JPH04323825A - 円板状加工品を液浴中で湿式表面処理する際保持するマガジンおよび該マガジンを用いた円板状加工品の液浴中での湿式表面処理方法 - Google Patents
円板状加工品を液浴中で湿式表面処理する際保持するマガジンおよび該マガジンを用いた円板状加工品の液浴中での湿式表面処理方法Info
- Publication number
- JPH04323825A JPH04323825A JP4023281A JP2328192A JPH04323825A JP H04323825 A JPH04323825 A JP H04323825A JP 4023281 A JP4023281 A JP 4023281A JP 2328192 A JP2328192 A JP 2328192A JP H04323825 A JPH04323825 A JP H04323825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- guide
- wafer
- spacer
- insert
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 66
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 6
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 6
- -1 polyfluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 3
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical compound FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】本発明は、円板状物品、特に半導体ウェー
ハを液浴中で湿式表面処理する際保持するマガジンであ
って、浴液流入流出用穴と液浴内に入れる手段とを有す
るハウジングと、ハウジング内に挿入することができ、
被処理加工品を密に隣接させて平面的に対置して保持す
るインサートとを有するものに関する。円板状基材、特
に例えばシリコン、ゲルマニウム、そしてガリウムヒ素
、リン化インジウム等の化合物半導体、又は石英、ルビ
ー、スピネル又はガーネット等の酸化物材料、例えばガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネットからなり、多くの場
合棒状加工品を細かく鋸引きして製造されるような単結
晶及び多結晶半導体基板を、製造プロセス中、特に電子
部品へと継続加工する前に例えば表面からの破壊した結
晶域の除去、又は特に例えば酸化、酸化膜除去、又は親
水性処理による表面の化学変化にも役立つことのあるさ
まざまな洗浄・エッチング処理を施すことは知られてい
る。
ハを液浴中で湿式表面処理する際保持するマガジンであ
って、浴液流入流出用穴と液浴内に入れる手段とを有す
るハウジングと、ハウジング内に挿入することができ、
被処理加工品を密に隣接させて平面的に対置して保持す
るインサートとを有するものに関する。円板状基材、特
に例えばシリコン、ゲルマニウム、そしてガリウムヒ素
、リン化インジウム等の化合物半導体、又は石英、ルビ
ー、スピネル又はガーネット等の酸化物材料、例えばガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネットからなり、多くの場
合棒状加工品を細かく鋸引きして製造されるような単結
晶及び多結晶半導体基板を、製造プロセス中、特に電子
部品へと継続加工する前に例えば表面からの破壊した結
晶域の除去、又は特に例えば酸化、酸化膜除去、又は親
水性処理による表面の化学変化にも役立つことのあるさ
まざまな洗浄・エッチング処理を施すことは知られてい
る。
【0002】かかる処理工程で本質的なことは洗浄液及
びエッチング液が反応時均一且つ均質にウェーハ表面全
体に分布することである。前記洗浄・エッチング操作は
、例えばエッチング深さが不均一となるのを防止するた
めウェーハ表面全体上でも実質的に同じ速度で経過すべ
きである。こうしてのみ、使用した半導体ウェーハに対
し電子部品の製造業者から要請されるような例えば平坦
性の変化ができるだけ小さく、表面の平行性が高い清浄
な表面を得ることができる。
びエッチング液が反応時均一且つ均質にウェーハ表面全
体に分布することである。前記洗浄・エッチング操作は
、例えばエッチング深さが不均一となるのを防止するた
めウェーハ表面全体上でも実質的に同じ速度で経過すべ
きである。こうしてのみ、使用した半導体ウェーハに対
し電子部品の製造業者から要請されるような例えば平坦
性の変化ができるだけ小さく、表面の平行性が高い清浄
な表面を得ることができる。
【0003】清浄液、エッチング液を使ってかかる均一
な表面処理を達成するため技術水準では既にさまざまな
、例えばドイツ特許公開明細書第33 06 331
号、東ドイツ特許公開明細書第 220 859号に記
載されたような装置が公知である。それらに記載された
実施変種の一つでは被エッチング基板が1表面で吸引ヘ
ッドで保持される一方、他方の被エッチング表面に対し
ては流路を備えたウェーハの回転によって溶液の完全混
合が達成される。 しかし1ウェーハ表面の加工のみ可能である。
な表面処理を達成するため技術水準では既にさまざまな
、例えばドイツ特許公開明細書第33 06 331
号、東ドイツ特許公開明細書第 220 859号に記
載されたような装置が公知である。それらに記載された
実施変種の一つでは被エッチング基板が1表面で吸引ヘ
ッドで保持される一方、他方の被エッチング表面に対し
ては流路を備えたウェーハの回転によって溶液の完全混
合が達成される。 しかし1ウェーハ表面の加工のみ可能である。
【0004】しかし両表面を加工できるようにするため
東ドイツ特許公開明細書第 220 859号に記載の
配置ではウェーハがケージに類似したエッチング籠内で
近似的に平行に相互に規則的且つ均一な間隔で自由に運
動可能に保持され、こうして被エッチングウェーハはエ
ッチング籠に対し相対運動が可能である。エッチング籠
の回転は溶液の完全混合をもたらし又同時にエッチング
籠に対するウェーハの相対運動をもたらし、これにより
エッチング籠の棒上でウェーハの載置箇所が絶えず変化
する。しかしこの実施態様では、処理液の完全混合を高
めるため、やはり移動可能な平滑な、但し非円形に成形
した間座円板を付加する必要があり、この円板はやはり
エッチング籠及び被加工ウェーハに対し相対運動する。 しかし同時に、間座円板を被加工ウェーハのウェーハ表
面に直接載置する場合ウェーハが機械的に損傷し、間座
円板又はエッチング籠の材料で汚染され又はエッチング
液の被着が不規則となる危険が著しく高まる。
東ドイツ特許公開明細書第 220 859号に記載の
配置ではウェーハがケージに類似したエッチング籠内で
近似的に平行に相互に規則的且つ均一な間隔で自由に運
動可能に保持され、こうして被エッチングウェーハはエ
ッチング籠に対し相対運動が可能である。エッチング籠
の回転は溶液の完全混合をもたらし又同時にエッチング
籠に対するウェーハの相対運動をもたらし、これにより
エッチング籠の棒上でウェーハの載置箇所が絶えず変化
する。しかしこの実施態様では、処理液の完全混合を高
めるため、やはり移動可能な平滑な、但し非円形に成形
した間座円板を付加する必要があり、この円板はやはり
エッチング籠及び被加工ウェーハに対し相対運動する。 しかし同時に、間座円板を被加工ウェーハのウェーハ表
面に直接載置する場合ウェーハが機械的に損傷し、間座
円板又はエッチング籠の材料で汚染され又はエッチング
液の被着が不規則となる危険が著しく高まる。
【0005】ドイツ特許公開明細書第 33 06 3
31号により知られているように処理液の完全混合を単
にウェーハ自身によって又はウェーハの縁の保持棒によ
って行うとこの縁範囲で完全混合が強まり又除去率が大
きくなり、ウェーハの横断面がレンズ形となる。環状肉
厚部もしばしば確認することができ、これはウェーハの
縁又はウェーハ内部での強い除去によって発生する。
31号により知られているように処理液の完全混合を単
にウェーハ自身によって又はウェーハの縁の保持棒によ
って行うとこの縁範囲で完全混合が強まり又除去率が大
きくなり、ウェーハの横断面がレンズ形となる。環状肉
厚部もしばしば確認することができ、これはウェーハの
縁又はウェーハ内部での強い除去によって発生する。
【0006】それ故結局半導体ウェーハの製造時特に不
適切なウェーハ保持装置に起因して従来のエッチング法
はウェーハ形状寸法の劣化と結び付いている。この欠点
は基板の径が増すのに伴い強まり、特に部品製造におい
て益々求められるような直径>100 mmの場合に現
れる。 そこで本発明の課題は、不均質な反応経過を生じること
なく浴液で両面の均一な処理を可能とするウェーハ液浴
処理用保持装置を提供することである。特に、きわめて
平らで平面平行な表面を有するウェーハの製造が可能と
なるようエッチングプロセスのとき品質の劣化をできる
だけ小さく抑えねばならない。
適切なウェーハ保持装置に起因して従来のエッチング法
はウェーハ形状寸法の劣化と結び付いている。この欠点
は基板の径が増すのに伴い強まり、特に部品製造におい
て益々求められるような直径>100 mmの場合に現
れる。 そこで本発明の課題は、不均質な反応経過を生じること
なく浴液で両面の均一な処理を可能とするウェーハ液浴
処理用保持装置を提供することである。特に、きわめて
平らで平面平行な表面を有するウェーハの製造が可能と
なるようエッチングプロセスのとき品質の劣化をできる
だけ小さく抑えねばならない。
【0007】この課題は、
a)1平面上で少なくとも2つの案内支柱7からなる案
内支柱組立体12の並列配置と、
内支柱組立体12の並列配置と、
【0008】b)ハウジング円筒の内面に正確に合わせ
て配置した少なくとも3個の間座支柱8とを有し、間座
支柱が案内支柱の、ハウジングに対向した外端で案内支
柱組立体平面の少なくとも3つの平面を平面的に対置し
て固定し、案内支柱平面間の空隙が被エッチング円板状
加工品を受容することができ、少なくとも1つの主案内
支柱9が2つの間座支柱を結合し又少なくとも1つの副
案内支柱10が1案内支柱を間座支柱と結合し、多数の
案内支柱が折り曲げ又は曲げてあり、
て配置した少なくとも3個の間座支柱8とを有し、間座
支柱が案内支柱の、ハウジングに対向した外端で案内支
柱組立体平面の少なくとも3つの平面を平面的に対置し
て固定し、案内支柱平面間の空隙が被エッチング円板状
加工品を受容することができ、少なくとも1つの主案内
支柱9が2つの間座支柱を結合し又少なくとも1つの副
案内支柱10が1案内支柱を間座支柱と結合し、多数の
案内支柱が折り曲げ又は曲げてあり、
【0009】c)結合箇所13で案内支柱が最高3方向
に分岐し、
に分岐し、
【0010】d)案内支柱の結合箇所が円筒形ハウジン
グの長手軸上になく、
グの長手軸上になく、
【0011】e)インサートの直径が保持された円板状
加工品の直径の1.1〜1.9 倍であり、
加工品の直径の1.1〜1.9 倍であり、
【0012
】f)少なくとも2つの間座支柱間に外接する円弧に対
する割線の長さが被保持円板状加工品の直径より長いか
又は等しく、少なくとも2つの間座支柱間に外接する円
弧に対する割線の長さが被保持物体の半径より短く、
】f)少なくとも2つの間座支柱間に外接する円弧に対
する割線の長さが被保持円板状加工品の直径より長いか
又は等しく、少なくとも2つの間座支柱間に外接する円
弧に対する割線の長さが被保持物体の半径より短く、
【0013】g)2つの案内支柱平面間の内法幅が円板
状加工品を保持するため少なくともその厚さの2倍であ
ることを特徴とするインサートによって解決される。
状加工品を保持するため少なくともその厚さの2倍であ
ることを特徴とするインサートによって解決される。
【0014】本発明を以下図1と図2に示した実施例を
基に詳しく説明する。図1に示したマガジンは有利には
円板状加工品、例えばきわめて純粋な半導体ウェーハ、
特にシリコンウェーハを浴内、特にエッチング液を入れ
た浴内で保持し挿入し運動させるのに役立つ。このマガ
ジンは、液体通過用の通孔2と端面側の閉じ蓋3と液浴
内に挿入する手段4、例えば心棒とを備えた好ましくは
円筒形のハウジング1と、円板状加工品6をハウジング
1内でほぼハウジング円筒の軸線に垂直に密に隣接し平
面的に対置して保持するインサート5とからなる。
基に詳しく説明する。図1に示したマガジンは有利には
円板状加工品、例えばきわめて純粋な半導体ウェーハ、
特にシリコンウェーハを浴内、特にエッチング液を入れ
た浴内で保持し挿入し運動させるのに役立つ。このマガ
ジンは、液体通過用の通孔2と端面側の閉じ蓋3と液浴
内に挿入する手段4、例えば心棒とを備えた好ましくは
円筒形のハウジング1と、円板状加工品6をハウジング
1内でほぼハウジング円筒の軸線に垂直に密に隣接し平
面的に対置して保持するインサート5とからなる。
【0015】円板状加工品6として特に円形ウェーハが
加工される。周辺の一部を偏平にしたほぼ円形のウェー
ハの加工も可能である。周辺の数箇所を部分的に偏平に
したかかるウェーハは半導体技術においてドーピング度
及び結晶配列を表示するのに一般に利用される。しかし
本方法はその他の形状のウェーハ、例えば部分的にのみ
円形、卵形又は多角形のウェーハの加工も排除していな
い。
加工される。周辺の一部を偏平にしたほぼ円形のウェー
ハの加工も可能である。周辺の数箇所を部分的に偏平に
したかかるウェーハは半導体技術においてドーピング度
及び結晶配列を表示するのに一般に利用される。しかし
本方法はその他の形状のウェーハ、例えば部分的にのみ
円形、卵形又は多角形のウェーハの加工も排除していな
い。
【0016】インサート5は案内支柱7と間座支柱8と
からなり、間座支柱は案内支柱の末端と結合してあり、
しかも好ましい1実施態様では全てハウジング円筒の軸
線から等距離で円筒外被上に配置してある。ハウジング
の直径としてウェーハ直径の1.1 〜1.9 倍が好
ましいことが判明した。図2に横断面図で示す好ましい
実施態様のインサート5では少なくとも1本の主案内支
柱9が2本の間座支柱8を結合している。しかし2本以
上の主案内支柱を有する実施態様も考えられる。少なく
とも1本の副案内支柱10が主案内支柱9を別の間座支
柱8’と結合している。この構造原理によれば各副案内
支柱10から更に別の副案内支柱11を間座支柱8”へ
と延ばすことができる。1平面上にあって1ウェーハ面
を片側で案内するのに役立つ主案内支柱と副案内支柱と
の総体を以下案内支柱組立体12と呼ぶ。
からなり、間座支柱は案内支柱の末端と結合してあり、
しかも好ましい1実施態様では全てハウジング円筒の軸
線から等距離で円筒外被上に配置してある。ハウジング
の直径としてウェーハ直径の1.1 〜1.9 倍が好
ましいことが判明した。図2に横断面図で示す好ましい
実施態様のインサート5では少なくとも1本の主案内支
柱9が2本の間座支柱8を結合している。しかし2本以
上の主案内支柱を有する実施態様も考えられる。少なく
とも1本の副案内支柱10が主案内支柱9を別の間座支
柱8’と結合している。この構造原理によれば各副案内
支柱10から更に別の副案内支柱11を間座支柱8”へ
と延ばすことができる。1平面上にあって1ウェーハ面
を片側で案内するのに役立つ主案内支柱と副案内支柱と
の総体を以下案内支柱組立体12と呼ぶ。
【0017】結合箇所13で結合された副案内支柱及び
主案内支柱の数は間座支柱の数と同様基本的には上限が
ないのではあるが、望ましくはできるだけ少なく抑えて
ウェーハ表面との接触箇所の数を減らすべきであろう。 少なくとも1本の主案内支柱と1本の副案内支柱が必要
である。案内支柱の同様の末端が1本の間座支柱によっ
て結合され、主案内支柱1本と副案内支柱1本とを使っ
た実施態様では3本の間座支柱が必要である。
主案内支柱の数は間座支柱の数と同様基本的には上限が
ないのではあるが、望ましくはできるだけ少なく抑えて
ウェーハ表面との接触箇所の数を減らすべきであろう。 少なくとも1本の主案内支柱と1本の副案内支柱が必要
である。案内支柱の同様の末端が1本の間座支柱によっ
て結合され、主案内支柱1本と副案内支柱1本とを使っ
た実施態様では3本の間座支柱が必要である。
【0018】好ましい1実施態様では主案内支柱が1本
、主案内支柱を間座支柱と結合する副案内支柱が2本、
そして別の副案内支柱を間座支柱と結合する副案内支柱
が2本である。一般に間座支柱の数は主案内支柱及び副
案内支柱の総本数+1に等しく、従ってこの好ましい実
施例では間座支柱が6本である。ハウジング1に挿入す
るとき円板状加工品がインサート5から落下するのを防
止するため望ましくは間座支柱8の少なくとも2本はそ
の間隔がウェーハの直径より小さくなるよう、好ましく
はウェーハの半径にほぼ一致するよう配置される。 このことは特に間座支柱が例えば3本と少ないインサー
トの場合に重要である。特に、間座支柱が多く、例えば
5〜10本の場合、各2本の間座支柱間の空隙の少なく
とも一つは有利にはウェーハの挿入が可能となるよう、
即ち円形の円板体の直径より大きく、又は偏平ウェーハ
又はその他の円周形状を有するウェーハの最小幅より大
きくなるよう選定される。図2に示す好ましい実施例で
はウェーハの直径より小さい空隙が4つ、それより大き
い空隙が2つである。
、主案内支柱を間座支柱と結合する副案内支柱が2本、
そして別の副案内支柱を間座支柱と結合する副案内支柱
が2本である。一般に間座支柱の数は主案内支柱及び副
案内支柱の総本数+1に等しく、従ってこの好ましい実
施例では間座支柱が6本である。ハウジング1に挿入す
るとき円板状加工品がインサート5から落下するのを防
止するため望ましくは間座支柱8の少なくとも2本はそ
の間隔がウェーハの直径より小さくなるよう、好ましく
はウェーハの半径にほぼ一致するよう配置される。 このことは特に間座支柱が例えば3本と少ないインサー
トの場合に重要である。特に、間座支柱が多く、例えば
5〜10本の場合、各2本の間座支柱間の空隙の少なく
とも一つは有利にはウェーハの挿入が可能となるよう、
即ち円形の円板体の直径より大きく、又は偏平ウェーハ
又はその他の円周形状を有するウェーハの最小幅より大
きくなるよう選定される。図2に示す好ましい実施例で
はウェーハの直径より小さい空隙が4つ、それより大き
い空隙が2つである。
【0019】インサートは好ましくは、できるだけ正確
に合わせて、即ちできるだけ小さな公差でハウジング1
に押し込むことができるよう、そして特定の遊動だけは
可能であるがハウジングに対しインサートの相対運動は
不可能となるよう寸法設計される。それ故間座支柱8と
ハウジング円筒1の軸線との距離は望ましくはごく小さ
く、即ち一般にハウジングの半径より4mmまで小さな
距離に選定される。インサートは次に同一平面上でハウ
ジングに押し込むことができ、間座支柱はインサート5
をハウジング1内で支えるのに役立つ。好ましい実施態
様ではインサートはハウジングのガイド、例えば案内棒
により所定の位置で保持される。
に合わせて、即ちできるだけ小さな公差でハウジング1
に押し込むことができるよう、そして特定の遊動だけは
可能であるがハウジングに対しインサートの相対運動は
不可能となるよう寸法設計される。それ故間座支柱8と
ハウジング円筒1の軸線との距離は望ましくはごく小さ
く、即ち一般にハウジングの半径より4mmまで小さな
距離に選定される。インサートは次に同一平面上でハウ
ジングに押し込むことができ、間座支柱はインサート5
をハウジング1内で支えるのに役立つ。好ましい実施態
様ではインサートはハウジングのガイド、例えば案内棒
により所定の位置で保持される。
【0020】案内支柱組立体12は、その数が被加工円
板状加工品6の数に応じて基本的に任意、好ましくは1
0〜20であり、間座支柱により平面平行に互いに一定
距離で結合してあり、各2つの案内支柱組立体間の空隙
は各1個の円板状加工品を受容するのに利用することが
できる。案内支柱組立体の相互距離(内法幅)として少
なくともウェーハ厚の2倍、しかし望ましくは特に5〜
30mmの距離が好ましいことが判明した。このマガジ
ンに予定したウェーハ数は主としてエッチング時の発熱
、作業員の便宜、使用した浴の寸法等の要因によって決
まる。
板状加工品6の数に応じて基本的に任意、好ましくは1
0〜20であり、間座支柱により平面平行に互いに一定
距離で結合してあり、各2つの案内支柱組立体間の空隙
は各1個の円板状加工品を受容するのに利用することが
できる。案内支柱組立体の相互距離(内法幅)として少
なくともウェーハ厚の2倍、しかし望ましくは特に5〜
30mmの距離が好ましいことが判明した。このマガジ
ンに予定したウェーハ数は主としてエッチング時の発熱
、作業員の便宜、使用した浴の寸法等の要因によって決
まる。
【0021】間座支柱8と案内支柱組立体12との結合
はさまざまな方式で行うことができる。好ましくはでき
るだけ少ない凹部を生じるような結合技術が選定される
。 というのもこれにより液体作動媒質の排出が乱されるか
らである。例えば溶接、ねじ締め又は締付リベットの使
用が好ましいことが判明した。案内支柱の形状に関して
は曲折造形又は湾曲造形が直線造形よりも好ましいこと
が判明したが、直線造形も排除されてはいない。各支柱
を1回折り曲げるとこの場合処理液の十分な排出を行う
ことができるので特に望ましい。マガジンの回転中にも
ウェーハ表面の不均一な湿潤を防止するため有利には、
全ての又は少なくとも多数の屈折部14がハウジング円
筒の軸線からさまざまな距離にある実施態様が選定され
る。特に主案内支柱として好ましくはほぼ中央で1回6
5〜125 °、好ましくは90°折り曲げ、ハウジン
グ円筒の直径にほぼ一致した長さの棒を用いるのが好ま
しいことが判明した。副案内支柱は好ましくは主案内支
柱より短く、屈折部は普通偏心配置してある。屈折角は
好ましくは90°より大きく、好ましくは100 〜1
60 °である。主案内支柱と副案内支柱との結合はや
はりできるだけ少ない凹部で行うべきであり、好ましく
は案内支柱組立体は一体に鋳造し又は1枚の板材からフ
ライス削りし又は鋸引きしてある。案内支柱相互の結合
箇所13は均質なウェーハ加工における不規則性を避け
るため円筒の中心からさまざまな距離に配置され、特に
各結合箇所13から支柱は3方向にのみ分岐する。
はさまざまな方式で行うことができる。好ましくはでき
るだけ少ない凹部を生じるような結合技術が選定される
。 というのもこれにより液体作動媒質の排出が乱されるか
らである。例えば溶接、ねじ締め又は締付リベットの使
用が好ましいことが判明した。案内支柱の形状に関して
は曲折造形又は湾曲造形が直線造形よりも好ましいこと
が判明したが、直線造形も排除されてはいない。各支柱
を1回折り曲げるとこの場合処理液の十分な排出を行う
ことができるので特に望ましい。マガジンの回転中にも
ウェーハ表面の不均一な湿潤を防止するため有利には、
全ての又は少なくとも多数の屈折部14がハウジング円
筒の軸線からさまざまな距離にある実施態様が選定され
る。特に主案内支柱として好ましくはほぼ中央で1回6
5〜125 °、好ましくは90°折り曲げ、ハウジン
グ円筒の直径にほぼ一致した長さの棒を用いるのが好ま
しいことが判明した。副案内支柱は好ましくは主案内支
柱より短く、屈折部は普通偏心配置してある。屈折角は
好ましくは90°より大きく、好ましくは100 〜1
60 °である。主案内支柱と副案内支柱との結合はや
はりできるだけ少ない凹部で行うべきであり、好ましく
は案内支柱組立体は一体に鋳造し又は1枚の板材からフ
ライス削りし又は鋸引きしてある。案内支柱相互の結合
箇所13は均質なウェーハ加工における不規則性を避け
るため円筒の中心からさまざまな距離に配置され、特に
各結合箇所13から支柱は3方向にのみ分岐する。
【0022】案内支柱及び間座支柱の横断面は任意に選
択可能であり、例えば長方形、円形、卵形又は正方形と
することができる。しかし排出特性向上の意味で角を丸
くした長方形断面が好ましいと判明したのであり、各一
つの角はウェーハ表面に向けてあるが、2つの角は案内
支柱組立体の平面上に位置決めしてある。更に、案内支
柱を円錐形に実施するとこれにより液体媒質の滴下も促
進されるので有利である。特に、円錐体の先細端を結合
箇所13の方に向けるのが望ましい。先細の度合として
特に支柱直径の0.1 〜1.0 倍が有利であること
が判明した。
択可能であり、例えば長方形、円形、卵形又は正方形と
することができる。しかし排出特性向上の意味で角を丸
くした長方形断面が好ましいと判明したのであり、各一
つの角はウェーハ表面に向けてあるが、2つの角は案内
支柱組立体の平面上に位置決めしてある。更に、案内支
柱を円錐形に実施するとこれにより液体媒質の滴下も促
進されるので有利である。特に、円錐体の先細端を結合
箇所13の方に向けるのが望ましい。先細の度合として
特に支柱直径の0.1 〜1.0 倍が有利であること
が判明した。
【0023】インサート及びハウジングの材料としては
洗浄剤及びエッチング剤に対し抵抗力があり且つ使用す
る半導体材料にとって汚染作用のない材料が好ましいこ
とが判明した。それ故好ましくは特にポリフルオロエチ
レン(PFA)、ポリテトラフルオロエチレン(PTF
E)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体(FEP) 、エチレン・テトラフルオロ
エチレン共重合体(ETFE)、エチレン・クロロトリ
フルオロエチレン共重合体(ECTFE) 、ポリ二フ
ッ化ビニル(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチ
レン(PCTFE) 等の合成樹脂が使用される。
洗浄剤及びエッチング剤に対し抵抗力があり且つ使用す
る半導体材料にとって汚染作用のない材料が好ましいこ
とが判明した。それ故好ましくは特にポリフルオロエチ
レン(PFA)、ポリテトラフルオロエチレン(PTF
E)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体(FEP) 、エチレン・テトラフルオロ
エチレン共重合体(ETFE)、エチレン・クロロトリ
フルオロエチレン共重合体(ECTFE) 、ポリ二フ
ッ化ビニル(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチ
レン(PCTFE) 等の合成樹脂が使用される。
【0024】単数又は複数のインサート5を受容するに
は例えば円筒形ハウジング1が適しており、これは例え
ば洗濯機のドラムのように外被面に多数の液体通孔2を
備えており、通孔の直径はウェーハ直径の微小部分に等
しい。これらの孔は好ましくは円形である。ハウジング
1の少なくとも一方の端面は取外し可能な蓋3として実
施してインサート5の出し入れが可能としてある。蓋3
はハウジング円筒1に差し込み又はねじ締めすることが
できるが、凹部ができるだけ少なくなるよう留意するの
が望ましく、従って差込継手が好ましい。
は例えば円筒形ハウジング1が適しており、これは例え
ば洗濯機のドラムのように外被面に多数の液体通孔2を
備えており、通孔の直径はウェーハ直径の微小部分に等
しい。これらの孔は好ましくは円形である。ハウジング
1の少なくとも一方の端面は取外し可能な蓋3として実
施してインサート5の出し入れが可能としてある。蓋3
はハウジング円筒1に差し込み又はねじ締めすることが
できるが、凹部ができるだけ少なくなるよう留意するの
が望ましく、従って差込継手が好ましい。
【0025】好ましい1実施態様ではハウジング円筒の
内面はインサートを案内する可能性を含む。このことは
例えばハウジングの軸線と平行な2本のレール又は2本
の棒により行うことができ、その間に、インサートの挿
入時間座支柱が押し込まれる。円筒を液浴内で吊るして
移動させ、特に回転させるため両端面は有利には、当業
者にとって周知の、通常のエッチング設備に適合した手
段4、例えば心棒又は歯車リムを有する。
内面はインサートを案内する可能性を含む。このことは
例えばハウジングの軸線と平行な2本のレール又は2本
の棒により行うことができ、その間に、インサートの挿
入時間座支柱が押し込まれる。円筒を液浴内で吊るして
移動させ、特に回転させるため両端面は有利には、当業
者にとって周知の、通常のエッチング設備に適合した手
段4、例えば心棒又は歯車リムを有する。
【0026】液体、例えば洗浄剤、酸化剤又はエッチン
グ剤の選択が本発明の適用によって限定されることはな
い。洗浄液として用いられるのは例えば特別清浄にした
水、又は界面活性剤と洗浄剤として役立つ別の物質との
水溶液である。かかる洗浄操作は例えばドイツ特許公開
明細書第 25 26 052号に記載してある。エッ
チング液としては例えば酸の水溶液、例えばエッチング
プロセスを更に制御するためなお添加物も含むことのあ
るフッ酸と硝酸との混合物、或いはアルカリ性溶液も使
用される。 特に過酸化水素又はオゾンを含有した溶液も使用される
。本発明を適用するには、洗浄プロセス、酸化プロセス
、エッチングプロセスを遂行する際の温度範囲、圧力範
囲、持続時間等の当業者にとって周知の通常の条件を維
持することができる。
グ剤の選択が本発明の適用によって限定されることはな
い。洗浄液として用いられるのは例えば特別清浄にした
水、又は界面活性剤と洗浄剤として役立つ別の物質との
水溶液である。かかる洗浄操作は例えばドイツ特許公開
明細書第 25 26 052号に記載してある。エッ
チング液としては例えば酸の水溶液、例えばエッチング
プロセスを更に制御するためなお添加物も含むことのあ
るフッ酸と硝酸との混合物、或いはアルカリ性溶液も使
用される。 特に過酸化水素又はオゾンを含有した溶液も使用される
。本発明を適用するには、洗浄プロセス、酸化プロセス
、エッチングプロセスを遂行する際の温度範囲、圧力範
囲、持続時間等の当業者にとって周知の通常の条件を維
持することができる。
【0027】マガジンを使用するため典型的には、案内
支柱組立体の数によって確定された数の円板状加工品が
インサートに装架される。片側を閉じたハウジングにイ
ンサートを押し込み、ハウジングの開口端面は正面側の
蓋で閉鎖される。インサートを押し込んだハウジングは
保持装置4により市販のエッチング設備の搬送装置に固
着して洗浄浴又はエッチング浴に入れられ、該浴は場合
によっては加熱し、又は閉じた後に圧力を加えることが
できる。
支柱組立体の数によって確定された数の円板状加工品が
インサートに装架される。片側を閉じたハウジングにイ
ンサートを押し込み、ハウジングの開口端面は正面側の
蓋で閉鎖される。インサートを押し込んだハウジングは
保持装置4により市販のエッチング設備の搬送装置に固
着して洗浄浴又はエッチング浴に入れられ、該浴は場合
によっては加熱し、又は閉じた後に圧力を加えることが
できる。
【0028】洗浄液又はエッチング液による基板表面の
均一な処理は例えば固相/液相境界での質量輸送速度を
基板表面全体でできるだけ均一にし、即ち溶解粒子を基
板表面からできるだけ迅速に取り除き、従って使用済み
溶液を均一且つ迅速に新鮮な溶液に代え、基板を溶液に
導入するホルダができるだけ少ない表面部分をできるだ
け短時間又は均一に覆うようにし、こうしてエッチング
操作に不規則性が生じないようにするとき達成すること
ができる。
均一な処理は例えば固相/液相境界での質量輸送速度を
基板表面全体でできるだけ均一にし、即ち溶解粒子を基
板表面からできるだけ迅速に取り除き、従って使用済み
溶液を均一且つ迅速に新鮮な溶液に代え、基板を溶液に
導入するホルダができるだけ少ない表面部分をできるだ
け短時間又は均一に覆うようにし、こうしてエッチング
操作に不規則性が生じないようにするとき達成すること
ができる。
【0029】それ故保持装置に吊り掛けたマガジンは好
ましくは完全に洗浄液又はエッチング液に浸漬してその
なかを移動させ、好ましくは、特に回転方向を交番して
回転させられる。その際、ハウジングの内部にある溶液
は通孔2を通して予備の洗浄浴又はエッチング浴からの
新鮮な溶液と常時取り替えられる。ハウジングの内部で
はハウジングの運動時案内支柱が溶液の連続的層変更と
完全攪拌を確保し、ウェーハ周面が均一に洗浄される。 この運動により更にウェーハは案内支柱及び間座支柱に
対する相対位置が変化し、これによりウェーハの接触点
が絶えず変化し又同時にウェーハ表面全体で処理液の交
換が一定に保たれる。案内支柱の結合箇所がハウジング
から、及び円筒の軸線からさまざまな距離にあるので、
これらの箇所は回転時ウェーハ表面のさまざまな箇所と
常時接触し、これにより、経験によれば環状の凸凹を生
じるウェーハ湿潤むらがやはり防止される。案内支柱組
立体間の内法幅はウェーハ厚の数倍であるので、ウェー
ハは普通マガジン内で傾いていることもあり、単に縁が
接触面として働く。
ましくは完全に洗浄液又はエッチング液に浸漬してその
なかを移動させ、好ましくは、特に回転方向を交番して
回転させられる。その際、ハウジングの内部にある溶液
は通孔2を通して予備の洗浄浴又はエッチング浴からの
新鮮な溶液と常時取り替えられる。ハウジングの内部で
はハウジングの運動時案内支柱が溶液の連続的層変更と
完全攪拌を確保し、ウェーハ周面が均一に洗浄される。 この運動により更にウェーハは案内支柱及び間座支柱に
対する相対位置が変化し、これによりウェーハの接触点
が絶えず変化し又同時にウェーハ表面全体で処理液の交
換が一定に保たれる。案内支柱の結合箇所がハウジング
から、及び円筒の軸線からさまざまな距離にあるので、
これらの箇所は回転時ウェーハ表面のさまざまな箇所と
常時接触し、これにより、経験によれば環状の凸凹を生
じるウェーハ湿潤むらがやはり防止される。案内支柱組
立体間の内法幅はウェーハ厚の数倍であるので、ウェー
ハは普通マガジン内で傾いていることもあり、単に縁が
接触面として働く。
【0030】所定の処理時間後にマガジンは搬送装置を
利用して浴から持ち上げられる。その際洗浄液又はエッ
チング液は通孔2を通してマガジンのハウジングから離
れる。案内支柱の曲折部と好ましくは円錐形の形状とに
より、有利な形で溶液の液滴形成の向上と迅速な排出と
が確保してある。上述の過程は、マガジンハウジングを
開くことなくきわめてさまざまな洗浄浴、エッチング浴
を使って任意の回数繰り返すことができる。
利用して浴から持ち上げられる。その際洗浄液又はエッ
チング液は通孔2を通してマガジンのハウジングから離
れる。案内支柱の曲折部と好ましくは円錐形の形状とに
より、有利な形で溶液の液滴形成の向上と迅速な排出と
が確保してある。上述の過程は、マガジンハウジングを
開くことなくきわめてさまざまな洗浄浴、エッチング浴
を使って任意の回数繰り返すことができる。
【0031】円板状加工品を保持する本発明装置の利点
は、保持に必要な接触面が可能なかぎり小さく保たれて
ウェーハの縁に局在化してあるだけでなく、処理過程中
も可能なかぎり頻繁に交番し、半導体ウェーハの可能な
かぎり大きな表面部分が均一に長い時間溶液と接触する
ことに基づいている。半導体材料との接触は最小限に限
定され又案内支柱の形状により表面全体に分布しており
、局部的に異なるエッチング率が現れることはない。
は、保持に必要な接触面が可能なかぎり小さく保たれて
ウェーハの縁に局在化してあるだけでなく、処理過程中
も可能なかぎり頻繁に交番し、半導体ウェーハの可能な
かぎり大きな表面部分が均一に長い時間溶液と接触する
ことに基づいている。半導体材料との接触は最小限に限
定され又案内支柱の形状により表面全体に分布しており
、局部的に異なるエッチング率が現れることはない。
【0032】平坦性や平行度の誤差が生じることは、回
転可能な円筒形反応籠の室内部での流れ条件及び物質交
換が特殊形成した案内支柱の導入により向上したことに
より殆ど排除することができる。これにより溶液の層変
更はウェーハ縁の帯域からハウジング内部の全容積に広
がる。更にこの運動のとき溶液はハウジングの外側から
絶えず交換することができる。好ましくは折り曲げて多
角形に実施した案内支柱はマガジンを浴から取り除いた
のち処理液の容易な排出をもたらし、残留溶液によるウ
ェーハの不均一な加工が防止される。
転可能な円筒形反応籠の室内部での流れ条件及び物質交
換が特殊形成した案内支柱の導入により向上したことに
より殆ど排除することができる。これにより溶液の層変
更はウェーハ縁の帯域からハウジング内部の全容積に広
がる。更にこの運動のとき溶液はハウジングの外側から
絶えず交換することができる。好ましくは折り曲げて多
角形に実施した案内支柱はマガジンを浴から取り除いた
のち処理液の容易な排出をもたらし、残留溶液によるウ
ェーハの不均一な加工が防止される。
【0033】半導体ウェーハ、特にシリコンウェーハを
例えば酸化物酸と添加剤を有するHFとからなる混合物
を含有した酸性媒質中でエッチングする際本発明を適用
すると、従来のマガジンの場合しばしば観察されたウェ
ーハ形状寸法の劣化を著しく減らすことができる。例え
ば以前エッチング時に観察された平坦度及び平行度の誤
差を著しく減らすことができた。例えば総厚変化(TT
V)が向上し、即ちそれまで5〜10μmの範囲内であ
ったウェーハ全面の最高厚さ値と最低厚さ値との差の絶
対値が1μm未満に向上した。
例えば酸化物酸と添加剤を有するHFとからなる混合物
を含有した酸性媒質中でエッチングする際本発明を適用
すると、従来のマガジンの場合しばしば観察されたウェ
ーハ形状寸法の劣化を著しく減らすことができる。例え
ば以前エッチング時に観察された平坦度及び平行度の誤
差を著しく減らすことができた。例えば総厚変化(TT
V)が向上し、即ちそれまで5〜10μmの範囲内であ
ったウェーハ全面の最高厚さ値と最低厚さ値との差の絶
対値が1μm未満に向上した。
【0034】以上本発明を説明してきた。変更や修正、
特に図示実施例の変更や修正も、本発明の基本的考えか
ら逸脱することなく可能であることは当業者にとって明
白である。
特に図示実施例の変更や修正も、本発明の基本的考えか
ら逸脱することなく可能であることは当業者にとって明
白である。
【0035】以下、本発明の好適な実施態様を例示する
。 1. ハウジングとインサートが使用した液相に対し
抵抗力がある材料から作製してあることを特徴とする請
求項1記載のマガジン。
。 1. ハウジングとインサートが使用した液相に対し
抵抗力がある材料から作製してあることを特徴とする請
求項1記載のマガジン。
【0036】2. 材料としてテトラフルオロエチレ
ン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP) 、
エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE
)、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(
ECTFE) 、ポリクロロトリフルオロエチレン(P
CTFE) 、ポリ二フッ化ビニリデン(PVDF)、
ポリフルオロエチレン(PFA) 及びポリテトラフル
オロエチレン(PTFE)の群から選択した単数又は複
数の合成樹脂を用いることを特徴とする前項1記載のマ
ガジン。
ン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP) 、
エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE
)、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(
ECTFE) 、ポリクロロトリフルオロエチレン(P
CTFE) 、ポリ二フッ化ビニリデン(PVDF)、
ポリフルオロエチレン(PFA) 及びポリテトラフル
オロエチレン(PTFE)の群から選択した単数又は複
数の合成樹脂を用いることを特徴とする前項1記載のマ
ガジン。
【0037】3. 案内支柱と間座支柱との相互固定
を溶接又はねじ締めにより行うことを特徴とする請求項
1、前項1〜前項2のいずれか1項又は複数項記載のマ
ガジン。
を溶接又はねじ締めにより行うことを特徴とする請求項
1、前項1〜前項2のいずれか1項又は複数項記載のマ
ガジン。
【0038】4. 案内支柱が角を丸くした四角形断
面を有し、少なくとも1つの角が加工品6の表面の方向
を向いたことを特徴とする請求項1、前項1〜前項3の
いずれか1項又は複数項記載のマガジン。
面を有し、少なくとも1つの角が加工品6の表面の方向
を向いたことを特徴とする請求項1、前項1〜前項3の
いずれか1項又は複数項記載のマガジン。
【0039】5. 間座支柱が6本、主案内支柱が1
本、副案内支柱が4本であることを特徴とする請求項1
、前項1〜前項4のいずれか1項又は複数項記載のマガ
ジン。
本、副案内支柱が4本であることを特徴とする請求項1
、前項1〜前項4のいずれか1項又は複数項記載のマガ
ジン。
【0040】6. 各案内支柱が角度70〜160
度の曲折部を有し、この曲折部が案内支柱と間座支柱と
の固着部からさまざまな距離にあり、主案内支柱の曲折
角度が好ましくは90度より大きいことを特徴とする請
求項1、前項1〜前項5のいずれか1項又は複数項記載
のマガジン。
度の曲折部を有し、この曲折部が案内支柱と間座支柱と
の固着部からさまざまな距離にあり、主案内支柱の曲折
角度が好ましくは90度より大きいことを特徴とする請
求項1、前項1〜前項5のいずれか1項又は複数項記載
のマガジン。
【0041】7. 主案内支柱の曲折部が支柱の中央
に配置してあることを特徴とする前項6記載のマガジン
。
に配置してあることを特徴とする前項6記載のマガジン
。
【0042】8. 案内支柱の結合箇所13が各間座
支柱と案内支柱との結合箇所からさまざまな距離にある
ことを特徴とする請求項1、前項1〜前項7のいずれか
1項又は複数項記載のマガジン。
支柱と案内支柱との結合箇所からさまざまな距離にある
ことを特徴とする請求項1、前項1〜前項7のいずれか
1項又は複数項記載のマガジン。
【0043】9. 副案内支柱が円錐形に先細である
ことを特徴とする請求項1、前項1〜前項8のいずれか
1項又は複数項記載のマガジン。
ことを特徴とする請求項1、前項1〜前項8のいずれか
1項又は複数項記載のマガジン。
【0044】10. 半導体ウェーハのエッチング処
理に用いる請求項1及び請求項2のいずれか1項又は複
数項記載のマガジンの用途。
理に用いる請求項1及び請求項2のいずれか1項又は複
数項記載のマガジンの用途。
【図1】インサートとハウジングとからなる本発明によ
るエッチングマガジンの可能な実施態様の一部を示す斜
視図である。
るエッチングマガジンの可能な実施態様の一部を示す斜
視図である。
【図2】図1に示したインサートのII−II平面にお
ける横断面図である。
ける横断面図である。
5 インサート
6 ウェーハ
8 間座支柱
9 主案内支柱
10 副案内支柱
12 案内支柱組立体
13 結合箇所
Claims (2)
- 【請求項1】円板状加工品、特に半導体ウェーハを液浴
中で湿式表面処理する際保持するマガジンであって、液
体流入流出用穴2と液浴内に入れる手段4とを有するハ
ウジング1と、ハウジング1内に挿入することができ、
被処理加工品をハウジング内で密に隣接させて平面的に
対置して保持するインサート5とを有するものにおいて
、インサートが a)1平面上で少なくとも2つの案内支柱7からなる案
内支柱組立体12の並列配置と、 b)ハウジング円筒の内面に正確に合わせて配置した少
なくとも3個の間座支柱8とを有し、間座支柱が案内支
柱の、ハウジングに対向した外端で案内支柱組立体平面
の少なくとも3つの平面を平面的に対置して固定し、案
内支柱平面間の空隙が被エッチング円板状加工品を受容
することができ、少なくとも1つの主案内支柱9が2つ
の間座支柱を結合し又少なくとも1つの副案内支柱10
が1案内支柱を間座支柱と結合し、多数の案内支柱が折
り曲げ又は曲げてあり、 c)結合箇所13で案内支柱が最高3方向に分岐し、d
)案内支柱の結合箇所が円筒形ハウジングの長手軸上に
なく、 e)インサートの直径が保持された円板状加工品の直径
の1.1 〜1.9 倍であり、 f)少なくとも2つの間座支柱間に外接する円弧に対す
る割線の長さが被保持円板状加工品の直径より長いか又
は等しく、少なくとも2つの間座支柱間に外接する円弧
に対する割線の長さが被保持物体の半径より短く、g)
2つの案内支柱平面間の内法幅が円板状加工品を保持す
るため少なくともその厚さの2倍であることを特徴とす
るマガジン。 - 【請求項2】半導体ウェーハの液体処理に用いる請求項
1記載のマガジンの用途。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4103084A DE4103084A1 (de) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | Magazin zur halterung von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, bei der nasschemischen oberflaechenbehandlung in fluessigkeitsbaedern |
DE41-03-084-2 | 1991-02-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04323825A true JPH04323825A (ja) | 1992-11-13 |
JPH0821570B2 JPH0821570B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=6424204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2328192A Expired - Lifetime JPH0821570B2 (ja) | 1991-02-01 | 1992-01-14 | 円板状加工品を液浴中で湿式表面処理する際保持するマガジンおよび該マガジンを用いた円板状加工品の液浴中での湿式表面処理方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5236548A (ja) |
EP (1) | EP0497104B1 (ja) |
JP (1) | JPH0821570B2 (ja) |
KR (1) | KR960002997B1 (ja) |
DE (2) | DE4103084A1 (ja) |
DK (1) | DK171206B1 (ja) |
FI (1) | FI920390A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005013346A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 円板状部材のエッチング方法及び装置 |
WO2010053280A3 (ko) * | 2008-11-04 | 2010-08-05 | 주식회사 실트론 | 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판 및 배럴 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4305748A1 (de) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten und/oder Ätzen von Substraten in einer Vakuumkammer |
US5362353A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Faraday cage for barrel-style plasma etchers |
US5340437A (en) * | 1993-10-08 | 1994-08-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for etching semiconductor wafers |
US6041938A (en) * | 1996-08-29 | 2000-03-28 | Scp Global Technologies | Compliant process cassette |
JP3111928B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 金属膜の研磨方法 |
DE19856468C1 (de) * | 1998-11-30 | 2000-06-15 | Sico Jena Gmbh Quarzschmelze | Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben |
US6099645A (en) * | 1999-07-09 | 2000-08-08 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier with slats |
KR20010100613A (ko) * | 2000-05-04 | 2001-11-14 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 매거진 |
US7040209B2 (en) * | 2001-09-27 | 2006-05-09 | Mikronite Technologies, Inc. | Tool fixtures for use in rotational processing |
KR100675627B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판 수납용 카세트 |
TWI430348B (zh) * | 2008-03-31 | 2014-03-11 | Memc Electronic Materials | 蝕刻矽晶圓邊緣的方法 |
JP2012509599A (ja) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 半導体ウェーハのエッジを剥離する方法及びシステム |
US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
CN115881596B (zh) * | 2023-03-08 | 2023-05-05 | 四川上特科技有限公司 | 一种晶圆承载框及晶圆分片装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1915714C3 (de) * | 1969-03-27 | 1975-07-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb |
US3727620A (en) * | 1970-03-18 | 1973-04-17 | Fluoroware Of California Inc | Rinsing and drying device |
US3808065A (en) * | 1972-02-28 | 1974-04-30 | Rca Corp | Method of polishing sapphire and spinel |
US3977926A (en) * | 1974-12-20 | 1976-08-31 | Western Electric Company, Inc. | Methods for treating articles |
DE2526052C2 (de) * | 1975-06-11 | 1983-04-21 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum Reinigen polierter Halbleiterscheiben |
JPS5339872A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Etching method of wafers |
JPS5437581A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Nec Corp | Wafer etching device |
JPS58166726A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエ−ハエツチング装置 |
DD220859A1 (de) * | 1984-01-26 | 1985-04-10 | Akad Wissenschaften Ddr | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen objekten |
JPS62134936A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-18 | アニコン・インコ−ポレ−テツド | 腐食耐性をもつたウエ−フア−・ボ−ト及びその製造法 |
US4841906A (en) * | 1986-11-12 | 1989-06-27 | Heraeus Amersil, Inc. | Mass transferable semiconductor substrate processing and handling full shell carrier (boat) |
JPH02113331U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-11 | ||
US5054418A (en) * | 1989-05-23 | 1991-10-08 | Union Oil Company Of California | Cage boat having removable slats |
-
1991
- 1991-02-01 DE DE4103084A patent/DE4103084A1/de active Granted
-
1992
- 1992-01-09 DE DE59201798T patent/DE59201798D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-09 EP EP92100285A patent/EP0497104B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-13 DK DK004092A patent/DK171206B1/da not_active IP Right Cessation
- 1992-01-14 JP JP2328192A patent/JPH0821570B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-21 US US07/823,289 patent/US5236548A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-29 FI FI920390A patent/FI920390A/fi not_active Application Discontinuation
- 1992-02-01 KR KR1019920001631A patent/KR960002997B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005013346A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 円板状部材のエッチング方法及び装置 |
JP2005050943A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 円板状部材のエッチング方法及び装置 |
US7494597B2 (en) | 2003-07-31 | 2009-02-24 | Sumco Techxiv Corporation | Method and apparatus for etching disk-like member |
JP4509501B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2010-07-21 | Sumco Techxiv株式会社 | 円板状部材のエッチング方法及び装置 |
KR101030833B1 (ko) * | 2003-07-31 | 2011-04-22 | 사무코 테크시부 가부시키가이샤 | 원판형 부재의 에칭 방법 및 장치 |
WO2010053280A3 (ko) * | 2008-11-04 | 2010-08-05 | 주식회사 실트론 | 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판 및 배럴 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0497104A1 (de) | 1992-08-05 |
DK171206B1 (da) | 1996-07-22 |
JPH0821570B2 (ja) | 1996-03-04 |
FI920390A (fi) | 1992-08-02 |
DE4103084A1 (de) | 1992-08-13 |
DE59201798D1 (de) | 1995-05-11 |
FI920390A0 (fi) | 1992-01-29 |
KR960002997B1 (ko) | 1996-03-02 |
DE4103084C2 (ja) | 1993-01-07 |
US5236548A (en) | 1993-08-17 |
EP0497104B1 (de) | 1995-04-05 |
DK4092A (da) | 1992-08-02 |
KR920017183A (ko) | 1992-09-26 |
DK4092D0 (da) | 1992-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04323825A (ja) | 円板状加工品を液浴中で湿式表面処理する際保持するマガジンおよび該マガジンを用いた円板状加工品の液浴中での湿式表面処理方法 | |
US4401131A (en) | Apparatus for cleaning semiconductor wafers | |
US4856544A (en) | Vessel and system for treating wafers with fluids | |
US5698040A (en) | Method for rotational wafer cleaning in solution | |
CN1722373B (zh) | 衬底弯月面界面及用于操作的方法 | |
EP1107290A2 (en) | Wafer scrubbing brush core | |
US5429251A (en) | Semiconductor wafer end effector | |
IL190454A (en) | Apparatus for cleaning substrate using megasonic power | |
US6520191B1 (en) | Carrier for cleaning silicon wafers | |
US7494550B2 (en) | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same | |
EP0233184B1 (en) | Semiconductor wafer flow treatment | |
US5791357A (en) | Support jig for thin circular objects | |
TWI302332B (en) | Novel semicoductor wafer lifter | |
JPH0910709A (ja) | 基板処理装置 | |
US5445706A (en) | Wet treatment adapted for mirror etching ZnSe | |
JP2513843B2 (ja) | 基板ホルダ | |
WO2000024041A1 (en) | Carrier for cleaning silicon wafers | |
JP3352868B2 (ja) | 基板処理槽 | |
JP2531239Y2 (ja) | 温純水引上げ方式乾燥装置における昇降治具 | |
JPS63107030A (ja) | ウエハ洗浄方法およびそれに用いるウエハ洗浄治具 | |
JP3153701B2 (ja) | ウェット処理方法とウェット処理装置 | |
JP2004360014A (ja) | 板材のエッチング用治具およびエッチング方法 | |
JPH06112176A (ja) | 洗浄・エッチング用ウェハ保持具 | |
JP2004031661A (ja) | 半導体ウェーハのエッチング装置 | |
JP2002261071A (ja) | 被処理物保持具および洗浄装置 |