JPH04323362A - 多層膜の形成方法およびその形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層膜の形成方法およ
びその形成装置に関し、更に詳しくは例えば半導体素子
或いは静電チャック等の絶縁膜、パッシベーション膜、
塩（えん）、有機用材、水素、Ｈｅ等の分離膜、コンデ
ンサーの誘電膜、有機焦電体、圧電体等に用いる多層膜
の形成方法およびその形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば図５ないし図７に示すよう
な金属膜から成る下部電極層（第１層）と、合成樹脂膜
から成る絶縁層（第２層）と、金属膜から成る上部電極
層（第３層）の積層された多層膜の形成方法としては、
図１２に示すような、真空処理室ａ内を真空排気系ｂに
接続し、該真空処理室ａ内の下方に金属膜の原料ｘを蒸
発させる蒸発源ｃと、合成樹脂膜の形成原料ｙを蒸発さ
せるヒーターｄを備える蒸発源ｅを配置し、真空処理室
ａ内の上方に各蒸発源ｃ，ｅの対向する位置に蒸発源ｃ
，ｅからの原料ｘ，ｙの蒸着で膜が形成される基板ｆを
配置すると共に、該基板ｆを各蒸発源ｃ，ｅの上方位置
に夫々移動可能に配置した装置を用いる。また、図１３
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すような基板ｆ上に所望形
状の膜を形成させるための、各層の膜形状に対応する開
口部ｇ１，ｇ２，ｇ３を有するマスクｈ１，ｈ２，ｈ３
を用意する。尚、図中、ｉは基板ｆの基板保持装置、ｊ
は各蒸発源ｃ，ｅの上方に配置したシャッターを夫々示
す。 そして、前記装置およびマスクを用いて、図５および図
６に示すように基板上に多層膜を形成するには、排気系
ｂで真空処理室ａ内を所定圧に減圧し、先ず、図１３（
Ａ）に示すように基板ｆの前面にマスクｈ１を配置した
状態で真空処理室ａ内の第１層目となる下部電極の原料
ｘの蒸発源ｃの対向位置（図１２の左側実線）に移動さ
せた後、かかる位置で蒸発源ｃより原料ｘを蒸発させて
基板ｆ上に第１層目の下部電極層（図５、図６参照）を
形成する。次に図１３（Ｂ）に示すように基板ｆの前面
にマスクｈ２を交換配置した状態で原料ｙの蒸発源ｅの
対向位置（図１２の右側仮想線）に移動させ、かかる位
置で蒸発源ｅより原料ｙを蒸発させて第１層の上に蒸着
させ、それを重合させて合成樹脂膜から成る絶縁層の第
２層目（図５、図６参照）を形成する。更に図１３（Ｃ
）に示すように基板ｆの前面にマスクｈ３を交換配置し
た状態で再び原料ｘの蒸発源ｃの対向位置（図１２の左
側実線）に移動させ、かかる位置で蒸発源ｃより原料ｘ
を蒸発させて第２層の上に蒸着させて上部電極層の第３
層目（図５、図６参照）を形成して基板ｆ上に多層膜を
形成するものである。また、図７に示すような多層膜を
形成するには、前記操作の後、更に、図１３（Ｂ）に示
すように基板ｆの前面にマスクｈ２を交換配置した状態
で原料ｙの蒸発源ｅの対向位置（図１２の右側仮想線）
に移動させ、かかる位置で蒸発源ｅより原料ｙを蒸発さ
せて第３層の上に蒸着させ、それを重合させて合成樹脂
膜から成る絶縁層の第４層目を形成し、これら第１層目
から第４層目までの操作を順次、繰り返して形成するも
のである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記多
層膜の形成方法では各層毎に開口部ｇの形状が異なった
マスクｈ（前記では３種類）を必要とし、また、各層の
形成毎にマスクｈの交換の他に、基板ｆを形成すべき膜
の原料の蒸発源の対向位置まで移動させなければならず
、その結果多層膜の形成に時間がかかるばかりではなく
、該マスクｈの基板ｆの前面からの着脱時にダストが発
生しやすく、また基板ｆとマスクｈとの位置や間隔の調
整が煩雑となり、両者の間隔が大きいと基板ｆ上に形成
される膜の端部がだれて所望形状の膜が得られない等の
問題がある。また各層の形成毎のマスクを多種必要とし
、更に基板ｆとマスクｈとの位置や間隔を調整するため
の装置を必要とする等多層膜の形成装置の機構が複雑と
なる問題がある。本発明は、かかる問題点を解消した多
層膜の形成方法およびその形成方法を実施するに適した
形成装置を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成する多層膜の形成方法を提案するもので、真空中で複
数の膜の原料を夫々の蒸発源から蒸発させ、これを基板
上でマスクを介して蒸着させて多層膜を形成させる方法
であって、基板上に膜の原料を蒸着させて膜を形成し、
該膜上に新たな膜の原料を蒸着させて新たな膜の形成を
基板に対して先の膜の原料の蒸発方向とは異なる方向で
新たな膜の原料を蒸発させて行うことを特徴とする。更
に本発明は、前記形成方法を実施するための形成装置を
提案するもので、真空室内に複数の原料を蒸発させる蒸
発源と、該蒸発源からの原料の蒸着で膜が形成される基
板とを互いに対向して配置した膜の形成装置であって、
複数の膜の原料を蒸発させる蒸発源を夫々基板に対して
異なる方向から蒸発させる位置に配設し、基板の前面に
基板上に所定形状の膜を形成させる開口部を穿設したマ
スクを配置したことを特徴とする。

【０００５】

【作用】真空中で膜の原料は蒸発し、蒸発した該原料の
蒸気は基板に到達して基板上に蒸着し、膜が形成される
。更に該膜の上に新たな膜の原料を蒸着させると新たな
膜が形成され、これを繰り返すことによって基板上に積
層の多層膜が得られる。この場合、新たな膜の蒸着形成
を基板に対して先の膜の原料の蒸発方向とは異なる方向
から新たな膜の原料の蒸発を行うことにより基板上の任
意の位置に各膜を容易に形成させ得る。

【０００６】

【実施例】本発明の実施の１例を添付図面に基づき説明
する。図１ないし図４は本発明を実施する多層膜の形成
装置の１例を示すもので、図中、１は真空室を示し、該
真空室１内を真空ポンプ等の真空排気系２に接続した。 そして真空室１の下方の左方部分であってかつ手前側に
金属膜の原料Ｘ（例えば金属膜がアルミニウムの場合は
アルミニウム粉末）を加熱し、蒸発させる金属製または
セラミック製から成る蒸発源３を設け、また真空室１の
下方の中央部分に合成樹脂膜の原料モノマーＹ，Ｚ（例
えば合成樹脂膜がポリ尿素樹脂膜の場合はモノマーＹが
ジアミン、モノマーＺがジイソシアナート）を蒸発させ
るガラス製または金属製容器から成る蒸発源４，５を設
け、更に真空室１の下方の右方部分であってかつ後方側
に金属膜の原料Ｘ（例えば金属膜がアルミニウムの場合
はアルミニウム粉末）を加熱し、蒸発させる金属製また
はセラミック製から成る蒸発源６を設けた。また、前記
蒸発源３と６には例えば電子ビームから成る加熱装置７
で原料Ｘを所定温度に加熱し、蒸発させるようにし、ま
た蒸発源４，５にはその周囲に巻回したヒーター８で原
料モノマーＹ，Ｚを夫々所定温度に加熱し、蒸発させる
ようにした。また、真空室１内の上方の中央部分に前記
各蒸発源３，４，５，６に対向させて多層膜を形成せし
めるべき基板９を基板保持装置１０によって下向きに保
持すると共に、該基板９の前面に基板９側に向かって拡
大する角度θ１３０〜９０°の傾斜面１１を備え、基板
上に形成すべき膜形状に対応する形状の開口部１２を穿
設したマスク１３を配置した。また、図３および図４に
示すように蒸発源３と蒸発源６とを一直線上に配置する
と共に、両蒸発源３，６を真空室１内の中央部分に配置
した蒸発源４，５に対して角度θ２１５〜６０°で交差
させる共に、蒸発源３と蒸発源６とを真空室１内の中央
部分に配置した蒸発源４，５の垂直線上に配置した基板
９に対して角度θ３１０〜４５°となるように配置した
。尚、蒸発源３，６を真空室１内の中央部分に配置した
蒸発源４，５に対して角度θ２１５〜６０°で交差させ
る代わりに、マスク１３を１５〜６０°回転させるよう
にしてもよい。このように各蒸発源を前記の如く配設す
ることによって、各蒸発源の位置を基板に対して夫々の
原料の蒸発方向を異なる方向とすることが出来て、基板
に対して各蒸発源からの原料の蒸気の入射角を夫々変え
ることが出来る。尚、多層膜の原料を蒸発源から蒸発さ
せて基板上に蒸着させる際の真空度としては形成する膜
の種類によって異なるが、一般には１×１０−　４〜１
×１０−　６Ｔｏｒｒ程度が好ましい。また、多層膜の
積層数は多層膜の用途に応じて適宜選択すればよい。ま
た、成膜中における基板９とマスク１３の間隔は基板上
に形成する多層膜の厚さ、原料等に応じて適宜設定すれ
ばよく、基板９とマスク１３の間隔は一般には密接状態
から１０ｍｍ程度にする。そして基板９とマスク１３の
間隔が１ｍｍ〜１０ｍｍの場合は開口部１２の側縁に傾
斜面を設けていないマスク１３を用いればよく、また基
板９とマスク１３の間隔が１ｍｍ以下の場合には、開口
部１２に図２に示すような基板方向に拡大する傾斜面１
１を設けたマスク１３を用いればよい。尚、マスク１３
に穿設した開口部１２に設ける基板方向に拡大する傾斜
面１１は開口部１２の側縁全周囲ではなく膜をずらした
い方向の２辺のみに設けたものとしてもよい。尚、図中
、１４は蒸発源３の上方に設けたシャッター、１５は蒸
発源４，５の上方に設けたシャッター、１６は蒸発源６
の上方に設けたシャッター、１７は蒸発源３と、蒸発源
４，５と、蒸発源６を夫々隔離する隔壁を夫々示す。

【０００７】次に、前記装置を用い、図５および図６に
示すような基板９上にアルミニウム膜製の下部電極１８
と、ポリ尿素樹脂膜製の絶縁層１９とアルミニウム膜製
の上部電極２０とから成る３層構造の多層膜の作成例を
説明する。 実施例１ 本実施例では基板９は縦７５ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ０
．５ｍｍのスライドガラスを用い、またマスク１３は縦
２０ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ１ｍｍのステンレス板を用
い、マスク１３の中央に基板９側に向かって角度θ１が
４５°の傾斜面１１を有する大きさが５ｍｍ角の開口部
１２を穿設した。また、蒸発源３と蒸発源６の蒸発源４
，５に対する角度θ２を４５°とし、基板９と蒸発源４
，５の間を３５０ｍｍとすると共に、蒸発源３と蒸発源
６の基板９に対する角度θ３を３０°とした。先ず、蒸
発源３と蒸発源６の夫々に上下電極（アルミニウム膜）
の原料としてアルミニウム（以下原料Ｘという）を充填
し、蒸発源４に絶縁層（ポリ尿素樹脂膜）の一方の原料
モノマーとして４，４′−ジアミノジフェニルメタン（
以下原料Ｙという）を、蒸発源５に絶縁層（ポリ尿素樹
脂膜）の他方の原料モノマーとして４，４′−ジイソシ
アン酸メチレンジフェニル（以下原料Ｚという）を夫々
充填し、シャッター１４とシャッター１５とシャッター
１６を閉じた状態で真空室１内の圧力を真空排気系２を
介して１×１０−　５Ｔｏｒｒに設定する。次に、蒸発
源３および蒸発源６内の原料Ｘを電子ビーム加熱装置７
で加熱すると共に、蒸発源４内の原料Ｙを加熱装置８で
温度１３５±２℃に、また蒸発源５内の原料Ｚを加熱装
置８で温度７５±２℃に夫々加熱する。

【０００８】次いで、原料Ｘ，Ｙ，Ｚが夫々所定の蒸発
量に達した時点でシャッター１４のみを開き、真空室１
内に基板保持装置１０で保持された基板９上に原料Ｘを
１００Å／分の析出速度で厚さ１０００Åに蒸着させて
下部電極としてのアルミニウム膜１８を形成した後、シ
ャッター１４を閉じると共に、シャッター１５のみを開
き、該基板９上に形成されたアルミニウム膜１７の上に
原料Ｙ，Ｚを１２０Å／分の析出速度で厚さ４０００Å
に蒸着させて後、シャッター１５を閉じて基板９上で重
合反応を起こさせてポリ尿素樹脂膜１９を形成させた後
、シャッター１６のみを開き、該ポリ尿素樹脂膜１９の
上に原料Ｘを１００Å／分の析出速度で厚さ１０００Å
に蒸着させて上部電極としてのアルミニウム膜２０を形
成した。尚、原料Ｙ，Ｚは化学量論的にポリ尿素樹脂膜
が形成されるように蒸発量の調整によって１：１のモル
比で蒸発するようにした。また、原料Ｙ，Ｚの蒸発時に
おける真空室１内の圧力は３×１０−　５Ｔｏｒｒとし
た。 このようにしてアルミニウム膜から成る下部電極１８お
よび上部電極２０と両電極間のポリ尿素樹脂膜から成る
絶縁層１９の多層膜が形成された基板９を取り出し温度
２００℃に加熱し、下部電極と上部電極間の絶縁層（ポ
リ尿素樹脂膜）に１００ＭＶ／ｍの電界を１０分間印加
したまま加熱を停止し、絶縁層（ポリ尿素樹脂膜）の温
度を２００℃から室温まで徐冷してポーリング処理を施
して焦電体を作成した。前記方法でポーリング処理され
た焦電体の絶縁層（ポリ尿素樹脂膜）を温度５０℃から
１７０℃に加熱しながら焦電流を測定し、次式により焦
電率（Ｃ／ｍ２Ｋ）を求めた。 得られた各温度毎の焦電率を図８に曲線Ａとして示す。

【０００９】実施例２ 基板９上へのアルミニウム膜製の下部電極１８の形成を
３回、該下部電極１８上へのポリ尿素樹脂膜製の絶縁層
１９の形成を４回、該絶縁層１９上へのアルミニウム膜
製の上部電極２０の形成を２回とした以外は前記実施例
１と同一方法で行って図７に示すような基板上に９層構
造の多層膜を形成し，これに前記実施例１と同一条件で
ポーリング処理を施して焦電体を作成した。作成された
焦電体に前記実施例１と同一条件で絶縁層の焦電流を測
定し、焦電率を求め、得られた各温度毎の焦電率を図８
に曲線Ｂとして示す。

【００１０】比較例１ 基板上に多層膜を形成する装置として図１２および図１
３に示す従来の形成装置およびマスクを用いた以外は実
施例１と同様の方法で膜の蒸着形成を行って、基板上に
実施例１と同一の３層構造の多層膜を形成し、これに前
記実施例１と同一条件でポーリング処理を施して焦電体
を作成した。作成された焦電体に前記実施例１と同一条
件で絶縁層の焦電流を測定し、焦電率を求め、得られた
各温度毎の焦電率を図８に曲線Ｃとして示す。

【００１１】比較例２ 基板上に多層膜を形成する装置として図１２および図１
３に示す従来の形成装置およびマスクを用いた以外は実
施例１と同様の方法で膜の蒸着形成を行って、基板上に
実施例２と同一の９層構造の多層膜を形成し、これに前
記実施例１と同一条件でポーリング処理を施して焦電体
を作成した。作成された焦電体に前記実施例１と同一条
件で絶縁層の焦電流を測定し、焦電率を求め、得られた
各温度毎の焦電率を図８に曲線Ｄとして示す。

【００１２】図８から明らかなように本発明方法で得ら
れた多層膜の焦電体は従来方法で得られた焦電体と同等
の焦電率を有することが確認された。従って、電界が１
００ＭＶ／ｍであっても充分に耐えることが出来る絶縁
性を備えていることが分かる。

【００１３】図９は本発明の形成装置の他の実施例であ
り、前記図１ないし図４で示す形成装置では基板を一定
の位置に保持した状態で多層膜を形成するようにしたが
、第１層目の膜が形成された基板を移動させた後に該膜
の上に新たな膜を蒸着形成するようにした装置である。 図９の形成装置について前記図１ないし図４に示す形成
装置との相違点について説明する。原料Ｘの蒸発源３、
原料Ｙ，Ｚの蒸発源４，５、原料Ｘの蒸発源６を夫々の
間に隔壁２１を配置し、各蒸発源を隔離して成膜領域２
２に構成すると共に、各成膜領域２２の夫々を真空ポン
プ等の真空排気系２に接続した。また、基板保持装置１
０を回転自在な冷却型円筒体または多面体に構成すると
共に、該基板保持装置１０の周壁２３の夫々に図２に示
すようなマスク１３をつけた複数個の基板９を保持出来
るようにした。そして基板９への蒸発源３からの原料Ｘ
の蒸発と膜の蒸着形成を、斜め入射出来るように蒸発源
３に対して基板９を傾斜状態に保持（図示例では基板の
移動方向「矢印方向」側が下向き）して行わせるように
し、また、蒸発源４，５からの原料Ｙ，Ｚの蒸発と基板
９への膜の蒸着形成を、蒸発源４，５に対して基板９を
真上状態に保持して行わせるようにし、また、蒸発源６
からの原料Ｘの蒸発と基板９への膜の蒸着形成を、斜め
入射出来るように蒸発源６に対して基板９を傾斜状態に
保持（図示例では基板の移動方向「矢印方向」側が上向
き）して行うようにした。また、真空室１内に隔壁２４
を配置して、前記成膜領域２２とは隔離された別個の独
立した領域２５を構成すると共に、該領域２５を真空ポ
ンプ等の真空排気系２を接続し、また、該領域２５内に
プラズマ処理機構２６を配置した。図９に示す形成装置
を用いると、基板保持装置１０に複数個の基板９を設置
することが出来るから、基板上への多層膜の形成を容易
に、かつ短時間に多量に作成することが出来、また、蒸
発源３または蒸発源６からの基板９に対する原料Ｘの蒸
発方向の設定調整が簡単である。また、形成装置内にプ
ラズマ処理機構２６を配置することによって、真空室１
内から多層膜が形成された基板を取り出すことなくプラ
ズマ処理することが出来るから、基板上に形成された多
層膜へのプラズマ処理を必要とする場合には、該処理を
簡単に行うことが出来る。

【００１４】図１０および図１１は本発明の形成装置の
もう一つの実施例であり、前記図１ないし図４で示す形
成装置では基板を一定の位置に保持した状態で多層膜を
形成するようにしたが、第１層目の膜が形成された基板
を移動させた後に該膜の上に新たな膜を蒸着形成するよ
うにした装置である。図１０および図１１の形成装置に
ついて前記図１ないし図４に示す形成装置との相違点に
ついて説明する。原料Ｘの蒸発源３、原料Ｙ，Ｚの蒸発
源４，５、原料Ｘの蒸発源６を夫々の間に隔壁２１を配
置し、各蒸発源を隔離して成膜領域２２に構成すると共
に、各成膜領域２２の夫々を真空ポンプ等の真空排気系
２に接続した。また、基板保持装置１０を水平方向に回
転自在な円盤状に構成すると共に、該基板保持装置１０
の下面２８の夫々に図２に示すようなマスク１３をつけ
た複数個の基板９を保持出来るようにした。そして基板
９への蒸発源３からの原料Ｘの蒸発と膜の蒸着形成を、
斜め入射出来るように基板９に対して蒸発源３を成膜領
域２２の斜め前方位置に配置（図示例では基板の移動方
向「矢印方向」の最初側）して行わせるようにし、また
、基板９への蒸発源４，５からの原料Ｙ，Ｚの蒸発と膜
の蒸着形成を、基板９に対して蒸発源４，５を成膜領域
２２の中央部の真下に配置して行わせるようにし、また
、基板９への蒸発源６からの原料Ｘの蒸発と基板９への
膜の蒸着形成を、斜め入射出来るように基板９に対して
蒸発源６を成膜領域２２の斜め後方位置に配置（図示例
では基板の移動方向「矢印方向」の最後側）して行うよ
うにした。また、真空室１内に隔壁２４を配置して、前
記成膜領域２２とは隔離された別個の独立した領域２５
を構成すると共に、該領域２５を真空ポンプ等の真空排
気系２を接続し、また、該領域２５内にプラズマ処理機
構２６を配置した。尚、図中、２９は基板保持装置１０
の回転軸、３０は基板９の仕込・取出室を夫々示す。 図１０および図１１に示す形成装置を用いると、基板保
持装置１０に複数個の基板９を設置することが出来るか
ら、基板上への多層膜の形成を容易に、かつ短時間に多
量に作成することが出来、また、蒸発源３または蒸発源
６からの基板９に対する原料Ｘの蒸発方向の設定調整が
簡単である。また、形成装置内にプラズマ処理機構２６
を配置することによって、真空室１内から多層膜が形成
された基板を取り出すことなくプラズマ処理することが
出来るから、基板上に形成された多層膜へのプラズマ処
理を必要とする場合には、該処理を簡単に行うことが出
来る。

【００１５】前記各実施例では、下部電極および上部電
極をアルミニウム膜で、また絶縁層をポリ尿素樹脂膜で
多層膜の形成方法について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、下部電極および上部電極はＩ
ＴＯ膜、Ａｕ膜等とし、また絶縁層はポリイミド膜、ポ
リアミド膜、ポリアミドイミド膜等とした多層膜の形成
にも利用出来る。

【００１６】

【発明の効果】このように本発明の多層膜の形成方法に
よるときは、基板上に膜の原料を蒸着させて膜の形成と
、該膜上への新たな膜の蒸着形成を基板に対して先の膜
の蒸発方向とは異なる方向から新たな膜の原料の蒸発を
行って、基板への各原料の蒸着の入射角を各層毎に変え
ることが出来るので、焦電体のような下部電極と上部電
極とを絶縁層を介して容易にかつ確実に絶縁状態に基板
の任意の位置に多層膜を形成することが出来、また、膜
形状を形成するマスクを１個で済むから、従来法のよう
なマスクの交換を膜の形成毎に行わなくてもよいので、
ダストを発生させることなく基板上への多層膜の形成を
容易にかつ能率よく行うことが出来る等の効果がある。 また、多層膜の形成装置によるときは、複数の膜の原料
を蒸発させる蒸発源を夫々基板に対して異なる方向から
蒸発させる位置に配設し、基板の前面に基板上に所定形
状の膜を形成させる開口部を穿設したマスクを配置する
ようにしたので、従来装置のような複数個のマスクを必
要とせずに１個のマスクで基板の任意の位置に多層膜を
容易にかつ能率よく製造することが出来る装置を提供出
来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明装置の１実施例の説明線図。

【図２】　　本発明装置に用いるマスクの１実施例の拡
大截断面図。

【図３】　　基板と各蒸発源との位置関係を示す側面説
明図。

【図４】　　基板と各蒸発源との位置関係を示す平面説
明図。

【図５】　　本発明方法の１実施例で形成された多層膜
の位置関係を示す平面説明図。

【図６】　　図５のＶＩ−ＶＩ線截断面図。

【図７】　　本発明方法の他の実施例で形成された多層
膜の位置関係を示す図６と同様の截断面図。

【図８】　　本発明実施例と比較例における焦電体の焦
電率と温度変化との関係を示す特性線図。

【図９】　　本発明装置の他の実施例の説明線図。

【図１０】　　本発明装置のもう一つの実施例の説明線
図。

【図１１】　　図１０のＸＩ−ＸＩ線截断説明線図。

【図１２】　　従来装置の説明線図。

【図１３】　　従来装置に用いるマスクと基板の位置関
係を示す説明図。

【符号の説明】

１　　　　真空室、　　　　　　３，４，５，６　　　
　蒸発源、９　　　　基板、　　　　　　　　　　　　
　　　　　　１０　　　　基板保持装置、１１　　　　
傾斜面、　　　　　　　　　　　　　　　　１２　　　
　開口部、１３　　　　マスク、Ｘ，Ｙ，Ｚ　　　　原
料。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　真空中で複数の膜の原料を夫々の蒸発
   源から蒸発させ、これを基板上でマスクを介して蒸着さ
   せて多層膜を形成させる方法であって、基板上に膜の原
   料を蒸着させて膜を形成し、該膜上に新たな膜の原料を
   蒸着させて新たな膜の形成を基板に対して先の膜の原料
   の蒸発方向とは異なる方向で新たな膜の原料を蒸発させ
   て行うことを特徴とする多層膜の形成方法。
2. 【請求項２】　　前記膜上で新たな膜の蒸着形成を基板
   の位置を移動させた後に行うことを特徴とする請求項１
   に記載の多層膜の形成方法。
3. 【請求項３】　　真空室内に複数の原料を蒸発させる蒸
   発源と、該蒸発源からの原料の蒸着で膜が形成される基
   板とを互いに対向して配置した膜の形成装置であって、
   複数の膜の原料を蒸発させる蒸発源を夫々基板に対して
   異なる方向から蒸発させる位置に配設し、基板の前面に
   基板上に所定形状の膜を形成させる開口部を穿設したマ
   スクを配置したことを特徴とする多層膜の形成装置。
4. 【請求項４】　　前記基板は移動自在の基板保持装置に
   保持されることを特徴とする請求項３に記載の多層膜の
   形成装置。
5. 【請求項５】　　前記マスクの開口部は少なくとも基板
   の移動方向側に基板側に向かって拡大した傾斜面を備え
   た開口部であることを特徴とする請求項４に記載の多層
   膜の形成装置。