝達経路となる。つまり、上記ハー
ドウエア的に接続した場合と同様な挙動を呈する。ここ
で、外部端子切り替え部4の端子が論理“1”のときG
5がOFF となり、端子1−3 間が信号伝達経路と
なって16ビットバスとして機能する。つまり、この場
合も同様にハードウエア的に接続した場合と同様な挙動
を呈する。上記ハードウエア的に接続した場合と同様な
挙動を呈する。
、図3にデータ8の論理回路例を示すように、論理ゲー
トG5,G6 を用意しておけば、外部端子切り替え部
4の端子が論理“0”のときG6がOFF となり、端
子1−2 間が信号伝達経路となる。つまり、上記ハー
ドウエア的に接続した場合と同様な挙動を呈する。ここ
で、外部端子切り替え部4の端子が論理“1”のときG
5がOFF となり、端子1−3 間が信号伝達経路と
なって16ビットバスとして機能する。つまり、この場
合も同様にハードウエア的に接続した場合と同様な挙動
を呈する。上記ハードウエア的に接続した場合と同様な
挙動を呈する。
【0019】このように、論理ゲートを付加した場合は
、外部端子4によって任意に基本語長や倍語長の選択が
可能となり、上記例示・説明したハードウエア的な接続
、切り替えの場合に比べて、メモリーモジュールの語長
ないし容量の可変を容易になし得る。
、外部端子4によって任意に基本語長や倍語長の選択が
可能となり、上記例示・説明したハードウエア的な接続
、切り替えの場合に比べて、メモリーモジュールの語長
ないし容量の可変を容易になし得る。
【0020】前記構成例においては、半導体メモリー素
子としてEPROMを実装した場合を示したが、たとえ
ばEPRAMなど他の半導体メモリー素子であってもよ
く、また実装する半導体メモリー素子も2個に限られず
3個以上であっても勿論よい。
子としてEPROMを実装した場合を示したが、たとえ
ばEPRAMなど他の半導体メモリー素子であってもよ
く、また実装する半導体メモリー素子も2個に限られず
3個以上であっても勿論よい。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るメモ
リーモジュールによれば、データバスの語長を必要に応
じて任意に選択・設定することが可能となる。たとえば
OA機器や電子楽器名どに装着して形成するシステムの
形態にマッチしたメモリーモジュールとして機能する。 換言すると、各種の電子機器類など広い分野での応用に
おいても、メモリーモジュールとして所要の機能を呈す
る。
リーモジュールによれば、データバスの語長を必要に応
じて任意に選択・設定することが可能となる。たとえば
OA機器や電子楽器名どに装着して形成するシステムの
形態にマッチしたメモリーモジュールとして機能する。 換言すると、各種の電子機器類など広い分野での応用に
おいても、メモリーモジュールとして所要の機能を呈す
る。
【図1】本発明に係るメモリーモジュールの一構成例の
回路断面図。
回路断面図。
【図2】本発明に係るメモリーモジュールの外部端子部
における切り替えの論理処理例を説明する回路図。
における切り替えの論理処理例を説明する回路図。
【図3】本発明に係るメモリーモジュールの内部接続部
における切り替えの論理処理例を説明する回路図。
における切り替えの論理処理例を説明する回路図。
1…外部端子 2a,2b …半導体メモリー素
子 3…内部接続回路
子 3…内部接続回路
Claims (1)
- 【請求項1】 外部接続端子および内部接続回路を有
する配線基板の所定箇所に複数個の半導体メモリー素子
を搭載・実装して成るメモリーモジュールにおいて、前
記外部接続端子および内部接続回路の少なくともいずれ
かが接続切り替え可能に構成されていることを特徴とす
るメモリーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3096595A JPH04325990A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | メモリーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3096595A JPH04325990A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | メモリーモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04325990A true JPH04325990A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14169248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3096595A Withdrawn JPH04325990A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | メモリーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04325990A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108299A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ、及びメモリカード |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3096595A patent/JPH04325990A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108299A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ、及びメモリカード |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |