JPH04315056A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH04315056A JPH04315056A JP3079566A JP7956691A JPH04315056A JP H04315056 A JPH04315056 A JP H04315056A JP 3079566 A JP3079566 A JP 3079566A JP 7956691 A JP7956691 A JP 7956691A JP H04315056 A JPH04315056 A JP H04315056A
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐衝撃性、耐久性に優れ
た加速度センサに関する。
た加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の加速度センサは、例えば一次元加
速度センサを立方体等のブロックの３方向に３つ取り付
け、三次元方向の加速度を検出していた。このためセン
サの実装が複雑で、かつ小型化が困難なものであった。 これを解決するものとして、シリコンウエハを使用し、
同一基板面上に三次元の加速度を検出する３素子を配置
したものが提案されている。例えば特開昭６２ー１１８
２６０号公報に開示されたものがある。
速度センサを立方体等のブロックの３方向に３つ取り付
け、三次元方向の加速度を検出していた。このためセン
サの実装が複雑で、かつ小型化が困難なものであった。 これを解決するものとして、シリコンウエハを使用し、
同一基板面上に三次元の加速度を検出する３素子を配置
したものが提案されている。例えば特開昭６２ー１１８
２６０号公報に開示されたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】加速度センサのカンチ
レバーは、振動を感知する重りを薄肉板により支持し、
この薄肉板を基体に取り付けている。このカンチレバー
の取り付け方法は、基体に接着固定したり、またはカン
チレバーを金属またき半導体基板に一体加工により形成
されていた。特に、基体とカンチレバー側面との連結部
分は鋭いエッジ部を形成している。そのため、重りに振
動が加わると、上記連結部分に力による応力集中が生じ
、カンチレバーの根本で破壊が起こる。この場合、半導
体基板では割れを生じ、一方金属基板では塑性変形によ
る曲げが生ずるという問題があった。本発明の目的は、
カンチレバーの根本への応力集中を低下させ、過大衝撃
に対する強度を高めた加速度センサを提供することであ
る。
レバーは、振動を感知する重りを薄肉板により支持し、
この薄肉板を基体に取り付けている。このカンチレバー
の取り付け方法は、基体に接着固定したり、またはカン
チレバーを金属またき半導体基板に一体加工により形成
されていた。特に、基体とカンチレバー側面との連結部
分は鋭いエッジ部を形成している。そのため、重りに振
動が加わると、上記連結部分に力による応力集中が生じ
、カンチレバーの根本で破壊が起こる。この場合、半導
体基板では割れを生じ、一方金属基板では塑性変形によ
る曲げが生ずるという問題があった。本発明の目的は、
カンチレバーの根本への応力集中を低下させ、過大衝撃
に対する強度を高めた加速度センサを提供することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は基部にカンチレバーを一体加工し、前記
カンチレバーの歪み応力が発生する部位に歪ゲージを配
置した加速度センサであって、前記カンチレバー側面と
基部の連結部分が曲面加工されていることを特徴とする
ものである。
めに、本発明は基部にカンチレバーを一体加工し、前記
カンチレバーの歪み応力が発生する部位に歪ゲージを配
置した加速度センサであって、前記カンチレバー側面と
基部の連結部分が曲面加工されていることを特徴とする
ものである。
【０００５】
【作用】カンチレバーの振動時には、カンチレバーの薄
肉部が変形し、基部とカンチレバー側面との連結部分に
振動力による応力集中が起こる。この応力は連結部分の
曲面加工により分散され、該部分での破壊が起りにくく
なるため、カンチレバーの過大衝撃に対する強度は高め
られる。
肉部が変形し、基部とカンチレバー側面との連結部分に
振動力による応力集中が起こる。この応力は連結部分の
曲面加工により分散され、該部分での破壊が起りにくく
なるため、カンチレバーの過大衝撃に対する強度は高め
られる。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
なお、本実施例は一体形成により同一基板上に一次元加
速度センサが三次元方向の加速度を独立して検出できる
ように配置された三次元加速度センサへの適用である。 図１Ａは三次元加速度センサのセンサチップが示されて
いる。
速度センサが三次元方向の加速度を独立して検出できる
ように配置された三次元加速度センサへの適用である。 図１Ａは三次元加速度センサのセンサチップが示されて
いる。
【０００７】センサチップ１は、同一基板上にＸ方向加
速度センサのカンチレバー２、Ｙ方向加速度センサのカ
ンチレバー３およびＺ方向加速度センサのカンチレバー
４が配置され、各方向の加速度を独立して検出できるよ
うに配置されている。
速度センサのカンチレバー２、Ｙ方向加速度センサのカ
ンチレバー３およびＺ方向加速度センサのカンチレバー
４が配置され、各方向の加速度を独立して検出できるよ
うに配置されている。
【０００８】センサチップ１は、図２に示すように、例
えば鉄、ステンレス、ベリリウム合金（ベリリウム銅等
）の金属基板５表面に電気絶縁層６、例えばＳｉＯ２（
酸化ケイ素）またはＳｉＮ（チッ化ケイ素）がＣＶＤ装
置により形成され、この電気絶縁層６にＣｒ等のゲージ
膜７、Ａｌ等の配線８、ＡｌまたはＣｕ等のパッド９が
スパッタにより形成されている。
えば鉄、ステンレス、ベリリウム合金（ベリリウム銅等
）の金属基板５表面に電気絶縁層６、例えばＳｉＯ２（
酸化ケイ素）またはＳｉＮ（チッ化ケイ素）がＣＶＤ装
置により形成され、この電気絶縁層６にＣｒ等のゲージ
膜７、Ａｌ等の配線８、ＡｌまたはＣｕ等のパッド９が
スパッタにより形成されている。
【０００９】金属基板６の表面の成膜が終了した後に、
カンチレバーの製作が行われる。まず図３Ａに示すＺ方
向の加速度を検出するためのカンチレバー４が基板裏面
よりエッチング（図１のｅ部分）され、薄肉部１０が形
成される。このエッチングではカンチレバー側面と周辺
厚肉部（基部）１１およびカンチレバー裏面と周辺厚肉
部の連結部分が曲面（Ｒ）加工される。次いでＸ，Ｙお
よびＺ方向のカンチレバー２〜４の外形のエッチングが
行われ、一端が周辺厚肉部１１に連結された片持構造に
形成される。上記外形のエッチングにより、カンチレバ
ーは自由端側に重り部１２が設けられ、この重り部１２
と周辺厚肉部１１との間を薄肉部１０により接続された
構造になっている。このエッチングの際にはＸおよびＹ
方向のカンチレバー２，３に薄肉部１０が形成され、カ
ンチレバー側面と周辺厚肉部および薄肉部と重り部の連
結部分が曲面（Ｒ）加工される。
カンチレバーの製作が行われる。まず図３Ａに示すＺ方
向の加速度を検出するためのカンチレバー４が基板裏面
よりエッチング（図１のｅ部分）され、薄肉部１０が形
成される。このエッチングではカンチレバー側面と周辺
厚肉部（基部）１１およびカンチレバー裏面と周辺厚肉
部の連結部分が曲面（Ｒ）加工される。次いでＸ，Ｙお
よびＺ方向のカンチレバー２〜４の外形のエッチングが
行われ、一端が周辺厚肉部１１に連結された片持構造に
形成される。上記外形のエッチングにより、カンチレバ
ーは自由端側に重り部１２が設けられ、この重り部１２
と周辺厚肉部１１との間を薄肉部１０により接続された
構造になっている。このエッチングの際にはＸおよびＹ
方向のカンチレバー２，３に薄肉部１０が形成され、カ
ンチレバー側面と周辺厚肉部および薄肉部と重り部の連
結部分が曲面（Ｒ）加工される。
【００１０】次に各方向のカンチレバーの構成を説明す
る。なお、Ｘ，Ｙ方向加速度センサのカンチレバーは同
一構造のものを用い、その感知方向を９０度ずらせて配
置されるため、ここではＸ方向カンチレバーについての
み説明する。
る。なお、Ｘ，Ｙ方向加速度センサのカンチレバーは同
一構造のものを用い、その感知方向を９０度ずらせて配
置されるため、ここではＸ方向カンチレバーについての
み説明する。
【００１１】Ｘ方向カンチレバーは、図４Ａに示すよう
に、検出方向の薄肉部１０の厚みに対してＺ方向の薄肉
部の長さが寸法において大きく形成、すなわち検出方向
に薄く、Ｚ方向に厚く形成されており、薄肉部１０が検
出方向に対して変形（振幅）し易く、またチップの厚み
（Ｚ）方向に対して変形（振幅）しにくい構造になって
いる。
に、検出方向の薄肉部１０の厚みに対してＺ方向の薄肉
部の長さが寸法において大きく形成、すなわち検出方向
に薄く、Ｚ方向に厚く形成されており、薄肉部１０が検
出方向に対して変形（振幅）し易く、またチップの厚み
（Ｚ）方向に対して変形（振幅）しにくい構造になって
いる。
【００１２】図示の検出方向Ｘ（Ｙ）の振動が加わった
とき、薄肉部１０と周辺厚肉部１１の連結部分に歪み応
力が発生する。この歪み応力を検知するため、薄肉部１
０には、図４Ｂに示す１対の歪ゲージ７が配置されてい
る。これらの歪ゲージ７は配線８によりバッド９に接続
され、外部においてブリッジ回路が構成される。
とき、薄肉部１０と周辺厚肉部１１の連結部分に歪み応
力が発生する。この歪み応力を検知するため、薄肉部１
０には、図４Ｂに示す１対の歪ゲージ７が配置されてい
る。これらの歪ゲージ７は配線８によりバッド９に接続
され、外部においてブリッジ回路が構成される。
【００１３】Ｚ方向カンチレバーは、図３Ａに示すよう
に、検出方向の薄肉部１０の厚みに対してＹ方向の幅が
寸法において大きく形成されており、チップの垂直（Ｚ
）方向に対して変形し易く、一方ＸおよびＹ方向に対し
て変形しにくい構造になっている。図示のＺ方向の振動
が加わったとき、薄肉部１０と周辺厚肉部１１の連結部
分に歪み応力が発生する。この歪み応力を検知するため
、薄肉部１０には、図３Ｂに示す１対の歪ゲージ７が配
置されている。
に、検出方向の薄肉部１０の厚みに対してＹ方向の幅が
寸法において大きく形成されており、チップの垂直（Ｚ
）方向に対して変形し易く、一方ＸおよびＹ方向に対し
て変形しにくい構造になっている。図示のＺ方向の振動
が加わったとき、薄肉部１０と周辺厚肉部１１の連結部
分に歪み応力が発生する。この歪み応力を検知するため
、薄肉部１０には、図３Ｂに示す１対の歪ゲージ７が配
置されている。
【００１４】上記実施例の加速度センサのセンサチップ
の作用を説明する。ある方向の加速度によりカンチレバ
ーが振動すると、カンチレバーの薄肉部が変形し、この
変形量が歪ゲージによって電気量で検出される。このと
きカンチレバーの根本、すなわち周辺厚肉部とカンチレ
バー側面との連結部分に振動力による応力集中が起こる
。しかし、連結部分が曲面加工されているため、応力は
分散され、該部分での破壊が起りにくい状態になる。
の作用を説明する。ある方向の加速度によりカンチレバ
ーが振動すると、カンチレバーの薄肉部が変形し、この
変形量が歪ゲージによって電気量で検出される。このと
きカンチレバーの根本、すなわち周辺厚肉部とカンチレ
バー側面との連結部分に振動力による応力集中が起こる
。しかし、連結部分が曲面加工されているため、応力は
分散され、該部分での破壊が起りにくい状態になる。
【００１５】ところで、三次元加速度センサとしては、
図１に示すように、各方向の振動に対して感度を持たせ
るようにカンチレバーが配置されているため、各カンチ
レバーに配置されている歪ゲージは当該方向の加速度成
分の大きさを検出することになる。したがって、３方向
のセンサ出力を解析することにより、加速度の方向や大
きさを計測することができる。
図１に示すように、各方向の振動に対して感度を持たせ
るようにカンチレバーが配置されているため、各カンチ
レバーに配置されている歪ゲージは当該方向の加速度成
分の大きさを検出することになる。したがって、３方向
のセンサ出力を解析することにより、加速度の方向や大
きさを計測することができる。
【００１６】上記実施例ではカンチレバーの外形をエッ
チング加工しているが、ワイヤーカットによる放電加工
も適用できる。またセンサチップの基板として、本実施
例では金属基板を使用しているが、カンチレバー側面に
曲面加工ができる他の材料から成る基板を使用すること
もできる。
チング加工しているが、ワイヤーカットによる放電加工
も適用できる。またセンサチップの基板として、本実施
例では金属基板を使用しているが、カンチレバー側面に
曲面加工ができる他の材料から成る基板を使用すること
もできる。
【００１７】
【発明の効果】上述のとおり、本発明によれば、カンチ
レバー側面と基部厚肉部の連結部分が曲面加工されてい
るため、カンチレバーの根本への応力集中が低下し、過
大衝撃に対する強度が高まり、優れた耐衝撃性、耐久性
が得られる。
レバー側面と基部厚肉部の連結部分が曲面加工されてい
るため、カンチレバーの根本への応力集中が低下し、過
大衝撃に対する強度が高まり、優れた耐衝撃性、耐久性
が得られる。
【図１】本発明の実施例を示す三次元加速度センサのセ
ンサチップの斜視図である。
ンサチップの斜視図である。
【図２】図１ａ−ａ線に沿った断面図である。
【図３】Ｚ方向加速度センサを構成するカンチレバーで
、図３Ａは斜視図、図３Ｂはｂーｂ線に沿った断面図で
ある。
、図３Ａは斜視図、図３Ｂはｂーｂ線に沿った断面図で
ある。
【図４】Ｘ（Ｙ）方向加速度センサを構成するカンチレ
バーで、図４Ａは斜視図、図４Ｂは歪ゲージの配置部分
の拡大図である。
バーで、図４Ａは斜視図、図４Ｂは歪ゲージの配置部分
の拡大図である。
１ センサチップ
２ Ｘ方向カンチレバー
３ Ｙ方向カンチレバー
４ Ｚ方向カンチレバー
５ 基板（金属）
６ 電気絶縁層
７ 歪ゲージ
１０ 薄肉部
１１ 周辺厚肉部
１２ 重り部
Claims (1)
- 【請求項１】 基部にカンチレバーを一体加工し、前
記カンチレバーの歪み応力が発生する部位に歪ゲージを
配置した加速度センサであって、前記カンチレバー側面
と基部の連結部分が曲面加工されていることを特徴とす
る加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079566A JPH04315056A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079566A JPH04315056A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315056A true JPH04315056A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13693561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3079566A Pending JPH04315056A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04315056A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06241877A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-02 | Bridgestone Corp | 重量測定装置 |
| JPH07325104A (ja) * | 1994-06-01 | 1995-12-12 | Zexel Corp | 加速度センサ |
| JPH0821841A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Canon Inc | 微小変位素子及びこれを用いた情報処理装置 |
| JPH0829446A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Honda Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPH10282135A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Ngk Insulators Ltd | センサユニット |
| JP2000266777A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Ritsumeikan | 静電容量型センサ |
| JP2002365129A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Nec Corp | 熱型赤外線検出器 |
| JP2007010402A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Makome Kenkyusho:Kk | 傾斜計 |
| JP2007024861A (ja) * | 2005-02-28 | 2007-02-01 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ及び振動素子の製造方法 |
| JP2007024862A (ja) * | 2005-03-04 | 2007-02-01 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ及びその調整方法 |
| WO2010032818A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ及び検出装置 |
| JP2018132493A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118260A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
| JPS62232171A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-12 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPS6418063A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Fujikura Ltd | Semiconductor acceleration sensor |
| JPH01162159A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3079566A patent/JPH04315056A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118260A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
| JPS62232171A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-12 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPS6418063A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Fujikura Ltd | Semiconductor acceleration sensor |
| JPH01162159A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06241877A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-02 | Bridgestone Corp | 重量測定装置 |
| JPH07325104A (ja) * | 1994-06-01 | 1995-12-12 | Zexel Corp | 加速度センサ |
| JPH0821841A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Canon Inc | 微小変位素子及びこれを用いた情報処理装置 |
| JPH0829446A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Honda Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPH10282135A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Ngk Insulators Ltd | センサユニット |
| JP2000266777A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Ritsumeikan | 静電容量型センサ |
| JP2002365129A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Nec Corp | 熱型赤外線検出器 |
| JP2007024861A (ja) * | 2005-02-28 | 2007-02-01 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ及び振動素子の製造方法 |
| EP1696206B1 (en) * | 2005-02-28 | 2011-10-26 | Sony Corporation | Method for manufacturing vibrating gyrosensor |
| JP2007024862A (ja) * | 2005-03-04 | 2007-02-01 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ及びその調整方法 |
| JP2007010402A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Makome Kenkyusho:Kk | 傾斜計 |
| WO2010032818A1 (ja) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ及び検出装置 |
| JP5357166B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-12-04 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ及び検出装置 |
| JP2018132493A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 |
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