JPH04324328A - 測光装置 - Google Patents

測光装置

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JPH04324328A
JPH04324328A JP12248091A JP12248091A JPH04324328A JP H04324328 A JPH04324328 A JP H04324328A JP 12248091 A JP12248091 A JP 12248091A JP 12248091 A JP12248091 A JP 12248091A JP H04324328 A JPH04324328 A JP H04324328A
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JP
Japan
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voltage
photodiode
capacitor
photometric device
output
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Application number
JP12248091A
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English (en)
Inventor
Isao Tazawa
田澤 勇夫
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Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
Nikko Kyodo Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には電子的測光装
置に関し、限定するものではないが、特に、受光量に応
じて出力電流が変化する光検出素子、この光検出素子か
らの電流を蓄積する静電容量型の負荷等の一部の素子を
除き、ディジタル化した高信頼性かつ小型の電子的測光
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】周知のように、電子的測光装置にはホト
ダイオード、ホトトランジスタ等の光検出素子が使用さ
れているが、例えば、ホトダイオードを使用した従来の
測光装置の回路構成を図15〜図17に示す。図15は
ホトダイオードとトランジスタとを組み合わせたもので
、コレクタ接地回路形態に接続されたトランジスタTr
のコレクタとベース間にホトダイオードPDを接続し、
このホトダイオードPDで検出した光入力をトランジス
タTrで増幅し、負荷抵抗であるエミッタ抵抗R2の両
端間に発生する電圧V0 として取り出すものである。 なお、R1はベース抵抗である。図16及び図17はそ
れぞれホトダイオードと演算増幅器とを組み合わせたも
ので、図16の回路ではホトダイオードPDで検出した
光入力を演算増幅器OPとその帰還回路の抵抗R3によ
り電流−電圧変換して電圧出力V0 として取り出すも
のである。また、図17の回路ではホトダイオードPD
と直列に分圧用抵抗R4を接続して検出した光出力に比
例した電圧を発生させ、この電圧を演算増幅器OP及び
抵抗R5、R6より構成された増幅器で増幅して電圧出
力V0 として取り出すものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の測光装置では、その検出回路がアナログ素子、アナ
ログ回路により構成されているため、電気的ノイズ(雑
音)により誤差が生じ易く、信頼性に欠ける欠点があっ
た。また、部品点数が多いため、小型化、低コスト化を
図るには限界があるという欠点もあった。さらに、図1
8に示すように、測光装置のアナログの検出回路11の
出力をマイクロコンピュータ12に供給して演算処理を
行なうためにはアナログ−ディジタル変換器13を使用
しなければならないという欠点があった。
【0004】従って、本発明の目的は、最小限の素子を
除きディジタル化して部品点数を大幅に減少させ、小型
、安価に製造できるようにすると共に、高信頼性を有す
る測光装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
測光装置によって達成される。要約すれば、本発明は、
受光量に応じて出力電流が変化する光検出素子と、該光
検出素子からの出力電流によって充電される静電容量型
の負荷と、該負荷に充電された充電電圧と予め設定され
た基準電圧とを比較し、充電電圧が基準電圧に達したと
きに出力信号レベルを変化させる電圧検出部と、該電圧
検出部からの出力信号によって前記光検出素子に入射す
る受光量を算出する演算計測部とを具備することを特徴
とする測光装置である。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を参
照して詳細に説明する。
【0007】図1は本発明による測光装置の第1の実施
例の基本構成を示すブロック図である。本実施例では光
検出素子としてホトダイオードPDを使用し、このホト
ダイオードPDと直列に静電容量型の負荷、本実施例で
はコンデンサCを接続し、入射する光の照度又は光量に
比例してホトダイオードPDから出力される電流IPを
コンデンサCに蓄積し、電圧VC に変換する。この充
電電圧VC を電圧検出部21で検出して予め設定され
た基準電圧と比較し、充電電圧が基準電圧に達すると、
電圧検出部21は出力信号レベルを変化させる。この信
号レベルの変化により、コンデンサCに蓄積された電荷
を放電させ、再びこのコンデンサCにホトダイオードP
Dからの出力電流IP の蓄積を開始させる。一方、演
算計測部、本実施例ではタイマー・カウンタ22は電圧
検出部21の出力信号レベルの変化を検出し、この信号
レベルの変化によってコンデンサCが充電される時間を
計測するか、或は一定時間内のパルス数を計測してホト
ダイオードPDの出力電流の大きさを検出し、照度又は
光量を求めるものである。
【0008】次に、上述したホトダイオードPDの出力
電流IP から照度又は光量を求める基本動作について
説明する。
【0009】図2は図1に示す本発明による測光装置の
一具体例を示すもので、光検出素子であるホトダイオー
ドPDと静電容量型の負荷であるコンデンサCとをアナ
ログスイッチ23を介して直列に接続し、入射する光の
照度又は光量に比例してホトダイオードPDを流れる電
流IP をアナログスイッチ23を介してコンデンサC
に蓄積し、電圧VC に変換する。このコンデンサCに
蓄積される電圧VC は、例えばC−MOS型の第1及
び第2の2つのシュミットインバータ24及び25を直
列に接続した電圧検出部21で検出される。第1のシュ
ミットインバータ24は高レベルのスレッショルド電圧
VTHと低レベルのスレッショルド電圧VTLの2つの
スレッショルド電圧を有し、入力電圧が高レベルのスレ
ッショルド電圧VTHより低いときには高レベルの出力
電圧VH を発生し、入力電圧が高レベルのスレッショ
ルド電圧VTHに達すると出力電圧が高レベルVH か
ら低レベルVL に切換わり、かつ入力電圧が低レベル
のスレッショルド電圧VTLに降下するまで低レベルの
出力電圧VL を保持し、入力電圧が低レベルのスレッ
ショルド電圧VTLに降下したときに出力電圧が低レベ
ルVL から高レベルVH に切換わるように動作する
。従って、ホトダイオードPDに光が入射せず、電流I
P が流れないときには、即ち、コンデンサCに電荷が
蓄積されないときには、その出力電圧は高レベルVH 
であり、また、コンデンサCの充電電圧VC が高レベ
ルのスレッショルド電圧VTHに等しくなると、シュミ
ットインバータ24の出力電圧は高レベルから低レベル
VLに切換わる。さらに、コンデンサCの蓄積電荷が放
電によりシュミットインバータ24の低レベルのスレッ
ショルド電圧VTLにまで低下すると、シュミットイン
バータ24の出力電圧は低レベルVL から高レベルV
H に切換わる。第2のシュミットインバータ25も高
レベルのスレッショルド電圧VTHと低レベルのスレッ
ショルド電圧VTLの2つのスレッショルド電圧を有し
、同様に動作する。即ち、第1のシュミットインバータ
24から高レベルの電圧信号VH が入力されていると
きには低レベルの電圧出力VL を発生し、低レベルの
電圧信号VLが入力されているときには高レベルの電圧
出力VH を発生する。
【0010】一方、アナログスイッチ23は2つの固定
接点x0 及びx1 と1つの可動接点xを有し、可動
接点xはコンデンサCに接続され、第1の固定接点x0
 はホトダイオードPDに接続され、そして第2の固定
接点x1 は放電用抵抗Rに接続されている。また、こ
のアナログスイッチ23の可動接点xは、その制御線2
4aを通じて第1のシュミットインバータ24から高レ
ベル出力電圧VH が印加されたときには、第1の固定
接点x0 と接続され、逆に低レベル出力電圧VL が
印加されたときには、可動接点xは第2の固定接点x1
 と接続されるように構成されている。
【0011】上記構成において、ホトダイオードPDに
電流が流れず、従ってコンデンサCに電荷が蓄積されな
い初期状態においては、第1のシュミットインバータ2
4の出力は高レベルVH にあるから、アナログスイッ
チ23の可動接点xは第1の固定接点x0 と接続され
ている。光量の測定が開始されると、ホトダイオードP
Dに電流IP が流れ、コンデンサCは充電される。コ
ンデンサCの充電電圧VC がシュミットインバータ2
4の高レベルのスレッショルド電圧VTHに達すると、
このシュミットインバータ24の出力電圧は高レベルV
H から低レベルVL に切換わる。これによってアナ
ログスイッチ23の可動接点xは第2の固定接点x1 
側に切換わり、コンデンサCの充電電圧VC は抵抗R
を介して放電される。放電によってコンデンサCの充電
電圧VC がシュミットインバータ24の低レベルスレ
ッショルド電圧VTLにまで降下すると、シュミットイ
ンバータ24の出力電圧は低レベルVL から高レベル
VH に切換わる。これによってアナログスイッチ23
の可動接点xが再び第1の固定接点x0 と接続され、
コンデンサCに充電電流が流れる。以下、同様の動作が
繰り返される結果、第1のシュミットインバータ24の
出力電圧V1 の波形は図3に示すようになる。
【0012】今、コンデンサCに流れ込む電流IP が
一定であるとすると、コンデンサCの充電時間ΔtはΔ
t=(VTH−VTL)C/IP   ・・・  (1
)となる。かくして、タイマー・カウンタ22により充
電時間Δtを計測するか、或は一定時間内のパルス数を
計測し、上記関係式(1)に基づく演算処理を行なうこ
とによって、ホトダイオードPDの出力電流IP の値
を計測することができ、従って、ホトダイオードPDに
入射する光の照度又は光量を求めることができる。
【0013】この点についてさらに説明すると、図4の
(a)に示すホトダイオードPDとコンデンサCの直列
回路の等価回路は図4に(b)で示すようになる。即ち
、ホトダイオードPDは等価的に定電流源IP と見な
すことができる。rP はホトダイオードPDの内部抵
抗である。ホトダイオードPDとして日本電気製のPH
309を使用し、動作電圧VDD=5V、コンデンサC
の容量=1μF、ホトダイオードPDを流れる電流IP
 =16.6μA一定のときのコンデンサCの充電電圧
VC の実測データを図5に示す。
【0014】τ=C・rP   ・・・  (2)であ
るから、図5の実測値より C・rP =300×10−6 rP =300×10−6/1×10−9=300KΩ
    (IP =16.6μA)これよりコンデンサ
Cの充電電圧VC が第1のシュミットインバータ24
の高レベルのスレッショルド電圧VTHになる充電時間
Δtを求めたとすると、C=Q/V  ・・・  (3
)であるので、
【0015】
【数1】
【0016】仮にホトダイオードPDの内部抵抗rP 
を無視すると、 VTH=IP ・Δt/C ∴Δt=VTH・C/IP   ・・・  (5)ホト
ダイオードPDの出力電流IP とホトダイオードPD
に照射される光の照度Lとは図6に示すように比例関係
にあるので Δt=VTH・C/κL  ・・・  (6)ただし、
κは比例定数である。
【0017】図3の波形図から明瞭なように、コンデン
サCの充電時間Δtは第1のシュミットインバータ24
の低レベルのスレッショルド電圧VTLから高レベルの
スレッショルド電圧VTHまでの時間であるから上記式
(6)は次のように書き換えることができる。
【0018】 Δt=(VTH−VTL)・C/κL  ・・・  (
7)即ち、この式(7)は前記した式(1)と同じであ
り、かくして、コンデンサCの充電電圧VC が第1の
シュミットインバータ24の高レベルのスレッショルド
電圧VTHになるまでの充電時間Δtを検出することに
よって照度Lを計測できることが分る。勿論、充電時間
Δtの検出によって光量の計測も行なえる。
【0019】また、上述したように、充電時間Δtの代
りにパルス数PPを計測しても照度Lを求めることがで
きる。上記式(7)に示すように Δt=(VTH−VTL)・C/κL であるから、 PP ={κ′/(VTH−VTL)・C}*Lとなる
。ただし、κ′は比例定数である。かくして、パルス数
PP を計測することによっても照度Lを求めることが
できる。勿論、パルス数PP の計測によって光量を求
めることもできる。本実施例によれば、積算平均化フィ
ルタとしての効果により電気ノイズ及び光ノイズに影響
されることが殆どなくなり、また、光入力をアナログ−
ディジタル変換器を使用する必要なく直接ディジタル出
力に変換できるので、部品点数が少なくなり、集積化及
びコストの低下が可能になり、しかも測定精度が高くな
るという利点がある。
【0020】図7は図2に示す回路の光検出素子である
ホトダイオードPD及び電圧検出部である2つのシュミ
ットインバータ24、25を1個の部品として組み込ん
だ構成例を示す概略断面図である。即ち、ホトダイオー
ドPDのチップTPDと2つのシュミットインバータ2
4、25によって発振回路を形成するCMOS−ICチ
ップTICとを基板にマウントし、例えばJO−5又は
それより小さいパッケージ31に収納し、回路ではなく
てディジタル出力を有する1個の部品として取り扱える
ように構成したものである。
【0021】上記実施例ではコンデンサCの充電時間Δ
t或は一定時間内のパルス数PP より照度Lを求めた
が、図8に示すようにタイマー・カウンタ22の出力信
号をワンショットマルチバイブレータ26に供給し、充
電時間Δt或は一定時間内のパルス数PP をパルス幅
に変換し、このパルス幅によって照度Lを求めるように
してもよい。
【0022】図9はホトダイオードPDの温度特性を補
正する回路を付加した本発明による測光装置の変形例を
示すもので、温度センサRT をアナログスイッチ27
に接続し、タイマー・カウンタ22に付属するマイクロ
コンピュータからの制御線22aによってこのアナログ
スイッチ27を制御してホトダイオードPDと温度セン
サRT を切り換え接続し、必要時に温度センサRT 
からの出力信号を電圧検出部22を構成するシュミット
インバータ24、25よりなる発振回路に供給して対応
するパルス数PT を取り出し、その情報によってホト
ダイオードPDの温度特性を補正するものである。本実
施例によれば、積算平均化フィルタとしての効果により
電気ノイズ及び光ノイズに強くなり、また、光入力をア
ナログ−ディジタル変換器を使用する必要なく直接ディ
ジタル出力に変換できるので、部品点数が少なくなり、
集積化及びコストの低下が可能になることは勿論、温度
の変化によるホトダイオードPDの検出誤差を補正する
ことができるので、測定精度がさらに高くなるという利
点がある。
【0023】図10は図9に示す回路のホトダイオード
PDのチップTPDと温度センサRTであるサーミスタ
チップTTHと2つのシュミットインバータ24、25
を含むCMOS−ICチップTICとを基板にマウント
し、この基板をタイマー・カウンタ22付属のマイコン
チップTMCと共に、例えばJO−5又はそれより1ラ
ンク上のパッケージ32に収納し、温度変化に影響され
ないディジタル出力を有する1個の部品として取り扱え
るように構成したものである。
【0024】図11は図10の部品をさらに発展させ、
例えば自動車等の潤滑油の汚れ或は劣化を判断するモジ
ュールとして構成したものである。即ち、潤滑油が自由
に通過できる筺体33の対向する一方の面に光源として
LED(発光ダイオード)34を取り付け、他方の面に
ホトダイオードPDを取り付けてLED34からの光が
潤滑油を通ってホトダイオードPDに入射するようにし
、潤滑油の汚れ或は劣化の度合によって入射光が変化す
るように構成する。また、ホトダイオードPDからの電
流出力を処理するCMOS−ICチップTIC及びマイ
コンチップTMCはフラットパッケージによるハイブリ
ッドIC化を計り、薄型の小さなパッケージ35に収納
して非常に小型化したモジュールに構成したものである
。 このモジュールを使用したペンシル型オイルモニタの一
例を図12に、また、プリンタ型オイルモニタの一例を
図13に示す。図12のオイルモニタ36はモニタ本体
36aにオイルの汚れ或は劣化状態を表示する、例えば
液晶の表示部37を設け、モニタ本体36aの先端の感
知部をオイル中に浸漬したときに、表示部37のどの表
示位置が発光するかによってオイルの汚れ或は劣化の程
度を判定できるようにしたものである。一方、図13の
オイルモニタ38はモニタ本体38aに簡易なプリンタ
を組み込んであり、先端の感知部をオイル中に浸漬した
ときにオイルの汚れ或は劣化状態をプリントによって表
示するようにしたものである。これらオイルモニタは小
型、軽量、安価に製造でき、しかも、温度変化の影響を
受けずに正確に潤滑油の汚れが計測できるから、例えば
、ガソリンスタンドやドライバにとって非常に好便な用
具となる。このオイルモニタは自動車等の潤滑油の汚れ
或は劣化の検出に限定されるものではなく、種々のオイ
ルの汚れ或は劣化やオイル以外の光が透過し得る液体、
気体等の汚れ或は劣化を計測できることは言うまでもな
い。
【0025】さらに、このオイルモニタは、他のセンサ
と組み合わせることにより、各種のエンジンオイル、例
えば、ガスエンジン駆動式のヒートポンプの冷暖房シス
テム等における潤滑油のメイクアップの自動化にも適用
できる。これは、図14に示したような構成とし、次に
述べるように、全体をシーケンス制御とするとよい。す
なわち、エンジンNのオイルパンP内に配置されたフロ
ートマグネット式或は静電容量式等のレベルセンサFか
らのオイルレベルを指示する信号を、信号処理部Dで制
御用信号に変換するとともに、表示部Eでレベル表示す
る。レベルセンサFによりオイルパンP中のレベル低下
が検知されたとき、制御器Cにより、ソレノイドバルブ
等からなる供給バルブBを開き、新油タンクAよりオイ
ルを補給する。他方、オイルモニタJからのオイルの劣
化度を指示する信号は、同様に信号処理部Kで制御用信
号に変換され、表示部Lで劣化度を表示する。劣化度が
一定のスレッショルドレベルを超えたときは、制御器M
がソレノイドバルブ等からなる排出バルブGを開き、オ
イルパンP中の使用油を排出し、廃油タンクHに落す。 オイルパンP中のレベル低下がレベルセンサFにより検
知され、制御器Cにより供給バルブBを開き、新油タン
クAよりオイルを補給し、レベルセンサFにより所定レ
ベルになったことが検知されると制御器Cによりバルブ
Bが閉じられる。
【0026】なお、上記実施例は本発明の単なる例示に
過ぎず、回路構成、使用する素子等は必要に応じて任意
に変更できるものである。例えば、アナログスイッチの
代りに電子スイッチを使用してもよく、勿論、C−MO
Sシュミットインバータ以外のインバータや他の回路素
子を使用することもでき、また、ホトダイオード以外の
光検出素子やマイクロコンピュータ以外の素子を使用し
てもよい。さらに、発振回路は方形波パルス以外のパル
スを発生するものでもよい。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による測光
装置は、光検出素子を流れる電流を静電容量型の負荷に
蓄積して電圧信号に変換するため、積算平均化フィルタ
としての効果がある。このため、電気ノイズ及び光ノイ
ズに強くなり、また、光入力をアナログ−ディジタル変
換器を使用する必要なく直接ディジタル出力に変換でき
るので、ディジタル素子でかなりの部分を構成できる。 従って、部品点数が少なくなり、集積化及びコストの低
下が可能になる。さらに、温度センサを付加することに
より温度の変化に関係なく、常に正確な計測値が検出で
きるから、測定精度がさらに高くなるという顕著な効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による測光装置の第1の実施例の基本構
成を示すブロック図である。
【図2】本発明による測光装置の一具体例を示す回路構
成図である。
【図3】図2の測光装置に使用されたシュミットインバ
ータの電圧出力を示す波形図である。
【図4】本発明による測光装置の基本動作原理を説明す
るための回路図である。
【図5】図4に示す回路のコンデンサの充電特性を示す
実測図である。
【図6】ホトダイオードに入射する光の照度とホトダイ
オードの出力電流の関係を示す特性図である。
【図7】図2に示す回路を1個の部品として構成した状
態を示す概略断面図である。
【図8】本発明による測光装置の第2の実施例の基本構
成を示すブロック図である。
【図9】本発明による測光装置の第3の実施例を示す回
路構成図である。
【図10】図9に示す回路を1個の部品として構成した
状態を示す概略断面図である。
【図11】図9に示す回路をモジュール化した状態を示
す概略断面図である。
【図12】図11に示すモジュールを使用したペンシル
型のオイルモニタの一例を示す正面図である。
【図13】図11に示すモジュールを使用したプリンタ
型のオイルモニタの一例を示す正面図である。
【図14】本発明を適用したオイルモニタを使用してエ
ンジンオイルを自動的にメイクアップするシステムの一
例を示す構成図である。
【図15】従来の測光装置の一例を示す回路図である。
【図16】従来の測光装置の他の例を示す回路図である
【図17】従来の測光装置のさらに他の例を示す回路図
である。
【図18】従来の測光装置の基本構成を示すブロック図
である。
【符号の説明】

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  受光量に応じて出力電流が変化する光
    検出素子と、該光検出素子からの出力電流によって充電
    される静電容量型の負荷と、該負荷に充電された充電電
    圧と予め設定された基準電圧とを比較し、充電電圧が基
    準電圧に達したときに出力信号レベルを変化させる電圧
    検出部と、該電圧検出部からの出力信号によって前記光
    検出素子に入射する受光量を算出する演算計測部とを具
    備することを特徴とする測光装置。
  2. 【請求項2】  前記電圧検出部は前記充電電圧が前記
    基準電圧に達したとき毎にパルス信号を発生するパルス
    発振回路であることを特徴とする請求項1の測光装置。
  3. 【請求項3】  前記演算計測部は、前記電圧検出部か
    ら発生されるパルス信号によって前記充電電圧が前記基
    準電圧に達するまでの時間を計測し、該計測した時間か
    ら前記光検出素子に入射する光量を算出することを特徴
    とする請求項2の測光装置。
  4. 【請求項4】  前記演算計測部は、前記電圧検出部か
    ら発生される一定時間内のパルス数を計測し、該パルス
    数から前記光検出素子に入射する光量を算出することを
    特徴とする請求項2の測光装置。
  5. 【請求項5】  前記光検出素子の温度特性を補正する
    温度補正手段をさらに含む請求項1〜4のいずれかに記
    載の測光装置。
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